Jednostupňové zesilovače

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Jednostupňové zesilovače"

Transkript

1 Kapitola 2 Jednostupňové zesilovače Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce a převod do tištěné podoby je povolen pouze se souhlasem autora! 13. října 2009 c Jiří Hospodka R i i 1 i 2 u i u 2 R z Obrázek 2.1: Základní uspořádání zesilovače 1

2 u 2 = A u i 1 i 2 = A i i 1 (a) (b) i 1 u 2 = R T i 1 i 2 = G T (c) (d) Obrázek 2.2: Základní typy ideálních zesilovačů napěťový (a), proudový (b), transimpedanční (c) a transadmitanční (d) 2

3 i 1 R vyst i 2 i 1 i 2 R vst u 0 u 2 R vst i 0 u 2 R vyst (a) (b) Obrázek 2.3: Odporové modely reálných zesilovačů Tyto modely charakterizují základní odporové chování reálných zesilovačů, které zanedbávají zpětný přenos, tedy přenos z výstupu zesilovače na jeho vstup Nastavení a stabilizace pracovního bodu tranzistorů Nastavení pracovního bodu bipolárních tranzistorů 3

4 R B R C U RC I B R B I C R C U C = U CE 0.7 V I B B C I C = β F I B I B B I C C 0.7 V β F I B U B = U BE E E (a) (b) (c) Obrázek 2.4: Jednoduché nastavení pracobního bodu bipolárního tranzistoru (a), lineární náhradní model bipolárního tranzistoru v aktivní oblasti pro jednoduché určení pracovního bodu (b) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). I B = U N 0, 7, R B (2.1) U N 0, 7 I C = β F I B = β F R B (2.2) 4

5 Příklad 2.1 Určete proud kolektoru tranzistoru v zapojení 2.4 (a), jestliže U N =10V, R B = 470 kω, β F = 100 a R C =2kΩ. R B R C I B I C U C = U CE U B = U BE Řešení Proud kolektoru určíme ze vztahu 2.2, tj. U N 0, 7. I C = β F I B = β F =2mA. R B Kontrola aktivního režimu tranzistoru: U CB = U CE U BE =(U N I C R C ) 0, 7 =5,. 3 V. 5

6 R C I C R C U C I B R C I C B C U RC I B U CE R B 0.7 V β F I B I U B R B I U E I = I E =(1+β F )I B E U N U N U N (a) (b) (c) Obrázek 2.5: Nastavení pracobního bodu bipolárního tranzistoru pomocí proudového zdroje v emitorovém obvodu (a), (b) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (c). I C = α F I E = α F I. 6

7 R C I B R C I C B C U RC I C U C I B U CE 0.7 V β F I B U BE I E I E =(1+β F )I B E U RE R E R E U RE U N U N (a) I E = U N 0, 7 R E (b) = I C α F, (2.3) Obrázek 2.6: Nastavení pracobního bodu bipolárního tranzistoru pomocí emitorového odporu (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). 7

8 R 1 R C I B R C I C B C U RC I 1 I B I C U C R i = R 1 R V β F I B U CE I E U i = UN R2 R 1 + R 2 I B E I E =(1+β F )I B U B R 2 R E U E U E R E (a) (b) Obrázek 2.7: Můstkové zapojení pro nastavení pracobního bodu bipolárního tranzistoru (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). U i 0, 7=I B R i + I E R E = I B R i + I B (β F +1)R E, (2.4) U i 0, 7 I B = R i + R E (β F +1), (2.5) 8

9 U i 0, 7=I B R i + I E R E = I B R i + I B (β F +1)R E R i I B R E(β F +1) U i I B U E 0.7 V Obrázek 2.8: Ekvivalentní zapojení smyčky I B z obrázku 2.7 (b). Pokud bude R i R E (β F +1) (dělič v obvodu báze má relativně malý vnitřní odpor), pak lze vztah (2.5) upravit a po vydělení členem β +1 dostaneme výraz (2.7), který je obdobou vztahu 2.3. I B = U i 0, 7 R E (β F +1), (2.6) I E = U i 0, 7 R E = I C α F, (2.7) 9

10 Příklad 2.2 Určete proud kolektoru tranzistoru v zapojení 2.7 (a), jestliže U N =12V, R 1 = 330 kω, R 2 = 100 kω, R C =6, 8 kω, R E =1, 5 kω a β F = 300. Řešení Pro hodnoty náhradního Theveninova schématu podle obrázku 2.7 (b) pak dostaneme: U i = U NR 2. =2, 8 V, R 1 + R 2. Ri =77kΩ. Pro proud kolektoru pak ze vztahu 2.5 vyplývá I C = β F (U i 0, 7) R i + R E (β F +1) = U i 0, 7 R i /β F + R E /α F. =1, 2 ma. (2.8) apronapětíu CB platí U CB = U CE U BE = ( U N I C (R C + R E ) ) 0.7 =3,. 2 V. 10

11 U RC R C R B I E R B R C I B B C I C I B U C 0.7 V β F I B U C I E =(β F +1)I B E (a) (b) Obrázek 2.9: Nastavení pracobního bodu bipolárního tranzistoru pomocí zpětnovazebního odporu R B (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). U C =0, 7+R B I B, I E =(β F +1)I B = U N U C R C. (2.9) I C = β F I B = β F (U N 0.7) R B +(β F +1)R C. (2.10) 11

12 Nastavení pracovního bodu unipolárních tranzistorů R D I G =0 G U GS I D D S G S U GS D I D = f(u GS) I = I S = I D U N (a) (b) Obrázek 2.10: Nastavení pracobního bodu unipolárního tranzistoru pomocí proudového zdroje v obvodu source (a) a nelineární náhradní model unipolárního tranzistoru pro určení pracovního bodu (b). i D = 1 2 K P W L (u GS U TO ) 2 pro U DS >U GS U TO (2.11) 12

13 U RD R D R D G U D D I G =0 I D D 0 U GS I D = f(u GS) S U GS S I S = I D I S = I D R S U RS R S U N U N (a) (b) Obrázek 2.11: Nastavení pracobního bodu unipolárního tranzistoru pomocí odporu v obvodu source (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). U GS = U N R S I D, (2.12) I D = 1 2 K W P L (U N R S I D U TO ) 2 pro U DS >U GS U TO (2.13) 13

14 Příklad 2.3 Určete proud kolektoru tranzistoru v zapojení 2.11 (a), jestliže U N =5V, R D = 5 kω, R S =4kΩ, K p =1, 6 ma/v 2, W = 160 µm, L =10µm au TO =1, 9 V. Řešení Předpokládejme, že je tranzistor v saturační oblasti. Pak platí rovnice (2.13). Dosazením numerických hodnot a jejím řešením dostaneme pro proud I D dvě hodnoty (jedná se o kvadratickou rovnici) a k nim příslušející velikosti napětí U GS : { I D1 =0, 716 ma a U GS1 =2, 14 V, I D = I D2 =0, 84 ma, a U GS2 =1, 64 V. Je zřejmé, že U GS2 <U TO... Dále je nutné ověřit předpoklad! U GS1 U TO =0, 24 <U DS =2U N I D (R D + R S )=3, 56 V 14

15 U RD R D R 1 R D G U D D 0 I D 0 U GS I D = f(u GS) U G = UN R2 R1+R2 U GS R 2 R S U G U RS S I S = I D RS (a) (b) Obrázek 2.12: Můstkové zapojení pro nastavení pracobního bodu unipolárního tranzistoru (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). U GS = U G U S = U G R S I D (2.14) 15

16 I D R G 0 R D U RD I D R D G D R G U GS I D = f(u GS) I G =0 U D = U G U GS = U D S I S = I D I S = I D (a) (b) Jelikož U DS = U GS a U TO > 0, platíu DS >U GS U TO. Pokud se tranzistor otevře (U GS >U TO ), pak platí vztah (2.11). Potom U GS = U N R D I D, (2.15) I D = 1 2 K W P L (U N R D I D U TO ) 2 (2.16) 16

17 Příklad 2.4 Určete proud kolektoru tranzistoru v zapojení (a), jestliže U N =10V, R D = 5 kω, R G =1MΩ, K p =1, 6 ma/v 2, W = 160 µm, L =10µm au TO =1, 9 V. Řešení Vzhledem k tomu, že U N > U TO bude tranzistor otevřen a navíc vzhledem k výše uvedenému bude v saturační oblasti. Pak platí rovnice (2.16). Dosazením numerických hodnot a jejím řešením dostaneme pro proud I D opět dvě hodnoty a k nim příslušející velikosti napětí U GS : { I D = I D1 =1, 55 ma a U GS1 =2, 25 V, I D2 =1, 69 ma, a U GS2 =1, 54 V. Je zřejmé, že U GS2 <U TO... a U GS1 U TO =0.35 <U DS =2, 25 V 17

18 U RD R D R D G U D D 0 I D 0 U GS I D = f(u GS) U GS S I S = I D R S U S = U RS R S (a) (b) Obrázek 2.13: Můstkové zapojení pro nastavení pracobního bodu unipolárního tranzistoru JFET pomocí odporu v obvodu source (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). U GS = U S = R S I D, (2.17) I D = K β ( R S I D U TO ) 2 pro U DS >U GS U TO (2.18) 18

19 Příklad 2.5 Určete proud kolektoru tranzistoru v zapojení 2.13 (a), jestliže U N =10V, R D = 3 kω, R S =1kΩ, K β =1, 5 ma/v 2,aU TO = 2, 3 V. Řešení Předpokládejme, že je tranzistor v saturační oblasti. Pak platí rovnice (2.18). Dosazením numerických hodnot a jejím řešením dostaneme pro proud I D dvě hodnoty a k nim příslušející velikosti napětí U GS : {.. I D1 =1, 35 ma a UGS1 = 1, 35 V, I D =.. I D2 =3, 9mA a UGS2 = 3, 9V.... Je zřejmé, že U GS2 <U TO, tj. tranzistor se neotevře, navíc I D2 R D. =12>UN Dále je nutné ověřit předpoklad!. U GS1 U TO =0.95 <UDS = U N I D (R D + R S ) =4,. 6 V 19

20 DKP SKP HKP P [db] 3dB f d f [Hz] Obrázek 2.14: Typický příklad průběhu modulu přenosu širokopásmového zesilovače s horním i dolním mezním kmitočtem. Následující podkapitoly prezentují vlastnosti základních zesilovacích stupňů ve středním kmitočtovém pásmu (f d <f>f h ). Lze ukázat, že v SKP se neuplatní parazitní kapacitory aktivních prvků (tranzistorů), které lze pak nahradit pouze odporovými modely. Dále lze všechny oddělovací a blokovací kapacitory nahradit zkratem, jelikož mají zanedbatelnou impedanci vůči velikostem příslušných odporových složek obvodu (např. vstupnímu odporu). Všechny stejnosměrné napájecí zdroje mají nulovou střídavou složku, proto se pro střídavé veličiny chovají jako zkrat (napěťové zdroje), resp. jako rozpojený obvod (proudové zdroje). f h 20

21 2.2. Zesilovače s bipolárními tranzistory Zesilovač se společným emitorem R in R C C 2 R out C E R z u 2 i 1 = i b i c i 2 B C I g m u be r π u be R C R z u 2 U N R in E R out (a) (b) Obrázek 2.15: Elementární zapojení zesilovače se společným emitorem (a) a jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b). Z náhradního obvodu je evidentní, že u be =, i c = g m a u 2 = i c (R C R z ). Napěťové zesílení a vstupní odpor je potom 21

22 A u = u 2 = g mu be R z u be = g m R z, kde R z = R C R z (2.19) R in = i 1 = r π. (2.20) Proudové zesílení udáváme obvykle pro výstup nakrátko (R z =0), kdy platí i 2 = i c a proudové zesílení nakrátko lze vyjádřit vztahem A i = i 2 = g mu be u i be = g m r π = β, pro R z =0. (2.21) 1 r π 0 0 i 2 B C g m u be r π R C u 2 0 u be E Obrázek 2.16: Náhradní zapojení pro určení výstupního odporu ve SKP obvodu z obrázku R out = u 2 = R C (2.22) i 2 22

23 Příklad 2.6 Určete napěťový přenos, vstupní a výstupní odpor zesilovače z obrázku 2.17, jestliže U N =10V, R B = 470 kω, β F = 100, R C =2kΩ a R z =8kΩ. R B R C C 1 C 2 R z u 2 Obrázek 2.17: Příklad zapojení zesilovače se společným emitorem. Řešení Pracovní bod byl určen v příkladu 2.1 na straně 5, tj. I C =2mA. Hodnoty náhradního linearizovaného schématu tranzistoru jsou: g m =80mS a r π =1, 25 kω. Náhradní obvod pro střídavé veličiny odpovídá obrázku 2.15 (b) s tím, že ke vstupní svorce je navíc paralelně řazen rezistor R B. Pro napěťové zesílení platí vztah (2.19), pro výstupní odpor vztah (2.22) a vstupní odpor je R in = r π R B.. A u = 128, R in =1, 25 kω, Rout =2kΩ. 23

24 Příklad 2.7 Určete napěťový i proudový přenos, vstupní a výstupní odpor zesilovače na obrázku 2.18, jestliže U N = 12V, R 1 = 330 kω, R 2 = 100 kω, R C = 6, 8 kω, R E =1, 5 kω, R z =13kΩ a β F = 300. C i c i 2 R in R 1 R R out C C 2 i 1 B g mu be R C R z u 2 C 1 i b R z u 2 r e u be i RB E R 2 R E R B = R 1 R 2 i e R E (a) (b) Obrázek 2.18: Zapojení jednotranzistorového zesilovače se společným emitorem, můstkovým nastavením pracovního bodu a neblokovaným emitorovým rezistorem (a) a jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b). 24

25 Řešení Pracovní bod byl určen v příkladu 2.2 na straně 10, tj. I C =1.2mA. Hodnoty. náhradního linearizovaného schématu tranzistoru jsou g m =48mS a r e =21Ω. Pro výpočet napěťového zesílení, resp. výstupního napětí určíme nejprve řídící napětí u be z napěťového děliče r e, R E,čímžjedánproudi c = g m u be atími výstupní napětí r e u be =, u 2 = i c R g m R z = u zr e 1, kde R z = R C R z. (2.23) r e + R E r e + R E Napěťové zesílení určíme již snadno, přičemž výsledný vztah lze upravit a dále zjednodušit. Jednak je pro dané β činitel α =1a. v tomto případě lze také zanebat hodnotu náhradního rezistoru r e vůči velikosti emitorového rezistoru R E. A u = u 2 = g mr zr e = R zα. R = z, pro α 1, r e R E (2.24) r e + R E r e + R E R E Vstupní odpor určíme z relace budicího napětí a vstupního proudu i 1,který je součtem dvou složek i 1 = i RB + i b = i RB + i e β +1 = + R B (β +1)(r e + R E ). (2.25) 25

26 V našem případě lze uplatnit β +1 =. β a dále relaci r e R E. Potom pro vsrupní odpor platí R in = ( = R B (β +1)(re + R E ) ). = RB (βr E ) pro r e R E. (2.26) i 1 Pozn.: Podle obrázku 2.18 je vstupní odpor dán paralelní kombinací rezistoru R B a sériovou kombinací rezistorů r e a R E, přepočítaných na vstupní (bázovou) stranu pomocí činitele β +1, stejně jako v případě určování pracovního bodu, viz obrázek 2.8 na straně 9. Je vhodné si uvědomit relaci (β +1)(r e + R E)=r π +(β +1)R E. Proudové zesílení nakrátko (pro R z 0) určíme podle definice z náhradního schématu 2.18 (b). A i = i 2 i 1 = i c i RB + i b = i RB β (β+1)(r e+r E) ib +1 = β R B +1. = β βr E R B +1 pro r e R E, (2.27) Z čehož je zřejmé, že A i <βa to díky proudu rezistorem R B. Zbývá určit výstupní odpor, který je v tomto případě dán vztahem (2.22). Numerické hodnoty jednotlivých veličin jsou následující: A u. = 3, Rin. =66kΩ, Ai. =44, Rout =6, 8 kω. 26

27 Zesilovač se společnou bází Z náhradního obvodu je evidentní, že napětí u be =,proudi c = g m a potom výstupní napětí u 2 = i c (R C R z ). Napěťové zesílení určíme jako C i c i 2 R C C 2 R out i b B g m u be R C R z u 2 C 1 R in R z u 2 r e u be I E i 1 = i e = u be U N (a) (b) Obrázek 2.19: Elementární zapojení zesilovače se společnou bází (a) a jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b). 27

28 A u = u 2 = g mu be R z = g m R u z, kde R z = R C R z, (2.28) be což je co do velikosti stejný výsledek s výsledkem pro zapojení SE, vztah (2.19). Rozdíl je ovšem ve znaménku zapojení se společnou bází neobrací fázi napětí. Vstupní odpor je evidentní z náhradního zapojení. i 1 = i e a jak bylo uvedeno výše u be =, tudíž R in = = r e, (2.29) i 1 což je oproti vztahu (2.20) pro zapojení se společným emitorem více než β krát menší hodnota. Proudové zesílení nakrátko (i 2 = i c ) určíme z náhradního schématu 2.19 (b) následovně A i = i 2 = i c = α =1,. pro R z =0. (2.30) i 1 i e Výstupní odpor určíme stějně jako v případě zapojení se společným emitorem. Pokud bychom nakreslili náhradní schéma pro jeho určení, dostaneme obdobné zapojení jako bylo uvedeno na obrázku V tomto případě je báze uzemněna přímo a emitor by byl spojen se společnou svorkou přes kapacitor C 1 díky nulovanému zdroji. Schéma pro určení výstupního odporu je tedy schodné a výsledný vztah také R out = u 2 = R C. (2.31) i 2 28

29 Příklad 2.8 Určete napěťový a proudový přenos, vstupní a výstupní odpor zesilovače z obrázku 2.17, jestliže U N = 12V, R 1 = 330 kω, R 2 = 100 kω, R C = 6, 8 kω, R E =1, 5 kω, R z =13kΩ a β F = 300. R in R C C 1 C 2 R out R E R 1 R z u 2 R 2 C B Obrázek 2.20: Příklad zesilovače se společnou bází s můstkovým zapojením pro nastavení pracovního bodu. Řešení Pracovní bod byl určen v příkladu 2.2 na straně 10, tj. I C =1.2 ma. Hodnoty 29

30 náhradního linearizovaného schématu tranzistoru byly již určeny v příkladu 2.7. jedná se o shodné zapojení s jinou společnou elektrodou, g m =48mS a r e =21Ω. Je zřejmé, že náhradní obvod pro střídavé veličiny odpovídá obvodu z obrázku 2.19 (b) s tím, že ke vstupní svorce je navíc paralelně řazen rezistor R E. Ten však nemá vliv na velikost napěťového přenosu, pro který platí vztah (2.28). Obdobně se nemění ani výstupní odpor, který určuje vztah (2.31). Vstupní odpor je v tomto případě zmenšen rezistorem R E oproti vztahu (2.29) pro vlastní odpor zapojení se společnou bází. Lze tedy jednoduše psát R in = r e R E. Rezistor R E změní také hodnotu proudového zesílení, oproti teoretické hodnotě dané vztahem (2.30). Ta je v tomto prípadě menší, jelikož se vstupní proud rozdělí na proud emitoru i e, který se přenáší na výstup a proud rezistorem R E,který bude proudové zesílení změnšovat dělicím poměrem obou proudů. Proudové zesílení nakrátko je tedy dáno vztahem A i = i 2 i 1 = αi e R E r e+r E = αi 1 = α R E.. = α =1 pro re R E a R z 0. i 1 i 1 r e + R E Dosazením výše uvedených hodnot jednotlivých prvků a činitelů dostaneme numerické hodnoty odvozených parametrů: A u. = 214, Rin. =21Ω, Ai. =1, Rout =6, 8 kω. 30

31 Zesilovač se společným kolektorem C i c C i c R in i 1 = i b B g m u be i b B g m u be R out r e u be r e u be C 2 i 2 = i e E E i 2 = i e I R z u 2 R z u 2 u 2 U N (a) (b) (c) Obrázek 2.21: Elementární zapojení zesilovače se společným kolektorem (a), jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b) a náhradní schéma pro určení výstupního odporu (c). 31

32 Z náhradního obvodu (b) je evidentní, že = u be + u 2. K budicímu zdroji je paralelně zapojeno spojení dvou rezistorů r e + R E. Proud tohoto zdroje však není dán i 1 /(r e + R E )=i e! Je nutné si uvědomit, že proudové poměry v obvodu jsou značně ovlivněny řízeným proudovým zdojem. Napěťové poměry jím však ovlivněny nejsou a tudíž lze pro napěťový přenos psát R z r e+r z A u = u 2 = = R z. =1, pro re R z. (2.32) r e + R z Vlivem řízeného zdroje platí i 1 = i b = i e /(β +1)a vstupní odpor je: R in = i 1 = (β+1)(r e+r z) což je modifikací vztahu (2.26). Vztah pro proudové zesílení určíme snadno =(β+1)(r e +R z ). = βr z pro r e R z,β 1, (2.33) A i = i 2 = i e =(β +1) =. β pro β 1 (2.34) i 1 i b Výstupní odpor lze snadno odvodit z odpovídajícího náhradního schématu 2.21 (c). R in = u 2 = r e, (2.35) i 2 což odpovídá vstupnímu odporu zapojení SB, viz obrázek 2.19 (b) a vztah (2.29). 32

33 Příklad 2.9 Určete napěťový a proudový přenos, vstupní a výstupní odpor zesilovače z obrázku 2.22 (a), jestliže U N =7V, R E =8, 2 kω, R z =10kΩ a β F = 200. I E R E R out R E U RE R in C 2 E R z u 2 0, 7 V βi B U N I B B I C C U N (a) (b) Obrázek 2.22: Příklad zapojení jednoduchého zesilovače se společným kolektorem (a) a náhradní zapojení pro výpočet pracovního bodu (b). Řešení Nejprve je nutné určit pracovní bod. Tranzistor nahradíme lineárním modelem a 33

34 dostaneme náhradní schéma 2.22, z něhož určíme proud kolektoru v pracovním bodě I C = β F I B = α F I E = β F U RE = β F U N 0.7. =0, 76 ma. β F +1 R E β F +1 R E Pro výpočt byl použit lineární model tranzistoru, který předpokládal aktivní režim tranzistoru. Tuto podmínku je nutné ověřit. Zde je situace zřejmá. Napájecí napětí je větší než 0,7 V, přechod báze-emitor se jistě otevře. Báze je stejnosměrně uzemněna a kolektor je připojen přímo na záporné napětí kolektorový přechod je tedy zcela jistě polarizován v závěrném směru (jedná se o tranzistor PNP), což je důkaz toho, že tranzistor je v aktivním režimu. Nyní lze tranzistor nahradit linearizovaným modelem a dostaneme linearizované schéma zesilovače pro malé změny obvodových veličin ve SKP, které je uvedeno na obrázku Hodnoty prvků modelu tranzistoru určíme podle uvedených. vztahů z první přednášky: g m =30, 6 ms a r e =32Ω. Náhradní obvod je uveden dvakrát. Obrázek 2.23 (a) obdržíme prostým nahrazením linearizovaného modelu namísto PNP ranzistoru. Pokud však změníme orientaci obdobových veličin na kladnou řídící napětí u eb = u be a proudy i b a i e, změní se i orientace řízeného proudu i c (je řízen opačným napětím u be )adostaneme obvod Ten odpovídá náhradě tranzistoru modelem pro NPN tranzistor. Je evidentní, že oba obvody jsou shodné a tím i oba náhradní modely tranzistoru. 34

35 C i c E i e i 2 i 1 = i b B g m u be i b r e u eb R E R z u 2 B r e i e E u be i 2 i c g m u eb C R E R z u 2 (a) (b) Obrázek 2.23: Náhradní zapojení zesilovače z obrázku 2.22 pro malé změny obvodových veličin ve SKP (a) a stejné zapojení s kladnou orientací obvodových veličin (b). Zesilovač s PNP tranzistorem je z hlediska zpracovávaného signálu ekvivalentní se zesilovačem s tranzistorem NPN dosáváme naprosto shodné náhradní obvody. 35

36 Nyní určíme požadované parametry. Vzhledem k podobnodti výsledného náhradního schématu a schématu 2.21 (b) lze využít výše uvedeného odvození. Napěťové zesílení je obdobou vztahu (2.32) R z A u = u 2 = r e + R z, kde R z = R E R z. Podobně bude modifikován vstupní odpor R in = (β +1)(r e + R z). Vztahpro proudové zesílení nakrátko (R z 0) je evidentně shodný se vztahem (2.34) a výstupní odpor je zmenšen díky rezistoru R E, R out = r e R E. Dosazením numerických hodnot dostáváme:.... A u = 140, Rin = 910 kω, Ai =1, Rout =32Ω. 36

37 2.3. Zesilovače s unipolárními tranzistory Zesilovač se společným sourcem Vyjdeme ze zapojení 2.10 pro nasvení pracovního bodu. Celkové zapojení je uvedeno na obrázku 2.24 (a). R D R out R in I U N C 2 R z u 2 C S i g =0 R in G u gs S D i d g m u gs i 2 R D R out R z u 2 (a) (b) Obrázek 2.24: Elementární zapojení zesilovače se společným sourcem (a) a jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b). 37

38 Pokud je tranzistor v saturační oblasti, což budeme předpokládat, lze ho nahradit linearizovaným modelem pro malé změny obvodových veličin ve SKP, stejně jako u tranzistoru bipolárního. Opět nebudeme pro jednoduchost uvažovat výstupní odpor tranzistoru. V tomto případě dostaneme náhradní linearizovaný obvod, uvedený na obrázku 2.24 (b). Z náhradního obvodu je evidentní, že u gs =, i d = g m a u 2 = i d (R D R z ). Vztah pro napěťové zesílení je tudíž ekvivalentní vztahu pro napěťové zesílení zapojení se společným emitorem: A u = u 2 = g mu gs R z = g m R u z, kde R z = R D R z (2.36) gs Vzhledem k charakteru vstupní svorky je i g =0avzhledemktomu,ževtomto případě i 1 = i g, jde vstupní odpor i proudové zesílení nade všechny meze. R in =, A i = i 2. (2.37) i 1 i 1 Zbývá určit výstupní odpor, obdobně jako v zapojení SE, viz obrázek Vstupní zdroj nulujeme a budíme pomocným zdrojem u 2 do výstupních svorek, potom bude u gs =0a tudíž i i d = g m u gs =0aproudi 2 je dán pouze proudem rezistoru R D, podobně jako v zapojení SE. Výstupní odpor je R out = u 2 = R D (2.38) i 2 38

39 Příklad 2.10 Určete napěťový přenos a výstupní odpor zesilovače, jestliže U N =5V, R D = 5kΩ, R S =4kΩ, R z =20kΩ, K p =1, 6 ma/v 2, W = 160 µm, L =10µm au TO =1, 9 V. D i d i 2 R D R out i 1 =0 G g m u gs RD R z u 2 R in C 2 R z u 2 1 g m u gs R S S i s R S U N (a) (b) Obrázek 2.25: Zapojení jednotranzistorového zesilovače se společným sourcem, s neblokovaným rezistorem v obvodu source (a) a jeho náhradní zapojení pro střídavé veličiny ve SKP (b). 39

40 Řešení. Pracovní bod byl určen v příkladu 2.3 na straně 14, tj. I D =0, 72 ma. Z toho. určíme g m =6mS. Náhradní obvod pro střídavé veličiny je uveden na obrázku 2.25 (b), kde tranzistor byl nahrazen linearizovaným modelem T. Při výpočtu napěťového zesílení postupujeme obdobně jako v příkladu 2.7. Určíme řídící napětí u gs a pak výstupní napětí u 2 = i d R z = g m u gs R z, potom 1/g m u gs =, u 2 = i d R z 1/g m + R = u R z 1, kde R z S 1/g m + R = R C R z, S R z A u = u 2. R = = z, pro α 1, r e R S, (2.39) 1/g m + R S R S což je obdobou výše uvedeného vztahu (2.24) až na činitel α, který je roven přesně 1, protože v případě unipolárních tranzistorů je i g 1 a i d = i s. Výstupní odpor je v dán vztahem (2.38), tj.. A u = 1, Rout =5kΩ. Zesilovač obrací fázi, což je typické pro zapojení SE, resp. SS, nicméně napěťové zesílení je však velmi malé (rovno jedné), což je dáno neblokovaným rezistorem R S. Pokud by byl rezistor R S blokován kapacitorem, ve střídavém náhradním schématu be se neuplatnil (byl by zkratován), potom by platilo: A u = R zg m. = 24 pro RS 0. 40

41 Příklad 2.11 Určete napěťový i proudový přenos, vstupní a výstupní odpor zesilovače na obrázku 2.26, jestliže U N =10V, R D =5kΩ, R G =1MΩ, R z =43kΩ, K p = 1, 6 ma/v 2, W = 160 µm, L =10µm au TO =1, 9 V. R G R D C 1 C 2 R G i 1 i 1 G D u 2 u gs R z u 2 g mu gs R D S R in R out R z u 2 (a) (b) Obrázek 2.26: Zapojení jednotranzistorového zesilovače se společným sourcem, se zpětnovazebním rezistorem R G (a) a jeho náhradní zapojení pro střídavé veličiny ve SKP (b). Řešení.. Pracovní bod byl určen v příkladu 2.4 na straně 17, tj. I D =1, 55 ma gm = 8, 9 ms. Náhradní obvod pro střídavé veličiny je uveden na obrázku 2.25 (b), kde tranzistor byl nahrazen linearizovaným modelem Π. 41

42 Vztah pro napěťové zesílení odvodíme z rovnice pro uzlové napětí u 2,kde R z = R C R z : ( = = g m 1 ) ( 1 = u 2 R G R z + 1 ), R G u 2 + g m + u 2 R B R z = g m 1 R G u 1 1 A u = u 2 R G + 1 R z. = g m (R G R z ) =. g m R z, pro R G 1, R G R z g. m (2.40) Vstupní odpor je zde konečný, daný proudem i 1,přii g =0. Evidentně platí R in = = i 1 u 2 = R G R G (1 A u ). = R G 1+g m R z, pro R G 1 g m, R z, (2.41) tj. vstupní odpor je ( A u +1)-krát (A u < 0) menší než hodnota rezistoru R G!Je to způsobeno zpětnou vazbou, kerou tento rezistor zavádí. Proudový přenos nakrátko je definován při R z 0 a tudíž u 2 =0ai 1 = /R G, i 2 = i 1 g m u gs z čehož vyplývá ( ) 1 R G g m A i = i 2 i 1 =. =1 g m R G = gm R G, pro R G 1, (2.42) R G g m 42

43 což je očekávaný výsledek vstupní proud je, jak bylo uvedeno, i 1 = /R G,. a pokud jeho velikost zanedbáme vůči proudu řízeného zdroje je i 2 = gm a proudový přenos nakrátko je tudíž dán poměrem vodivostí g m a 1/R G. 1 Výstupní odpor určíme z náhradního schématu (2.27). Jelikož je vstuní napětí nulované, je nulový i proud drainem i d = g m u gs =0a pro výstupní odpor platí R G G D i 2 u gs S g m u gs u 2 R D R out R out = u 2 i 2 = R D R G. Obrázek 2.27: Náhradní linearizované zapojení zesilovače z obrázku 2.26 (a) pro určení výstupního odporu ve SKP. Numerické hodnoty jednotlivých veličin jsou následující:.... A u = 40, Rin =24kΩ, Ai = 8900, Rout =5kΩ. 1 Je nutné si uvědomit, že pro u 2 =0je obvod bez zpětné vazby a tudíž je vstupní odpor dán poze hodnotou rezistoru R G. 43

44 Zesilovač se společným gatem D i d i 2 R D R out 0 G g m u gs R D R z u 2 C 1 C 2 R in R z u 2 1 g m u gs i 1 S I U N (a) (b) Obrázek 2.28: Elementární zapojení zesilovače se společným gate (a) a jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b). Z náhradního schématu je evidentní, že u gs =, i d = g m a výstupní napětí u 2 = i d (R D R z ). Vztah pro napěťové zesílení je tudíž ekvivalentní vztahu pro napěťové zesílení zapojení se společnou bází: 44

45 A u = u 2 = g mu gs R z = g m R u z, gs kde R z = R D R z (2.43) I když zde také platí i g =0, má gate nulový potenciál a pro vstupní odpor evidentně platí R in = = 1, i 1 g m (2.44) jelikož i 1 = i s = i d = u gs g m. Z toho lze psát vztak pro proudové zesílení nakrátko A i = i 2 i 1 = i d i s =1, pro R z =0. (2.45) Zbývá určit výstupní odpor, který určíme obdobně jako v předchozím zapojení pro =0při buzení do výstupních svorek. Pro výstuní odpor platí R out = u 2 i 2 = R D, (2.46) tj. shodný vztah se vztahy pro zapojení SE, SB a SS. 45

46 Příklad 2.12 Určete napěťový přenos, vstupní a výstupní odpor zesilovače na obrázku 2.29, jestliže U N = 5V, R D = 5kΩ, R S = 4kΩ, R z = 20kΩ, K p = 1, 6 ma/v 2, W = 160 µm, L =10µm au TO = 1, 9 V. 0 R SC1 R in R out C 2 G I S = I D R S U GS U RS S I D = f(u GS) D 1 g m S u sg i s 0 G g mu sg i d D i 2 R S i 1 R D R z u 2 U RD R D R D R z u 2 U N U N (a) (b) (c) Obrázek 2.29: Zapojení jednotranzistorového zesilovače se společným gate s neblokovaným rezistorem v obvodu source (a), jeho náhradní zapojení pro určení pracovního bodu tranzistoru (b) a náhradní schéma pro střídavé veličiny ve SKP (c). 46

47 Řešení Pracovní bod řesíme zcela obdobně, nahradíme tranzistor náhradním modelem, dostaneme zapojení 2.29 (c) a pro proud I D evidentně platí: I D = 1 2 K W P L (U GS U TO ) 2, kde U GS = U N + R S I D. (2.47) Vzhledem k tomu, že se jedná o kvadratickou rovnici, proud drainem vyjde. stejně jako v příkladu 2.10, resp. 2.3 na straně 14, tj. I D = 0, 72 ma. Napětí.. mezi elektrodami tranzistoru v pracovním bodě pak je U GS = 2, 14 VaUDS = 3, 56 V, což vyhovuje podmínce pro saturační oblast tranzistoru (U DS U GS. U TO a U GS U TO ). Z pracovního bodu určíme hodnotu převodní vodivosti g m = 6 ms. Náhradní obvod pro střídavé veličiny je uveden na obrázku 2.29 (c). Pro napěťové zesílení platí tedy vztah (2.43 a pro výstupní odpor vztah (2.46). R in = i 1 = R S/g m 1/g m + R S = A i = i 2 i 1 = i s i 1 = R S 1+g m R S. (2.48) R S 1/g m + R S, pro R z =0. (2.49) A u. =24, Rout =5kΩ, R in. = 159 Ω, Ai. =

48 Zesilovač se společným drainem D D R in I R out C 2 u 2 U N R z i 1 =0 G 1 g m S g m u gs u gs i 2 = i s R z u 2 u 2 G 1 g m S g m u gs u gs i 2 = i s (a) (b) (c) Obrázek 2.30: Elementární zapojení zesilovače se společným drainem (a), jeho náhradní zapjení pro střídavé veličiny ve SKP (b), (c) zapojení pro určení výstupního odporu. Z náhradního schématu je evidentní, že = u gs + u 2, tj. napěťové zesílení je menší než jedna, stejně jako v případě zapojení se společným kolektorem: 48

49 A u = u 2 = R z 1/g m+r z = R z 1/g m + R z < 1 (2.50) Vzhledem k tomu, že vstupní proud i 1 = i g =0, roste vstupní odpor i proudové zesílení nade všechny meze (R in, A i ). Ze základních parametrů zbývá určit výstupní odpor, který určíme obdobně jako v předchozích zapojení pro =0při buzení do výstupních svorek. Na obrázku 2.30 (c) je uvedeno odpoovídající náhradní zapojení platné ve SKP. Pro výstuní odpor platí R out = u 2 = 1, (2.51) i 2 g m tj. podobně jako pro zapojení SC (r e 1/g m pokud β, což je případ unipolárních tranzistorů). 49

50 Příklad 2.13 Určete napěťový přenos, proudový přenos nakrátko a vstupní i výstupní odpor zesilovače na obrázku 2.31, jestliže U N =5V, R 1 =3MΩ, R 2 =1MΩ, R S =1kΩ, R z =20kΩ, K p =1, 5 ma/v 2 a U TO = 2, 3 V. D R in C 1 u G R 1 0 u S R out C 2 i 1 i 1 g m u gs G 1 g m u gs i s S i 2 R 2 R S R z u 2 R G R S R z u 2 (a) (b) Obrázek 2.31: Můstkové zapojení tranzistorového zesilovače se společným drainem (a) a jeho náhradní zapojení pro střídavé veličiny ve SKP (b). 50

51 Řešení Pracovní bod určíme obdobně jako v příkladě 2.5. Nahradíme tranzistor modelem pro výpočet pracovního bodu, přičemž budeme předpokládat, že je tranzistor v saturační oblasti. Pak lze psát I D = K β (U G U S U TO ) 2 R 2, kde U G = U N a U S = R S I D. R 1 + R 2 {.. I D1 =2, 3mA a UGS1 = 1, 06 V, I D =.. I D2 =5, 5mA a UGS2 = 4, 2V. Je zřejmé, že I D = I D1. =2, 3 ma, jelikož UGS2 <U TO. Naopak U GS1 U TO. = 0.95 <U DS = U N I D R S. =2, 7 V, čímž je ověřen předpoklad, že tranzistor je v saturační oblasti. Z proudu I D v pracovním bodě určíme hodnotu převodní vodivosti g m. = 3, 7 ms. Náhradní obvod pro střídavé veličiny je uveden na obrázku 2.25 (b), kde tranzistor byl opět nahrazen linearizovaným modelem T a kde rezistor R G = R 1 R 2 představuje paralelní spojení rezistorů R 1 a R 2. Napěťového zesílení určíme stejně jako pro schéma na obrásku Podle vztahu (2.50) lze psát A u = u 2 = R z 1/g m + R z, kde R z = R S R z. 51

52 Stejně jako v předchozím případě určíme i výstupní odpor (napětí vynulujeme a budíme místo zátěže). Pro výstupní odpor platí obdobný vztah jako (2.51) R out = 1 g m R S = R S 1+g m R S. Jelikož je vstupní brána zatížena rezistorem R G, je vstupní proud i 1 nenulový a pro vstupní odpor evidentně platí R in = R G. Proudový přenos nakrátko určíme jednoduše z náhradního schématu pro R z 0, tj.i 2 = i s = i d = g m u gs, u 2 =0a u gs =. Potom platí A i = i 2 = g m = g m R G. i 1 /R G Numerické hodnoty jednotlivých veličin jsou následující: A u. =0, 78, Rout. = 212 Ω, Rin = 750 kω, A i. =

Darlingtonovo zapojení

Darlingtonovo zapojení Tento dokument slouží pouze pro studijní účely studentům ČVUT FEL, zejména v předmětu X31ELO Dokument nemá konečnou podobu a může se časem upravovat a doplňovat Uživatel může dokument použít pouze pro

Více

Studium tranzistorového zesilovače

Studium tranzistorového zesilovače Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor

Více

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Univerzita Pardubice FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A INFORMATIKY SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Vypracoval: Ondřej Karas Ročník:. Skupina: STŘEDA 8:00 Zadání: Dopočítejte

Více

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností jednostupňových zesilovačů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednostupňových zesilovačů a to jak

Více

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10

Více

Základní elektronické prvky a jejich modely

Základní elektronické prvky a jejich modely Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu. v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův

Více

Cvičení 11. B1B14ZEL1 / Základy elektrotechnického inženýrství

Cvičení 11. B1B14ZEL1 / Základy elektrotechnického inženýrství Cvičení 11 B1B14ZEL1 / Základy elektrotechnického inženýrství Obsah cvičení 1) Výpočet proudů v obvodu Metodou postupného zjednodušování Pomocí Kirchhoffových zákonů Metodou smyčkových proudů 2) Nezatížený

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3? TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název

Více

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně. Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Děliče napětí a zapojení tranzistoru Středoškolská technika 010 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT Děliče napětí a zapojení tranzistoru David Klobáska Vyšší odborná škola a Střední škola slaboproudé elektrotechniky

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Základní vztahy v elektrických

Základní vztahy v elektrických Základní vztahy v elektrických obvodech Ing. Martin Černík, Ph.D. Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace. Klasifikace elektrických obvodů analogové číslicové lineární

Více

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Truhlář Michal 6.. 5 Laboratorní práce č.4 Úloha č. VII Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Úkol: Zapojte operační zesilovač a nastavte jeho zesílení na hodnotu přibližně. Potvrďte platnost

Více

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí

Více

Číslo projektu Číslo a název šablony klíčové aktivity Tematická oblast Autor Ročník 2, 3 Obor Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0514 III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Logické obvody sekvenční,

Více

Elektronické obvody pro optoelektroniku a telekomunikační techniku pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TU

Elektronické obvody pro optoelektroniku a telekomunikační techniku pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TU VYSOKÁ ŠKOLA BÁŇSKÁ - TECHNICKÁ UNIVERZITA OSTRAVA Fakulta elektrotechniky a informatiky Elektronické obvody pro optoelektroniku a telekomunikační techniku pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TU Garant předmětu:

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

I 3 =10mA (2) R 3. 5mA (0)

I 3 =10mA (2) R 3. 5mA (0) Kirchhoffovy zákony 1. V obvodu podle obrázku byly změřeny proudy 3 a. a. Vypočítejte proudy 1, 2 a 4, tekoucí rezistory, a. b. Zdroj napětí = 12 V, = 300 Ω, na rezistoru jsme naměřili napětí 4 = 3 V.

Více

Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1

Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1 Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1 Úvod Základy elektrotechniky 2 hodinová dotace: 2+2 (př. + cv.) zakončení: zápočet, zkouška cvičení: převážně laboratorní informace o předmětu, kontakty na

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů metodou orientovaných grafů

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů metodou orientovaných grafů Jiří Petržela analýza obvodů metodou orientovaných grafů podstata metod spočívá ve vjádření rovnic popisujících řešený obvod pomocí orientovaných grafů uzl grafu odpovídají závislým a nezávislým veličinám,

Více

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Vysoké učení technické v rně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Kolejní 906/4 6 00 rno http://www.utee.feec.vutbr.cz ELEKTOTECHNK (EL) lok nalýza obvodů - speciální metody doc. ng. Jiří

Více

Elektrotechnická zapojení

Elektrotechnická zapojení Elektrotechnická zapojení 1. Obvod s rezistory Na základě níže uvedeného obrázku vypočítejte proudy I1, I2, I3. R1 =4Ω, R2 =2Ω, R3 =6Ω, R4 =1Ω, R5 =5Ω, R6 =3Ω, U01 =48V 2. Obvod s tranzistorem počet bodů:

Více

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického

Více

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1

Více

elektrické filtry Jiří Petržela filtry se syntetickými bloky

elektrické filtry Jiří Petržela filtry se syntetickými bloky Jiří Petržela nevýhoda induktorů, LCR filtry na nízkých kmitočtech kvalita technologická náročnost výroby a rozměry cena nevýhoda syntetických ekvivalentů cívek nárůst aktivních prvků ve filtru kmitočtová

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.08 Integrovaná střední škola technická Mělník,

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech.

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Neznalost amplitudové a fázové frekvenční charakteristiky dolní a horní RC-propusti

Více

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω B 9:00 hod. Elektrotechnika a) Definujte stručně princip superpozice a uveďte, pro které obvody platí. b) Vypočítejte proudy větvemi uvedeného obvodu metodou superpozice. 0 = 30 V, 0 = 5 V R = R 4 = 5

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

Měření na bipolárním tranzistoru.

Měření na bipolárním tranzistoru. Měření na bipolárním tranzistoru Změřte a nakreslete čtyři výstupní charakteristiky I C = ( CE ) bipolárního tranzistoru PNP při vámi zvolených hodnotách I B Změřte a nakreslete dvě převodní charakteristiky

Více

ZÁKLADY ELEKTROTECHNIKY pro OPT

ZÁKLADY ELEKTROTECHNIKY pro OPT ZÁKLADY ELEKTROTECHNIKY pro OPT Přednáška Rozsah předmětu: 24+24 z, zk 1 Literatura: [1] Uhlíř a kol.: Elektrické obvody a elektronika, FS ČVUT, 2007 [2] Pokorný a kol.: Elektrotechnika I., TF ČZU, 2003

Více

ITO. Semestrální projekt. Fakulta Informačních Technologií

ITO. Semestrální projekt. Fakulta Informačních Technologií ITO Semestrální projekt Autor: Vojtěch Přikryl, xprikr28 Fakulta Informačních Technologií Vysoké Učení Technické v Brně Příklad 1 Stanovte napětí U R5 a proud I R5. Použijte metodu postupného zjednodušování

Více

Ekvivalence obvodových prvků. sériové řazení společný proud napětí na jednotlivých rezistorech se sčítá

Ekvivalence obvodových prvků. sériové řazení společný proud napětí na jednotlivých rezistorech se sčítá neboli sériové a paralelní řazení prvků Rezistor Ekvivalence obvodových prvků sériové řazení společný proud napětí na jednotlivých rezistorech se sčítá Paralelní řazení společné napětí proudy jednotlivými

Více

6 Algebra blokových schémat

6 Algebra blokových schémat 6 Algebra blokových schémat Operátorovým přenosem jsme doposud popisovali chování jednotlivých dynamických členů. Nic nám však nebrání, abychom přenosem popsali dynamické vlastnosti složitějších obvodů,

Více

2. ZÁKLADNÍ METODY ANALÝZY ELEKTRICKÝCH OBVODŮ

2. ZÁKLADNÍ METODY ANALÝZY ELEKTRICKÝCH OBVODŮ 2 ZÁKLADNÍ METODY ANALÝZY ELEKTRICKÝCH OBVODŮ 2 Úvod Analýzou elektrické soustavy rozumíme výpočet všech napětí a všech proudů v soustavě Při analýze se snažíme soustavu rozdělit na jednotlivé obvodové

Více

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu. [Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru

Více

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 4 název Záporná zpětná vazba v zapojení s operačním zesilovačem MAA741 Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 9. 12. 2008 vypracování protokolu 14. 12. 2008

Více

U1, U2 vnější napětí dvojbranu I1, I2 vnější proudy dvojbranu

U1, U2 vnější napětí dvojbranu I1, I2 vnější proudy dvojbranu DVOJBRANY Definice a rozdělení dvojbranů Dvojbran libovolný obvod, který je s jinými částmi obvodu spojen dvěma páry svorek (vstupní a výstupní svorky). K analýze chování obvodu postačí popsat daný dvojbran

Více

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve všech oblastech elektroniky. Jde o diferenciální zesilovač napětí s velkým ziskem. Jinak řečeno, operační zesilovač

Více

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů ysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. 6 Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů Datum měření:

Více

12. Elektrotechnika 1 Stejnosměrné obvody Kirchhoffovy zákony

12. Elektrotechnika 1 Stejnosměrné obvody Kirchhoffovy zákony . Elektrotechnika Stejnosměrné obvody Kirchhoffovy zákony . Elektrotechnika Kirchhoffovy zákony Při řešení elektrických obvodů, tedy různě propojených sítí tvořených zdroji, odpory (kapacitami a indukčnostmi)

Více

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech Jiří Petržela základní aktivní prvky používané v analogových filtrech standardní operační zesilovače (VFA) transadmitanční zesilovače (OTA, BOTA, MOTA) transimpedanční zesilovače (CFA) proudové konvejory

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela obvodové funkce

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela obvodové funkce Jiří Petržela obvod jako dvojbran dvojbranem rozumíme elektronický obvod mající dvě brány (vstupní a výstupní) dvojbranem může být zesilovač, pasivní i aktivní filtr, tranzistor v některém zapojení, přenosový

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_03_Filtrace a stabilizace Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů s regulárními prvky

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů s regulárními prvky Jiří Petržela příklad pro příčkový filtr na obrázku napište aditanční atici etodou uzlových napětí zjistěte přenos filtru identifikujte tp a řád filtru Obr. : Příklad na příčkový filtr. aditanční atice

Více

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH Přednáška 2 - Obsah i 1 Bipolární diferenciální stupeň 1 1.1 Dif. stupeň s nesymetrickým výstupem (R zátěž) napěťový zisk... 4 1.1.1 Parametr CMRR pro nesymetrický dif. stupeň (R zátěž)...

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více

Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36

Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. Obvody Petr Sadovský petrsad@feec.vutbr.cz ÚFYZ FEKT VUT v Brně Zdroj napětí Fyzika I. p. 2/36 Zdroj proudu Fyzika I. p. 3/36 Fyzika I. p. 4/36 Zdrojová a spotřebičová orientace

Více

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:

Více

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008 ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 3/28 Obsah 1. Úvod 2. Polovodičové prvky 2.1. Polovodičové diody 2.2. Tyristory 2.3. Triaky 2.4. Tranzistory 3. Polovodičové měniče 3.1. Usměrňovače

Více

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony. Nelineární obvody Dosud jsme se zabývali analýzou lineárních elektrických obvodů, pasivní lineární prvky měly zpravidla konstantní parametr, v těchto obvodech platil princip superpozice a pro analýzu harmonického

Více

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ RANZISOROÝ ZESILOAČ 301-4R Hodnotu napájecího napětí určí vyučující ( CC 12). 1. Pro zadanou hodnotu I C 2 ma vypočtěte potřebnou hodnotu R C a zvolte nejbližší hodnotu rezistoru z řady. 2. Zvolte hodnotu

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?

Více

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2 PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní

Více

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny ředmět očník /y/..07/.5.00/34.0394 VY_3_NOVA_M_.9_měření statických parametrů zesilovače Střední odborná škola a Střední odborné učiliště,

Více

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma ROZDĚLENÍ ZESILOVAČŮ Hlavní hledisko : A) Zesilovače malého signálu B) Zesilovače velkého signálu Další hlediska : A) Podle kmitočtů zesilovaných signálů -nízkofrekvenční -vysokofrekvenční B) Podle rozsahu

Více

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u Fyzikální praktikum č.: 7 Datum: 7.4.2005 Vypracoval: Tomáš Henych Název: Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící,

Více

Měření vlastností střídavého zesilovače

Měření vlastností střídavého zesilovače Vysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. Měření vlastností střídavého zesilovače Datum měření: 1. 11. 011 Datum

Více

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. : ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové

Více

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve

Více

napájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól

napájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól . ZESILOVACÍ OBVODY (ZESILOVAČE).. Rozdělení, základní pojmy a vlastnosti ZESILOVAČ Zesilovač je elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Má vstup a výstup, tzn. je to čtyřpól na jehož

Více

TEORIE ELEKTRICKÝCH OBVODŮ

TEORIE ELEKTRICKÝCH OBVODŮ TEORIE ELEKTRICKÝCH OBVODŮ zabývá se analýzou a syntézou vyšetřovaných soustav ZÁKLADNÍ POJMY soustava elektrické zařízení, složená z jednotlivých prvků, vzájemně mezi sebou propojených tak, aby jimi mohl

Více

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7 1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela modelování

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela modelování Jiří Petržela při tvorbě modelu je třeba uvážit fyzikální podstatu prvků požadovanou přesnost řešení stupeň obtížnosti modelu (jednoduché pro ruční výpočty, složitější pro počítač) účel řešení programové

Více

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů Diagnostika a testování elektronických systémů Úloha A2: 1 Operační zesilovač Jméno: Datum: Obsah úlohy: Diagnostika chyb v dvoustupňovém operačním zesilovači Úkoly: 1) Nalezněte poruchy v operačním zesilovači

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

20ZEKT: přednáška č. 3

20ZEKT: přednáška č. 3 0ZEKT: přednáška č. 3 Stacionární ustálený stav Sériové a paralelní řazení odporů Metoda postupného zjednodušování Dělič napětí Dělič proudu Metoda superpozice Transfigurace trojúhelník/hvězda Metoda uzlových

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.

Více

V následujícím obvodě určete metodou postupného zjednodušování hodnoty zadaných proudů, napětí a výkonů. Zadáno: U Z = 30 V R 6 = 30 Ω R 3 = 40 Ω R 3

V následujícím obvodě určete metodou postupného zjednodušování hodnoty zadaných proudů, napětí a výkonů. Zadáno: U Z = 30 V R 6 = 30 Ω R 3 = 40 Ω R 3 . STEJNOSMĚNÉ OBVODY Příklad.: V následujícím obvodě určete metodou postupného zjednodušování hodnoty zadaných proudů, napětí a výkonů. Z 5 5 4 4 6 Schéma. Z = 0 V = 0 Ω = 40 Ω = 40 Ω 4 = 60 Ω 5 = 90 Ω

Více

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc RIEDL 4.EB 10 1/6 1. ZADÁNÍ a) Změřte frekvenční charakteristiku operačního zesilovače v invertujícím zapojení pro růžné hodnoty zpětné vazby (1, 10, 100, 1000kΩ). Vstupní napětí volte tak, aby nedošlo

Více

Určeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS

Určeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS rčeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS 3. STŘÍDAVÉ JEDNOFÁOVÉ OBVODY Příklad 3.: V obvodě sestávajícím ze sériové kombinace rezistoru, reálné cívky a kondenzátoru vypočítejte požadované

Více

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Interakce ve výuce základů elektrotechniky Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TRANZISTORY Číslo projektu

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky

Více

Vysokofrekvenční obvody s aktivními prvky

Vysokofrekvenční obvody s aktivními prvky Vokofrekvenční obvod aktivními prvk Základními aktivními prvk ve vokofrekvenční technice jou bipolární a unipolární tranzitor. Dalšími aktivními prvk jou hbridní nebo monolitické integrované obvod. Tranzitor

Více

MĚŘENÍ PARAMETRŮ FOTOVOLTAICKÉHO ČLÁNKU PŘI ZMĚNĚ SÉRIOVÉHO A PARALELNÍHO ODPORU

MĚŘENÍ PARAMETRŮ FOTOVOLTAICKÉHO ČLÁNKU PŘI ZMĚNĚ SÉRIOVÉHO A PARALELNÍHO ODPORU MĚŘENÍ PARAMETRŮ FOTOVOLTAICKÉHO ČLÁNKU PŘI ZMĚNĚ SÉRIOVÉHO A PARALELNÍHO ODPORU Zadání: 1. Změřte voltampérovou charakteristiku fotovoltaického článku v závislosti na hodnotě sériového odporu. Jako přídavné

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_01_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_01_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu..07/.5.00/34.058 Číslo materiálu VY_3_INOVAE_ENI_3.ME_0_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Určeno pro posluchače všech bakalářských studijních programů FS

Určeno pro posluchače všech bakalářských studijních programů FS rčeno pro posluchače všech bakalářských studijních programů FS. STEJNOSMĚNÉ OBVODY pravil ng. Vítězslav Stýskala, Ph D. září 005 Příklad. (výpočet obvodových veličin metodou postupného zjednodušováni a

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Více