Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry



Podobné dokumenty
A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Parametry a aplikace diod

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Charakteristiky tranzistoru MOSFET

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Elektronické praktikum EPR1

Polovodiče, dioda. Richard Růžička

Zesilovač s tranzistorem MOSFET

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Popis měřeného předmětu: Zde bude uvedeno - základní parametry diod - zapojení pouzdra diod - VA charakteristika diod z katalogového listu

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

Seznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

Neřízené usměrňovače reálné vlastnosti

Dioda jako usměrňovač

Zvyšování kvality výuky technických oborů

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

V-A charakteristika polovodičové diody

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

Měření VA charakteristik polovodičových diod

MĚŘENÍ NA USMĚRŇOVAČÍCH

Praktikum II Elektřina a magnetismus

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Základy elektrotechniky

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

Polovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au

Teorie: Voltampérovou charakteristiku měříme v propustném i závěrném směru.

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Téma: Měření voltampérové charakteristiky

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

4. NELINEÁRNÍ NESETRVAČNÉ OBVODY

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Praktikum III - Optika

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD

MĚŘENÍ TEPLOTY. MĚŘENÍ ODPOROVÝM SNÍMAČEM S Pt 100

PROTOKOL O PROVEDENÍ LABORATORNÍ PRÁCE

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Obr. 1 Činnost omezovače amplitudy

Neřízené polovodičové prvky

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

1.1 Usměrňovací dioda

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu

Modelování a simulace Lukáš Otte

4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte,

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

.100[% ; W, W ; V, A, V, A]

PŘECHODOVÝ DĚJ VE STEJNOSMĚRNÉM EL. OBVODU zapnutí a vypnutí sériového RC členu ke zdroji stejnosměrného napětí

Studium tranzistorového zesilovače

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

MĚŘENÍ PARAMETRŮ FOTOVOLTAICKÉHO ČLÁNKU PŘI ZMĚNĚ SÉRIOVÉHO A PARALELNÍHO ODPORU

ELEKTRICKÉ STROJE. Laboratorní cvičení LS 2013/2014. Měření ztrát 3f transformátoru

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Jiří Kozlík dne:

ČVUT FEL. Obrázek 1 schéma zapojení měřícího přípravku. Obrázek 2 realizace přípravku

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA

2. Určete optimální pracovní bod a účinnost solárního článku při dané intenzitě osvětlení, stanovte R SH, R SO, FF, MPP

Polovodičové diody Definice

Základní vztahy v elektrických

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Bipolární tranzistory

Laboratorní cvičení č.10

11. Polovodičové diody

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

Vykreslete převodní, modulovou a fázovou charakteristiku C-R článku. Zjistěte rezonanční frekvenci tohoto článku. Proveďte šumovou analýzu obvodu.

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů logického obvodu, část 3-6-5

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Fotoelektrické snímače

Laboratorní úloha KLS 1 Vliv souhlasného rušení na výsledek měření stejnosměrného napětí

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

Cvičení 11. B1B14ZEL1 / Základy elektrotechnického inženýrství

Transkript:

Cvičení 5 Charakteristiky diod V- charakteristika diody a její mezní parametry Simulace V- charakteristiky (PSpice) a její analýza (Excel) Modely diody Pracovní bod P o, náhladní lineární obvod (NLO) pro P o Příklad napěťový dělič s diodou Simulace napěťový dělič s diodou (PSpice), odečet parametrů NLO (Excel) Měření propustných charakteristik polovodičových diod a jejich graf (Excel) Elektronické prvky 2B34ELP

Dioda voltampérová charakteristika [m] 2 I F nkt I e, e F F nkt e 15 BR průrazné napětí 1 R 8 7 6 5 4 3 2 1 5 I R @ R =5V závěrný proud typicky n@t=3.2.4.6.2.4.6.8 1. 1.2 @ =5m propustný úbytek.8 1. I R []

Dioda mezní parametry [m] V SM RRM RSM I Z Forward Verage Current Forward Surge Maximum Current Reverse Repetetive Maximum Voltage Reverse Surge Maximum Voltage Zener Current V BR RRM R I Z I R []

Dioda katalogový list RRM Reverse Repetetive Maximum Voltage V SM Forward Verage Current Forward Surge Maximum Current I R Forward Voltage Reverse Current

PSpice V- charakteristika 1) Spustit Capture/Design Entry CIS 2) File Open Project 5_D_V.opj dispozici jsou tři simulační profily: 1. Pracovní bod 2. Stejnosměrná analýza V propustná 3. Stejnosměrná analýza V závěrná Proveďte simulaci průběhu propustné charakteristiky diody 1N41 Výsledek simulace importujte do Excelu (list V_diody) a zpracujte. Proveďte simulaci průběhu závěrné charakteristiky diody 1N41

Import charakteristik do Excelu 1) Vybrat okno s grafem obsahujícím charakteristiku, kterou chceme exportovat 2) Vybrat charakteristiku kliknutím LMB na jají název (název zčervená) 3) ložit charakteristiku pomocí Ctrl-C 4) Vložit přes Ctrl-V na požadované místo v Excelu 5m 4m zde kliknout LMB 2m V 2mV 4mV 6mV 8mV I(D1) V_V1

Import grafů do Excelu 1) Vybrat okno s grafem, který chceme exportovat 2) Zvolit Window Copy to clipboard 3) V dialogovém oknu zaškrtnout pouze SE SCREEN COLORS O 4) Vložit přes Ctrl-V na požadované místo v Excelu

Zpracování výsledků list V_diody nasimulovaná charakteristika a její aproximace exponenciálou zde vložit nasimulovanou charakteristiku zadání parametrů z aproximace pro zjištění faktoru n

Modely diod úplné odporové (statické) kt/e e I I T F T F 1 Exponenciální T F F T F e I I pro [m]

Modely diod úplné odporové (statické) Ideální [m] závěrná polarizace propustná polarizace závěrná polarizace I = propustná polarizace I I I =

Modely diod úplné odporové (statické) Linearizovaný po částech [m] I = I I - / RD I R D,R D paramery modelu

Modely diod úplné odporové (statické) proximace konstantním zdrojem [m] I = I I I pro Si@3.6-.7V

Příklad 1: Pro zadané hodnoty napětí 1 určete hodnoty napětí 2, je-li R 1 a R 2 = 1 kohm. važujte V charakteristiku diody dle obrázku.. 1 = 1V B. 1 = - 1V

Řešení : Při 1 = 1V je napětí diody záporné dioda nevede proud diodu nahradíme rozpojenými svorkami R 2 2 1 1 R1 R2 / 2

Řešení B: Při 1 = -1V je napětí diody kladné, větší než.7v dioda vede proud diodu nahradíme zdrojem napětí.7v =.7V 2. 7V

Příklad 2: V obvodu s diodou určete souřadnice jejího pracovního bodu a určete parametry náhradního lineárního obvodu (NLO) pro CC = 1.2 V. R = 1 [m] 14 CC 1N47 R 5 4 3 2 1 12 1 8 6 4 2.2.4.6.2.4.6.8 1. 1.2.8 1. I R []

Postup řešení: 1. Popsat obvod ve shodě s charakteristikou R = 1 [m] 14 CC 12 1 8 6 4 R 5 4 3 2 1 2.2.4.6.8 1. 1.2.2.4.6.8 1. I R []

Postup řešení: 1. Popsat obvod ve shodě s charakteristikou 2. Sestavit obvodové rovnice R = 1 [m] 14 CC 12 1 8 6 4 R 5 4 3 2 1 2.2.4.6.8 1. 1.2 CC = R + (1) = f( ) (2).2.4.6.8 1. I R []

Postup řešení: 1. Popsat obvod ve shodě s charakteristikou 2. Sestavit obvodové rovnice 3. Řešení analytické (numerické) X grafické R = 1 [m] 14 CC 12 1 8 6 4 R 5 4 3 2 1 2.2.4.6.8 1. 1.2 CC = R + (1) = f( ) (2).2.4.6.8 1. I R []

Grafické řešení proud zdroje nakrátko CC = R + [m] 14 I k = CC /R (2) = ( cc - )/R (1) GRF rce (1) 12 1 8 6 4 (1) pracovní bod P [o,o ] R 5 4 3 2 1 2.2.2.4.6.8 1. 1.2.4.6.8 CC = n napětí zdroje naprázdno 1. I R []

Náhradní lineární obvod NLO linearizace charakteristiky v okolí P [m] 14 linearizace charakteristiky tečnou v P = o + R d 12 1 8 6 4 P Δ R d = Δ Δ R d 2 Δ.2.4.6.8 1. 1.2

PSpice Pracovní bod diody 1) Spustit Capture/Design Entry CIS 2) File Open Project 5_D_P.opj dispozici je simulační profil: 1. 1N541-Prac_bod Proveďte simulaci grafického řeření polohy pracovního bodu diody pro tři hodnoty parametru R x = 2, 1k a 5k Souřadnice pracovního bodu a odečtené hodnoty differenciálního odporu R d zaneste do Excelu (list P ).

Odečet parametrů P ze simulace 1) ktivovat kursor a vybrat charakteristiku, se kterou chceme pracovat, kliknutím LMB i RMB na její název 2) ursor 1 (LMB) an kursor 2 (RMB) umístíme na dvě různá místa charakteristiky v okně Probe Cursor pak budou jejich souřadnice aktivace kursoru vybraná charakteristika LMB i RMB poloha kursoru 2 - RMB poloha kursoru 1 - LMB P souřadnice kursorů a jejich diference

Zpracování výsledků list P zde importovat graf řešení úlohy zde doplnit souřadnice P a odečtené hodnoty R d kalkulátor pro výpočet R d

Měření V charakteristik diod Cíl: změřit propustné V charakteristiky různých typů polovodičových diod a vykreslit grafy jejich charakteristik v Excelu (list F) TYP V (m) SM () MEZNÍ PRMETRY RRM (V) RSM (V) Poznámka 1N47 1 4 1 řemíková usměrňovací dioda s pn přechodem. 1BQ4 1 43 4 4 Schottkyho usměrňovací dioda ZD 3V3 Zenerova dioda 3.3 V LED IR 65 5 Infračervená Gals svítivka LED RED 3.185 5 Červená InGalP svítivka LED YELLOW 3.175 5 Žlutá InGalP svítivka LED - BLE 3.15 5 Modrá svítívka GaN na SiC

Princip měření [m] R x = 1k až 1M R CC 1 R 1 CC =15V CC R 2 R 2 R 1 <R 2 <R 3 <R 4 CC R 3 R 3 R 4 CC R 4 CC

Přípravek pro měření V charakteristik diod volba diody volba odporu R x

Zapojení pro měření V charakteristik diod CC V Rx V CC =15V R x =4k7

Zpracování výsledků list F u vybraných diod doplnit naměřené souřadnice a pracovních bodů R x