Podobné dokumenty













TECHNICKÝ POPIS ZDROJŮ ŘADY EZ1 T 73304


Polovodiče Polovodičové měniče

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního


Příspěvek k počítačové simulaci elektronických obvodů

Seznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice


Počítačové experimenty s podporou SPICE

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Manuální, technická a elektrozručnost

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Modelování a simulace elektronických systémů



Počítačové cvičení BNEZ 2. Snižující měnič



Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

DETEKTOR POKLESU NAPĚTÍ BATERIE S LT1078

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ


Bipolární tranzistory

Knihovny součástek. Přidání knihovny. Cesta ke knihovnám pro Pspice

Ing. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor

Sada 1 - Elektrotechnika

napájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól


Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/ NAPÁJECÍ ZDROJE

AC analýza filtrů se spínanými kapacitory v Spice

Zvyšování kvality výuky technických oborů

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ


varikapy na vstupu a v oscilátoru (nebo s ladicím kondenzátorem) se dá citlivost nenároèných aplikacích zpravidla nevadí.


1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU ZÁKLADNÍ OBVODY...14

8. Operaèní zesilovaèe

Zpětnovazební stabilizátor napětí

VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_04_Zesilovače a Oscilátory


ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH



Model dvanáctipulzního usměrňovače

POČÍTAČOVÉ SIMULACE V ELEKTROTECHNICE: ORCADPSPICE VERSUS PROGRAMY TYPU SPICE-LIKE A SPICE-COMPATIBLE

Obsah. Zelinka: UI v problémech globální optimalizace BEN technická literatura 3


teplota součástky T_REL_LOCAL T_ABS T_MEASURED globální teplota T_MEASURED

Vykreslete převodní, modulovou a fázovou charakteristiku C-R článku. Zjistěte rezonanční frekvenci tohoto článku. Proveďte šumovou analýzu obvodu.

Použití programu LTspice IV pro analýzu a simulaci elektronických obvodů III.

Fázory, impedance a admitance

Název projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Návrh a realizace počítače skóre. Počítače skóre. Michal Černý. VOŠ a SŠSE Novovysočanská 48/280 Praha 9

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Proudová zrcadla s velmi nízkou impedancí vstupní proudové svorky


2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Analogové elektronické obvody

ELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH


Osnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod Oscilátory

Napájecí zdroje a stabilizátory ss nap?tí

48. Pro RC oscilátor na obrázku určete hodnotu R tak, aby kmitočet oscilací byl 200Hz

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech


Datum tvorby

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

Laboratorní úloha KLS 1 Vliv souhlasného rušení na výsledek měření stejnosměrného napětí

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA


Laboratorní úloha KLS 1 Vliv souhlasného rušení na výsledek měření stejnosměrného napětí

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu M/01 Strojírenství

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016



II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

Osnova: 1. Speciální diody 2. Tranzistory 3. Operační zesilovače 4. Řízené usměrňovače

Simulace v OrCadPSpice 10 na úrovni vstupních souborů (bez schématického editoru)

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Stopař pro začátečníky

Simulační manažer pro OrCAD PSpice

4 DIELEKTRICKÉ OBVODY ZÁKLADNÍ POJMY DIELEKTRICKÝCH OBVODŮ Základní veličiny a zákony Sériový a paralelní

Transkript:

Alexandr Krejèiøík Zdenìk Burian SIMULUJ! Simulace vlastností analogových elektronických obvodù s diskrétními souèástkami Praha 2001

Alexandr Krejèiøík, Zdenìk Burian SIMULUJ! Simulace vlastností analogových elektronických obvodù s diskrétními souèástkami Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo rozmnožována jakoukoli formou (tisk, fotokopie, mikrofilm nebo jiný postup), zadána do informaèního systému nebo pøenášena v jiné formì èi jinými prostøedky Autor a nakladatelství nepøejímají záruku za správnost tištìných materiálù Pøedkládaná zapojení a informace jsou zveøejnìny bez ohledu na pøípadné patenty tøetích osob Nároky na odškodnìní na základì zmìn, chyb nebo vynechání jsou zásadnì vylouèeny Veškerá práva vyhrazena A Krejèiøík, Z Burian, 2001 Nakladatelství BEN technická literatura, Vìšínova 5, Praha 10 A Krejèiøík, Z Burian: Simuluj! BEN technická literatura, Praha 2001 1 vydání ISBN 80-7300-005-9

SIMULUJ! 1 2 3 POPIS PROGRAMU PSPICE 5 0A 16 PØEHLED DEKLARACÍ PROGRAMU PSPICE 5 0A 30 PØEHLED PØÍKAZÙ PROGRAMU PSPICE 5 0 57 4 MAKROMODELY 82 5 6 7 8 9 10 11 12 PRÁCE S PROGRAMEM PSPICE 106 VÝSLEDKY SIMULACE A JEJICH ZPRACOVÁNÍ 122 SIMULACE VYBRANÝCH TYPÙ OBVODÙ S DISKRÉTNÍMI SOUÈÁSTKAMI 130 SIMULACE PASIVNÍCH OBVODÙ 176 SIMULACE REZONANÈNÍCH OBVODÙ 198 SIMULACE KLOPNÝCH OBVODÙ 204 SIMULACE ZESILOVAÈÙ S TRANZISTORY 222 SIMULACE LINEÁRNÍCH STABILIZÁTORÙ NAPÌTÍ 278

OBSAH SEZNAM POUŽITÝCH ZNAÈEK A SYMBOLÙ 9 ÚVOD 14 1 POPIS PROGRAMU PSPICE 5 0A 16 1 1 Funkèní klávesy 16 1 2 Roleta FILES (Soubory) 20 1 3 Roleta CIRCUIT (Obvod) 23 1 4 Roleta StmEd 24 1 5 Roleta ANALYSIS (Analýzy) 26 1 6 Roleta DISPLAY (Zobrazení) 27 1 7 Roleta PROBE (roleta programu PROBE) 27 1 8 Roleta QUIT (Ukonèení programu, výstup) 28 2 PØEHLED DEKLARACÍ PROGRAMU PSPICE 5 0A 30 2 1 Syntaxe vstupního souboru 30 2 2 Hodnoty parametrù prvkù 32 2 3 Uzly 32 2 4 Pøehled deklarací 33 2 4 1 B Tranzistor GaAs FET 33 2 4 2 C Kapacitor (ideální kondenzátor) 35 2 4 3 D Dioda 35 2 4 4 E Zdroj napìtí øízený napìtím 37 2 4 5 F Zdroj proudu øízený proudem 38 2 4 6 G Zdroj proudu øízený napìtím 39 2 4 7 H Zdroj napìtí øízený proudem 40 2 4 8 I Nezávislý zdroj proudu 41 2 4 9 J Tranzistor JFET 42 2 4 10 K Transformátor (jen specifikace vazby) 44 2 4 11 L Induktor (ideální cívka) 44 2 4 12 M Tranzistor MOSFET 45 2 4 13 Q Bipolární tranzistor 48 2 4 14 R Rezistor 50 2 4 15 S Spínaè øízený napìtím 51 2 4 16 Základní typy èíslicových prvkù 51 2 4 17 V Nezávislý zdroj napìtí 51 2 4 18 W Spínaè øízený proudem 53 4 A KREJÈIØÍK, Z BURIAN: SIMULUJ! A

3 PSPICE 5 0 PØEHLED PØÍKAZÙ 57 3 1 AC Støídavá analýza 57 3 2 DC Stejnosmìrná analýza 58 3 3 DISTRIBUTION Uživatelem definované rozdìlení 59 3 4 END Konec vstupního souboru 59 3 5 ENDS Konec funkèního bloku 60 3 6 FOUR Fourierova analýza 60 3 7 FUNC Definice funkce 61 3 8 IC Poèáteèní podmínky 61 3 9 INC Pøipojení souboru (úspora opisování shodných èástí vstup souborù) 62 3 10 LIB Knihovna prvkù 62 3 11 MC Analýza metodou Monte Carlo 63 3 12 MODEL Definice modelu prvku 65 3 13 NODESET Nastavení pracovního bodu 67 3 14 NOISE Šumová analýza 67 3 15 OP Pracovní bod 68 3 16 OPTIONS Pøedvolby a parametry simulátoru 68 3 17 PARAM Globální parametry 70 3 18 PLOT Výpis grafù 70 3 19 PRINT Výpis (tisk) tabulek 72 3 20 PROBE Data pro grafický postprocesor 73 3 21 SENS Citlivostní analýza 74 3 22 STEP Krokování analýzy 75 3 23 SUBCKT Definice funkèního bloku 76 3 24 TEMP Teplota 77 3 25 TF Pøenosová funkce 77 3 26 TRAN Pøechodová (tranzientní) analýza 78 3 27 WCASE Nejhorší pøípad analýzy 79 3 28 WIDTH Šíøka výpisu 80 4 MAKROMODELY 82 4 1 Tvorba makromodelù 82 4 2 Nejpoužívanìjší prezentace zdroje E 82 4 3 Nejpoužívanìjší prezentace zdrojù øízených proudem (zdroj napìtí H, zdroj proudu F) 84 4 4 Základní makromodely 85 4 4 1 Makromodel bipolárního tranzistoru 85 4 4 2 Makromodel ideálního transformátoru 86 4 4 3 Makromodel fotodiody a fotorezistoru 88 4 4 4 Makromodel fotoodporu 89 4 4 5 Makromodel optronu s fotodiodou 90 4 4 6 Makromodel optronu s fotorezistorem 91 A A KREJÈIØÍK, Z BURIAN: SIMULUJ! 5

4 4 7 Makromodel napìtím øízeného odporu 92 4 4 8 Makromodel napìtím øízené impedance 93 4 4 9 Makromodel napìtím øízené admitance 94 4 4 10 Makromodel transformátoru s feromagnetickým jádrem 95 4 5 Pøíklady makromodelù 96 5 PRÁCE S PROGRAMEM PSPICE 106 5 1 Nastavení parametrù simulace 106 5 2 Vstupní soubor 107 5 3 Popis obvodu netlist 107 5 4 Pøíkazový blok 108 5 4 1 Fourierova analýza 110 5 4 2 Šumová analýza 111 5 5 Chyby a chybová hlášení 114 5 5 1 Výpoèet 116 5 5 2 Chybové hlášení pøi chybì ve vstupním souboru 119 5 5 3 Knihovna neobsahuje zadanou souèástku 119 5 5 4 Chyba pøi použití obecného editoru 119 5 5 5 Grafický postprocesor 120 6 VÝSLEDKY SIMULACE A JEJICH ZPRACOVÁNÍ 122 6 1 Grafické zobrazení výsledkù simulace 122 6 2 Pøíklad 124 7 7 1 7 2 7 3 7 4 7 5 7 6 7 7 7 8 SIMULACE VYBRANÝCH TYPÙ OBVODÙ S DISKRÉTNÍMI SOUÈÁSTKAMI 130 Jednocestný usmìròovaè s nabíjecím kondenzátorem naprázdno 131 Jednocestný usmìròovaè s nabíjecím kondenzátorem zatížený 135 Jednocestný usmìròovaè s nárazovou tlumivkou naprázdno 137 Jednocestný usmìròovaè s nárazovou tlumivkou zatížený 139 Jednocestný usmìròovaè s protinapìtím 140 Dvoucestný usmìròovaè s nabíjecím kondenzátorem naprázdno 142 Dvoucestný usmìròovaè s nabíjecím kondenzátorem zatížený 144 Dvoucestný usmìròovaè s nárazovou tlumivkou naprázdno 146 6 A KREJÈIØÍK, Z BURIAN: SIMULUJ! A

7 9 Dvoucestný usmìròovaè s nárazovou tlumivkou zatížený 148 7 10 Dvoucestný usmìròovaè s protinapìtím 150 7 1 11 Mùstkový usmìròovaè s nabíjecím kondenzátorem naprázdno 151 7 1 12 Mùstkový usmìròovaè s nabíjecím kondenzátorem zatížený 155 7 1 13 Mùstkový usmìròovaè s protinapìtím 162 7 1 14 Delonùv zdvojovaè s nabíjecími kondenzátory naprázdno 163 7 1 15 Delonùv zdvojovaè s nabíjecími kondenzátory zatížený 165 7 1 16 Násobiè s nabíjecími kondenzátory naprázdno 169 7 1 17 Násobiè s nabíjecími kondenzátory zatížený 171 8 SIMULACE PASIVNÍCH OBVODÙ 176 8 1 Integraèní èlánek (filtr) RC naprázdno 176 8 2 Integraèní èlánek (filtr) RCR (zatížený) 179 8 3 Integraèní èlánek (filtr) RC s parazitními prvky 181 8 4 LC filtr naprázdno 183 8 5 LCR filtr (zatížený LC èlánek) 186 8 6 Kapacitní dìliè RC-RC 189 8 7 Derivaèní èlánek (vazební èlen, horní propust, dolní zádrž) CR 192 8 8 vazební èlen CL 195 9 SIMULACE REZONANÈNÍCH OBVODÙ 198 9 1 Paralelní rezonanèní obvod LC 198 9 2 Sériový rezonanèní obvod LC 200 10 SIMULACE KLOPNÝCH OBVODÙ 204 10 1 Astabilní klopný obvod (multivibrátor, AKO) symetrický 204 10 2 Astabilní klopný obvod nesymetrický 208 10 3 Monostabilní klopný obvod (MKO) zkracující impulzy 211 10 4 Monostabilní klopný obvod prodlužující impulzy 215 10 5 Schmittùv klopný obvod (tvarovaè, SKO) 217 11 SIMULACE ZESILOVAÈÙ S TRANZISTORY 222 11 1 Nastavení a stabilizace pracovního bodu bipolárních tranzistorù 222 11 1 1 Zapojení SE (se spoleèným emitorem) 223 11 1 1 1 Nastavení (pohyb) pracovního bodu zmìnou Rb 228 11 1 1 2 Proudová zpìtná vazba 231 11 1 1 3 Vliv blokovací kapacity emitorového kondenzátoru 235 11 1 1 4 Napì ová zpìtná vazba 236 A A KREJÈIØÍK, Z BURIAN: SIMULUJ! 7

11 1 1 5 Mùstková stabilizace 239 11 1 2 Zapojení SK (se spoleèným kolektorem) 243 11 1 2 1 Závislost vstupního odporu na hodnotì emitorového odporu 246 11 1 3 Darlingtonovo zapojení tranzistorù 250 11 1 4 Zesilovaè SK + SE se stejnosmìrnou vazbou 253 11 1 5 Kapacitní vazba zesilovacího stupnì 256 11 1 6 Vypínání indukèní zátìže 259 11 1 7 Rozdílový zesilovaè 265 11 1 8 Koncový výkonový stupeò s komplementárními tranzistory 270 11 2 Nastavení pracovního bodu unipolárních tranzistorù 272 12 SIMULACE LINEÁRNÍCH STABILIZÁTORÙ NAPÌTÍ 278 12 1 Lineární parametrický stabilizátor napìtí se ZD naprázdno 278 12 2 Lineární parametrický stabilizátor napìtí se ZD zatížený 280 12 3 Zpìtnovazební stabilizátor napìtí s tranzistory 281 12 4 Stabilizátor napìtí s referenèním napìtím 285 LITERATURA 290 8 A KREJÈIØÍK, Z BURIAN: SIMULUJ! A

ÚVOD Program PSPICE je úèinným nástrojem pro vyšetøování chování elektronických obvodù pøed jejich realizací Mùže ušetøit mnoho práce i zklamání z realizace neúspìšných konstrukcí Podmínkou správné simulace je však sestavení správných modelù a to jak jednotlivých souèástek, tak celých obvodù Tato publikace by mìla pøispìt právì ke správnému sestavování simulaèních obvodù, které se v øadì pøípadù liší od obvodù reálných V tomto prvním díle se vìnujeme pouze vlastnímu programu a lineárním obvodùm, sestaveným z diskrétních souèástek Ve všech pøípadech je provedeno porovnání s matematickými výpoèty a ukázáno na omezení buï výpoètu (zejména pøechodové stavy obvodù po jejich zapnutí) nebo na omezení simulací (zejména vlivem nedokonalostí modelù jednotlivých souèástek) Vybrané simulované obvody pokrývají sice velkou oblast slaboproudé elektroniky, ale nelze pøedpokládat, že by se publikace mohla vìnovat všem oblastem Proto bylo upuštìno od simulace vysokofrekvenèních obvodù, radiofrekvenèních obvodù apod Publikace se tak zamìøuje na základní obvody, které se opakují v øadì profesionálních i amatérských konstrukcí Knihu lze použít nejen jako soubor pøíkladù, jak napsat vstupní soubory pro simulaci a jak upravit schémata zapojení, ale vzhledem ke konkrétním èíselným pøíkladùm i jako uèebnici základù elektroniky Sám program PSPICE je velmi finanènì nároèný a tak jsme se rozhodli používat pouze jeho zjednodušenou volnì šiøitelnou školní verzi s oznaèením 5 0a Tato verze umožòuje modelovat pouze obvody s omezeným poètem souèástek a uzlù Tento program PSPICE je volnì šiøitelný a spolu s knihovnami jednotlivých prvkù je možno si jej zkopírovat na adresách (http://www ee byu edu/ee/vlsi/download/ nebo také http://noel feld cvut cz/vyu/ eo/spice/) Publikace byla zpracována v rámci øešení vìdeckovýzkumného úkolu è 15 ÈVUT: Výzkum nových metod pro mìøení fyzikálních velièin a jejich aplikace v pøístrojové technice Budeme vdìèni za pøipomínky a názory ètenáøù a budeme rádi za jejich poskytnutí na e-mailové adresy: burian@feld cvut cz krejciri@feld cvut cz autoøi 14 A KREJÈIØÍK, Z BURIAN: SIMULUJ! A