RTP RYCHLÉ TEPLOTNÍ PROCESY (RAPID THERMAL PROCESSING)... 11

1 ÚVOD... 8 POSTUP VÝROBY SOLÁRNÍCH ČLÁNKŮ... 9 3.1 VÝROBA MONOKRYSTALICKÉHO KŘEMÍKU... 9.1.1 Kelímkové metody... 9.1. Bez kelímkové metody... 9. ETAPY VÝROBY SOLÁRNÍCH ČLÁNKŮ... 9 RTP RYCHLÉ TEPLOTNÍ PROCESY (RAPID THERMAL PROCESSING)... 11 3.1 ZDROJE ZÁŘENÍ RTP V PRŮMYSLUU... 13 3. ROZDÍL MEZI CTP A RTP... 13 3.3 RTP VE FOTOVOLTAICE... 14 3.4 TYPY PECÍ RTP... 14 3.4.1 Pec pro jeden substrát... 14 3.4. IN-LINE pec RTP... 16 4 VYSOKOTEPLOTNÍ ŽÍHÁNÍ POMOCÍ RTP... 18 4.1 KLASIFIKACE PORUCH... 18 4. INTERSTICIÁLNÍ KYSLÍK... 18 4.3 MOŽNOSTI MĚŘENÍ INTERSTICIÁLNÍHO KYSLÍKU... 19 4.4 VLIV RTA NA OBJEMOVOU DOBU ŽIVOTA CZ KŘEMÍKU... 0 5 RTD RYCHLÁ TEPLOTNÍ DIFÚZE... 1 5.1 SPIN-ON TECHNOLOGIE PRO DIFÚZI... 5. CHARAKTERISTIKA SOD PRO RTD... 6 PASIVACE SOLÁRNÍHO ČLÁNKU... 4 7 6.1 KLASICKÝ OXIDAČNÍ PROCES CTO... 4 6. RYCHLÁ TEPLOTNÍ OXIDACE... 5 RTA PŘI ÚPRAVĚ ZADNÍ STRANY SOLÁRNÍHO ČLÁNKU (BSF)... 6 7.1 ZÁKLADNÍ VLASTNOSTI... 6 7. HLINÍKOVÁ BSF... 6 8 EXPERIMENTÁLNÍ ČÁST... 8 8.1 PŘÍPRAVA EXPERIMENTU... 8 8.1.1 Materiál pro zkoušku... 8 8.1. Výběr nejvhodnější skupiny na vysokoteplotní žíhání... 9 8.1.3 Doba života pro skupinu 1 a... 30 8.1.4 Příprava materiálu pro proces vysokoteplotního žíhání... 30 8. EXPERIMENT VYSOKOTEPLOTNÍHO ŽÍHÁNÍ V DUSÍKU... 31 8..1 Návrh teplotního profilu... 31 8.. Naměřené výsledky po žíhání... 3 8.3 VYHODNOCENÍ VÝSLEDKŮ... 33 8.3.1 Výtěžnost procesu... 33 8.3. Optické vyhodnocení... 34 8.3.3 Faktorová analýza... 36 8.3.4 Analýza rozptylu - grafická... 37 8.3.5 Diagram příčin a následků... 40 9 ZÁVĚR... 4 10 POUŽITÁ LITERATURA... 44 7

1 Úvod Rychlost výrobních procesů a cena v mikroelektronické výrobě dala vzniknout technologii rychlé teplotní procesy RTP (RTA). Technologie, která dokáže urychlit většinu vysokoteplotních procesů v mikroelektronice. Tato práce je zaměřena na popsání jednotlivých procesů v technologii RTP a to v závislosti na využitelnosti pro výrobu solárních článků. V praktické části byly ověřeny charakteristické vlastnosti jednoho z procesu, a to konkrétně vysokoteplotního žíhání křemíkových substrátů v dusíkové atmosféře. Toto žíhání podle teoretického předpokladu má značný vliv na dobu života nosičů. Celý proces byl odzkoušen v čistých prostorech společnost Solartec s.r.o v Rožnově pod Radhoštěm. K realizaci byla použita rychlá žíhací pec SHS1000, jedná se o pec pro jeden substrát o maximální velikosti šesti palců. Její přínos tkví ve variabilitě, pomocí ní lze odzkoušet různé mikroelektronické procesy v různých pracovních plynech. Podařilo se také navázat kontakt a případnou spolupráci s University of Notre Dame, kde se také experimentům s RTA technologií věnují. Ovšem nemají takové podmínky jako ve společnosti Solartec s.r.o. Na experimenty využívají nejen monokrystalický křemík, který je pro nás primární, ale i další materiály jako na příklad Ge, GaAs, InP a další. 8

Postup výroby solárních článků Standardní technologie výroby solárních článků může být seřazena do následných procesních postupů: 1.Výroba monokrystalického křemíku.výroba solárních článků z monokrystalického křemíku 3.Zapouzdření solárních článků do modulu odolnému proti povětrnostním vlivů.1 Výroba monokrystalického křemíku.1.1 Kelímkové metody Tažení monokrystalu metodou Czochralskího (CZ) - nejčastěji využívaná metoda. Bridgemanova metoda - využívá se grafitové lodičky, která se vytahuje z odporové pece..1. Bez kelímkové metody U bez kelímkové metody se používá zonální tavby (float zone). Povrchové napětí umožňuje existenci roztavené zóny na konci dvou svislých křemíkových tyčí.. Etapy výroby solárních článků 1. Povrchové čištění a leptání (může být přidána i textura). Difúze pro p-n přechod (dopantem je většinou fosfor) 3. Kontaktování přední a zadní strany 4. Nanesení antireflexní vrstvy (ARC) [6] Obr. 1: Struktura křemíkového solárního článku [6] 9

Na obr.1 je znázorněna struktura vybraného solárního článku, ten využívá celoplošného zadního kontaktu a různé technické specifikace (např. vrstvu p + ). Antireflexní vrstva bývá vytvořena depozicí nitridu křemíku. 10

3 RTP rychlé teplotní procesy (Rapid Thermal Processing) Podstatný rozdíl mezi tepelnými zdroji z hlediska jejich působení na okolí je čas ve kterém působí energie. t 1 = s. D kde s je délka teplotní difúze nebo délka vzorku a D je difúzní konstanta. Teplotní závislost křemíku na čase se pohybuje okolo mikrosekund až milisekund a závisí na velikosti D, na hloubce absorpce záření, které dopadá na substrát a dopuje polovodič, a také zavisí na vlnové délce záření. Teplotní procesy můžeme rozdělit do tří skupin podle času procesu: Adiabatické procesy používá se vysokoenergetický laser, tomu odpovídá čas 10-100 ns, což je méně než je potřebné pro křemík teplotní gradient. 5 10 až10 sekund a mají vysoký vertikální 4 Termický tavidlový proces čas tohoto procesu je 10 až10 sekund, tedy pro aplikaci na křemík vhodný. Realizace je za pomocí CW laseru a elektronového paprsku. Hlavní nevýhodou této metody jsou deformace vzniklé tepelným pnutím, z důvodu velkého teplotní gradient. Isotermický tavidlový proces impuls je dlouhý 1-100 s. Tedy čas pro tento proces je daleko delší než je pro křemík potřebný. Teplotní gradient procesu je minimální. Zdroje záření jsou mnohem efektnější než impulsní lasery, jsou to halogenové lampy, plazma a elektronový paprsek.[3] Z obr. je patrné, že nejlepší kritéria pro aplikace u polovodičů splňuje isotermický proces. 11

Obr. : Zleva: časové působení jednotlivých zdrojů, prostorové teplotní rozdělení, hloubka vniku záření, celkové teplotní rozdělení ve v vzorku [3] Hlavní využití RTP v průmyslu: - Rapid Thermal Anneal (RTA) Rychlí teplotní ohřev - Rapid Thermal Oxidation (RTO) Rychlá teplotní oxidace - Rapid Thermal Nitridation (RTN) (and oxynitrides) Rychlá teplotní nitridace - Rapid Thermal Diffusion (RTD) Rychlá teplotní difúze - Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD) - Rychlá chemická deposice z par - Contact formation kontaktování - Crystallization krystalizace - Rapid Thermal Diffusion (RTD) with hydrogen - Rychlá teplotní difúze s vodíkem, používá se na odstranění nečistot a defektů Výhody RTP: - možnost procesu s velkoplošnými substráty - minimální přerozdělení příměsi, minimální Dt difúzní délka s maximálním difúzním koeficientem D (vysoká teplota) umožňuje opravit defekty z iontové implantace 1

Nevýhody RTP: - nikdy neznáme přesnou teplotu - teplotní podmínka rovnováhy může být modelována a předpovídána obtížně - jednotné zahřívání je kritické, protože může docházet k teplotnímu namáhání Nestejnorodost RTP ve výrobě solárních článků vystává z mnoha zdrojů: Substráty jsou chemicky texturované z důvodu minimálního odrazu. Nicméně, protože textura je závislá na orientaci, zrna s rozdílnou orientací mají rozdílný odraz a vlastnosti světelného rozptylu. Tudíž pro pokrytí difúzí na vytvoření prostorově teplotně odlišná. + N přechodu RTP může být V substrátu (např. při kontaktním ohřevu) může být teplotní nestejnorodost ve velkém rozsahu, protože metalizace na solárním článku bývá 75-100 μm pro síť (spodní kontakt) a 1 mm pro bus bars (vrchní kontakt). Dále ještě, síťotiskový kontakt je 5-50 μm tlustý. Teplotní množství a optické stínění způsobí rozsáhlé postranní variace v teplotě.[8] 3.1 Zdroje záření RTP v průmyslu Wolframově halogenové lampy: tento systém má poměrně velkou životnost, tím je chápána životnost wolframově halogenových lamp. Vyzařuje v IR spektru. (nejpoužívanější v praxi) Výbojka s Arc ušlechtilým plynem: rozžhavená křemíková roura je kontaktována s ušlechtilým plynem (nebo jeho sloučeninou). K zapálení ionizovaného plynu dochází vysokým napěťovým impulsem. Jedna výbojka může přenášet obrovský stejnosměrný proud. Výsledkem je velmi intenzivní světlo s vysokou teplotou. Jedná se o zářič VUV.[8] 3. Rozdíl mezi CTP a RTP CTP (classical thermal processing) klasický tepelný proces Hlavní výhodou RTP oproti CTP je nízká cena, malá spotřeba energie, vysoká výkonnost a použitelnost nejen na solární články, ale také na integrované obvody. [3] 13

Tab.1: Další rozdíly mezi RTP a CTP [3] RTP Studené rozhraní Nízká tepelná dávka Krátké vysokoteplotní cykly Nástroj pro jediný proces Fotonové spektrum VUV až IR CTP Teplé rozhraní Vysoká tepelná dávka Dlouhé teplotní cykly Vícenásobné procesy Fotonové spektrum IR 3.3 RTP ve fotovoltaice V klasických procesech je teplota na substrátu a v peci (v okolí) stejná. U RTP tomu tak není. Spektrum záření pro pec (okolo 1000 1300 C) se skládá z fotonů s vlnovou délkou infračervené a dlouhovlnné oblasti spektra záření. Záření v infračerveném spektru má za následek tepelnou reakci, kde molekuly v základním stavu jsou navýšeny do vyšší vibrační úrovně a disociuji, když je energie dostatečně koncentrovaná. Dalším znakem RTP je, že teplota substrátu je nižší, teplota žhavícího vlákna je vysoká. Na příklad: teplota halogenových lamp je 3000 C, a teplota substrátu je 600-100 C.[3] 3.4 Typy pecí RTP Pece se rozlišují především podle typu vsázení a počtu zpracováných substrátů na jeden cyklus. 3.4.1 Pec pro jeden substrát Námi používaná pec je SHS (Superheat) 1000, která používá pro svou činnost pracovní atmosféru (např. dusík, kyslík...) a jako zdroj záření jsou použity wolframově halogenové lampy. Spektrum této pece je pouze IR. Reaktor má zlatý nátěr pro vysoký odraz a je ochlazován vodou. V reaktoru je komůrka z křemenného skla a v komůrce je umístěn držák, na který se umisťuje substrát. Držák substrátu může být typově různý, podle velikosti substrátu (standard: 3, 4, 5 a 6 ). Substráty jsou ozařovány 1 wolframově halogenovými lampami, které jsou součástí reaktoru, z toho 10 je nad substrátem a 11 pod. Ze zadní strany krystalové komůrky je přiveden pracovní plyn. Plyn opouští reaktor na přední straně, prostoru dveří. [3] 14

Infračervený pyrometr je umístěn pod substrátem. Pyrometr slouží ke sledování hodnot teploty pro daný substrát přes okénko. Na svém výstupu má analogový signál určující teplotu substrátu. Pro substráty s odlišným součinitelem vyzařování se musí pyrometr překalibrovat za pomocí termočlánku. Hodnoty napětí pyrometru se uloží do souboru, a pak jsou jen načítány pro linearizaci pyrometru pro daný typ substrátu. Pyrometr dosahuje značné přesnosti po překročení teploty 800 C. Linearizaci, výpočet a digitalizaci uskutečňuje AT jednotka. [4] Obr. 3: Schéma průřezu krystalovou komůrkou [3] SHS 1000 je vyvinut tak, aby se uplatnil v různých aplikacích pro polovodičový průmysl. Substráty jsou zahřívány na krátkou dobu (sekundy až minuty) s kontrolou teploty, což je podstata RTP. Rychlé ohřátí a zchlazení je nedosažitelné v běžných technologiích. SHS 1000 je navrhnuto tak, aby při standardním procesu zvládlo 60 substrátů za hodinu. Obsluha je zajištěna pomocí PC. Veškeré operace je možno ovládat za pomocí klávesnice. Naprogramování a diagnostické funkce jsou uzamknuty bezpečnostním kódem. Uživatel může vytvářet vlastní postupy (recepty) pro chod systému. SHS 1000 je všestranný nástroj, který může být použit pro mnohé aplikace: oxidační přetavení, implementační ohřev polykrystalu křemíku, žíhání křemíku, kontaktní legování, implantující ohřev AgAs, implementující ohřev monokrystalu křemíku a mnohé další aplikace, které jsou momentálně ve stádiu testování. Software pro zprávu a řízení SHS 1000, běží pod operačním systém DOS. Z tohoto softwaru je možný barevný grafický výstup daného procesu. [4] 15

Parametry: - pracovním plynem může být : kyslík, dusík, čpavek, plynný hydrogen chloridu a argon - použitý plyn se musí nastavit v softwaru - pracovní teplota je v rozsahu 700 100 C, maximální teplota je 1400 C, s přesností na plus mínus 7 C - pec absorbuje pouhých 10 % záření z halogenových lamp - teplotní změna:10 00 C/s [4] 3.4. IN-LINE pec RTP Tento druh pece je určen na sériovou výrobu (100 substrátů za hodinu a více). Máme dvě možnosti jak realizovat vysoký výkon RTP systému. První cesta je použít komůrku pece pro více substrátů současně a to i s rozdílnými velikostmi. Druhý přístup je založen na ohřevu a omezeném čase, při němž se substráty ohřívají v peci při vysoké teplotě. Typický časový interval je od minut do 6 minut. Samozřejmě pro různé procesy je čas různý, především u POCl 3 difúze musí trvat kratší dobu. Mimo samotnou komůrku mohou být systémy RTA rozšířeny o ochlazovací systém, krátkovlnné ozařování etc. Tyto nástroje ovšem nejsou vždy podmínkou. Délka pece je okolo 5 metrů. Samotné substráty se naskládají na pás, který se pohybuje v komůrce. Jak je z obr. 4 patrné transportní pás se pohybuje určitými komůrkami. Jednotlivé části mají různou funkci: ochlazovací systém, difúzní, RTA jednotka, dopalování. Samotný ohřev je proveden za pomocí rtuťových lamp (fialové na obrázku) a THL. THL je zkratka pro wolframově-halogenové lampy, které na rozdíl od rtuťových lamp jsou po celé délce komůrky. Další parametry jsou obdobné jako u SHS 1000, např. teplota substrátu je kontrolována pyrometrem; pracovním plynem může být dusík, kyslík etc.[5] 16

Obr. 4: Schéma průřezu pecí [5] 17

4 Vysokoteplotní žíhání pomocí RTP Velikost doby života minoritních nosičů náboje v objemu krystalického křemíkového solárního článku je velmi významný parametr určující vlastnosti článku. Největší vliv na životnost nosičů náboje v křemíkovém substrátu (ať již připravené Czochralského nebo Float zone metodou) představují tzv. generačně-rekombinační centra. Hlavními zdroji těchto center jsou především: - Prvky příměsí: kyslík a uhlík v substituční poloze - kovové nečistoty (železo, nikl, kobalt, molybden, chrom a měď) - vysoký obsah krystalografických defektů (např. dislokace). Pro odstranění těchto zdrojů lze aplikovat některé vysokoteplotní procesy, jejichž výsledkem je výrazné zredukování těchto rekombinačních center. [14] 4.1 Klasifikace poruch Druhy poruch krystalové mřížky dělíme podle jejich tvaru na bodové (malé ve všech rozměrech), čárové (malé ve dvou rozměrech, relativně protažené v třetím rozměru), plošné (malé v jednom rozměru, mající tvar tenkých listů) a objemové (mají nezanedbatelnou velikost ve všech třech rozměrech). [13] Tab. : Rozdělení poruch [13] Typ Dimenze Příklady Bodové 0 vakance, intersticiály a Frenkelovy defekty Čárové 1 dislokace(hranové a šroubové) a dislokační smyčky Plošné vrstvené chyby, dvojčatění, hranice zrn objemové 3 precipitáty (kyslíkové a kovové), prázdná místa 4. Intersticiální kyslík Atomy kyslíku jsou v krystalu křemíku v intersticiálních polohách, tedy mimo uzly krystalové mříže. Obsah kyslíku v křemíkové desce má zásadní vliv na objemovou getraci (internal gettering) záchyt atomů kovů v okolí precipitátů (shlucích atomů způsobujících pnutí krystalové mříže) kyslíku v krystalu. Maximální rozpustnost kyslíku v křemíku je v blízkosti teploty tání 1400 ºC. S klesající teplotou rozpustnost kyslíku v pevné fázi řádově klesá a uvolněný kyslík tvoří precipitáty. Kyslík se do taveniny dostává rozpouštěním stěny křemenného kelímku, při výrobě monokrystalu křemíku Czochralskího metodou. Většina kyslíku (nad 95%) se odpaří z volné hladiny taveniny, zbytek se zabuduje do krystalové mříže křemíku 18

s výraznou preferencí intersticiálních poloh. Obsah intersticiálního kyslíku v krystalu je tak ovlivněn čtyřmi faktory: a) rozpouštěním stěny křemenného kelímku b) prouděním taveniny v křemenném kelímku c) vypařováním kyslíku z volné hladiny taveniny d) podmínkami na fázovém rozhraní krystal/tavenina Všechny tyto faktory spolu navzájem souvisejí. Míra rozpouštění stěny křemenného kelímku závisí na typu křemenného kelímku ( přírodní, s vnitřní inertní vrstvou, syntetický) a na proudění taveniny. [1] 4.3 Možnosti měření intersticiálního kyslíku Experimentálně bylo zjištěno, že zvýšený obsahu kyslíku v křemíkovém substrátu lze detekovat pomocí metody μ PCD (Microwave Photoconductance Decay). Monokrystalický křemík, vyrobený CZ metodou s vysokým obsahem intersticiálního kyslíku, bude mít na výsledném obrázku z měření výrazné vzory soustředných prstenců (swirls). Nukleárními centry pro vznik defektů prstencového typu jsou bodové poruchy v růstových pásech CZ monokrystalů. [14] Obr. 5: Křemíkové monokrystalické desky s typickými vzory soustředných prstenců z CZ ingotu; výsledek měření metodou μ PCD [14] 19

4.4 Vliv RTA na objemovou dobu života CZ křemíku Hlavní problém materiálu jsou metastabilní defekty, které degradují dobu života minoritních nosičů ozáření nebo přechodovou injekci. Kompletním obnovení je možné ohřevem při nízké teplotě okolo 00 C. Bylo ukázáno, že koncentrace defektů a stabilizace doby života Cz-Si materiálů po degradaci ozářením může být zvýšená RTP. Doba maximální teploty má značný vliv na stabilizaci doby života po degradaci ozářením. Optimální pracovní teplota byla stanovena na 900 C s procesním časem 10s. Při teplotě 950 C stabilizace doby života rapidně klesla. Důležitý je také vliv po sobě jdoucích dvou vysokoteplotních kroků na stabilizaci doby života. Pro příklad: stabilita doby života byla zvýšena z 14 μs na μs po ohřevu s optimalizovaným procesem, ale potom došlo ke zmenšením na 11 μs neoptimalizovaným teplotním krokem. Opačný příklad: ze 14 μs na 9 μs neoptimalizovaným procesem a následovně zvýšení na 0 μs optimalizovaným procesem. Častěji se tedy využívá optimalizovaných teplotních kroků a dochází ke zvětšení napětí naprázdno a proudu na krátko. [3] 0

5 RTD rychlá teplotní difúze Difúzi v křemíku je nezbytné krokovat. Kontrola koncentrace, přechodu hloubka, homogenita, reprodukce a zmenšovaní nákladů jsou hlavní cíle v této oblasti. RTD je jedna z metod difúze, která je značně využívána pro solární články. Nejpoužívanější je především difúze fosforu a boru.[3] Základními trendy při kontaktování a pasivaci jsou: - pod metalickým kontaktem musí být n vrstva hluboká a středně dopovaná - pod pasivační vrstvou musí být n vrstva slabší a mírně dopovaná Tento problém řeší technologie LDD lokální hloubková difúze. [7] Obr. 6: Struktura LDD [7] Dotační difúzní zdroje : Plynné zdroje: AsH 3, PH 3, B H 6 Tuhé zdroje: BN, NH 4H PO4, AlAsO 4 Spin-on: SiO + dotační oxidy Kapalné zdroje: používají se probublávající soustavy a plyny jako jsou kyslík a dusík Ve srovnání s iontovou implantací má tepelná difúze následující klady a zápory: Přednosti: - dobrá homogenita koncentrace příměsí - minimální koncentrace vzniklých poruch a deformací - rychlost i při vysokých koncentracích - relativně laciné zařízení 1

Nevýhody: - vysoká teplota operace (až 100 C) - malé koncentrační gradienty [9] 5.1 Spin-on technologie pro difúzi Spin-on dopant (SOD) se nanáší na povrch polovodičového materiálu. Výhody SOD jsou: jednoduchost kontroly koncentrace a hloubky přechodu, vhodnost pro soudobou difúzi s pomocí masky a nízká cena. SOD jsou zejména spin-on skla, které mají dotační atomy začleněny v chemických vazbách, jako jsou SiO P O5, SiO BO3 a SiO a další skla a organické složky. Pracovně nejvhodnější jsou fosforové příměsi jako zdroje n-typu a bor, Al/B, Ga/B příměsi jako zdroje p-typu.[3] Obr. 7: Realizace spin-on technologie: a) nanesení dopadů b) vypálení c) teplotní zpracování [3] Optimální rychlost rotace při nanášeném filmu je závislá od velikosti substrátu a viskozity nanášeného SOD, protože film musí být jednotný a nesmí být nanesen ze zadní strany substrátu. Pokrytý substrát musí být vystaven teplotě 100 C po dobu 10 min. pro odpaření rozpouštědla a potom následuje zahřátí na 00 C na 15 min. pro odstranění nadměrného množství rozpouštědla. Následující krok je teplotní ošetření s vysokou teplotou z důvodů difúze. Fosforové dopantové atomy začínají difundovat po překročení teploty 850 C. Čas a teplota difúze jsou závislé na druhu a koncentraci SOD. Po účinkování rozdílných teplot se zbytkový SOD na substrátu přemění na fosforo-křemíkové sklo (cca min.) nebo na borokřemíkové sklo. [3] 5. Charakteristika SOD pro RTD Difúze na p-typu se provádí pomocí fosforu a na n-typu pomocí boru. Na začátku se substrát očistí, pak následuje nanesení filmu pomocí spin-on technologie (fosforu či boru). Po zapečení 00 C po dobu 15 minut následuje RTA. Stoupající a klesající gradient teploty se

používá 100 C/s. Jako inertní plyn se využívá N. Fosfor difunduje při teplotě mezi 850 C až 105 C pro procesní čas mezi 10 až 80 sekund a bor difunduje při teplotě 1000 až 1100 C při čase 60 180 sekund. Po difúzi se deponovaný film oxidu křemičitého se odstraní leptáním v kyselině fluorovodíkové. Tloušťka filmu je dána: - stupeň rozpustnosti - viskozitou - rychlostí SOD Výhody - jednoduchost - nízké náklady Nevýhody - vzorek nelze analyzovat mezi závěrečnými kroky procesu - dochází ke vzniku mechanického napětí na filmu po vypečení [3] 3

6 Pasivace solárního článku Pro dosažení vysoké učinnosti solárních článků, nízké povrchové rekombinace a vysoké doby života je pasivace povrchu substrátu nezbytná. Pasivace se vytváří pomocí dvou procesů. A to, teplotní oxidací při vysokých teplotách (realizace za pomocí RTO/CTO vzniká SiO ) a depozicí tenkých pasivačních vrstev za nízkých teplot (<400 C, je možné požít PECVD - Plasma Enhanced Chemical Plasma Deposition plazmatická chemická depozice z par většinou se jedná o vrstvy z nitridu křemíku SiN x, karbidu křemíku SiC, ). K pasivaci se používá i kombinace obou vrstev jak oxidové, tak nitridové. Pasivační vrstva se nanáší na obě strany, přední i zadní, nebo jen na přední. Tenká vrstva SiO má mnohé výhody: zabraňuje vniknutí nečistot (B, P,As, Sb), výborný izolátor (ρ > 10 Ωcm, Eg > 9 ev), výborná povrchová pasivační kvalita, která je stabilní a reprodukovatelná. V solárních článcích se tedy SiO využívá jako pasivační vrstva a (nebo) jako součást antireflexní vrstvy na přední straně a jako pasivační a izolační vrstva na zadní straně. [3] 6.1 Klasický oxidační proces CTO Je běžný u klasických pecí při značně velké pasivační kvalitě vysokých teplot a dlouhých časů. [3] Sled operací je následný: SiO vrstvy. Používá se 1. Nepovinně se může vyčistit pec (doporučuje se použít smíchaný plyn z C H 3Cl3 a O při teplotě 1100-100 C ).. Vyčištění substrátu (na příklad pomocí RCA technologie). 3. Zavedení substrátu do pece s čistým suchým kyslíkem T 800 C. 4. Růst oxidační teploty v peci. 5. Oxidace (1000 1100 C, O s % HCl nebo C H 3Cl3 ). 6. Post-oxidační ohřev v inertním plynu (dusík nebo argon) po dobu 15 30 minut. 7. Vypouštění inertního plynu. 8. Snížení teploty ( T > 800 C). 9. Ohřev za pomoci pracovního plynu ( N s několika procenty H ) při 350 až 450 C, 30 minut. [7] 4

6. Rychlá teplotní oxidace Ve srovnání s klasickou oxidací, RTO redukuje oxidaci z 330 minut na 5 minut. Pasivační kvality jsou srovnatelné u obou technologií. Povrchová rekombinační rychlost z přední strany solárního článku může být efektivně snížena pomocí RTO z 4 x10 cm/s (pasivované). 5 7,5x 10 cm/s (nepasivované) na Další hlavní vlastností RTO je že není rozdíl v chemické struktuře při různosti technologie (RTO či CTO). Pracovní postup při RTO je následný: po čištění substrátu se tento vloží do krystalové komůrky. Po očištění komůrky N při pokojové teplotě se začne komůrka plnit kyslíkem. Poté je substrát zahřán na 400 C pomocí wolframovo halogenových lamp. Celkový průtok plynu během zahřívání by neměl překročit 3 slm (standardní litr za minutu). Teplota stoupá z 400 C na danou maximální teplotu. Gradient stoupající a klesající teploty se nastavuje běžně 35 C/s. Dochází k ustálení teploty, toto ustálení trvá 40 100 sekund. Pak následuje klesání teploty na 600 C, zde dochází k vypnutí lamp. Následuje vpouštění N a míra toku N je zmenšována do konce procesu. Nakonec je záření vypnuto a komůrka se může použít znovu. [3] 5

7 RTA při úpravě zadní strany solárního článku (BSF) 7.1 Základní vlastnosti BSF (Back Surface Field) zadní povrchová oblast je jedna z technologii pro dosažení nízké efektivity rekombinační rychlosti na zadní straně solárního článku. Silně dopovaná oblast je umístěna ze zadní straně článku a vzniká tam koncentrační přechod + PP. Z teoretické úvahy vyplývá, že rozhraní mezi silně a slabě dopovaným povrchem vede k snížení povrchové rekombinační rychlosti. Tato technologie nejen zvětší výstupní proud a napětí, ale i zmenší odpor kontaktu na zadní straně. V praxi se používá nejčastěji hliník nebo bor. BSF se nachází poblíž zadního kontaktu. Zadní kontakt může být navrhnut i tak, aby odrážel dlouhé vlny. Takovéto zadní reflektory můžou zvýšit výkon.[1] Tab. 3: Rozdílné vlastnosti prvků pro BSF [3] VLASTNOSTI BOR HLINÍK Difúzní technologie Vysoká teplota a dlouhé trvání Nízká teplota a nízké trvání Hloubka průniku slabá hluboká Tavitelnost vysoká nízká Povrchová koncentrace vysoká nízká Rekombinace nízká vysoká Kontaktový odpor nízká vysoká 7. Hliníková BSF Používá se pro p-typový křemíkový substrát na lokální BSF. Eutektická teplota Al vrstvy je 577 C. Při této teplotě tají eutektické skladbové formy, které utvářejí depozitovaný hliník a požadované množství křemíku z krystalu. Se zvětšující teplotou je křemíková koncentrace v roztavené fázi rostoucí. Po té co substrát stráví krátký čas pod vysokou teplotou je ochlazován. Během tohoto ochlazení dochází k zpevnění mezivrstvy tekuté a pevné fáze, odchází p dopanty rekrystalizovaného křemíku, který je nynější Al-BSF. Tloušťka BSF může být vypočtena: W BSF δ Al = ρ SI F( T ) E 100 F( T ) 100 E 6

,kde δ Al představuje množství Al depozice ρ Si 3 g / cm, je hustota Si, F(T) reprezentuje procenta atomů křemíku v roztavené fázi a vrcholovou teplotu ohřevu. E jsou procenta atomů křemíku při eutektické teplotě. Podle této rovnice W BSF se zvýšena nepatrně se s zvyšující se teplotou ohřevu, ovšem mnohem víc efektivní je zvýšení hodnoty Al depozice. Nejjednodušší cesta nanášení Al je sítotiskem. Na Al-BSF se používá teplota 800/850 C a čas kolem 1 minuty. Důvody pro využití BSF k depozici Al: Al-BSF se formuje při ohřevu za nízkých teplot (577 C). V kontrastu s B-BSF (bor), kde je zapotřebí vyšší teplota (>1000 C), která může být škodlivá v případě multikrystalového křemíku. Během ohřevu se do kapalné Al-Si vrstvy dostávají nečistoty z objemu substrátu segregací. Po rekrystalizaci Al-Si zůstává metalická Al vrstva, která reprezentuje dobrý ohmický kontakt na zadní straně. teplotu. Výhody použití RTP: Zlepši se Al-BSF homogenita způsobená rychlým stoupáním teploty přes eutektickou Vzrůst Al koncentrace, Al nemůže vydifundovat rekrystalizací křemíku díky rychlému růstu teploty. 18 10 Jedna nevýhoda Al-BSF vyplývá z dosti nízké rozpustnosti Al v Si, která je přibližně 3 cm pro 750 C a pro 1000 C 19 10 3 cm [5]. 7

8 Experimentální část 8.1 Příprava Experimentu 8.1.1 Materiál pro zkoušku Pro experiment byly připraveny 3 supiny monokrystalu křemíku. Jednotlivé skupiny desek byly po různých technologických úpravách a především s třemi druhy povrchů. Tab. 4: Vlastnosti substrátu - skupina 1 Typ Cz-Si, monokrystal; p-typ Rozměry pseudo-square; 10,5 10,5 mm; úhlopříčka 135 mm (4 ) Množství 8 ks Leptání v KOH 58 μm (vyšší letací teplota, delší leptací čas) Getrace ne Typ povrchové úpravy jemný lesk Bližší popis deformace na kraji desky Tab. 5: Vlastnosti substrátu - skupina Typ Cz-Si, monokrystal; p-typ Rozměry pseudo-square; 10,5 10,5 mm; úhlopříčka 135 mm (4 ) Množství 8 ks Leptání v KOH 11 μm (nižší leptací teplota, kratší leptací čas) Getrace ne Typ povrchové úpravy hrubý lesk Bližší popis vysoká rezistivita (~ 1 Ωcm) Tab. 6: Vlastnosti substrátu - skupina 3 Typ Cz-Si, monokrystal; p-typ Rozměry pseudo-square; 10,5 10,5 mm; úhlopříčka 135 mm (4 ) Množství 8 ks Leptání v KOH 9, μm (nižší leptací teplota, střední leptací čas) Getrace ano Typ povrchové úpravy textura Bližší popis - 8

8.1. Výběr nejvhodnější skupiny na vysokoteplotní žíhání Pro samotný výzkum možností RTA pece v oblasti vysokoteplotního žíhání jsou nevhodnější desky monokrystalu křemíku s vysokým obsahem kyslíku. Přímé měření obsahu intersticiálního kyslíku v substrátech nebylo možné provést. Ovšem dřívějším výzkumem se prokázalo, že při měření substrátu metodou μ-pcd mají desky charakteristické prstencové defekty, které odpovídají shlukům intersticiálního kyslíku. Metoda μ-pcd umožňuje zobrazení jednotlivých Si desek mapovým způsobem, přičemž jednotlivé barvy na mapě určují dobu života minoritních nosičů pro danou lokalitu, stupnice rozsahu doby života je uvedena vždy na spodní části obrázku. Obr. 8: Skupina 1 po změření metodou μ-pcd Obr. 9: Skupina po změření metodou μ-pcd Obr. 10: Skupina 3 po změření metodou μ-pcd Z obr.8, 9 a 10 je patrné, že nevhodnější skupina pro vysokoteplotní žíhání je skupina 1 pro srovnání použijeme také skupinu. 9

8.1.3 Doba života pro skupinu 1 a Desky byly před měřením na μ-pcd pasivovány v roztoku jódu v ethanolu pro minimalizaci vlivu povrchové rekombinace. Před pasivací roztokem byl nečistoty a možné zbytky kovů na povrchu leptány v lázni s nízkou koncentrací kyseliny fluorovodíkové (HF). Skupina je s vysokou pravděpodobností složena z dvou různých skupiny (řádově různá doba života). Z toho důvodu je i zkreslený průměr u této skupiny. Tab. 7: Doby života substrátů - skupina 1 před žíháním Číslo vzorku Střední hodnota τ effp * Median τ effp [μs] [μs] 1 5,737 5,4 5,945 5,697 3 5,853 5,69 4 5,356 5,371 5 5,966 5,854 6 5,85 5,98 7 6,059 5,904 8 5,76 5,588 průměr 5,808 5,674 τ effp *- doba života minoritních nosičů - počáteční Tab. 8: Doby života substrátů - skupina před žíháním Číslo vzorku Střední hodnota τ effp [μs] Median τ [μs] 1 10,679 10,45 17,01 187,99 3 10,37 10,149 4 8,641 8,836 5 173,7 19,4 6 8,55 8,834 7 153,14 168,95 8 13,195 14,557 průměr 68,769 75,67 effp 8.1.4 Příprava materiálu pro proces vysokoteplotního žíhání Před procesem vysokoteplotním žíhání bylo nutné provést smytí nečistot a případných kovových částic z povrchu substrátu. Mytí proběhlo sekvenčně-leptacím procesem kyseliny sírové H SO 4, fluorovodíkové HF a kyseliny chlorovodíkové HCl s příslušnými proplachy v DEMI vodě v kaskádových vanách a následným odstředivým vysušením desek. 30

8. Experiment vysokoteplotního žíhání v dusíku 8..1 Návrh teplotního profilu Teplotní profil navrhujeme podle možností pece SHS1000, pomocí faktorové analýzy [10]. Základními faktory u jakýchkoliv rychlých teplotních procesů (RTP) jsou maximální teplota ( T max ), gradient růstu (ramp up) a klesaní teploty (ramp down), doba maximální teploty (time plateau). Tedy tři faktory A (= T max ), B (= ramp), C (= time plateau). Tab. 9: Rozpis jednotlivých faktorů T max [ C] Ramp [ C/s] Time plateau [min.] A1 = 1050 B1 = 30 C1 = A = 1100 B = 180 C = 5 Jednotlivé faktory jsou mezi sebou promíchány, jak stanový faktorová analýza. A to v pořadí A1B1C1, A1B1C, A1BC1, A1BC, AB1C1, AB1C, ABC1, ABC. Obr.11: Přibližný teplotní profil, který se mění podle parametrů A, B, C. Jak je patrné z obr. 11 jako inertní plyn volíme dusík, a to z důvodu jeho dostupnosti a jeho vhodných vlastností. 31

8.. Naměřené výsledky po žíhání Tab. 8 uvádí výsledky jednotlivých desek skupiny 1 po žíhání v dusíku. To samé platí také pro tab. 9, ovšem pro skupinu. Doba života se měřila pomocí μ PCD. Tab. 10:. Vlastnosti substrátu - skupina 1 po žíháním Číslo vzorku Střední hodnota τ effk * Median τ effk [μs] [μs] 1 8,41 6,938 10,36 10,305 3 11,866 1,514 4 9,719 9,48 5 8,556 9,31 6 8,06 8,188 7 7,8 7,733 8 6,719 6,593 průměr 8,864 8,883 τ effk *- doba života minoritních nosičů - koncová Tab. 11: Vlastnosti substrátu - skupina po žíháním Číslo vzorku Střední hodnota τ effk [μs] Median τ [μs] 1 7,815 8,357 38,834 8,035 3 8,758 9,359 4 7,518 7,503 5 31,367 3,1 6 4,91 4,977 7 5,034 6,59 8 6,873 7,543 průměr 16,39 15,571 effk 3

8.3 Vyhodnocení výsledků 8.3.1 Výtěžnost procesu V tab. 1 a tab. 13 je uveden procentuální rozdíl doby života před žíháním a po žíhání. Δ střtřed hodnota τ eff = střtřed hodnota τ effk střtřed hodnota τ effp a následně: zisk střtřed hodnoty τ effp = Δ střtřed hodnota τ střtřed hodnota τ effp eff.100 [%] kde střední hodnota τ effk je střední hodnota τeff naměřená po procesu žíhání a střední hodnota τ effp je střední hodnota τ eff naměřená před procesem žíhání. Stejný postup výpočtu požijeme i při zisku mediánu. Tab. 1: Vlastnosti substrátů - skupina 1 po žíháním, zlepšení Číslo vzorku Zisk střední hodnoty τ eff Zisk medianu τ [%] [%] 1 43,6 8,0 73,7 80,9 3 10,7 1,3 4 81,5 76,5 5 43,4 59,1 6 40,9 38,1 7 0, 31,0 8 17,3 18,0 průměr 5,9 56,7 eff Tab. 13: Vlastnosti substrátů - skupina po žíháním zlepšení/zhoršení Číslo vzorku Zisk střední hodnoty τ eff Zisk medianu τ [%] [%] 1-6,8-19,8-77,4-85,1 3-14,4-7,8 4-13,0-15,1 5-81,9-83,3 6-4,5-43,7 7-83,7-84,3 8-47,9-48, průměr -48,5-48,4 eff 33

8.3. Optické vyhodnocení Na obr. 1 a obr. 14 jsou zobrazeny substráty skupiny 1 před žíháním, je na nich patrný intersticialní křemík. Obr. 13 a obr. 14 představuje ty samé desky po žíhání. Vzory soustředných prstenců intersticiální kyslíku byly odstraněny. Obr. 16 a obr. 18 určuje desky bez zvýšeného obsahu intersticiálního kyslíku, tedy zásupce skupiny před žíháním. Zde došlo ke značnému zhoršení desek, jak je patrné z obr. 17 a obr. 19. Skupina 1 Obr.1: Substrát č.1 před RTA v N Obr.13: Substrát č.1 po RTA v N (median τ eff = 5,4 μs) (median τ eff = 6,938 μs) Obr. 14: Substrát č.4 před RTA v N Obr. 15: Substrát č.4 po RTA v N (median τ eff = 5,371 μs) (median τ eff = 9,48 μs) 34

Skupina Obr. 16: Substrát č. před RTA v N Obr. 17: Substrát č. po RTA v N (median τ eff = 187,99 μs) (median τ eff =8,035 μs) Obr. 18: Substrát č.6 před RTA v N Obr. 19: Substrát č.6 po RTA v N (median τ eff = 8,834 μs) (median τ eff =4,977 μs) 35

8.3.3 Faktorová analýza Pomocí faktorové analýzy [10] nastavuji 3 faktory, které jsou uvedeny v kapitole 8..1. Pro analýzu jsem vybral pouze skupinu 1, z důvodu kladné zisku doby života. Skupina měla záporný zisk, proto je pro další analýzu nevhodná. Jako zkoumanou hodnotu využiji zisk střední hodnoty τ eff, která je uváděna v procentech. Tab. 14 ukazuje jaké hodnoty se dosahují změnou parametrů A, B, C. A1 Tab. 14: Faktorová analýza pro doby život SiD B1 B B1 B C1 C C1 C C1 C C1 C A1B1C1 A1B1C A1BC1 A1BC AB1C1 AB1C ABC1 ABC (1) c b bc a ac ab abc 43,6 % 73,7 % 10,7 % 81,5 % 43,4 % 40,9 % 0, % 17,3 % R1 R R3 R4 R5 R6 R7 R8 Pro zjištění přechodu z A1 do A: Z A = a + ac + ab + abc (1) c b bc = 43,4 + 40,9 + 0, + 17,3-43,6-73,7-10,7-81,5 = - 179,7 % A To samé platí i pro parametry B1 a B: Z B = b + bc + ab + abc (1) c a ac = 10,7 + 81,5 + 0, + 17,3-43,6-73,7-43,4-40,9 = 0,1 % A samozřejmě i pro faktory C1 a C: Z C = c + bc + ac + abc - (1) b a ab = 73,7 + 81,5 + 40,9 + 17,3-43,6-10,7-43,4-0, = 3,5 % Obdobně se vypočístá interakce mezi jednotlivými faktory: Z AB = (1) + c + ab + abc b - a- bc ac = 43,6 + 73,7 + 0, + 17,3-10,7-43,4-81,5-40,9 = - 113,7 % Z AC = (1) + b + ac + abc c a - bc ab = 43,6 + 10,7 + 40,9 + 17,3-73,7-43,4-81,5-0, = - 14,3 % Z BC = (1) + a + bc + abc c b - ac ab = 43,6 + 43,4 + 81,5 + 17,3-73,7-10,7-40,9-0, = - 51,7 % 36

Je možné vypočíst i interakci všech 3 faktorů na ráz: Z ABC = c + b + a + abc (1) - bc- ac ab = 73,7 + 10,7 + 43,4 + 17,3-43,6-81,5-40,9-0, = 50,9 % 8.3.4 Analýza rozptylu - grafická Interakci mezi dvěma faktory lze také vyhodnotit graficky. Toto vyhodnocení nedává přesný výsledek jako faktorová analýza, ovšem je názornější. Interakce mezi parametry A a B při různém C znázorněna na obr. 0 a obr. 1. Podle [15] je na obr. 0 je silná interakce a obr. 1 odpovídá slabé interakci. Interakce AB při C1 10.0 100.0 Zisk [%] 80.0 60.0 40.0 0.0 0.0 0 50 100 150 00 Rampování [ C/s] Obr. 0: Interakce AB při C1 37

Interakce AB při C 10.0 100.0 Zisk [%] 80.0 60.0 40.0 0.0 0.0 0 50 100 150 00 Rampování [ C/s] Obr. 1: Interakce AB při C Jednotlivé body odpovídají jedné hodnotě při experimentu, pro kterou jsou nastavené různé faktory A, B i C. Na obr. a obr. 3 je znázorněna interakce BC. U obr. je interakce silná, ovšem interakce na obr. 3 není žádná. Interakce BC pro A1 10.0 100.0 Zisk [%] 80.0 60.0 40.0 0.0 0.0 0 50 100 150 00 Rampování [ C/s] Obr. : Interakce BC při A1 38

Interakce BC pro A Zisk [%] 50.0 45.0 40.0 35.0 30.0 5.0 0.0 15.0 10.0 5.0 0.0 0 50 100 150 00 Rampování [ C/s] Obr. 3: Interakce BC při A Interakce pro parametry AC je silná při B1, obr. 4, a slabá při B obr. 5. Interakce AC pro B1 Zisk [%]. 80.0 70.0 60.0 50.0 40.0 30.0 0.0 10.0 0.0 0 1 3 4 5 6 Doba max. teploty [min.] Obr. 4: Interakce AC pro B1 39

Interakce AC pro B 10.0 100.0 Zisk [%] 80.0 60.0 40.0 0.0 0.0 0 1 3 4 5 6 Doba max. teploty [min.] Obr. 5: Interakce AC pro B 8.3.5 Diagram příčin a následků Diagram příčin a následků (Ishikawův diagram nebo také rybí kost ) je určen na odhadování vztahů mezi příčinami a následky v procesu. Slouží k odhalování následných nedostatků v procesu a podle možností napomáhá k jejich minimalizaci [11]. Obr. 6: Diagram příčin a následků 40

Z obr. 6 je patrné, že na náš experiment nepůsobí jen na stanovené faktory, ale také faktory, jenž nelze nastavit. Faktor prostředí při tomto experimentu je značně omezen, jelikož celý experiment proběhl v čistých prostorách. Tyto prostory mají řízení teploty, vlhkosti a prašnosti. 41

9 Závěr Hlavním přínosem práce je odzkoušení a ověření jednoho z procesů, jehož vhodnost aplikace byla ověřována na peci SHS 1000. Jedná se o vysokoteplotní žíhání v dusíkové atmosféře. Při žíhání jde především o odstranění intersticiálního kyslíku, který je vázán do typických prstencových tvarů. Z optických výsledků je patrné, že intersticiální kyslík byl rozptýleny do substrátu, což mělo vliv na zvýšení doby života u skupiny 1. Také je patrné, že existuje teoretická hodnoty doby života desek před žíháním. Při výběru substrátu s vyšší dobou života než je tato hodnota, dochází ke snižování doby života vlivem procesu žíhání, vázání nečistot do objemu křemíku. Naopak u desek s dobou života před touto hodnotou dochází ke zvyšování doby života vlivem procesu žíhání. Tento bod bude určen navazujícími experimenty. Podle literatury [3] se na úspěšnosti jakéhokoliv procesu RTA značně podílí klesající gradient teploty substrátu. V našem případě nebylo možné teoreticky předpokládaný klesající gradient dodržet z technických důvodů, což neumožňuje způsob měření přímo na zařízení. Pyrometr, který měří teplotu substrátu je vhodný na měření teplot vyšších jak 500 C. V této oblasti skutečně klesající gradient teploty odpovídal teoretickému předpokladu. Pod hodnotu 500 C už neodpovídala naměřená teplota nastavenému gradientu. Procentuální zisk doby života u skupiny 1 se pohyboval od 17,3 % po 10,7 %. Což jsou hodnoty střední, tedy zprůměrňované, které nezcela odpovídají samotným zlepšením vlastností substrátu. Důležité je, aby tato hodnota byla co možná nejhomogenněji rozprostřena po substrátu. U skupiny došlo ke zhoršení doby života nejradikálněji až o 83,7 %. Z faktorové analýzy vyplývá, že nejpodstatnějším parametrem ze tří základních, jimiž jsou vzestupný a sestupný gradient teploty, maximální teplota a doba maximální teploty, je právě nastavení maximální teploty. Je patrné, že všeobecně je interakce mezi parametry vysoká, kromě interakce mezi dobou maximální teploty a maximální dobou maximální teploty, kde je naopak nízká. Podobné výsledky dostáváme i pomocí analýzy rozptylu, ta nám dovolí jen pozorovat interakci mezi jednotlivými parametry. Odlišné výsledky od faktorové analýzy dostáváme při interakci mezi maximální teplotou a dobou teploty. Podle faktorové analýzy se jedná o velmi slabou interakci, a podle analýzy rozptylu o střední interakci. Jak vyplývá z faktorové analýzy zvýšením maximální teploty dojde ke značnému zhoršení doby života minoritních nosičů při žíhání desek v dusíku. Což je v souladu s [3], kde je stanovena vhodná hodnota pro práci s deskami na 900 C. V literatuře [1] byla uvedena vhodná teplota na žíhání okolo 1100 C a jak patrné z mého experimentu tato teplota není vhodná pro žíhání v pecí RTA SHS 1000. Vhodnější jsou teploty nižší. 4

Na tuto práci bude navazovat série dalších experimentů, jako jsou žíhání v dusíku při nižších teplotách, žíhání v argonu, suchá oxidace, difúze z různých zdrojů (např. spin-on), BSF, kontaktování a další. Cílem je experimentální ověření možností pece RTA SHS1000 při výrobě solárních článků. 43

10 Použitá literatura [1] GREEN, M. A. Solar cells. Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, 198. 74 stran. ISBN 0-13- 870-3 [] SZENDIUCH, I. Mikroelektronické montážní technologie, Brno: VUTIUM Nakladatelství VUT v Brně, 1997. 374 stran. ISBN 80-14-0901-0 [3] YOUN, J. L. Rapid Thermal Processing of Silicon Solar Cells - Passivation and Diffusion. [cit. 007-10-05]. Dostupné z WWW: http://deposit.ddb.de/cgibin/dokserv?idn=969717431&dok_var=d1&dok_ext=pdf&filename=969717431.pdf [4] User s Manual SHS1000 [5] PETERS, S. Rapid Thermal Processing of Crystalline Silicon Materials and Solar Cells. [cit. 007-10-05]. Dostupné z WWW: http://www.ub.unikonstanz.de/kops/volltexte/004/109/pdf/peters_dissertation.pdf [6] MARKVART, T. Solar electricity, Chichester (UK): John Wiley & sons, LTD, 004. 80 stran. ISBN 0-471-98853-7 [7] GOETZBERGER, A., KNOBLOGH, J., VOß, B. Crystalline silicon solar cells, Chichester (UK) : John Wiley & sons, LTD, 1998. 37 stran. ISBN 0-471-97144-8 [8] DOOLITLE, A. Rapid Thermal Processing. [cit. 007-10-10]. Dostupné z WWW: http://users.ece.gatech.edu/~alan/ece6450/lectures/ece6450l6-rapid%0thermal%0processing.pdf [9] VOVES, J. Přednáška č.9 předmětu TCAD. [cit. 008-0-0]. Dostupné z WWW: http://www.micro.feld.cvut.cz/homex34tca/prednasky/tce9.ppt [10] MAIXNER, L. Navrhování automatických výrobních systémů, Praha: SNTL nakladatelství technické literatury,1980. 10 stran. ISBN neuvedeno [11] SZENDIUCH, I. Základy technologie mikroelektronických obvodů a systémů, Brno: VUTIUM Nakladatelství VUT v Brně, 006. 379 stran. ISBN 80-14-39-6 [1] LORENC, M., ŠIK, J., VÁLEK, L. Technologie růstu monokrystalu křemíku Czochralskiho metodou. [cit. 008-11-03]. Dostupné z WWW: http://silicon.euweb.cz/lorenc_czsi.pdf [13] WOLF, S. Silicon processing for the VLSI era, Sunset Beach (U.S.A.): Lattice Press, 1987. 661 stran. ISBN 0-96167-3-7 [14] ČECH, P. Výzkum vlivu krátkodobého vysokoteplotního žíhání křemíkových substrátů ze zvýšeným obsahem intersticiálního kyslíku v dusíkové atmosféře na elektrické vlastnosti substrátu. Rožnov pod Radhoštěm. 007. 15 stran. Technická zpráva. A11_dílčí zpráva. SOLARTEC s.r.o. [15] FAJMON, B., KOLÁČEK, J. Pravděpodobnost, statistika a operační výzkum. Brno. 005. 46 stran. 44