Výroba čipů ve firmě ON Semiconductor Rožnov pod Radhoštěm. Fyzika ve firmě Přírodovědecká fakulta MU Brno
|
|
|
- Alexandra Bártová
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Výroba čipů ve firmě ON Semiconductor Rožnov pod Radhoštěm Fyzika ve firmě Přírodovědecká fakulta MU Brno 1 M. Libezny 18-Apr-2012
2 Obsah Firma ON Semiconductor - stručný přehled ON Semiconductor v České republice Výroba čipů v Rožnově p. R. Ukázky procesních bloků Vybrané vývojové projekty Pozice pro fyziky 2 M. Libezny 18-Apr-2012
3 ON Semiconductor Sídlo vedení: Phoenix, AZ (USA) Počet zaměstnanců: obrat: 3,442 mld. USD ON Semiconductor Segmenty trhu Regionální rozdělení trhu Industrial/Mil/ Aero/Medical Automotive Japan Americas Europe Communications Consumer Computing Asia Pacific 3 M. Libezny 18-Apr-2012
4 4 M. Libezny 18-Apr-2012 Portfolio produktů
5 5 M. Libezny 18-Apr-2012 Geografické rozmístění
6 ON Semiconductor v České republice Manufacturing Wafer fab (Roznov) Silicon production (Roznov) Development Design centers (Roznov, Brno) R&D Central Europe (Roznov) Corporate Shared Services & Support Number of employees Czech Republic (Roznov & Brno): M. Libezny 18-Apr-2012
7 Historie - TESLA Rožnov 1949 Založena TESLA Rožnov jako výrobce vakuových elektronek 1950 Vyrobena první vakuová elektronka 1957 Vyroben první Ge tranzistor 1961 Vyroben první Si tranzistor 1962 Vyrobena první barevná TV obrazovka 1967 Vyroben první integrovaný obvod 1989 TESLA Roznov, státní podnik s zaměstnanci, vyrábí barevné obrazovky, polovodičové materiály a součástky, zařízení a stroje 1991 TESLA Roznov ztrácí trh východní Evropy a přestává existovat 1992 Firmy TESLA SEZAM a TEROSIL založeny po rozdělení Tesly Rožnov 7 M. Libezny 18-Apr-2012
8 Historie - Motorola/ON Semiconductor 1993 Počátek spolupráce s firmou MOTOROLA jako strategickým partnerem 1993 Založeno Czech Design Center 1996 Dosažena kapacita výroby čipů desek týdně (4") MOTOROLA se stává akcionářem firem TESLA SEZAM and TEROSIL 1999 Je vytvořena firma ON Semiconductor jako spin-off MOTOROLA (SCG Group) Dosažena kapacita výroby čipů desek týdně (4") 2000 Dosažena kapacita výroby čipů desek týdně (4") 2002 Dosažena kapacita výroby čipů desek týdně (4") 2003 TEROSIL and TESLA SEZAM se spojují do ON Semiconductor Czech Republic 2005 Dosažena kapacita výroby čipů desek týdně (4") 2006 Schválen expanzní projekt na 1000 desek týdně (6") 2008 Schválena plná konverze na 6" 2011 Ukončena konverze na 6" 8 M. Libezny 18-Apr-2012
9 Technologie výroby čipů Bipolární technologie Standard Linear (single/double metal) ON50 M3.5 & M5 (high frequency bipolar) Výkonové MOS technologie Power MOS Integrated Power IGBT High Voltage Rectifiers N-JFET CCR LC Filters 9 M. Libezny 18-Apr-2012
10 Procesy a zařízení - foto Steppers: UT 1500 ASML Photoresist: positive negative 10 M. Libezny 18-Apr-2012
11 Horizontal atmospheric tubes - Drive-in, oxidation - Anneal, sinter - Boron+, BBr 3 - POCl 3, PH 3 Procesy a zařízení - Difúze VTR vertical gate oxide systems AST2800 RTP system 11 M. Libezny 18-Apr-2012
12 Procesy a zařízení - iontová implantace Eaton Nova Eaton GSD 200 Varian Species : Boron Phosphorus Arsenic Antimony 12 M. Libezny 18-Apr-2012
13 Procesy a zařízení - plazmatické leptání Tegal 901/903 - single wafer oxide/nitride etchers Matrix 303 etchers P5000 various etch chambers: - oxide etch, via etch - polysi etch - trench etch - taper etch 13 M. Libezny 18-Apr-2012
14 Procesy a zařízení - naprašování Front side sputtering: Varian Endura - AlCuSi various alloys - Pt - TiW - CrSi - AlCuW - AlCu - TiN Back side sputtering: Balzers LLS810 - Ti/Ni/Ag 14 M. Libezny 18-Apr-2012
15 Process Tools - Probe Probers Electroglas EG2001X PC testers HP 4062 UX Reedholm Probe testers DTS - Motorola Dedicated Test System ETS - Eagle Test System T.5 tester FET tester 15 M. Libezny 18-Apr-2012
16 Izolace Junction isolation (izolace p-n přechodem) Izolace od substrátu - závěrně polarizovaný P-N přechod (epi) Izolace od sousední struktury - závěrně polarizovaný P + -N přechod (difúze) SiO 2 P+ n-si P+ p-si Trench isolation Izolace od substrátu - závěrně polarizovaný P-N přechod (epi) SiO 2 Izolace od sousední struktury - dielektrikem vyplněný trench n-si p-si 16 M. Libezny 18-Apr-2012
17 Izolace - ukázky Difúzní isolace Trenchová isolace 17 M. Libezny 18-Apr-2012
18 Báze - emitor vytvářené difúzí Báze - emitor Emitor - fosfor Báze - bor Polykřemíkový emitor Emitor - arzén Báze - bor Mělká báze umožňuje zvýšit rychlost tranzistoru a zmenšit rozměr součástky Emitor je vydifundovaný z polykřemíku 18 M. Libezny 18-Apr-2012
19 Emitor-báze - ukázky POCl 3 emitor Poly emitor 19 M. Libezny 18-Apr-2012
20 MOS hradlo MOS hradlo příklad: NMOS MOS (metal oxide - semiconductor) - příklad: NMOS Samoorientované hradlo Foto aktivní oblasti, hradlová oxidace Depozice a implantace hradla Foto a leptání hradla N+ implant/difúze 20 M. Libezny 18-Apr-2012
21 MOS hradlo - ukázky Metal gate Poly gate Trench gate 21 M. Libezny 18-Apr-2012
22 Metalizace Funkční části metalizace Kontakty ke křemíku, bariéry, Schottky kontakty Vodiče Meziúrovňové kontakty Kontaktní plošky Kontakty Přímý (hliníková slitina) Silicidy (platiny, titanu) Bariéry - brání prolití hliníku do křemíku (TiW, TiN) Vodiče Hliníkové slitiny (AlCu, AlCuSi, AlSi) 22 M. Libezny 18-Apr-2012
23 Metalizace - ukázky Single layer metal Double layer metal Triple layer metal 23 M. Libezny 18-Apr-2012
24 Vývoj technologií Vybrané projekty VaV ON50 Advanced High Voltage Power Technology High Voltage Rectifiers N-JFET CCR LC Filters Transfery a podpora výroby Aizu 2nd source (MOSFET, CCR, and IGBT technologies) ECL transfer (High freq bipolar) EPI44 Shrinks (OpAmps/comparators, voltage regulators) Plasma Damage Monitoring (ONPY2/FAB2 project) Particle and radiation sensors (Advanced technology for large area silicon sensors) 24 M. Libezny 18-Apr-2012
25 ON50 Pokročilá bipolární analogová technologie NB PBE CO PE P2 NE PB MM M1 M2 PA V1 PDT Resist strip, backend clean, NBL PECVD nitride deposition, pas. photo+etch, resist NDT strip, backside processing. 25 M. Libezny 18-Apr-2012
26 7.05 um Phos doped Poly Vysokonapěťová výkonová technologie 1.1um 1.2um AlSi 4um P+ P-well N+ BPSG TEOS Float zone substrate (N-type) 26 M. Libezny 18-Apr-2012
27 LC filtry Kondenzátor vytvořený Zenerovou diodou Cívka vytvořená tlustým plazmaticky leptaným AlSi 27 M. Libezny 18-Apr-2012
28 N-JFET CCR N-JFET proudový regulátor 28 M. Libezny 18-Apr-2012
29 Vybrané pozice Device engineer/součástkový inženýr Vyhodnocuje naměřená data z hotových desek s čipy Odpovídá za zvyšování výtěžnosti obvodů, analýzu a řešení případů snížené výtěžnosti Spolupracuje s procesními technology na řešení procesních problémů Zajišťuje vývoj nových obvodů a jejich zavádění do výroby ve spolupráci s designérem a inženýrem produktu Spolupracuje s technology operací na kvalifikaci nových zařízení a nových technologických postupů, jejich charakterizaci a optimalizaci. Process engineer/technolog procesu Zodpovídá za kvalifikaci, stabilitu, výtěžnost a defektivitu procesu na dané operaci Definuje technologická zařízení pro danou operaci a produkt Spolupracuje na vývoji nových technologických postupů Zajišťuje ověřovací zkoušky technologie a zúčastňuje se řešení procesních problémů ve výrobě 29 M. Libezny 18-Apr-2012
30 R&D engineer/inženýr vývoje Vybrané pozice Pomocí TCAD simulací procesu a součástek navrhuje nové technologické postupy a konstrukce polovodičových prvků Vyvíjí nové polovodičové prvky, postupy výroby a technologické procesy Měří a vyhodnocuje parametry nových technologických postupů a součástek Zajišťuje kvalifikaci nových výrobních postupů a technologických procesů Process integration engineer Device development engineer Process development engineer 30 M. Libezny 18-Apr-2012
Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
Měření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Den pro partnery Masarykova universita - Fakulta informatiky
Den pro partnery Masarykova universita - Fakulta informatiky 2011-04 Základní informace hlavní sídlo: Phoenix, Arizona, USA celosvětově téměř 20 000 zaměstnanců jeden z předních světových výrobců: analogových
Unipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
Navrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel
Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení
MASARYKOVA UNIVERZITA
MASARYKOVA UNIVERZITA Přírodovědecká fakulta Ústav fyziky kondenzovaných látek FYZIKA POLOVODIČŮ Předmluva k učebním textům Vladimír Strakoš Brno 2012 1 Úvod ke skriptům a pár slov k historii polovodičové
5 Monolitické integrované obvody
Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
Návrh čipu je dobrodružství, které se nikdy neomrzí, říká Petr Kadaňka, návrhář ON Semiconductor
Návrh čipu je dobrodružství, které se nikdy neomrzí, říká Petr Kadaňka, návrhář ON Semiconductor Když jsem včera dělal rozhovor s ing. Petrem Kadaňkou návrhářem integrovaných obvodů společnosti ON Semiconductor,
Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie. Vývoj CMOS technologií. Vývoj CMOS technologií. Proč chceme stále menší tranzistory?
Sbohem mikroelektroniko Vítej nanoelektroniko Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie SiGe Tranzistor pro 50nm proces Virus Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm!!! Dnes již přecházíme na
SOUČASNÉ TRENDY VE FOTOVOLTAICE
SOUČASNÉ TRENDY VE FOTOVOLTAICE Elektronika, mikroelektronika a inovace 2013 Ondřej Frantík Obsah Představení společnosti SOLARTEC Standartní struktura solárního článku Modifikace technologického postupu
Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál
Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Před uvedením přístroje do provozu si velmi pečlivě přečtěte tento provozní manuál. Obsahuje důležité bezpečnostní informace. 3 Obsah.. Strana Úvod...
Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie. Vývoj CMOS technologií. Proč chceme stále menší tranzistory?
Sbohem mikroelektroniko Vítej nanoelektroniko Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie SiGe Tranzistor pro 50nm proces Virus Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm!!! Dnes již přecházíme na
Bipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
Den pro partnery Masarykova universita - Fakulta informatiky
Den pro partnery Masarykova universita - Fakulta informatiky 2011-04 Základní informace hlavní sídlo: Phoenix, Arizona, USA celosvětově téměř 20 000 zaměstnanců jeden z předních světových výrobců: analogových
Technologie číslicových obvodů
Technologie číslicových obvodů Technologie výroby IO pouzdření Vyšší montážní celky 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 1 Diode logic DL: 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 2 DL: nepoužívá se, nemožnost invertovat signál,
ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
Přednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven
Základy elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)
Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace
7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Výsledky 2008 Řešitelský tým FEL - ČVUT v Praze, katedra mikroelektroniky Jan Vobecký
Polovodiče Polovodičové měniče
Polovodiče Polovodičové měniče Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat452 PEZ I ELEKTRONIKA Podoblast elektrotechniky která využívá
VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky
Způsoby realizace paměťových prvků
Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika
Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní
Unipolární Tranzistory
Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční
Elektrický proud v polovodičích
Elektrický proud v polovodičích Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický odpor je při obvyklých teplotách mnohem menší než u izolantů, ale zase mnohem větší než u kovů. Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický
V Rmax 3500 V T = 125 o C I. no protons
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Řešitelský tým katedra mikroelektroniky FEL, ČVUT v Praze Jan Vobecký garant, člen Rady
ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
Příprava a výroba polovodičových součástek testovací struktury litografickou cestou ve spolupráci s VUT Brno
Příprava a výroba polovodičových součástek testovací struktury litografickou cestou ve spolupráci s VUT Brno Technologický postup: Si deska psi 0.5-1 Wcm mytí oxidace 1050 C Maskování ZS Maskování difúze
Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7
1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou
Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly
Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr
UnipolÄrnÅ tranzistory JFET. DělenÅ unipolärnåch tranzistorů. (Junction Field Effect Tranzistor)
UnipolÄrnÅ tranzistory Na rozdäl od bipolårnäch tranzistorů, u kteréch řäzené proud prochåzä dvěma polovodičovémi přechody a ovlådajä se båzovém proudem (čämž zatěžujä budäcä obvod näzkém vstupnäm odporem),
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením
Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením ČVUT Praha, fakulta elektrotechnická, Praha 6 Řešitelský tým FEL - ČVUT v Praze, katedra mikroelektroniky Jan Vobecký garant, člen Rady
A8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
NOVÉ TRENDY A VÝSLEDKY VÝZKUMU VE FOTOVOLTAICE
NOVÉ TRENDY A VÝSLEDKY VÝZKUMU VE FOTOVOLTAICE Ondřej Frantík 1,2, Radim. Bařinka 1, Pavlína Bařinková 1, Jiří Hladík 1, Jiří Šenkýř 1 a Aleš Poruba 1 1 Solartec s.r.o., Televizní 2618, 756 61 Rožnov pod
Zařazení polokovů v periodické tabulce [1]
![Zařazení polokovů v periodické tabulce [1]](/thumbs/27/11264350.jpg "Zařazení polokovů v periodické tabulce [1]")
Polokovy Zařazení polokovů v periodické tabulce [1] Obecné vlastnosti polokovů tvoří přechod mezi kovy a nekovy vlastnosti kovů: pevnost a lesk ( B, Si, Ge, Se, As) jsou křehké a nejsou kujné malá elektrická
FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
Aplikace elektroniky. Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS. Čím se budeme zabývat - cvičení?
Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS Přednášející: Cvičící: Jiří Jakovenko Vladimír Janíček Jan Novák Historický přehled vývoje integrovaných obvodů, Moorovy zákony, metody návrhu,
Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS
Tribologie Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS vypracoval: Tomáš Píza Obsah - Co je to MEMS - Materiály pro MEMS - Výroba MEMS - Pohon MEMS Co to je MEMS - zkratka z anglických slov Micro-Electro-Mechanical-Systems
5. Napište čtyři hlavní skupiny obvodů ASIC (Aplikačně Specifické Integrované Obvody)
1. Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? 1958 Jack Kilby (Texas Instruments) 2. Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? Napište hlavní vlastnosti a charakteristiky. Vysoká
Základní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
Lidský vlas na povrchu čipu Více než tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou.
Studijní materiály Technologie výroby integrovaných systémů www.micro.feld.cvut.cz/home/a2m34sis/prednasky Jak integrovat 1 000 000 000 Součástek na 1 cm 2 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů
I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VYSOKOTEPLOTNÍ OXIDACE SLITIN TI-SI. T. Kubatík, D. Vojtěch, J. Šerák, B. Bártová, J. Verner
VYSOKOTEPLOTNÍ OXIDACE SLITIN TI-SI T. Kubatík, D. Vojtěch, J. Šerák, B. Bártová, J. Verner Vysoká škola chemicko technologická v Praze, Technická 5, 166 28, Praha 6, ČR ABSTRAKT Tato práce se zabývá chováním
Témata profilové maturitní zkoušky
Obor vzdělání: 26-41-M/01 elektrotechnika Předmět: automatizační technika 1. Senzory 2. S7-1200, základní pojmy 3. S7-1200, bitové instrukce 4. S7-1200, časovače, čítače 5. Vizualizační systémy 6. S7-1200,
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody
Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně
Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš
Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu. 23-41-M/01 Strojírenství
Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět Obor vzdělání: -1-M/01 Strojírenství Délka a forma studia: roky, denní studium Celkový počet týdenních vyuč. hodin: Platnost od:
Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení
Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt
Atlas DCA. Analyzátor polovodičových součástek. Model DCA55
Atlas DCA Analyzátor polovodičových součástek Model DCA55 Uživatelský manuál Věnujte prosím čas přečtení tohoto návodu, než začnete přístroj používat! Úvod Peak Atlas DCA je inteligentní analyzér polovodičů,
2 Bipolární technologie
1 Technologie výroby číslicových obvodů - úvod Podle technologie výroby rozlišujeme číslicové obvody na hybridní a monolitické. Hybridní integrované obvody obsahují pasivní a aktivní součástky, které se
Integrované obvody. Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody
Integrované obvody Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody Integrovaný obvod zkratka: IO anglický termín: integrated circuit = IC Co to je? elekrotechnická součástka na malé ploše
Příloha č. 1. Prototyp mikroprocesorově řízeného žíhacího zdroje s vysokou spolehlivostí multiprocesů využívající moderních polovodičových prvků
Příloha č. 1 Prototyp mikroprocesorově řízeného žíhacího zdroje s vysokou spolehlivostí multiprocesů využívající moderních polovodičových prvků (popis jednotlivých bloků) Úvod Žíhací zdroj slouží pro řízené
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE
1 VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE Použití práškové metalurgie Prášková metalurgie umožňuje výrobu součástí z práškových směsí kovů navzájem neslévatelných (W-Cu, W-Ag), tj. v tekutém stavu nemísitelných nebo
1. Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? 1958 Jack Kilby (Texas Instruments).
1. Kdy a kým byl vynalezen integrovaný obvod? 1958 Jack Kilby (Texas Instruments). 2. Jaké jsou dnešní nejmodernější technologie integrovaných obvodů? Napište hlavní vlastnosti a charakteristiky. Vysoká
Diplomové a ročníkové práce ve spolupráci se společností ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm
Diplomové a ročníkové práce ve spolupráci se společností ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm ON Semiconductor je jedním z předních světových výrobců integrovaných obvodů a diskrétních polovodičových
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
BAKALÁŘSKÁ PRÁCE ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Katedra aplikované elektroniky a telekomunikací. Viktor Vích FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra aplikované elektroniky a telekomunikací BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Výkonové VF zesilovače pro oblast KV a VKV Autor práce: Viktor Vích Vedoucí práce:
Vybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
Den pro partnery Masarykova universita - Fakulta informatiky
Den pro partnery Masarykova universita - Fakulta informatiky 26.4.2012 2012-04 Základní informace hlavní sídlo: Phoenix, Arizona, USA celosvětově téměř 20 000 zaměstnanců jeden z předních světových výrobců:
Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.
Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.16 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
Ne vždy je sběrnice obousměrná
PAMĚTI Ne vždy je sběrnice obousměrná Paměti ROM (Read Only Memory) určeny pouze pro čtení informací. Informace jsou do těchto pamětí pevně zapsány při jejich výrobě a potom již není možné žádným způsobem
Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita
Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita PREDMET TECHNOLOGIE POLOVOD SOUCASTEK CI JAK SE JMENUJE Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT Praktikum
ČESKÁ TECHNICKÁ NORMA
ČESKÁ TECHNICKÁ NORMA ICS 31.080.01 1999 Kmenová specifikace - Diskrétní výkonové polovodičové součástky s tlačnými kontakty (Kvalifikační schválení) ČSN EN 153000 35 5530 Červen Generic specification
ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY
ELEKTRONIKA Maturitní témata 2018/2019 26-41-L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY Řešení lineárních obvodů - vysvětlete postup řešení el.obvodu ohmovou metodou (postupným zjednodušováním) a vyřešte
ELEKTROTECHNICKÉ ZNAČKY
ELEKTROTECHNICKÉ ZNAČKY Normy pro značky na elektrotechnických schématech Schématické značky Kreslení vinutí, SCHEMATICKÉ ZNAČKY 1: Všeobecné informace, celkový rejstřík značek 2: Prvky značek, doplňkové
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická