2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.



Podobné dokumenty
Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Elektrotechnická zapojení

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

POZNÁMKY K ZADÁNÍ PREZENTACÍ - 17BBEO - TÉMA 2

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Studium tranzistorového zesilovače

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního

Maturitní témata. 1. Elektronické obvody napájecích zdrojů. konstrukce transformátoru. konstrukce usměrňovačů. konstrukce filtrů v napájecích zdrojích

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Elektrotechnické obvody

Test. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu?

Dioda jako usměrňovač

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Zkouškové otázky z A7B31ELI

1.3 Bipolární tranzistor

Sylabus kurzu Elektronika

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

Studijní opory předmětu Elektrotechnika

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

Kategorie Ž2. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Jednostupňové zesilovače

Měření na bipolárním tranzistoru.

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

MĚŘENÍ NA USMĚRŇOVAČÍCH

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Zvyšování kvality výuky technických oborů

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Test. Kategorie Ž2. 4 Snímek z digitálního osciloskopu zobrazuje průběh sinusového signálu. Jaká je přibližná frekvence signálu? Uveďte výpočet.

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Základy elektrotechniky

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu M/01 Strojírenství

Zdroje napětí - usměrňovače

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Elektronické praktikum EPR1

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Měření na unipolárním tranzistoru

Polovodičové usměrňovače a zdroje

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

Elektronické praktikum EPR1

(3 body) a) Vlnovou délku této vlny. b) Fázovou rychlost této vlny. c) Vlnovou impedanci prostředí. (4 body)

Profilová část maturitní zkoušky 2016/2017

Základy elektrotechniky

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Měření vlastností střídavého zesilovače

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

Parametry a aplikace diod

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =

MATURITNÍ ZKOUŠKA Z ELEKTROTECHNICKÝCH MĚŘENÍ

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ

Maturitní témata. pro ústní část profilové maturitní zkoušky. Dne: Předseda předmětové komise: Ing. Demel Vlastimil

Měření základních vlastností logických IO TTL

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

1.1 Pokyny pro měření

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Manuální, technická a elektrozručnost

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

Základní elektronické prvky a jejich modely

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Okruhy otázek k ZZ pro obor H/01 Elektrikář (ER)

Neřízené polovodičové prvky

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

2. MĚŘENÍ TEPLOTY TERMOČLÁNKY

Transkript:

A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. 3. Z V-A charakteristiky na obrázku určete číselné hodnoty parametrů lineárního náhradního obvodu diody při proudu I A = 2 ma. Nakreslete náhradní lineární obvod diody.

4. Stanovte hodnotu diferenciálního odporu diody zapojené v obvodu na obrázku. U 1 = 2 V, R 1 = 1 kω. 5. Z grafu předchozí úlohy určete úbytky napětí a proudy diody D 1 a rezistoru R 1. U D1 = U R1 = I D1 = I R1 = 6. Napište typické hodnoty úbytků napětí v propustném směru následujících diod: a) usměrňovací Si dioda s přechodem kov - polovodič: b) usměrňovací Si dioda s přechodem PN: 7. Napište typické hodnoty úbytků napětí v propustném směru následujících diod: a) LED červená: c) usměrňovací Si dioda s přechodem kov - polovodič: b) Si Zenerova dioda d) usměrňovací Si dioda s přechodem PN: 8. Úbytek napětí v propustném směru u Si diody s PN přechodem (například KY708) při 20 0 C a proudu I A =5mA je U AK =0,65V. Vypočtěte hodnotu napětí U AK pro teplotu PN přechodu 100 0 C. 9. Definujte graficky dobu závěrného zotavení t rr usměrňovací diody. (max. 2)

10. Vyložte co to je varikap, v jakých aplikacích a při jaké polarizaci se obvykle užívá?. (max. 3) 11. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R z obrázku. U 1 = 15 V, U 2 = 10 V a I ZD = 10mA. Určete jeho ztrátový výkon. 12. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =10 V, R Z =1 kω a I ZD =10mA. Určete jeho ztrátový výkon. 13. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte obvod na obrázku a nakreslete jej, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =15 V, R 1 =470 Ω, R Z =2,2 kω. 14. Nakreslete zapojení jednopulzního usměrňovače s filtrem a vypočtěte hodnotu kapacity filtračního kapacitoru pro zvlnění výstupního napětí 10% při zátěži R Z =220 Ω a a kmitočtu napájecího napětí f = 50 Hz.

15. Nakreslete zapojení dvojpulzního usměrňovače s filtrem a vypočtěte hodnotu kapacity filtračního kapacitoru pro zvlnění výstupního napětí 10% při zátěži R Z =220 Ω a a kmitočtu napájecího napětí f = 50 Hz. 16. Nakreslete příklad zapojení můstkového usměrňovače s filtrem a vypočtěte hodnotu kapacity filtračního kapacitoru pro zvlnění výstupního napětí 10% při zátěži R Z = 100 Ω a kmitočtu napájecího napětí f = 50 Hz. 17. Nakreslete náhradní lineární obvod typu h e bipolárního tranzistoru pro změny elektrických veličin. Napište definiční vztahy jeho parametrů, vyložte jejich obvodový význam, rozměry a okrajové podmínky platnosti. (max. 10) 18. Nakreslete alespoň dvě zapojení nastavení stejnosměrného pracovního bodu zesilovače SE s tranzistorem NPN.

19. Nakreslete alespoň dvě zapojení nastavení stejnosměrného pracovního bodu zesilovače SE s tranzistorem PNP. 20. Nakreslete zapojení nastavení stejnosměrného pracovního bodu zesilovače SC s tranzistorem NPN a PNP. 21. Nakreslete alespoň dvě zapojení zesilovače SE s tranzistorem NPN. 22. Nakreslete alespoň dvě zapojení zesilovače SE s tranzistorem PNP. 23. Nakreslete zapojení zesilovače SC s tranzistorem NPN a PNP.

24. Nakreslete zapojení spínače s tranzistorem NPN a PNP. Naznačte postup pro výpočet Rb. 25. Nakreslete zapojení spínače s tranzistorem NPN a PNP s antisaturační diodou. 26. Pro výše uvedenou otázku nakreslete pod sebe průběhy všech napětí a proudů v závislosti na čase. 27. Nakreslete výstupní VA charakteristiky bipolárního NPN tranzistoru a vyznačte v nich saturační a lineární oblasti.

28. Nakreslete výstupní VA charakteristiky bipolárního PNP tranzistoru a vyznačte v nich saturační a lineární oblasti. 29. Ve výstupních charakteristikách zakreslete zatěžovací přímku a stanovte pracovní bod tranzistoru, zapojeného jako zesilovač ve třídě A. U CC = 10 V, R C = 720 Ω, R E = 100 Ω. 30. Vypočtěte potřebnou velikost hodnoty odporu rezistoru R B v obvodu předchozí úlohy. 31. Z charakteristik určete hodnotu parametru h 21e v pracovním bodě tranzistoru v zapojení zesilovače z úlohy 7.

32. Vypočtěte velikost hodnoty odporu R B zesilovače ve třídě A z obrázku. U CC = 15V, R C = 2,2 kω, β=i C /I B =200. 33. Vypočtěte velikost vstupního odporu zesilovače z obrázku předchozí otázky, je-li h 11e =1000Ω. 34. Vypočtěte velikost výstupního napětí Δu výst z obrázku otázky 32 při Δu vst = 5mV. Impedanci kapacitorů C V1 a C V2 uvažujte zanedbatelně malou, h 11e = 1000 Ω, h 21e = 200. 35. Nakreslete náhradní lineární obvod pro změny střídavého signálu zesilovače z úlohy 32. 36. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tranzistoru JFET s kanálem N v zapojení se společným source. Součástí úlohy je i schematická značka s orientacemi napětí a proudů.

37. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tranzistoru JFET s kanálem P v zapojení se společným source. Součástí úlohy je i schematická značka s orientacemi napětí a proudů. 38. Nakreslete zjednodušenou strukturu tranzistoru JFET s kanálem N. 39. Nakreslete náhradní lineární obvod typu y s unipolárního tranzistoru pro změny elektrických veličin. Napište definiční vztahy jeho parametrů, vyložte jejich obvodový význam, rozměry a okrajové podmínky platnosti. (max. 10)

40. Určete velikosti hodnot odporů rezistorů R D a R S z obrázku tak, aby došlo k nastavení pracovního bodu s U DS =7,5V a I D =7,5mA. (max. 8) 41. Vypočtěte napěťové zesílení zesilovače malého signálu s tranzistorem na obrázku. Uvažujte y 21 =4,5 ms, y 22 =0,04 ms, R D =1 kω, R S =100 Ω, R G =1 MΩ. Impedanci kapacitorů C V1, C V2 a C b uvažujte nulovou. 42. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tranzistorů MOSFET (součástí úlohy jsou i schematické značky s orientacemi napětí a proudů): a) S indukovaným kanálem N. b) S indukovaným kanálem P. 43 Nakreslete zapojení pro nastavení pracovního bodu zesilovače se společným source s tranzistorem MOSFET: a) S indukovaným kanálem N. b) S indukovaným kanálem P.

44 Nakreslete zapojení pro nastavení pracovního bodu zesilovače se společným source s tranzistorem MOSFET: a) Se zabudovaným kanálem N. b) Se zabudovaným kanálem P. 45. Vypočtěte hodnotu odporu R 1 tak, aby obvod pracoval jako zesilovač ve třídě A. R 2 =100kΩ, R D =750 Ω, U DD =15V. 46. Vypočtěte hodnotu odporu R 1 tak, aby obvod pracoval jako zesilovač ve třídě A. R 2 =100kΩ, R D =750 Ω, R S =220 Ω, U DD =15V. 47. Pro zesilovač na obrázku nakreslete náhradní lineární obvod pro změny signálu. Hodnoty kapacit všech kondenzátorů považujte jako nekonečné.

48. Pro zesilovač z předchozí úlohy odvoďte vztahy pro vstupní odpor a napěťové zesílení. 49. Vypočtěte velikost překmitu napětí U DS při vypínání induktivní zátěže, tvořené vinutím s R =10 Ω, L = 0,1mH, je-li vypínací doba tranzistoru 1.10-6 s a U DD = 15V. Odpor v sepnutém stavu tranzistoru zanedbejte. 50. Nakreslete v měřítku průběhy výstupních V-A charakteristik tyristoru, triaku a diaku. Součástí úlohy jsou i schematické značky s orientacemi napětí a proudů. 51. Vypočtěte hodnoty odporů rezistorů R 1 a R g v zapojení na obrázku, je-li U a =230V/50Hz, maximální proud hradla tyristoru I GFM =200mA a minimální spínací proud hradla I GT =0,5mA, spínací napětí U GT =1,2V. Úhel otevření uvažujte 20 0 až 160 0. Impedanci zátěže R z zanedbejte.

52. Uveďte nejdůležitější vlastnosti ideálního a reálného operačního zesilovače včetně jejich orientačních hodnot. 53. Nakreslete zapojení neinvertujícího zesilovače s operačním zesilovačem. Hodnoty napětí napájení zvolte tak aby zesilovač mohl mít na výstupu napětí +/ 10V. Hodnoty odporů rezistorů vypočtěte tak aby platilo A u =100. Přihlédněte ke vstupním klidovým proudům I IB =0,5μA a výstupnímu odporu zesilovače 100 Ω. 54. Nakreslete zapojení invertujícího zesilovače s operačním zesilovačem. Hodnoty napětí napájení zvolte tak aby zesilovač mohl mít na výstupu napětí +/ 10V. Hodnoty odporů rezistorů vypočtěte tak aby platilo A u =100. Přihlédněte ke vstupním klidovým proudům I IB =0,5μA a výstupnímu odporu zesilovače 100 Ω. 55. Vypočtěte vstupní odpor Vámi navrženého zapojení předchozí úlohy. (max. 3)

56. Nakreslete zapojení operačního zesilovače jako komparátoru bez hystereze. 57. Nakreslete zapojení operačního zesilovače jako komparátoru s hysterezí. 58. Napište pravdivostní tabulku dvouvstupého hradla NAND, NOR a XOR 59. Nakreslete vnitřní obvodové zapojení invertoru CMOS. 60. Navrhněte velikost odporu rezistoru R 1 v zapojení na obrázku. Svítivá dioda D 1 je červená. Hradlo je typu HCMOS, uvažujte výstupní odpor 100 Ω. Proud svítivkou má být 5mA.