1.1 Pokyny pro měření



Podobné dokumenty
- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

1.3 Bipolární tranzistor

Studium tranzistorového zesilovače

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

Studium klopných obvodů

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Darlingtonovo zapojení

Bipolární tranzistory

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

OPERAČNÍ ZESILOVAČE. Teoretický základ

Laboratorní úloha KLS 1 Vliv souhlasného rušení na výsledek měření stejnosměrného napětí

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Manuální, technická a elektrozručnost

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Měření základních vlastností logických IO TTL


Dioda jako usměrňovač

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Měření na nízkofrekvenčním zesilovači. Schéma zapojení:

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:

Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

napájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

Elektronické praktikum EPR1

Generátory měřicího signálu

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Zvyšování kvality výuky technických oborů

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření nízkofrekvenčního koncového zesilovače, část

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Zvyšování kvality výuky technických oborů

1.Zadání 2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU 3.TEORETICKÝ ROZBOR

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

Test. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu?

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

Zdroje napětí - usměrňovače

Unipolární tranzistor aplikace

MULTIGENERÁTOR TEORIE

Virtuální a reálná elektronická měření: Virtuální realita nebo Reálná virtualita?

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Teoretický úvod: [%] (1)

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Teorie elektronických

ETC Embedded Technology Club 7. setkání

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Laboratorní úloha KLS 1 Vliv souhlasného rušení na výsledek měření stejnosměrného napětí

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

Číslicový Voltmetr s ICL7107

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_04_Zesilovače a Oscilátory

1. Navrhněte RC oscilátor s Wienovým článkem, operačním zesilovačem a žárovkovou stabilizací amplitudy, podle doporučeného zapojení, je-li dáno:

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

Transkript:

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE) 2. v zapojení se společným kolektorem (SC) 1.1 Pokyny pro měření Úkoly společné pro obě zapojení: 1) Nastavte pracovní bod stejnosměrně: U CE = U n / 2 I C = cca 2,5-5 ma) Připojte voltmetr mezi kolektor a emitor a změnou rezistoru R 1 nastavte U CE na polovinu napájecího napětí (v daném případě na 5V). Hodnota rezistoru R 1 =500k (50k), je orientační a volbou vhodného dostupného rezistoru R 1 se co nejvíce přibližte požadované hodnotě U CE. Obrázek 32: Zapojení se společným emitorem Pozn.: Nelze-li pro zapojení SE na generátoru nastavit u vst < 10 mv, použijte na vstupu odporový dělič (R a,r b ) cca 1:10, jinak bude výstupní signál zkreslený např. (R a = 100k, R b =10k). 2) Změřte a do grafu vyneste kmitočtově amplitudovou (modulární) charakteristiku: A U [db] = f ( f ) u u 2 A U = 20log [db] 1 Rozsah frekvencí: 50Hz 2MHz Kmitočtové charakteristiky vyneste do semilogaritmických souřadnic. 3) Odečtěte zesílení při f = 1kHz. Obrázek 33: Zapojení se společným kolektorem Pozn.: Jsou-li vstupy A a B osciloskopu přepnuty na AC, není v obou zapojeních nutný kondenzátor C V, který odděluje stejnosměrnou složku signálu. 1.2 Měření a jeho vyhodnocení

2 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně f [khz] U 2 [V] A U [db] Zapojení SE U 1 = U R [V] U 2 [V] A U [db] Zapojení SC U 1 = Příklad výpočtu A U : Závěr: Kmitočtová amplitudová charakteristika zapojení se společným emitorem

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 3 50 40 30 20 10 0 0,01 0,1 1 10 100 1000 10000 Kmitočtová amplitudová charakteristika zapojení se společným kolektorem 0 0,01 0,1 1 10 100 1000 10000-10 -20-30 1.3 Teoretické poznámky

4 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně 1.3.1 Tranzistor jako nízkofrekvenční zesilovač Tranzistor je zesilovacím prvkem, proto nachází nejčastější použití v zesilovačích. Pro spolehlivou funkci tranzistorů je nutné nastavit určité pracovní podmínky. Hovoříme o nastavení pracovního režimu nebo pracovního bodu. Teprve vhodný pracovní režim zesilovací součástky dává předpoklad k její řádné funkci, ke zpracování střídavého signálu. Na elektrody tranzistoru musíme připojit stejnosměrná napětí tak, aby emitorová dioda byla zapojena v propustném, kolektorová v nepropustném směru. Velikostí stejnosměrných napětí a proudů je určen pracovní bod tranzistoru. Základní nastavení pracovního bodu není nijak složité. Obvody pro nastavení pracovního bodu se stávají složitějšími jen vlivem opatření, kterými zajišťujeme stabilitu pracovního bodu, tj. neměnnost nastaveného pracovního režimu. Teplotní nestálost polovodičů způsobuje určité kolísání nastavených pracovních parametrů - pracovního bodu. Toto kolísání může způsobit velmi nepříjemné jevy. Zvýšení teploty vyvolá zvýšení kolektorového proudu, zejména zbytkového proudu I K0. Pokud se tranzistor napájí přes větší rezistor v obvodu kolektoru, zvětšuje se při stoupání kolektorového proudu úbytek napětí na kolektorovém rezistoru, potřebné napětí na kolektoru tranzistoru se zmenšuje. Zmenšuje se zesílení i výstupní výkon tranzistoru. Kolektorové napětí může poklesnout natolik, že stupeň s tranzistorem přestane pracovat. Pokud se tranzistor napájí přes malý kolektorový rezistor, může se zvýšit teplota tranzistoru tak, až dojde ke zničení tranzistoru. Zvětšení kolektorového proudu vlivem zvýšení teploty zvětšuje kolektorový ztrátový výkon. Tím se dále zvětšuje teplota tranzistoru a kolektorový proud dále narůstá a může tedy vést až k destrukci. U přístrojů s tranzistory, které budou pracovat v prostředí s proměnlivou teplotou (a to je většina praktických případů), musíme v napájecích obvodech tranzistorů učinit opatření pro teplotní stabilizaci pracovního režimu. U tranzistorů je rozdíl mezi provozní teplotou vlastního tranzistorového systému a teplotou okolí malý. Změny teploty prostředí proto značně ovlivňuji pracovní režim tranzistorů. Množství nosičů proudu v polovodičovém materiálu se při vzrůstání teploty zvětšuje. Zvětšují se tedy i proudy protékající tranzistorem. Tak např. zvýšení teploty o každých 10 C odpovídá vzrůst proudu přibližně na dvojnásobek. 1.3.2 Nastavení pracovního bodu tranzistoru Základní zapojeni pro nastavení pracovního bodu (PB) tranzistoru je na obr. 34. Je to zapojení pro nastaveni pracovního bodu pomoci předřadného rezistoru Rl. Emitor se v tomto zapojení připojuje přímo na záporný pól stejnosměrného zdroje U CC (pokud jde o tranzistor typu NPN; pro tranzistory typu PNP je zapojení úplně + shodné, jen polarita zdroje U CC je obrácená). Báze tranzistoru se připojuje na kladný pól zdroje přes předřadný rezistor R l. Emitor je tedy polarizován proti R 1 R C U Rc bázi kladně - je splněn jeden požadavek: emitorová dioda je zapojena v propustném směru. Kolektor se připojuje na kladný pól zdroje. Má-li být splněn druhý I B I C U CC požadavek, tj. zapojení kolektorové diody v nepropustném směru, musí být kolektor proti bázi U BE I E U CE kladnější. Toho dosahujeme vhodnou volbou předřadného rezistoru R 1. - Obrázek 34: Nastavení PB předřadným rezistorem

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 5 Musí na něm vznikat větší úbytek napětí než na kolektorovém rezistoru R K. Tím bude potenciál báze tranzistoru méně kladný než potenciál kolektoru. Kolektor bude tedy proti bázi tranzistoru kladnější - kolektorová dioda bude zapojena v nepropustném směru. Tímto zapojením byl jen nastaven pracovní bod. Pro stabilizací pracovního bodu zatím nebylo uděláno nic. 1.3.3 Stabilizace pracovního bodu Stabilizace pracovního bodu při kolísání teploty se + dosáhne tím, že se proti narůstání kolektorového proudu (způsobeného vzrůstem teploty ) působí R 1 R U Rc C změnou potenciálu báze tranzistoru. I C Jednoduché zapojení pro nastavení pracovního bodu C V I tranzistoru i s jeho stabilizací je na obr. 35. Od základního zapojeni na obr.34 se liší tím, že mezi emitor a U CE C B 1 U CC ~ kladny pól zdroje je zapojen rezistor R E - emitorový stabilizační rezistor. V čem spočívá stabilizační účinek I E tohoto rezistoru. Napětí na předřadném rezistoru Rl je ~ U BE v daném zapojení dáno rozdílem mezi napájecím R E U RE napětím U 0 a úbytkem napětí na emitorovém rezistoru - R E. Obrázek 35: Stabilizace PB pomocí R E Zvětší-li se proud kolektoru (např. zvýšením teploty), zvětší se úbytek napětí U E na emitorovém rezistoru. Tím se zmenší napětí U 1 na rezistoru R l, klesne proud báze a výsledkem je zmenšení proudu kolektoru, tedy částečná kompenzace jeho původního narůstání. Zapojení na obr. 35 je vlastně základním zapojením jednoho stupně tranzistorového zesilovače. Střídavý signál, který má tranzistor zesílit, se dostává přes kondenzátor C 1 na bázi tranzistoru, výstupní střídavý signál se odebírá přes kondenzátor C V z kolektoru. V zásadě platí, že stabilizační účinek obvodu je tím lepší, čím větší je rezistor v obvodu emitoru a čím menší je rezistor R 1 v obvodu báze. + Zvětšování emitorového rezistoru R E je nevýhodné (zejména u výkonových tranzistorů), na velkém R emitorovém rezistoru se objeví značná část napětí 1 R U Rc C napájecího zdroje. Je zde však určitá možnost sníženi I C C V odporu rezistoru v obvodu báze. Této možnosti je I C B 1 U CC využito v zapojení na obr. 36. ~ U Pracovní bod není nastaven pomocí předřadného CE ~ rezistoru, ale pomocí děliče napětí R 1, R 2, I E připojeného na zdroj U CC. Potenciál báze tranzistoru R 2 U BE je určen napětím na odbočce děliče, na kterou je báze R E U RE připojena. Jak lze z obr. VI-5 snadno vyčíst, jsou rezistory děliče (přes malý vnitřní odpor napájecího - Obrázek 36: Stabilizace PB děličem v bázi zdroje) zapojeny vlastně paralelně. Jako odpor v obvodu báze se uplatňuje odpor paralelní dvojice R 1, R 2, který je menší než samotný odpor rezistoru R 1 (obr. 34 a 35).

6 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně Stabilizační účinek zapojení podle obr. 36 je dobrý. Kompenzace změn kolektorového proudu je účinná, při zvýšení I K zvětší se napětí na emitorovém rezistoru, napětí mezi bází a emitorem se zmenší a výsledkem je zmenšení kolektorového proudu. Zapojeni na obr.36 je jedním z nejpoužívanějších. Představuje opět základní zapojení jednoho tranzistorového zesilovacího stupně. Střídavý signál se přivádí do obvodu báze přes kondenzátor C l, zesílený signál se odebírá z kolektoru přes kondenzátor C V. Děličem napětí R 1, R 2 bývá v praxi často potenciometrický trimr. Pracovní bod se nastaví přesně podle žádané velikostí kolektorového proudu (měřidlo se zapojí do série s kolektorem) natáčením běžce potenciometrického trimru. Kromě popsaných způsobů jsou ještě jiné možnosti nastavení a zejména stabilizace pracovního bodu, které jsou však složitější. Obrázek 37: Druhy zapojení zesilovačů s bipolárním tranzistorem a jejich vlastnosti

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 7 1.3.4 Linearizovaný model SE h-parametry v pracovním bodě: Obrázek 38: Zesilovač se společným emitorem Funkce součástek: o R B, R C, R E nastavení pracovního bodu tranzistoru a jeho stabilizace zavedením emitorové zpětné vazby (R E ) o C V vazební (oddělovací) kondenzátory oddělují stejnosměrnou a střídavou složku; 1/ω C V je velmi malé o C E přemostění emitorového odporu RE pro střídavou složku a její uzemnění; 1/ω C E << R E Linearizovaný ekvivalentní obvod zesilovače pro malý nízkofrekvenční signál: Obrázek 39: Náhradní linearizovaný obvod a jeho parametry 1.3.5 Kmitočtová závislost zesílení