Parametry pamětí vybavovací doba (tj. čas přístupu k záznamu v paměti) = 10 ns ms rychlost toku dat (tj. počet přenesených bitů za sekundu)

Rozměr: px

Začít zobrazení ze stránky:

Download "Parametry pamětí vybavovací doba (tj. čas přístupu k záznamu v paměti) = 10 ns ms rychlost toku dat (tj. počet přenesených bitů za sekundu)"

Naděžda Sedláková
před 6 lety
Počet zobrazení:

1 Paměti

2 Parametry pamětí vybavovací doba (tj. čas přístupu k záznamu v paměti) = 10 ns ms rychlost toku dat (tj. počet přenesených bitů za sekundu) kapacita paměti (tj. počet bitů, slabik, slov) cena za bit přístup přímý sekvenční destruktivnost při čtení energetická závislost a nezávislost statika a dynamika spolehlivost Definujeme v rozmezí teplot (např. 1 porucha za 5000 hodin, 1 chyba na bitů toku)

3 Typy pamětí vnější paměti vnitřní paměti zápisníková paměť = sada registrů řídící pamět - pro zaznamenání stavu programů vyrovnávací paměť (též cache) - k vyrovnání rozdílů v toku dat mezi procesorem a pamětí mezi procesorem a V/V zařízením

4 registry vnitřní paměti vnější paměti kapacita přístupová doba velmi malá (jednotky bytů) velmi nízká (velmi rychlá paměťová místa) vyšší (řádově 100 kb - 100MB) vysoká (řádově 10 MB GB) vyšší (řádově 10 ns) vysoká (řádově 10 ms - 10 min) přenosová rychlost statičnost / dynamičnost destruktivnost při čtení energetická závislost vzhledem k malé kapacitě se většinou neuvažuje vysoká (řádově 1-10 MB/s) statické statické i dynamické statické nižší než u vnitřních pamětí (řádově 10 MB/min - 1 MB/s) nedestruktivní destruktivní i nedestruktivní nedestruktivní závislé závislé nezávislé přístup přímý přímý přímý i sekvenční spolehlivost velmi spolehlivé spolehlivé méně spolehlivé cena za bit vzhledem k nízké kapacitě vysoká nižší než u registrů a vyšší než u vnějších pamětí vzhledem k vysoké kapacitě nízká

5 Rozdělení polovodičových pamětí polovodičo vé paměti paměti s měnitelným obsahem dat pevné RAM ROM PROM EPROM EEPRO bipolární unipolár bipolární unipolár bipolární unipolár unipolár unipolár statické statické dynamic statické statické statické statické programovatel né maskou při výrobě programovatel né elektricky uživatelem uživatelem elektricky programovatel né a mazatelné ultrafialovým uživatelem elektricky programovatel né i mazatelné

9 Statická paměťová buňka

10 Dynamická paměťová buňka

12 Vnitřní paměť

13 Fyzická struktura paměti

14 vstup adresy řádku A 0 A 1 A 2 A 3 A 4 A5 registr adresy dekodér adresy řádků paměťová matice 64 x16 bitů povolení výstupu CE dat sloupcové zesilovače a obvody vst. a výst. DO výstup dat R/W říd. sig. pro čtení, zápis DI vstup dat časování dekodér adresy sloupce registr adresy A6 A7 A8 A9 vstup adresy sloupce

16 Realizace buňky paměti ROM pomocí polovodičové diody

17 Realizace paměťové buňky ROM pomocí tranzistoru v technologii TTL

18 Realizace paměťové buňky ROM pomocí tranzistoru v technologii MOS

19 Programování paměti PROM Takto vyrobená paměť obsahuje na začátku samé hodnoty 1. Zápis informace se provádí vyšší hodnotou elektrického proudu (cca 10 ma), která způsobí přepálení tavné pojistky z niklu a chrómu (NiCr) a tím i definitivně zápis hodnoty 0 do příslušné paměťové buňky

20 Realizace paměťové buňky PROM pomocí multiemitorových tranzistorů

21 Vnitřní zapojení paměti

22 Schématická znázornění pro PROM

24 Mazání paměti EPROM

25 Princip programování paměti EPROM

26 Paměti EEPROM (Electrically EPROM)

27 Paměti Flash Flashpaměti jsou obdobou pamětí EEPROM Jedná se o paměti, které je možné naprogramovat a které jsou statické a energeticky nezávislé Vymazání se provádí elektrickou cestou, jejich přeprogramování je možné provést přímo v počítači

28 Paměti RAM Paměti RAM jsou určeny pro zápis i pro čtení dat Jedná se o paměti, které jsou energeticky závislé Podle toho, zda jsou dynamické nebo statické, jsou dále rozdělovány na DRAM - Dynamické RAM SRAM - Statické RAM

29 Realizace jedné buňky SRAM v technologii MOS

30 Realizace jedné buňky paměti SRAM v technologii TTL

31 Realizace jedné buňky paměti DRAM v technologii TTL

32 Paměťové banky (Memory banks) Procesor Šířka datové sběrnice Velikost banku pro 30-pin SIMM Velikost banku pro 72-pin SIMM Velikost banku pro DIMM bitů 2 moduly nepoužívá se nepoužívá se bitů 4 moduly nepoužívá se nepoužívá se bitů 4 moduly 1 modul nepoužívá se Pentium 64 bitů nepoužívá se 2 moduly 1 modul Pentium Pro 64 bitů nepoužívá se 2 moduly 1 modul Pentium II 64 bitů nepoužívá se 2 moduly 1 modul Pentium III 64 bitů nepoužívá se 2 moduly 1 modul

33 Schéma zapojení interní a externí cache paměti

Podobné dokumenty

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru jsou používány