Parametry ovlivňující proudovou analýzu mikroprocesoru vykonávajícího funkci AddRoundKey

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Parametry ovlivňující proudovou analýzu mikroprocesoru vykonávajícího funkci AddRoundKey"

Transkript

1 Rok / Year: Svazek / Volume: Číslo / Number: Parametry ovlivňující proudovou analýzu mikroprocesoru vykonávajícího funkci AddRoundKey Parameters affecting the current analysis of the microprocessor executing the function AddRoundKey Zdenik Martinásek, Tomáš Petřík, Peter Stančík martinasek@feec.vutbr.cz, xpetri@stud.feec.vutbr.cz, peter.stancik@phd.feec.vutbr.cz Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně. Abstrakt: Článek popisuje analýzu proudového postranního kanálu za různých podmínek a pro různé konstrukční vlastnosti kryptografického modulu. Jako kryptografický modul je použit mikroprocesor PIC16f84A pracující se symetrickou šifrou AES. Analýza je zaměřena na proudový postranní kanál při vykonávání funkce AddRoundKey z šifrovacího algoritmu. Proudový odběr mikroprocesoru byl měřen v závislosti na velikosti napájecího napětí, velikosti odporu bočníku a velikosti kapacity blokovacího kondenzátoru. Abstract: The article describes a side channel power analysis under various conditions. As a cryptographic module was used microprocessor PIC16F84A working with AES (Advanced Encryption Standard). The measurements was focuses on the current consumption during the execution of the function AddRoundKey. Power consumption was measured depending on size supply voltage, size of shunt resistance, capacity of blocking capacitor and ambient temperature.

2 211/ VOL.13, NO.5, OCTOBER 211 Parametry ovlivňující proudovou analýzu mikroprocesoru vykonávajícího funkci AddRoundKey Zdeněk Martinásek 1, Tomáš Petřík 1, Peter Stančík 1 1 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně martinasek@feec.vutbr.cz, xpetri@stud.feec.vutbr.cz, peter.stancik@phd.feec.vutbr.cz Abstrakt Článek popisuje analýzu proudového postranního kanálu za různých podmínek a pro různé konstrukční vlastnosti kryptografického modulu. Jako kryptografický modul je použit mikroprocesor PIC16f84A pracující se symetrickou šifrou AES. Analýza je zaměřena na proudový postranní kanál při vykonávání funkce AddRoundKey z šifrovacího algoritmu. Proudový odběr mikroprocesoru byl měřen v závislosti na velikosti napájecího napětí, velikosti odporu bočníku a velikosti kapacity blokovacího kondenzátoru. U CC = 5V T1 T1 IC T2 C T2 U OUT = 5V U IN = V U IN = 5V a) b) IC C U OUT = V 1 Úvod Proudová analýza (Powe analysis, PA) studuje výkonovou spotřebu kryptografického zařízení v závislosti na jeho činnosti, byla představena v roce 1998 panem Kocherem [4]. Průběh proudové spotřeby elektronického zařízení (kryptografického modulu) není s časem konstantní a na první pohled vykazuje náhodný charakter. Většina moderních kryptografických zařízení bývá založena na technologii CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Základním stavebním prvkem logiky založené na CMOS technologii je invertující člen (obr. 1). Branami CMOS tranzistorů u invertoru protékají tři různé druhy proudů [8], první se nazývá svodový proud, druhý proud nabíjející/vybíjecí parazitní kapacity a třetí se nazývá zbytkový proud. Invertor obsahuje dva tranzistory T1 (PMOS) a T2 (NMOS) řízené napětím s opačným typem vodivosti. Invertor pracuje následovně: je-li vstupní napětí (U IN ) v logické úrovni 1, je otevřen tranzistor T2 a T1 je uzavřen, je-li vstupní napětí (U IN ) v logické úrovni, je otevřen tranzistor T1 a T2 je uzavřen. V obou těchto stabilních stavech je výkonová spotřeba minimální, tranzistory odebírají malý proud ze zdroje a ten se mění v tepelné záření. Výkonová špička nastává při přechodu mezi těmito stavy, kdy po krátký čas jsou otevřeny oba tranzistory (T1, T2) a napájení je přes ně zkratováno k zemi (svodový proud). Velikost proudové špičky je úměrná počtu právě přepínaných tranzistorů v celém integrovaném obvodu. Dominantní zdroj výkonových změn je nabíjení parazitní kapacity proudem I C a vybíjení parazitní kapacity proudem I D (vybíjecí/nabíjecí proud). Tato Obrázek 1: Model invertoru logiky založené na CMOS. a) Nabíjení parazitní kapacity. b) Vybíjení parazitní kapacity. parazitní kapacita představuje kapacity řídicích elektrod následujících tranzistorů. Dynamická výkonová spotřeba invertoru lze vyjádřit vztahem [8]: P dyn = C U 2 CC P 1 f, (1) kde C je parazitní kapacita, P 1 je pravděpodobnost přechodu mezi stavy 1, f je kmitočet spínání a U CC je napájecí napětí. Pokud měříme výkonovou spotřebu (na zemnící nebo napájecí svorce invertoru) bude největší špička během nabíjení parazitní kapacity[8]. Důsledkem výše popsaných příčin výkonových změn je, že proudová spotřeba kryptografického modulu je přímo závislá na zpracovávaných datech a probíhajících operacích. Útočník může z naměřené proudové spotřeby kryptografického modulu určit algoritmus, instrukci, tajný klíč a další senzitivní materiál. Proudová analýza může být aplikována v podstatě na všechny elektronické kryptografické zařízení, protože tyto zařízení musí být během provozu napájeny. Za 1 let své existence útoky jednoduchou a diferenční proudovou analýzou jsou obsáhle publikovány například útok na algoritmus DES [4], RSA [3] a AES [9, 1]. Tato četnost vychází z faktu, že zařízení na měření proudového odběru je cenově dostupné prakticky komukoli, útočník nemusí mít k dispozici žádné drahé speciální zařízení. Postačí měřicí karta do počítače nebo osciloskop, ale i tyto měřící zařízení se musí správně použít jinak dochází ke zkreslení výsledků. Většina publikací týkající PA nepopisuje experimentální pracoviště, nestandardní nastavení některých parametrů a postup měření. Několik základních in- 51 1

3 211/ VOL.13, NO.5, OCTOBER První varianta.15 Diferenční signál x 1-5 Druhá varianta x x 1-5 Obrázek 3: Výsledný diferenční průběh Obrázek 2: Naměřené průběhy první a druhé fáze formací o experimentálním pracovišti je uvedeno v práci [1]. Základní informace týkající se metod měření byly publikovány v [5]. Článek [2] zabývající se optickým PK uvádí nestandardní konfiguraci kryptografického modulu (vyšší napájecí napětí) z důvodu markantnějších výsledků měření. Publikace se nezabývají také nastavením ostatních parametrů ovlivňující měření například velikost taktovacího signálu, velikost napájecího napětí, velikost odporu bočníku, polohou oscilátoru atd. Tento článek popisuje analýzu proudového postranního kanálu za různých podmínek a pro různé konstrukční vlastnosti kryptografického modulu. Autoři navazují na předchozí práci [5, 6, 7]. Jako kryptografický modul je použit mikroprocesor PIC16f84A pracující se symetrickou šifrou AES. Analýza je zaměřena na proudový odběr modulu během vykonávání funkce AddRoundKey. Proudový odběr mikroprocesoru byl měřen v závislosti na velikosti napájecího napětí, velikosti odporu bočníku a velikosti kapacity blokovacího kondenzátoru. 2 Určení diferenčního průběhu Pro porovnání velikosti vlivu různých parametrů na měření proudové spotřeby byl určen diferenční průběh, který bude sloužit jako reference. Do kryptografického modulu byla implementována funkce AddRoundKey algoritmu AES a to ve dvou variantách. Tato operace provádí XOR nad blokem (maticí) otevřeného textu A a blokem tajného klíče K a ukládá výsledek do bloku S (rovnice 2). Ve své původní podobě pracuje AES algoritmus s bloky dat o délce 128 bitů tedy matice 4x4 Bajty. S = A K (2) V první variantně byla matice otevřeného textu A 1 a matice tajného klíče K 1 nulová (tzn. každé slovo má hodnotu h). V druhé variantě byla matice A 2 opět nulová, ale matice K 2 nabývala hodnot od 1h do FFh, kdy Hammingova váha w prvku následujícího je vždy větší o 1 oproti prvku předchozímu. Hodnota prvního slova klíče k, je rovna 1h (B 1 ) tedy w(k, ) = 1. Následující prvek v matici má hodnotu 3h (B 11 ) tedy Hammingova váha w(k,1 ) = 2. Poslední prvek k 3,3 pak nabývá hodnoty FFh (B ), kde w(k 1,3 ) = 8. Matice tajného klíče pro obě varianty bude vypadat následovně (hexadecimální zápis): K 1 =, K 2 = F 1F 3F 7F F F F 1F 3F 7F F F Proudová spotřeba během provádění algoritmu v první a druhé variantě byla zaznamenána osciloskopem a následně vyhodnocena. Z teorie vyplývá, že v první variantě nedochází k žádné operaci s daty tedy přepnutí stavů tranzistorů, ukládání změn do paměti atd. V druhé variantě dochází k práci s daty dle výše popsaných pravidel. Výsledné průběhy jsou zobrazeny na obrázku obr. 2. Diferenční signál se následně vypočte prostým rozdílem průběhů napětí z těchto dvou fází, tzn. průběh napětí z první fáze se odečte od průběhu napětí z druhé fáze. Výsledkem této jednoduché operace je průběh signálu zobrazený na obrázku 3. Na obrázku jsou patrné špičky odpovídající práci s daty. Důležitá je viditelnost zvyšující se Hammingovi váhy tajného klíče w(k) = 1 až 8. 3 Vliv napájecího napětí Na obrázku 4 jsou zobrazeny diferenční průběhy pro různé hodnoty napájecího napětí U CC. Hodnoty byly naměřeny pro odpor bočníku = 1 Ω, frekvenci hodinového signálu f OSC1 = 4 MHz a blokovací kondenzátor = 1 nf. S rostoucím napětím U CC narůstá hodnota proudu odebíraného mikroprocesorem. Tento proud je přímo úměrný napětí na bočníku. Obrázek 5 znázorňuje průběh napětí, 51 2

4 211/ VOL.13, NO.5, OCTOBER U =1V CC U CC =9V U =7V CC U =5V CC x R = 47 B R = 22 B R = 1 B = 55 R = 1 B x 1-5 Obrázek 4: Diferenční průběh pro různá napájecí napětí. U =1V CC.15 U =9V CC U CC =7V.1 U =5V CC.5 Obrázek 6: Diferenční průběhy pro různé velikosti odporu bočníku = 47 = 22 = 1 = 55 = x x 1-4 Obrázek 5: Detail průběhů proudu pro různé velikosti napájecího napětí. ve výřezu z grafu na obrázku 4. Tyto napěťové špičky vznikají při operaci XOR mezi slovy h a FFh. Pro U CC = 5 V je velikost diferenčního napětí fáze 1 a 2 na bočníku oproti hodnotě ustálené přibližně 8 mv. Pro U CC = 1 V je tato diference dvojnásobná, tj. 16 mv. Se vzrůstajícím napájecím napětím mikroprocesoru se hodnoty napětí diferenčního průběhu zvyšovaly, avšak šumová složka se prakticky nezměnila. S vyššími hodnotami napájecího napětí je tedy kryptoanalýza proudového postranního kanálu mnohem účinnější. 4 Vliv odporu bočníku Na obrázku 6 jsou zobrazeny diferenční průběhy pro různé velikosti odporu bočníku. Hodnoty byly naměřeny pro napájecí napětí U CC = 1 V, frekvenci hodinového signálu f OSC1 = 4 MHz a kapacitu blokovacího kondenzátoru = 1 nf. Dle předpokladů (Ohmův zákon) se hodnoty diferenčního signálu zvyšovaly s rostoucí hodnotou odporu Obrázek 7: Detail Peak-to-Peak hodnot napětí pro různé velikosti odporu bočníku. bočníku. Obrázek 7 znázorňuje průběh napětí ve výřezu z grafu na obrázku 6. Z grafu je patrné, že se vzrůstajícím odporem bočníku se zvyšuje Peak-to-Peak hodnota diferenčního signálu na bočníku. Přechody ze stavu log. 1 do log. jsou sice výraznější, avšak klesá hodnota poměru S/N (Signal-to- Noise Ratio), tj. poměr užitečného signálu a signálu šumu, viz obr. 8. Pro = 1 Ω je maximální hodnota referenčního signálu U =,1672 V a pro = 47 Ω je maximální hodnota referenčního signálu U =,3776 V. 5 Vliv frekvence hodinového signálu Na obrázku 9 je zobrazen průběh diferenčního signálu pro odlišný takt hodinového signálu na vstupu OSC1 mikroprocesoru. Průběh byl naměřen pro odpor bočníku = 1 Ω, napájecí napětí U CC = 1 V a kapacitu blokovacího kondenzátoru = 1 nf. Frekvence hodinového signálu 51 3

5 I[A] I[A] I[A] I[A] 211/ VOL.13, NO.5, OCTOBER = 47 = Detail1 Detail = 1nF = 22nF = 1nF = 33nF = 82nF x x 1-5 Obrázek 8: Srovnání průběhů diferenčního signálu pro = 1 Ω a = 47 Ω. Obrázek 1: Diferenční průběhy pro různé velikosti blokovacího kondenzátoru f = 15MHz 1 x = 1nF = 22nF = 1nF = 33nF = 82nF x x 1-5 Obrázek 11: Detail 1 diferenčního signálu Obrázek 9: Referenční. byla 15 MHz. Na průběhu proudové spotřeby jsou patrné výraznější přechody mezi stavy vnitřních obvodů mikroprocesoru pro nižší frekvence f OSC1 (porovnání s diferenčním průběhem kde frekvence hodinového signálu byla 4 MHz). Hodnoty maximální hodnoty diferenčního napětí fáze 1 a pro frekvence 4 a 15 MHz se liší o U 15,4 = 19,5-14,3 = 5,2 mv. S rostoucí frekvencí se ovšem zvýrazňuje oscilace napěťového signálu na bočníku, což je pro analýzu signálu nežádoucí. Výsledky měření nejsou tak čitelné, některé proudové špičky jsou matoucí např proudová špička v čase 3.8 s na obr. 9. Z hlediska bezpečnosti je proto výhodnější použití oscilátoru s vyšším taktem. Při vyšším taktu se také zvyšují požadavky na vzorkovací frekvenci osciloskopu (měřicího zařízení) a tím kladou vyšší nároky potenciálnímu útočníkovi. V ideálním případě by pro zvýšení bezpečnosti bylo výhodné použití takové frekvence taktu hodinového signálu, která by při analýze útočníkem způsobovala aliasing rekonstruovaného signálu. 6 Vliv kapacity blokovacího kondenzátoru Obrázek 1 zobrazuje průběhy diferenčního průběhu pro různé hodnoty kapacity blokovacího kondenzátoru. Hodnoty byly naměřeny pro napájecí napětí U CC = 1 V, frekvenci hodinového signálu f OSC1 = 4 MHz a odpor bočníku = 1 Ω. Kapacity blokovacího kondenzátoru byly voleny byly v hodnotách 1, 22, 1, 33 a 82 nf. Doporučená hodnota kapacity pro blokovací kondenzátor je = 1 nf. Na obrázku 11 je zobrazen první detail diferenčních průběhů. Konkrétně se jedná o proudový průběh vykonání instrukce bsf RB. Pin RB mikroprocesoru se nastaví na hodnotu log. 1 (napájecí napětí mikroprocesoru), což je doprovázeno vysokou napěťovou špičkou v průběhu diferenčního signálu. Pro velikost kapacity výrazně vyšší 1 nf je patrná výrazná oscilace signálu. Stejně tak to platí pro hodnoty nižší. V druhém detailu (obr. 12) je výrazná oscilace signálu při = 1 nf. Volba této hodnoty je ovšem z konstrukčního hlediska naprosto nevhodná. Z pohledu ochrany proti 51 4

6 I[A] 211/ VOL.13, NO.5, OCTOBER Obrázek 12: Detail 2 diferenčního průběhu = 1nF = 22nF = 1nF = 33nF = 82nF x 1-4 analýze PK by bylo vhodné použití vyšších hodnot kapacit blokovacích kondenzátorů. 7 Závěr Pro účely měření bylo vytvořeno a důkladně otestováno experimentální pracoviště s kryptografickým modulem. Jako kryptografický modul byl použit mikroprocesor PIC16f84A pracující se symetrickou šifrou AES. Analýza je zaměřena na proudový odběr modulu při vykonávání instrukcí funkce AddRoundKey. Proudový odběr mikroprocesoru byl měřen v závislosti na velikosti napájecího napětí, velikosti odporu bočníku, frekvence hodinového signálu a velikosti kapacity blokovacího kondenzátoru. Se vzrůstajícím napájecím napětím mikroprocesoru se hodnoty napětí diferenčního průběhu zvyšovaly, avšak šumová složka se prakticky nezměnila. S vyššími hodnotami napájecího napětí je tedy kryptoanalýza proudového postranního kanálu mnohem účinnější. Pro U CC = 5 V byla velikost diferenčního napětí fáze 1 a 2 na bočníku oproti hodnotě ustálené přibližně 8 mv. Pro U CC = 1 V byla tato diference dvojnásobná, tj. 16 mv. Volba velikosti odporu bočníku měla dle předpokladů také značný vliv na výsledky měření. S rostoucí hodnotou velikosti odporu se sice Peak-to-Peak hodnoty diferenčního signálu zvyšovaly, avšak rovněž narůstala velikost šumové složky ve výsledném průběhu, tj. klesal poměr odstupu užitečného signálu od šumu. Pro = 1 Ω je maximální hodnota diferenčního signálu U =,1672 V a pro = 47 Ω je maximální hodnota diferenčního signálu U =,3776 V. Z těchto důvodů volba menší hodnoty odporu bočníku výrazně usnadňuje analýzu proudového postranního kanálu (ideální hodnota = 1 Ω). Volba frekvence hodinového signálu se rovněž výrazným způsobem projevovala na výsledném průběhu diferenčního signálu. Pro PA je vhodnější použití nižší frekvence, která klade nižší nároky na měřicí zařízení. Oproti tomu z pohledu ochrany je vhodnější volba frekvence hodinového signálu co možná nejvyšší. S vyššími hodnotami kmitočtu je diferenční průběh napětí více zarušen šumem, výraznější oscilace napětí na bočníku. V případě analýzy vlivu velikosti kapacity blokovacích kondenzátorů byl průběh diferenčního signálu nejméně zarušen při použití doporučené velikosti kapacity 1 nf. V případě této volby je pak výsledný průběh diferenčního signálu nejméně zarušen šumem a přechody mezi stavy vnitřních obvodů mikroprocesoru jsou pak mnohem zřetelnější. U příliš nízkých, nebo naopak vysokých hodnot kapacit, je u diferenčního signálu výraznější oscilace při změnách stavů obvodů v mikroprocesoru. Literatura [1] Ambrose, J.; Aldon, N.; Ignjatovic, A.; aj.: Anatomy of Differential Power Analysis for AES. In Symbolic and Numeric Algorithms for Scientific Computing, 28. SYNASC 8. 1th International Symposium on, sept. 28, s , doi:1.119/synasc [2] Ferrigno, J.; Hlavac, M.: When AES blinks: introducing optical side channel. Information Security, IET, ročník 2, č. 3, september 28: s , ISSN , doi:1.149/iet-ifs:2838. [3] Çetin Kaya Koç; Rothatgi, P.; Schindler, W.; aj. (editoři): Cryptographic Engineering. 29, ISBN [4] Kocher, P.; E, J. J.; Jun, B.: Differential Power Analysis. Springer-Verlag, 1999, s [5] Martinasek, Z.; Macha, T.; Stancik, P.: Power side channel information measurement. In Research in telecommunication technologies RTT21, September 21. [6] Martinasek, Z.; Macha, T.; Zeman, V.: Classifier of power side channel. In Proceedings of NIMT21, September 21, ISBN [7] Martinasek, Z.; Machu, P.: New side channel in cryptography. In Proceedings of the 17th Conference Student EEICT 211, April 211, ISBN [8] Peeters, E.; Standaert, F.-X.; Quisquater, J.-J.: Power and electromagnetic analysis: Improved model, consequences and comparisons. Integration, the VLSI Journal, ročník 4, č. 1, 27: s. 52 6, ISSN , doi:doi:1.116/j.vlsi , embedded Cryptographic Hardware. URL science/article/b6v1m-4j3nwy2-1/2/ 197aa6143d75a833ace [9] Sugawara, T.; Homma, N.; Aoki, T.; aj.: Differential power analysis of AES ASIC implementations with various S-box circuits. In Circuit Theory and Design, 51 5

7 211/ VOL.13, NO.5, OCTOBER ECCTD 29. European Conference on, aug. 29, s , doi:1.119/ecctd [1] Velegalati, R.; Yalla, P. S. V. V. K.: Differential Power Analysis Attack on FPGA Implementation of AES. 28: s

Postranními kanály k tajemství čipových karet

Postranními kanály k tajemství čipových karet SIX Research Centre Vysoké učení technické v Brně martinasek@feec.vutbr.cz crypto.utko.feec.vutbr.cz Kryptoanaly za postrannı mi kana ly Proudova analy za Pr edstavenı U vod Crypto Research Group, Vysoke

Více

Protiopatření eliminující proudovou analýzu

Protiopatření eliminující proudovou analýzu SIX Research Centre Vysoké učení technické v Brně martinasek@feec.vutbr.cz crypto.utko.feec.vutbr.cz Proudová analýza (PA) V dnešní době představuje efektivní a úspěšný způsob útoku cílený na bezpečné

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ MODERNÍ KRYPTOANALÝZA DIPLOMOVÁ PRÁCE FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ MODERNÍ KRYPTOANALÝZA DIPLOMOVÁ PRÁCE FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF TELECOMMUNICATIONS

Více

J.Breier, M.Vančo, J.Ďaďo, M.Klement, J.Michelfeit, Masarykova univerzita Fakulta informatiky

J.Breier, M.Vančo, J.Ďaďo, M.Klement, J.Michelfeit, Masarykova univerzita Fakulta informatiky Analýza postranních kanálů (kryptoanalýza hardvérových zařízení) J.Breier, M.Vančo, J.Ďaďo, M.Klement, J.Michelfeit, M.Moráček, J.Kusák, J.Hreško Masarykova univerzita Fakulta informatiky 6.5.2010 Klasifikace

Více

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc RIEDL 4.EB 10 1/6 1. ZADÁNÍ a) Změřte frekvenční charakteristiku operačního zesilovače v invertujícím zapojení pro růžné hodnoty zpětné vazby (1, 10, 100, 1000kΩ). Vstupní napětí volte tak, aby nedošlo

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ PROUDOVÝ POSTRANNÍ KANÁL BAKALÁŘSKÁ PRÁCE FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ PROUDOVÝ POSTRANNÍ KANÁL BAKALÁŘSKÁ PRÁCE FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF TELECOMMUNICATIONS

Více

Obrázek č. 1 : Operační zesilovač v zapojení jako neinvertující zesilovač

Obrázek č. 1 : Operační zesilovač v zapojení jako neinvertující zesilovač Teoretický úvod Oscilátor s Wienovým článkem je poměrně jednoduchý obvod, typické zapojení oscilátoru s aktivním a pasivním prvkem. V našem případě je pasivním prvkem Wienův článek (dále jen WČ) a aktivním

Více

Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem

Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem Abychom se vyhnuli užití diferenčních sumátorů, je vhodné soustavu rovnic(5.77) upravit následujícím způsobem I 1 = 1 + pl 1 (U 1 +( )), = 1 pc 2 ( I 1+( I 3 )), I 3 = pl 3 (U 3 +( )), 1 U 3 = (pc 4 +1/

Více

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E OPERAČNÍ ZESILOVAČE OPERAČNÍ ZESILOVAČE Z NÁZVU SE DÁ USOUDIT, ŽE SE JEDNÁ O ZESILOVAČ POUŽÍVANÝ K NĚJAKÝM OPERACÍM. PŮVODNÍ URČENÍ SE TÝKALO ANALOGOVÝCH POČÍTAČŮ, KDE OPERAČNÍ ZESILOVAČ DOKÁZAL USKUTEČNIT

Více

L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í

L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í Univerzita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Pardubice, Studentská 95 L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í Příjmení Šitina Číslo úlohy: 1 Jméno: Petr Datum měření: 30. 3. 2007 Školní rok: 2006

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ Ing. Petr Daněček ÚTOKY NA KRYPTOGRAFICKÉ MODULY ATTACKS ON CRYPTOGRAPHIC MODULES ZKRÁCENÁ VERZE PH.D.

Více

Paměti Josef Horálek

Paměti Josef Horálek Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ PROUDOVÝ POSTRANNÍ KANÁL MIKROPROCESORŮ DIPLOMOVÁ PRÁCE

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ PROUDOVÝ POSTRANNÍ KANÁL MIKROPROCESORŮ DIPLOMOVÁ PRÁCE VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF TELECOMMUNICATIONS

Více

Přednáška v rámci PhD. Studia

Přednáška v rámci PhD. Studia OBVODY SE SPÍNANÝMI KAPACITORY (Switched Capacitor Networks) Přednáška v rámci PhD. Studia L. Brančík UREL FEKT VUT v Brně ÚVOD DO PROBLEMATIKY Důsledek pokroku ve vývoji (miniaturizaci) analogových integrovaných

Více

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech Jiří Petržela základní aktivní prvky používané v analogových filtrech standardní operační zesilovače (VFA) transadmitanční zesilovače (OTA, BOTA, MOTA) transimpedanční zesilovače (CFA) proudové konvejory

Více

O čem byl CHES a FDTC? Jan Krhovják Fakulta informatiky Masarykova univerzita v Brně

O čem byl CHES a FDTC? Jan Krhovják Fakulta informatiky Masarykova univerzita v Brně O čem byl CHES a FDTC? Jan Krhovják Fakulta informatiky Masarykova univerzita v Brně Hlavní témata workshopů Cryptographic Hardware and Embedded Systems Speciální hardware Efektivní hardware Nedostatek

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF TELECOMMUNICATIONS

Více

Popis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B

Popis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B ASICentrum s.r.o. Novodvorská 994, 142 21 Praha 4 Tel. (02) 4404 3478, Fax: (02) 472 2164, E-mail: info@asicentrum.cz ========== ========= ======== ======= ====== ===== ==== === == = Popis obvodu U2403B

Více

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu:

Petr Myška Datum úlohy: Ročník: první Datum protokolu: Úloha číslo 1 Zapojení integrovaného obvodu MA 785 jako zdroje napětí a zdroje proudu Úvod: ílem úlohy je procvičit techniku měření napětí a proudu v obvodové struktuře, měření vnitřní impedance zdroje,

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

13 Měření na sériovém rezonančním obvodu

13 Měření na sériovém rezonančním obvodu 13 13.1 Zadání 1) Změřte hodnotu indukčnosti cívky a kapacity kondenzátoru RC můstkem, z naměřených hodnot vypočítej rezonanční kmitočet. 2) Generátorem nastavujte frekvenci v rozsahu od 0,1 * f REZ do

Více

Zvyšující DC-DC měnič

Zvyšující DC-DC měnič - 1 - Zvyšující DC-DC měnič (c) Ing. Ladislav Kopecký, 2007 Na obr. 1 je nakresleno principielní schéma zapojení zvyšujícího měniče, kterému se také říká boost nebo step-up converter. Princip je založen,

Více

Úloha D - Signál a šum v RFID

Úloha D - Signál a šum v RFID 1. Zadání: Úloha D - Signál a šum v RFID Změřte úrovně užitečného signálu a šumu v přenosovém řetězci systému RFID v závislosti na čtecí vzdálenosti. Zjistěte maximální čtecí vzdálenost daného RFID transpondéru.

Více

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno Číslo a název projektu: CZ.1.7/1.5./34.521 Investice do vzdělání nesou nejvyšší úrok Autor: Ing. Bohumír Jánoš Tematická sada:

Více

I/O modul VersaPoint. Analogový výstupní modul, 16 bitový, napětí, 1 kanál IC220ALG321. Specifikace modulu. Spotřeba. Vlastnosti. Údaje pro objednávku

I/O modul VersaPoint. Analogový výstupní modul, 16 bitový, napětí, 1 kanál IC220ALG321. Specifikace modulu. Spotřeba. Vlastnosti. Údaje pro objednávku Analogový výstupní modul, 16 bitový, napětí, 1 kanál Modul slouží pro výstup analogových napěťových signálů. Tyto signály jsou k dispozici v 16 bitovém rozlišení. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka

Více

Zpětná vazba a linearita zesílení

Zpětná vazba a linearita zesílení Zpětná vazba Zpětná vazba přivádí část výstupního signálu zpět na vstup. Kladná zp. vazba způsobuje nestabilitu, používá se vyjímečně. Záporná zp. vazba (zmenšení vstupního signálu o část výstupního) omezuje

Více

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony. Nelineární obvody Dosud jsme se zabývali analýzou lineárních elektrických obvodů, pasivní lineární prvky měly zpravidla konstantní parametr, v těchto obvodech platil princip superpozice a pro analýzu harmonického

Více

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,

Více

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů Diagnostika a testování elektronických systémů Úloha A2: 1 Operační zesilovač Jméno: Datum: Obsah úlohy: Diagnostika chyb v dvoustupňovém operačním zesilovači Úkoly: 1) Nalezněte poruchy v operačním zesilovači

Více

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-7-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více

Přednáška v rámci PhD. Studia

Přednáška v rámci PhD. Studia OBVODY SE SPÍNANÝMI KAPACITORY (Switched Capacitor Networks) Přednáška v rámci PhD. Studia Doc. Ing. Lubomír Brančík, CSc. UREL FEKT VUT v Brně ÚVOD DO PROBLEMATIKY Důsledek pokroku ve vývoji (miniaturizaci)

Více

I/O modul VersaPoint. Analogový výstupní modul, 16 bitový, napětí/proud, 1 kanál IC220ALG320. Specifikace modulu. Spotřeba. Údaje pro objednávku

I/O modul VersaPoint. Analogový výstupní modul, 16 bitový, napětí/proud, 1 kanál IC220ALG320. Specifikace modulu. Spotřeba. Údaje pro objednávku Analogový výstupní modul, 16 bitový, napětí/proud, 1 kanál Modul slouží pro výstup analogových napěťových nebo proudových signálů. Tyto signály jsou k dispozici v 16 bitovém rozlišení. Specifikace modulu

Více

A45. Příloha A: Simulace. Příloha A: Simulace

A45. Příloha A: Simulace. Příloha A: Simulace Příloha A: Simulace A45 Příloha A: Simulace Pro ověření výsledků z teoretické části návrhu byl využit program Matlab se simulačním prostředím Simulink. Simulink obsahuje mnoho knihoven s bloky, které dokáží

Více

Na trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno od tří rezistorů s hodnotou 5 kω.

Na trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno od tří rezistorů s hodnotou 5 kω. Časovač 555 NE555 je integrovaný obvod používaný nejčastěji jako časovač nebo generátor různých pravoúhlých signálů. Na trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno

Více

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin. Číslo projektu CZ.107/1.5.00/34.0425 Název školy INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV Černoleská 1997, 256 01 Benešov Předmět Elektrická měření Tematický okruh Měření elektrických veličin Téma Měření

Více

Operační zesilovač (dále OZ)

Operační zesilovač (dále OZ) http://www.coptkm.cz/ Operační zesilovač (dále OZ) OZ má složité vnitřní zapojení a byl původně vyvinut pro analogové počítače, kde měl zpracovávat základní matematické operace. V současné době je jeho

Více

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-, tří- a čtyřdrátové Provozní teplota -25 C až

Více

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy) Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace

Více

Unipolární tranzistor aplikace

Unipolární tranzistor aplikace Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky

Více

Universální přenosný potenciostat (nanopot)

Universální přenosný potenciostat (nanopot) Universální přenosný potenciostat (nanopot) (funkční vzorek 2014) Autoři: Michal Pavlík, Jiří Háze, Lukáš Fujcik, Vilém Kledrowetz, Marek Bohrn, Marian Pristach, Vojtěch Dvořák Funkční vzorek universálního

Více

ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM

ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM ODHALOVÁNÍ PADĚLKŮ SOUČÁSTEK PARAMETRICKÝM MĚŘENÍM Unites Systems a.s. 8.12.2011 1 recyklace ZDROJE PROBLÉMOVÝCH SOUČÁSTEK degradace parametrů přehřátím při demontáži, ESD problémy apod. vyřazení při testech/

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?

Více

GFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C

GFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C Výstup 24 Vss, negativní logika, 0,5 A, 2 body Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-,

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Truhlář Michal 6.. 5 Laboratorní práce č.4 Úloha č. VII Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití: Úkol: Zapojte operační zesilovač a nastavte jeho zesílení na hodnotu přibližně. Potvrďte platnost

Více

Ochrana informací šifrováním pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TUO

Ochrana informací šifrováním pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TUO FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Ochrana informací šifrováním pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TUO Garant předmětu: doc. Ing. Václav Zeman, Ph.D. Autoři

Více

Prvky a obvody elektronických přístrojů II

Prvky a obvody elektronických přístrojů II Prvky a obvody elektronických přístrojů Lubomír Slavík TECHNCKÁ NVEZTA V LBEC Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií Materiál vznikl v rámci projektu ESF (CZ..07/..00/07.047) eflexe požadavků

Více

KRYPTOANALÝZA POSTRANNÍMI KANÁLY

KRYPTOANALÝZA POSTRANNÍMI KANÁLY VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF TELECOMMUNICATIONS

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

Středoškolská technika SCI-Lab

Středoškolská technika SCI-Lab Středoškolská technika 2016 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT SCI-Lab Kamil Mudruňka Gymnázium Dašická 1083 Dašická 1083, Pardubice O projektu SCI-Lab je program napsaný v jazyce

Více

Rezonanční řízení s regulací proudu

Rezonanční řízení s regulací proudu 1 Rezonanční řízení s regulací proudu Ing. Ladislav Kopecký, 15.12. 2013 Provozování střídavého motoru v režimu sériové rezonance vyžaduje nižší napětí než napájení stejného motoru ze sítě 230V/50Hz. To

Více

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů OPEAČNÍ ZESLOVAČ (OZ) Operační zesilovač je polovodičová součástka vyráběná formou integrovaného obvodu vyznačující se velkým napěťovým zesílením vstupního rozdílového napětí (diferenciální napěťový zesilovač).

Více

Teorie elektronických

Teorie elektronických Teorie elektronických obvodů (MTEO) Laboratorní úloha číslo 1 návod k měření Zpětná vazba a kompenzace Změřte modulovou kmitočtovou charakteristiku invertujícího zesilovače v zapojení s operačním zesilovačem

Více

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2 PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

D C A C. Otázka 1. Kolik z následujících matic je singulární? A. 0 B. 1 C. 2 D. 3

D C A C. Otázka 1. Kolik z následujících matic je singulární? A. 0 B. 1 C. 2 D. 3 atum narození Otázka. Kolik z následujících matic je singulární? 4 A. B... 3 6 4 4 4 3 Otázka. Pro která reálná čísla a jsou vektory u = (,, 3), v = (3, a, ) a w = (,, ) lineárně závislé? A. a = 5 B. a

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF TELECOMMUNICATIONS

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Číslo Projektu Škola CZ.1.07/1.5.00/34.0394 Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Autor Ing. Bc.Štěpán Pavelka Číslo VY_32_INOVACE_EL_2.17_zesilovače 8 Název Základní

Více

1. Základy teorie přenosu informací

1. Základy teorie přenosu informací 1. Základy teorie přenosu informací Úvodem citát o pojmu informace Informace je název pro obsah toho, co se vymění s vnějším světem, když se mu přizpůsobujeme a působíme na něj svým přizpůsobováním. N.

Více

Rezistor je součástka kmitočtově nezávislá, to znamená, že se chová stejně v obvodu AC i DC proudu (platí pro ideální rezistor).

Rezistor je součástka kmitočtově nezávislá, to znamená, že se chová stejně v obvodu AC i DC proudu (platí pro ideální rezistor). Rezistor: Pasivní elektrotechnická součástka, jejíž hlavní vlastností je schopnost bránit průchodu elektrickému proudu. Tuto vlastnost nazýváme elektrický odpor. Do obvodu se zařazuje za účelem snížení

Více

FVZ K13138-TACR-V004-G-TRIGGER_BOX

FVZ K13138-TACR-V004-G-TRIGGER_BOX TriggerBox Souhrn hlavních funkcí Synchronizace přes Ethernetový protokol IEEE 1588 v2 PTP Automatické určení možnosti, zda SyncCore zastává roli PTP master nebo PTP slave dle mechanizmů standardu PTP

Více

Quantization of acoustic low level signals. David Bursík, Miroslav Lukeš

Quantization of acoustic low level signals. David Bursík, Miroslav Lukeš KVANTOVÁNÍ ZVUKOVÝCH SIGNÁLŮ NÍZKÉ ÚROVNĚ Abstrakt Quantization of acoustic low level signals David Bursík, Miroslav Lukeš Při testování kvality A/D převodníků se používají nejrůznější testovací signály.

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informační systémy 2 Obsah: Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC ROM RAM Paměti typu CACHE IS2-4 1 Dnešní info: Informační systémy 2 03 Informační systémy

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-3

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-3 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 21 Číslo materiálu:

Více

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1

Více

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno Číslo a název projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0521 Investice do vzdělání nesou nejvyšší úrok Autor: Ing. Bohumír Jánoš Tématická sada:

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ ANALOGOVÝ SPÍNAČ PRO APLIKACE V TECHNICE SPÍNANÝCH PROUDŮ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ ANALOGOVÝ SPÍNAČ PRO APLIKACE V TECHNICE SPÍNANÝCH PROUDŮ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF

Více

EduKit84. Výuková deska s programátorem pro mikrokontroléry PIC16F84A firmy Microchip. Uživatelská příručka

EduKit84. Výuková deska s programátorem pro mikrokontroléry PIC16F84A firmy Microchip. Uživatelská příručka EduKit84 Výuková deska s programátorem pro mikrokontroléry PIC16F84A firmy Microchip Uživatelská příručka OBSAH 1. EduKit84 3 2. Popis zařízení 3 3. Provozní režimy 3 4. Mikrokontrolér PIC16F84A 4 5. Tabulka

Více

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO. Oscilátory Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO. Měření se skládá ze dvou základních úkolů: (a) měření vlastností oscilátoru 1 s Wienovým členem (můstkový oscilátor s operačním zesilovačem)

Více

Flyback converter (Blokující měnič)

Flyback converter (Blokující měnič) Flyback converter (Blokující měnič) 1 Blokující měnič patří do rodiny měničů se spínaným primárním vinutím, což znamená, že výstup je od vstupu galvanicky oddělen. Blokující měniče se používají pro napájení

Více

Manuál přípravku FPGA University Board (FUB)

Manuál přípravku FPGA University Board (FUB) Manuál přípravku FPGA University Board (FUB) Rozmístění prvků na přípravku Obr. 1: Rozmístění prvků na přípravku Na obrázku (Obr. 1) je osazený přípravek s FPGA obvodem Altera Cyclone III EP3C5E144C8 a

Více

1. Navrhněte RC oscilátor s Wienovým článkem, operačním zesilovačem a žárovkovou stabilizací amplitudy, podle doporučeného zapojení, je-li dáno:

1. Navrhněte RC oscilátor s Wienovým článkem, operačním zesilovačem a žárovkovou stabilizací amplitudy, podle doporučeného zapojení, je-li dáno: C OSCILÁTO 20-4. Navrhněte C oscilátor s Wienovým článkem, operačním zesilovačem a žárovkovou stabilizací amplitudy, podle doporučeného zapojení, je-li dáno: - rozsah frekvencí: f 60 Hz, f 600Hz - operační

Více

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs 1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti

Více

Napájení mikroprocesorů. ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer. studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS

Napájení mikroprocesorů. ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer. studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS Napájení mikroprocesorů v. 2012 Materiál je určen jako pomocný materiál pouze pro studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat.

Více

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.

INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin. Číslo projektu CZ.107/1.5.00/34.0425 Název školy INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV Černoleská 1997, 256 01 Benešov Předmět Elektrická měření Tematický okruh Měření elektrických veličin Téma Měření

Více

Snímání biologických signálů. A6M31LET Lékařská technika Zdeněk Horčík Katedra teorie obvodů

Snímání biologických signálů. A6M31LET Lékařská technika Zdeněk Horčík Katedra teorie obvodů Snímání biologických signálů A6M31LET Lékařská technika Zdeněk Horčík Katedra teorie obvodů horcik@fel.cvut.cz Snímání biologických signálů problém: převést co nejvěrněji spojitý signál do číslicové podoby

Více

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV TELEKOMUNIKACÍ Ing. Zdeněk Martinásek KRYPTOANALÝZA POSTRANNÍMI KANÁLY SIDE CHANNEL CRYPTANALYSIS ZKRÁCENÁ VERZE

Více

výkonovou hustotu definovat lze (v jednotkách W na Hz). Tepelný šum (thermal noise) Blikavý šum (flicker noise)

výkonovou hustotu definovat lze (v jednotkách W na Hz). Tepelný šum (thermal noise) Blikavý šum (flicker noise) Šumová analýza Josef Dobeš 26. září 2013 Rádiové obvody a zařízení 1 1 Fyzikální příčiny šumu a jeho typy Náhodný pohyb nosičů náboje (elektronů a děr) v elektronických prvcích generuje napětí a proudy

Více

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností jednostupňových zesilovačů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednostupňových zesilovačů a to jak

Více

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

1.6 Operační zesilovače II.

1.6 Operační zesilovače II. 1.6 Operační zesilovače II. 1.6.1 Úkol: 1. Ověřte funkci operačního zesilovače ve funkci integrátoru 2. Ověřte funkci operačního zesilovače ve funkci derivátoru 3. Ověřte funkci operačního zesilovače ve

Více

Návrh frekvenčního filtru

Návrh frekvenčního filtru Návrh frekvenčního filtru Vypracoval: Martin Dlouhý, Petr Salajka 25. 9 2010 1 1 Zadání 1. Navrhněte co nejjednodušší přenosovou funkci frekvenčního pásmového filtru Dolní propusti typu Bessel, která bude

Více

Studium tranzistorového zesilovače

Studium tranzistorového zesilovače Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor

Více

Měření rozložení optické intenzity ve vzdálené zóně

Měření rozložení optické intenzity ve vzdálené zóně Rok / Year: Svazek / Volume: Číslo / Number: 1 1 5 Měření rozložení optické intenzity ve vzdálené zóně Measurement of the optial intensity distribution at the far field Jan Vitásek 1, Otakar Wilfert, Jan

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

EMC a blokování napájení

EMC a blokování napájení EMC a blokování napájení Reálný kondenzátor Tři druhy blokovacích kondenzátorů Správné umístění blokovacích kondenzátorů Vlastnosti různých typů kondenzátorů Problém: Blokování napájení impulzní spotřeba

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

Číslicový Voltmetr s ICL7107

Číslicový Voltmetr s ICL7107 České vysoké učení technické v Praze Fakulta elektrotechnická Analogové předzpracování signálu a jeho digitalizace Číslicový Voltmetr s ICL7107 Ondřej Tomíška Petr Česák Petr Ornst 2002/2003 ZADÁNÍ: 1)

Více

11. Odporový snímač teploty, měřicí systém a bezkontaktní teploměr

11. Odporový snímač teploty, měřicí systém a bezkontaktní teploměr 11. Odporový snímač teploty, měřicí systém a bezkontaktní teploměr Otázky k úloze (domácí příprava): Pro jakou teplotu je U = 0 v případě použití převodníku s posunutou nulou dle obr. 1 (senzor Pt 100,

Více

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA Transformátor Měření zatěžovací a převodní charakteristiky. Zadání. Změřte zatěžovací charakteristiku transformátoru a graficky znázorněte závislost

Více

Microchip. PICmicro Microcontrollers

Microchip. PICmicro Microcontrollers Microchip PICmicro Microcontrollers 8-bit 16-bit dspic Digital Signal Controllers Analog & Interface Products Serial EEPROMS Battery Management Radio Frequency Device KEELOQ Authentication Products Návrh

Více

Wienův oscilátor s reálným zesilovačem

Wienův oscilátor s reálným zesilovačem Wienův oscilátor s reálným zesilovačem Josef Punčochář, VŠB - TU Ostrava, Fakulta elektrotechniky a informatiky, Katedra elektrotechniky Wienův oscilátor je snad nejpoužívanějším typem oscilátoru RC. Při

Více

EC Motor. IO Modul EC200. EC200 Int. EC200 Ext. Verze 1.20, revize PMControl s.r.o.

EC Motor. IO Modul EC200. EC200 Int. EC200 Ext. Verze 1.20, revize PMControl s.r.o. EC Motor IO Modul EC200 EC200 Int. EC200 Ext. Verze 1.20, revize 2010-07-27 PMControl s.r.o. 1. Popis IO modulu EC200 IO modul EC200 je rozšiřující interface pro motory s vestavěnou elektronikou řady PMC

Více

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení

Více

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno

Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno Střední průmyslová škola elektrotechnická a informačních technologií Brno Číslo a název projektu: CZ.1.7/1.5./34.521 Investice do vzdělání nesou nejvyšší úrok Autor: Ing. Bohumír Jánoš Tématická sada:

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola

Více

Technická kybernetika. Obsah. Principy zobrazení, sběru a uchování dat. Měřicí řetězec. Principy zobrazení, sběru a uchování dat

Technická kybernetika. Obsah. Principy zobrazení, sběru a uchování dat. Měřicí řetězec. Principy zobrazení, sběru a uchování dat Akademický rok 2016/2017 Připravil: Radim Farana Technická kybernetika Principy zobrazení, sběru a uchování dat 2 Obsah Principy zobrazení, sběru a uchování dat strana 3 Snímač Měřicí řetězec Měřicí obvod

Více