Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Podobné dokumenty
2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Studium tranzistorového zesilovače

Elektronické praktikum EPR1

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

1.3 Bipolární tranzistor

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

1 Elektrotechnika 1. 14:00 hod. R 1 = R 2 = 5 Ω R 3 = 10 Ω U = 10 V I z = 1 A R R R U 1 = =

Stabilizátory napětí a proudu

Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1

Elektronické praktikum EPR1

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

do magisterské etapy programu ELEKTRONIKA A KOMUNIKACE

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního

Měření vlastností střídavého zesilovače

1.1 Pokyny pro měření

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Test. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu?

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na bipolárním tranzistoru.

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

Elektrotechnická zapojení

Ing. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Jednostupňové zesilovače

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

Maturitní témata. 1. Elektronické obvody napájecích zdrojů. konstrukce transformátoru. konstrukce usměrňovačů. konstrukce filtrů v napájecích zdrojích

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Unipolární tranzistor aplikace

Studijní opory předmětu Elektrotechnika

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!


Fotoelektrické snímače

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Test. Kategorie Ž2. 4 Snímek z digitálního osciloskopu zobrazuje průběh sinusového signálu. Jaká je přibližná frekvence signálu? Uveďte výpočet.

2. Změřte a nakreslete zatěžovací charakteristiku až do zkratu.

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

Základní elektronické prvky a jejich modely

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

OPERAČNÍ ZESILOVAČE. Teoretický základ

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Měření na nízkofrekvenčním zesilovači. Schéma zapojení:

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu M/01 Strojírenství

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Transkript:

Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky: sešity, skripta, knihy, mobilní telefon, počítač apod. Hodnocení: Maximální možný počet bodů, který lze získat je 1. Hodnocení jednotlivých dílčích úloh je předem známo je u jednotlivých otázek na formuláři uvedeno. Hodnocení dílčích výsledků v rámci dané úlohy je děleno lineárně. Klasifikace: 2-1 bodů výborně - 1 bodů velmi dobře 5-5 bodů dobře - 9 bodů nevyhověl Příklad testu je na následující straně. Zápočet: Test na 1 15 min. (2 příklady, dioda, BJT) v týdnu, kdy se měří JFET, opravný ve 1.- 1.týdnu Podpisy odměřených úloh Sešit s vypracovanými úlohami

HODNOTÍ SE POUZE POSTUP ŘEŠENÍ! Jméno a příjmení.. Datum: Počet odevzd. listů. Celkové hodnocení: 1. Napište definici diferenciálního odporu diody R d. Znázorněte stanovení R d v grafu V-A charakteristiky diody s p-n přechodem, kterou sami nakreslíte. 2. Stanovte hodnotu diferenciálního odporu diody R d pomocí grafu níže uvedené V-A charakteristiky pro pracovní bod diody zapojené dle uvedeného schématu. Proud (ma) 1 2 1 2 5 Napětí (V). Nakreslete náhradní lineární obvod pro změny obvodových veličin pro obvod dle uvedeného schématu. Označte zakreslené obvodové prvky a uveďte hodnoty jejich parametrů.. Stanovte efektivní hodnotu střídavého napětí u 2 v obvodu z úlohy. (kde u 1 je harmonické napětí), v němž je zapojena dioda s V-A charakteristikou dle úlohy 2. 7 5. Do společného grafu s číselným popisem os nakreslete V-A charakteristiku v propustném směru následujících diod:..

. Definujte proudový zesilovací činitel tranzistoru v zapojení se společným emitorem h 21e a ukažte princip jeho stanovení z výstupních charakteristik, které si sami nakreslíte. 7. Určete hodnotu h 21e v uvedeném zapojení s využitím výstupních charakteristik na obrázku. I C (ma) 1 I B (µa) 12 1 5 2 15 2 (V) 1 U CE. Určete hodnotu odporu rezistoru R B v zapojení na obrázku v úloze 7, znáte-li hodnotu h 21e z úlohy 7. 9. Určete hodnotu střídavého napětí na výstupu zapojení na obrázku v úloze 7, je-li f = 1 khz. 7 1. Určete hodnotu proudů I C a I B a odporu rezistoru R B v zapojení na obrázku. 11. Nakreslete zapojení SE, SC a SB s bipolárním tranzistorem PNP včetně vazebních kapacitorů. Ve schématu vyznačte vstupní a výstupní svorky a vstupní a výstupní napětí.

12. Nakreslete náhradní lineární obvod tranzistoru JFET pro malý střídavý signál s y parametry, vyznačte v něm jednotlivé y parametry a označte smysl jednotlivých veličin. 1. Napište definice parametrů y 21s a y 22s. 1. Určete hodnotu R S a U GS v obvodu na obrázku. Napětí U GS v obrázku vyznačte šipkou. 15. Nakreslete náhradní lineární obvod pro změny obvodových veličin obvodu na obrázku. Určete hodnotu střídavého napětí u 2, má-li R S hodnotu z úlohy 1 a y 21s = 5mA/V a y 22s = µs. 1. Nakreslete zapojení s výkonovým tranzistorem MOSFET s kanálem typu N, induktivní zátěží a ochranou proti napěťovým překmitům.

17. Nakreslete zapojení invertujícího zesilovače s operačním zesilovačem a určete hodnoty rezistorů tak, aby platilo a... 1. Nakreslete zapojení křemíkové fotodiody PIN pracující ve fotovodivostním režimu s napájecím napětím. a... Nakreslete odpovídající zatěžovací přímku v charakteristikách na obr. 19. Nakreslete zapojení zesilovače fotoproudu fotodiody z úlohy 1 zapojené nakrátko s operačním zesilovačem (transimpedanční zapojení) a určete hodnoty potřebných součástek tak, aby fotoproudu odpovídalo. 5 2. Nakreslete schéma zapojení dvousvstupového hradla NAND v technologii CMOS a LSTTL. 21. Určete hodnoty odporu rezistorů R B a R C v obvodu na obrázku, je-li maximální zatížitelnost hradla #1,5 ma. Vstupní kapacitu hradla #2 zanedbejte, vstupní odpor hradla #2 uvažujte nekonečně veliký.