Unipolární Tranzistory
|
|
- Filip Novotný
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční parametr i Y ( u, u ( u, u + + i u za zjednodušujících podmínek v okolí pracovního bodu linearizuji Vstupní vodivost při 0 (Vodivostní [A/V S] Vhodné pro elektronk a FET Přenosová zpětná vodivost při 0 Přenosová vodivost v předním směru při 0 STRMOST Výstupní vodivost při Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 3 u i u H i H Čtřpól - hbridní parametr ( i, u ( i, u h + h h + h i za zjednodušujících podmínek v okolí pracovního bodu linearizuji u Vstupní odpor při 0 h h h Základ elektr přednáška 4 h Vhodné pro bipolární tranzistor h [Ω] h,h [] h [S] Zpětný přenos napětí při 0 Proudový zesilovací činitel při 0 β Výstupní vodivost při 0 u i u Z Čtřpól - impedanční parametr u Z ( i, i ( i, i z za zjednodušujících podmínek v okolí pracovního bodu z + z + z i u z [Ω] Vstupní odpor při 0 z z z Základ elektr přednáška 5 Přechodová impedance zpětná při 0 Přechodová impedance dopředná při 0 Výstupní odpor při 0 Čtřpól - impedanční parametr Čtřpól - admitanční charakteristik i i [Ω] u u Z u Z ( i, i ( i, i z za zjednodušujících podmínek v okolí pracovního bodu z + z + z u Parametr H, Y a Z lze podle potřeb, pro konkrétní čtřpól mezi sebou převádět např: h h Základ elektr přednáška 6 vstupní vodivost při výstupu nakrátko převodní vodivost při výstupu nakrátko převodní vodivost při vstupu nakrátko výstupní vodivost při vstupu nakrátko Nezávisle proměnné U a U závisle proměnné I a I Základ elektr přednáška 7
2 Počítačové aplikace 000 Čtřpól - hbridní charakteristik h vstupní odpor při výstupu nakrátko h zpětný přenos napětí při vstupu nakrátko h proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko h výstupní vodivost při vstupu nakrátko Nezávisle proměnné I a U závisle proměnné U a I Základ elektr přednáška 8 Unipolární tranzistor FET (Field Effect Tranzistor obecné označení vužívá se objemových jevů v krstalickém polovodiči JFET (Junction FET hradlo odděleno zavřeným p.p. Ug rozšiřuji 4 zavírám tranzistor N (vodivost elektron N+ (pro kontaktování 3 P (vodivost dír 4 ochuzená vrstva N, PN př. S (e Sourse (injektuje elektron D (c Drain (odvádí elektron G (b Gate hradlo U G (P < U S (N závěrný s Základ elektr přednáška 9 Činnost tranzistoru JFET šířku ochuzené oblasti a tím i N-kanálu se mění na základě potenciálu (napětí G proti S. úbtkem napětí po délce kanálu dochází k deformaci ochuzené oblsti Základ elektr přednáška 0 JFET Princip jsme probrali na kanálu tpu N Podobně lze vrobit tranzistor s opačnou vodivostí s P-kanálem NPN PNP i Y ( u, u i 0 (S (S i Y ( u, u (D (D kanál N P is Y ( ug, us STRMOST is Schématická značka is ug S us konst A u [A] i S [V] V u u i Ri Základ elektr přednáška S GS S S u G konst Charakteristik JFET-u N-kanál i S i S Pracovní bod JFET-u Po a b c d e Pracovní oblast nelinearita charakteristik nelinearita charakteristik max. kolektorová ztráta napěťový průraz max. I D u S u S Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 3
3 Počítačové aplikace 000 Ukázka zapojení s JFET-em G zápornější než S se realizuje úbtkem na R S Ukázka zapojení s JFET-em Hledač elektrického vedení pod omítkou Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 5 Skutečná realizace JFET-u Tranzistor MOS FET MOS (Metal Oxide Silicicon (Semiconductor používá se i obecnější název MIS (Metal Isulatot Semiconductor N-kanál P-kanál např.: P-kanál G Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 7 MOS FET - indukovaný kanál N-kanál MOS FET - vodivý kanál. P-kanál - vedou dír záporná G - vpudím elektron, přitáhnu dír vtvořím P např. KF55 indukovaný P-kanál např. KF5 vodivý N-kanál Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 9
4 Počítačové aplikace 000 Sstematické dělení FET tranzistorů Dělení a vlastnosti MOS FET Převodní charakteristika indukovaný kanál Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška Indukovaný x vodivý kanál - struktura Complementr MOS CMOS struktura vsoká spínací rchlost malé napájecí napětí malý příkon kanál je vodivosti N Základ elektr přednáška MOS FET s induk. N kanálem těžko výrobitelný sodíkové příměsi v Si - induk.k. rozhrami Si-SiO - kladný náb Základ elektr přednáška 3 VMOS a DMOS struktura výkonové Proelectric Sensor 8 až 4 µm člověk 9,4 µm Lze 0 A, 400 V, 300 W, R SEP 0,5 Ω vsoká strmost, malá kapacita G Krátký vodivostní kanál malý odpor v sepnutém stavu Užití pro výkonové MOS tranzistor Základ elektr přednáška 4 světlocitlivý materiál změna krst. struktůr změna povrch. náboje vliv na vodivostní kanál proud FET tranzistorem Základ elektr přednáška 5
5 Počítačové aplikace 000 PIR - RE00B Příklad použití Analogový spínač - vstup audiozesilovače Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 7 Příklad použití Analogový spínač - vstup audiozesilovače Příklad použití analogový spínač v SH (vzorkovacím obv. Detail Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 9 Příklad použití 3 analogový regulační prvek ve stabilizátoru Příklad použití 4 spínač v PWM regulátoru výkonu PWM PŠM Není v cestě polovodičový přechod - lze dosáhnout malého úbtku napětí Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 3
6 Počítačové aplikace 000 Příklad použití 5 spínač v primáru měniče napětí Příklad použití 6 napětím řízený odpor při kompenzaci vlivu teplot Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 33 Příklad použití 7 analogový spínač - přepínač rozsahů Příklad použití 7 analogový spínač - přepínač rozsahů Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 35 Příklad použití 8 bezkontaktní auto - spínač Příklad použití 9 nf zesilovač (velký vstupní odpor Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 38
7 Počítačové aplikace 000 Příklad použití 0 akustický kompresor dnamik Příklad použití Dioda s malým úbtkem napětí Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 40 IGBT. Bipolární tranzistor s izolovaným hradlem (Anglick Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT druh tranzistoru pro velký rozsah spínaných výkonů (od zlomků W až po desítk kw a vsokou pulzní frekvenci (je rchlý desítk µs při spínání, vpíná pomaleji. na vstupu má vlastnosti FET a na výstupu (výkonová část má vlastnosti bipolárního tranzistoru IGBT náhradní schema výstupní charakteristik a náhradní schéma v sepnutém stavu Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 4 vlastnosti IGBT je nejmladším členem rodin výkonových polovodičových spínacích prvků nízké ztrát možnost dosáhnout vsoké spínací frekvence dostatečná proudová a napěťová zatížitelnost. dodává se jako modul tvořené integrovanými tranzistor IGBT. GTO IGCT náhradní schema GTO ( vpínatelný tristor IGCT (Integrated Gate Commutated Thristor GTO s integrovanými řídicími obvod Oblasti možného vužití moderních výkonových prvků Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 44
8 Počítačové aplikace 000 Tpické parametr IGBT Př. Zdroj VN s IGBT Základ elektr přednáška Základ elektr přednáška 46
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VícePolovodiče Polovodičové měniče
Polovodiče Polovodičové měniče Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat452 PEZ I ELEKTRONIKA Podoblast elektrotechniky která využívá
VíceFYZIKA 2. ROČNÍK. Elektrický proud v kovech a polovodičích. Elektronová vodivost kovů. Ohmův zákon pro část elektrického obvodu
FYZK. OČNÍK a polovodičích - v krystalové mřížce kovů - valenční elektrony - jsou společné všem atomům kovu a mohou se v něm volně pohybovat volné elektrony Elektronová vodivost kovů Teorie elektronové
VícePolovodiče, polovodičové měniče
Polovodiče, polovodičové měniče Zpracoval: Václav Kolář, Václav Vrána, Jan Ddek ELEKTONIKA Podoblast elektrotechniky která vyžívá vedení elektrického prod v polovodičích. (V minlosti též ve vak či plynech
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
VíceNázev projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258
Název projektu: EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.2575 Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258 Téma: Elektronika Název: VY_32_INOVACE_07_02B_27. Práce s páječkou, značky
VíceIGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VícePolovodiče - s jedním PN přechodem (dvojpóly) Polovodič a PN přechod. VA charakteristika. Propustný x Závěrný směr.
olovodiče - s jedním přechodem (dvojpóly) Dioda detekční, spínací a usměrňovací Zenerona dioda Kapacitní dioda LED (svíticí dioda) olovodičový LASER olovodič a přechod m.n. = elektrony m.n. = díry pohyb
Více48. Pro RC oscilátor na obrázku určete hodnotu R tak, aby kmitočet oscilací byl 200Hz
1. Který ideální obvodový prvek lze použít jako základ modelu napěťového zesilovače? 2. Jaké obvodové prvky tvoří reprezentaci nesetrvačných vlastností reálného zesilovače? 3. Jak lze uspořádat sčítací
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceKomutace a) komutace diod b) komutace tyristor Druhy polovodi ových m Usm ova dav
V- Usměrňovače 1/1 Komutace - je děj, při němž polovodičová součástka (dioda, tyristor) přechází z propustného do závěrného stavu a dochází k tzv. zotavení závěrných vlastností součástky, a) komutace diod
VíceOsnova: 1. Speciální diody 2. Tranzistory 3. Operační zesilovače 4. Řízené usměrňovače
K621ZENT Základy elektroniky Přednáška ř č. 3 Osnova: 1. Speciální diody 2. Tranzistory 3. Operační zesilovače 4. Řízené usměrňovače LED Přiložením napětí v propustném směru dochází k injekci nosičů přes
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Zesilovače Přednáška č. 6 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Zesilovače 1 Základní pojmy jde o dvojbran (čtyřpól) zpravidla
VíceInovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie. Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/15.0247
Inovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/15.0247 APLIKACE POČÍTAČŮ V MĚŘÍCÍCH SYSTÉMECH PRO CHEMIKY s využitím LabView 3. Převod neelektrických veličin na elektrické,
VíceVY_52_INOVACE_2NOV57. Autor: Mgr. Jakub Novák. Datum: 13. 2. 2013 Ročník: 9.
VY_52_INOVACE_2NOV57 Autor: Mgr. Jakub Novák Datum: 13. 2. 2013 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověk a příroda Vzdělávací obor: Fyzika Tematický okruh: Elektromagnetické a světelné děje Téma: Tranzistor
VíceTranzistory bipolární
Tranzistory bipolární V jednom kusu polovodičového materiálu lze vhodnou technologií vytvořit tři střídající se oblasti s nevlastní vodivostí N-P-N nebo P-N-P. Vývody těchto tří oblastí se nazývají emitor,
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceObr. 1 Jednokvadrantový proudový regulátor otáček (dioda plní funkci ochrany tranzistoru proti zápornému napětí generovaného vinutím motoru)
http://www.coptkm.cz/ Regulace otáček stejnosměrných motorů pomocí PWM Otáčky stejnosměrných motorů lze řídit pomocí stejnosměrného napájení. Tato plynulá regulace otáček motoru však není vhodná s energetického
Více1-LC: Měření elektrických vlastností výkonových diod
1-LC: Měření elektrických vlastností výkonových diod Cíl měření: Ověření základních vlastností výkonových diod. Měřením porovnejte vlastnosti výkonových diod s běžně používanými diodami mimo oblast výkonové
VíceVýkonová elektronika. Příklad. U o. sin
Výkonové spínací prvky ožadavky a parametry Výkonový MOSFET IBT Tyristor rincipy činnosti, struktury, charakteristiky, modely a typické aplikace. Výkonová elektronika Řízení přenosu a přeměny energie při
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VícePulzní zdroj s vysokým výkonem v pulzu pracující v rozsahu nízkých frekvencí pro buzení plazmatu
Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích Přírodovědecká fakulta Pulzní zdroj s vysokým výkonem v pulzu pracující v rozsahu nízkých frekvencí pro buzení plazmatu Bakalářská práce Václav Kučera Školitel:
VíceElektrická měření 4: 4/ Osciloskop (blokové schéma, činnost bloků, zobrazení průběhu na stínítku )
Elektrická měření 4: 4/ Osciloskop (blokové schéma, činnost bloků, zobrazení průběhu na stínítku ) Osciloskop měřicí přístroj umožňující sledování průběhů napětí nebo i jiných elektrických i neelektrických
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceSnímače tlaku a síly. Snímače síly
Snímače tlaku a síly Základní pojmy Síla Moment síly Tlak F [N] M= F.r [Nm] F p = S [ Pa; N / m 2 ] 1 bar = 10 5 Nm -2 1 torr = 133,322 Nm -2 (hydrostatický tlak rtuťového sloupce 1 mm) Atmosférický (barometrický)
VíceTest. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný digitálním osciloskopem. Nalezněte v hodnotách na obrázku efektivní napětí signálu.
Oblastní kolo, Vyškov 2007 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný digitálním osciloskopem. Nalezněte
VíceZdroje pro vysokofrekvenční ohřevy
České vysoké učení technické v Praze, Fakulta elektrotechnická Katedra Elektroenergetiky Diplomová práce Zdroje pro vysokofrekvenční ohřevy Vypracoval: Vedoucí práce: Bc. Zdeněk Novák doc. Dr. Ing. Jan
VíceTest. Kategorie M. 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální čítač (např. Tesla BM641) využijeme například k:
Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální
VíceFyzikální praktikum 2. 6. Relaxační kmity
Ústav fyziky kondenzovaných látek Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 2 6. Relaxační kmity Úkoly k měření Povinná část Relaxační kmity diaku. Varianty povinně volitelné
VíceOsciloskopy. Osciloskop. Osciloskopem lze měřit
Osciloskopy Osciloskop elektronický přístroj zobrazující průběhy napětí s použitím převodníků lze zobrazit průběhy elektrických i neelektrických veličin analogové osciloskopy umožňují zobrazit pouze periodické
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VícePolovodičové diody. Polovodičové součástky s PN přechodem
Polovodičové diody Polovodičové součástky s PN přechodem Princip diody Připojením kladného pólu napětí na polovodič typu P a záporného na N budou: díry v polovodiči P napětím odpuzovány k PN přechodu volné
VíceTranzistory. BI-CiAO Číslicové a analogové obvody 4. přednáška Martin Novotný ČVUT v Praze, FIT, 2009-2012
Tranzistory I-iAO Číslicové a analogové obvody 4. přednáška Martin Novotný ČVT v Praze, FIT, 2009-2012 Tranzistory ipolární nipolární NPN PNP MOSFET MESFET JFET NMOS PMOS MOS Tranzistory ipolární nipolární
VícePolovodi e. Petr Ba ina. 16. ledna 2017
16. ledna 2017 jsou materiály, které za normálních podmínek nevedou elektrický proud. Za n kterých podmínek v²ak vedou elektrický proud (nap. p i zm n teploty, p i osv tlení atd... ). P íklady polovodi
VíceObvodová ešení snižujícího m ni e
1 Obvodová ešení snižujícího m ni e (c) Ing. Ladislav Kopecký, únor 2016 Obr. 1: Snižující m ni princip Na obr. 1 máme základní schéma zapojení snižujícího m ni e. Jeho princip byl vysv tlen v lánku http://free-energy.xf.cz\teorie\dc-dc\buck-converter.pdf
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceBezkontaktní spínací přístroje
Bezkontaktní spínací přístroje Důvody použití bezkontaktních spínačů Pozitiva Potřeba častého a přesně časově synchronizovaného spínání, které není klasickými kontaktními přístroji dosažitelné Potlačení
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Analýza využití výkonových polovodičových měničů v praxi vedoucí práce: Prof. Ing.
VíceSEZNAM MATURITNÍCH OKRUHŮ STUDIJNÍHO OBORU MECHANIK INSTALATÉRSKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH ZAŘÍZENÍ 39-41-L/02 ŠKOLNÍ ROK 2015/2016 TŘÍDA 4ME
SEZNAM MATURITNÍCH OKRUHŮ STUDIJNÍHO OBORU MECHANIK INSTALATÉRSKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH ZAŘÍZENÍ 39-41-L/02 ŠKOLNÍ ROK 2015/2016 TŘÍDA 4ME PŘEDMĚT: INSTALACE TECHNICKÝCH ZAŘÍZENÍ BUDOV Okruh č. 1 DRUHY
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceTRENDY V OBLASTI VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY
TRENDY V OBLASTI VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY Petr Chlebiš, Petr Šimoník, Lukáš Osmančík, Petr Moravčík VŠB TUO, Katedra elektroniky, 17. listopadu 15, 708 00 Ostrava, petr.chlebis@vsb.cz VŠB TUO, Katedra elektroniky,
Více3. Elektromagnetické pole 68 3.1. Vlnové rovnice elektromagnetického pole 68
1. Základní zákony elektromagnetismu 6 1.1. Zákon elektromagnetické indukce 6 1.2. Spřažený tok vzduchové cívky 12 1.3. Spřažený tok cívky s feromagnetickým jádrem 17 1.4. Druhá Maxwellova rovnice 18 1.4.1.
VíceCL232. Převodník RS232 na proudovou smyčku. S galvanickým oddělením, vysokou komunikační rychlostí a se zvýšenou odolností proti rušení
Převodník RS232 na proudovou smyčku S galvanickým oddělením, vysokou komunikační rychlostí a se zvýšenou odolností proti rušení 28. dubna 2011 w w w. p a p o u c h. c o m CL232 Katalogový list Vytvořen:
VíceW1- Měření impedančního chování reálných elektronických součástek
Návod na laboratorní úlohu Laboratoře oboru I W1- Měření impedančního chování reálných elektronických součástek Úloha W1 1 / 6 1. Úvod Impedance Z popisuje úhrnný "zdánlivý odpor" prvků obvodu při průchodu
Více1. IMPULSNÍ NAPÁJECÍ ZDROJE A STABILIZÁTORY
1. IMPULSNÍ NAPÁJECÍ ZDROJE A STABILIZÁTORY 1.1 Úvod Úkolem této úlohy je seznámení se s principy, vlastnostmi a některými obvodovými realizacemi spínaných zdrojů. Pro získání teoretických znalostí k úloze
VíceRegulovaný vysokonapěťový zdroj 0 až 30 kv
http://www.coptkm.cz/ Regulovaný vysokonapěťový zdroj 0 až 30 kv Popis zapojení V zapojení jsou dobře znatelné tři hlavní části. První z nich je napájecí obvod s regulátorem výkonu, druhou je pak následně
VíceZákladní zapojení operačních zesilovačů
ákladní zapojení operačních zesilovačů ) Navrhněte a zapojte stejnosměrný zesilovač s operačním zesilovačem v invertjícím zapojení se zadanými parametry. ) Navrhněte a zapojte stejnosměrný zesilovač s
VíceMěření základních vlastností OZ
Měření základních vlastností OZ. Zadání: A. Na operačním zesilovači typu MAA 74 a MAC 55 změřte: a) Vstupní zbytkové napětí U D0 b) Amplitudovou frekvenční charakteristiku napěťového přenosu OZ v invertujícím
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceZapojení horního spína e pro dlouhé doby sepnutí III
- 1 - Zapojení horního spína e pro dlouhé doby sepnutí III (c) Ing. Ladislav Kopecký, srpen 2015 V p edchozí ásti tohoto lánku jsme dosp li k zapojení horního spína e se dv ma transformátory, které najdete
VícePolovodiče typu N a P
Polovodiče typu N a P Autor: Lukáš Polák Polovodičové materiály, vlastnosti křemík arsenid galitý GaAs selenid kademnatý CdSe sulfid kademnatý CdS Elektrické vlastnosti polovodičů závisí na: teplotě osvětlení
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VíceŘADA KOMPAKTNÍCH INVERTORŮ J1000 DE EN
ŘADA KOMPAKTNÍCH INVERTORŮ J1000 CZ DE EN J1000 TECHNOLOGIE INVERTOROVÝCH MĚNIČŮ YASKAWA Obsah Strana 2 Zkušenosti a inovace Přední představitel technologie invertorových měničů Strana 3 Vlastnosti a funkce
VíceSVAZ SKAUTŮ A SKAUTEK ČESKÉ REPUBLIKY Skautské oddíly Brno Tuřany. zájmové soboty
SVAZ SKAUTŮ A SKAUTEK ČESKÉ REPUBLIKY Skautské oddíly Brno Tuřany zájmové soboty E L E K T R O N I K A Aktivní polovodičové součástky Polovodičová dioda. Elektrické proudové pole Elektrické napětí U, elektrický
VíceAntény. Zpracoval: Ing. Jiří. Sehnal. 1.Napájecí vedení 2.Charakteristické vlastnosti antén a základní druhy antén
ANTÉNY Sehnal Zpracoval: Ing. Jiří Antény 1.Napájecí vedení 2.Charakteristické vlastnosti antén a základní druhy antén Pod pojmem anténa rozumíme obecně prvek, který zprostředkuje přechod elektromagnetické
VíceMĚŘENÍ PŘENOSOVÉ RYCHLOSTI PAMĚTÍ FLASH
MĚŘENÍ PŘENOSOVÉ RYCHLOSTI PAMĚTÍ FLASH Lukáš Pelant ČVUT FEL v Praze, katedra radioelektroniky Abstrakt Paměti Flash jsou poměrně novým záznamovým zařízením. V příspěvku je uvedena problematika pamětí
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 Elektrické napětí Elektrické napětí je definováno jako rozdíl elektrických potenciálů mezi dvěma body v prostoru.
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
Více1. LINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ
1. LNEÁNÍ APLKACE OPEAČNÍCH ZESLOVAČŮ 1.1 ÚVOD Cílem laboratorní úlohy je seznámit se se základními vlastnostmi a zapojeními operačních zesilovačů. Pro získání teoretických znalostí k úloze je možno doporučit
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Vícehttp://www.coptkm.cz/ Měření výkonu zesilovače
http://www.coptkm.cz/ Měření výkonu zesilovače Měření výkonu zesilovače se neobejde bez zobrazování a kontroly výstupního průběhu osciloskopem. Při měření výkonu zesilovače místo reprodukční soustavy zapojíme
VíceTří-kanálová výkonová aktivní reproduktorová vyhybka Michal Slánský
Tří-kanálová výkonová aktivní reproduktorová vyhybka Michal Slánský Po stavbě svých prvních dvou-pásmových reproduktorových soustav s pasivní LC výhybkou v konfiguraci ARN-226-00/8Ω (basový reproduktor)
VíceFototermika a fotovoltaika [1]
Fototermika a fotovoltaika [1] Číslo projektu Název školy Předmět CZ.1.07/1.5.00/34.0425 INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV Černoleská 1997, 256 01 Benešov BIOLOGIE A EKOLOGIE Tematický okruh
VíceDvojitý H-Můstek 6.8V/2x0,7A s obvodem MPC17529. Milan Horkel
MPC759HB0A Dvojitý H-Můstek 6.8V/x0,7A s obvodem MPC759 Milan Horkel Modul používá integrovaný dvojitý H-Můstek od firmy Freescale. Je určen pro buzení malých motorků. Obvod stojí cca 40Kč a lze snadno
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV VÝKONOVÉ ELEKTROTECHNIKY A ELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION
VíceASYNCHRONNÍ STROJ. Trojfázové asynchronní stroje. n s = 60.f. Ing. M. Bešta
Trojfázové asynchronní stroje Trojfázové asynchronní stroje někdy nazývané indukční se většinou provozují v motorickém režimu tzn. jako asynchronní motory (zkratka ASM). Jsou to konstrukčně nejjednodušší
VíceElektromagnetické vlny v experimentech
Elektromagnetické vlny v experimentech ZDENĚK POLÁK Jiráskovo gymnázium v Náchodě V článku uvádím jak pomocí radiopřijímače, televizního přijímače a videomagnetofonu můţeme předvést většinu podstatných
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.07 Integrovaná střední škola technická Mělník,
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceNávrh induktoru a vysokofrekven ního transformátoru
1 Návrh induktoru a vysokofrekven ního transformátoru Induktory energii ukládají, zatímco transformátory energii p em ují. To je základní rozdíl. Magnetická jádra induktor a vysokofrekven ních transformátor
VíceVýsledky zpracujte do tabulek a grafů; v pracovní oblasti si zvolte bod a v tomto bodě vypočítejte diferenciální odpor.
ZADÁNÍ: Změřte VA charakteristiky polovodičových prvků: 1) D1: germaniová dioda 2) a) D2: křemíková dioda b) D2+R S : křemíková dioda s linearizačním rezistorem 3) D3: výkonnová křemíková dioda 4) a) D4:
VíceMěření elektrického proudu
Měření elektrického proudu Měření elektrického proudu proud měříme ampérmetrem ampérmetrřadíme vždy do sériově k měřenému obvodu ideální ampérmetr má nulový vnitřní odpor na skutečném ampérmetru vzniká
Vícekapitola 85 - tabulková část
8500 00 00 00/80 ELEKTRICKÉ STROJE, PŘÍSTROJE A ZAŘÍZENÍ A JEJICH ČÁSTI A SOUČÁSTI; PŘÍSTROJE PRO ZÁZNAM A REPRODUKCI ZVUKU, PŘÍSTROJE PRO ZÁZNAM A REPRODUKCI TELEVIZNÍHO OBRAZU A ZVUKU A ČÁSTI, SOUČÁSTI
VíceMATURITNÍ OKRUHY STROJNICTVÍ TŘÍDA: 4SB ŠKOL ROK: 2015-2016 SPEZIALIZACE: EKONOMIKA STROJÍRENSTVÍ
1.A. VALIVÁ LOŽISKA a) dělení ložisek b) skladba ložisek c) definice základních pojmů d) výpočet ložisek d) volba ložisek 1.B. STATICKÁ TAHOVÁ ZKOUŠKA a) zkušební zařízení a zkušební vzorky b) pracovní
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 4.3. Demodulátory Demodulace Jako demodulace je označován proces, při kterém se získává z modulovaného vysokofrekvenčního
VíceMìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích
1. Úvod Mìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích prof. Ing. Jiøí Pavelka, DrSc., ÈVUT Praha, Fakulta elektrotechnická, katedra elektrických pohonù a trakce Mìnièe výkonové
VíceVýkonová elektronika. Martin Černík
Martin Černík Liberec 2014 text a ilustrace: Ing. Martin Černík, Ph.D. recenze: Ing. Jan Václavík Martin Černík Technická univerzita v Liberci 2014 ISBN 978-80-7494-160-3 Obsah Obsah Obsah... 3 1 Úvod...
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceMechanická účinnost PSM, snižování mechanických ztrát
Mechanická účinnost SM, snižování mechanických ztrát Ztrátová mechanická energie v SM: třecí ztráty, pohon příslušenství a ústrojí v motoru, pumpovní práce Zvyšování celkové účinnosti SM (termodynamické
VícePASIVNÍ SOUČÁSTKY. Ivo Malíř
PASIVNÍ SOUČÁSTKY Ivo Malíř Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace Tento výukový materiál byl zpracován v rámci akce EU peníze středním školám - OP VK 1.5. Výuková sada
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY VÝKONOVÝ ZESILOVAČ PRO PÁSMO KRÁTKÝCH VLN HF BAND POWER AMPLIFIER
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV RADIOELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
VíceModel dvanáctipulzního usměrňovače
Ladislav Mlynařík 1 Model dvanáctipulzního usměrňovače Klíčová slova: primární proud trakčního usměrňovače, vyšší harmonická, usměrňovač, dvanáctipulzní zapojení usměrňovače, model transformátoru 1 Úvod
Více4.2.16 Ohmův zákon pro uzavřený obvod
4.2.16 Ohmův zákon pro uzavřený obvod Předpoklady: 040215 Postřeh z minulých měření: Při sestavování obvodů jsme používali stále stejnou plochou baterku. Přesto se její napětí po zapojení do obvodu měnilo.
Vícea činitel stabilizace p u
ZADÁNÍ: 1. Změřte závislost odporu napěťově závislého odporu na přiloženém napětí. 2. Změřte V-A charakteristiku Zenerovy diody v propustném i závěrném směru. 3. Změřte stabilizační a zatěžovací charakteristiku
VíceMS měření teploty 1. METODY MĚŘENÍ TEPLOTY: Nepřímá Přímá - Termoelektrické snímače - Odporové kovové snímače - Odporové polovodičové
1. METODY MĚŘENÍ TEPLOTY: Nepřímá Přímá - Termoelektrické snímače - Odporové kovové snímače - Odporové polovodičové 1.1. Nepřímá metoda měření teploty Pro nepřímé měření oteplení z přírůstků elektrických
VíceVítězslav Bártl. březen 2013
VY_32_INOVACE_VB08_K Jméno autora výukového materiálu Datum (období), ve kterém byl VM vytvořen Ročník, pro který je VM určen Vzdělávací oblast, vzdělávací obor, tematický okruh, téma Anotace Vítězslav
Více9.4.2001. Ėlektroakustika a televize. TV norma ... Petr Česák, studijní skupina 205
Ėlektroakustika a televize TV norma.......... Petr Česák, studijní skupina 205 Letní semestr 2000/200 . TV norma Úkol měření Seznamte se podrobně s průběhem úplného televizního signálu obrazového černobílého
Více1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7
1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou
VíceT E C H N I C K Ý P O P I S Z D R O J E BZP 2.1 T 71970 9 004. Signal Mont s.r.o. Kydlinovská 1300 H R A D E C K R Á L O V É
Signal Mont s.r.o. Kydlinovská 1300 H R A D E C K R Á L O V É T E C H N I C K Ý P O P I S Z D R O J E BZP 2.1 T 71970 9 004 č.v.: 71970 9 004 TP-SM HK 1/99 (TP 71970 9 003) JKPOV 404 229 719 704 SKP 316
VíceKOPÍROVACÍ PROCES. Podstata kopírovacího procesu je založena na:
KOPÍROVACÍ PROCES Podstata kopírovacího procesu je založena na: 1. fotocitlivých vlastnostech světelného válce 2. elektrostatickém nabíjení komponentů kopírovacího procesu různými náboji (+ a se přitahují,
VíceNÁVOD K OBSLUZE MODULU VIDEO 64 ===============================
NÁVOD K OBSLUZE MODULU VIDEO 64 =============================== Modul VIDEO 64 nahrazuje v počítači IQ 151 modul VIDEO 32 s tím, že umožňuje na obrazovce připojeného TV monitoru nebo TV přijímače větší
VíceSoupis provedených prací elektro
Soupis provedených prací elektro Odběratel: Dodavatel: ProfiCan Zdeněk Turek, Luční 360, 387 11 Katovice IČ: 74302388 Název objektu: Objednávka: Smlouva č.: Období: Podle Vaší objednávky a v rozsahu Vámi
Více