Darlingtonovo zapojení

Podobné dokumenty
Jednostupňové zesilovače

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

1.1 Pokyny pro měření

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

1.3 Bipolární tranzistor

ETC Embedded Technology Club 7. setkání

Studium tranzistorového zesilovače

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

Základy elektrotechniky


ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Zesilovače. Ing. M. Bešta

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

15. ZESILOVAČE V KOMUNIKAČNÍCH ZAŘÍZENÍCH

ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Kurs praktické elektroniky a kutění

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Základní elektronické prvky a jejich modely

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma

Měření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Manuální, technická a elektrozručnost

TRANZISTOROVÝ ZESILOVAČ

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Elektronika pro informační technologie (IEL)

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

I 3 =10mA (2) R 3. 5mA (0)

Stabilizátory napětí a proudu

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Elektrotechnická zapojení

Elektronické obvody pro optoelektroniku a telekomunikační techniku pro integrovanou výuku VUT a VŠB-TU

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

Bipolární tranzistory

ETC Embedded Technology Club setkání 4, 3B zahájení třetího ročníku

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Dioda jako usměrňovač

Elektronické praktikum EPR1

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Přednáška 4 - Obsah. 1 Základní koncept přesného návrhu Koncept přesného operačního zesilovače... 1

Zpětnovazební stabilizátor napětí

Teoretický rozbor : Postup měření : a) Neinvertující zesilovač napětí (Noninverting Amplifier)

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza obvodů metodou orientovaných grafů

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah

Teorie úlohy: Operační zesilovač je elektronický obvod, který se využívá v měřící, výpočetní a regulační technice. Má napěťové zesílení alespoň A u

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

4. NELINEÁRNÍ NESETRVAČNÉ OBVODY

než je cca 5 [cm] od obvodu LT1070, doporučuje se blokovat napětí U IN

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Pokud není uvedeno jinak, uvedený materiál je z vlastních zdrojů autora

Bipolární tranzistory

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

ITO. Semestrální projekt. Fakulta Informačních Technologií

ETC Embedded Technology Club 10. setkání

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření optoelektronického vazebního členu, část

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.

Elektronické praktikum EPR1

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.

Měření na unipolárním tranzistoru

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Studium klopných obvodů

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu M/01 Strojírenství

Oscilátory. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EO.

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je operační zesilovač. Pro měření byla použita souprava s operačním zesilovačem, kde napájení bylo 5V

Měření vlastností střídavého zesilovače

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

Transkript:

Tento dokument slouží pouze pro studijní účely studentům ČVUT FEL, zejména v předmětu X31ELO Dokument nemá konečnou podobu a může se časem upravovat a doplňovat Uživatel může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby Distribuce a převod do tištěné podoby je povolen pouze se svolením autora! c Jiří Hospodka Darlingtonovo zapojení Darlingtonovo zapojení je zapojení dvou bipolárních tranzistorů, uvedené na obrázku 1 Kolektor prvního tranzistoru (T 1 ) je možné buď spojit s kolektorem druhého tranzistoru, nebo lépe zapojit přímo na napájecí napětí (zapojení SC), čímž se u tohoto tranzistoru eliminuje Millerův efekt i B1 i C1 T 1 i B2 T 2 i C2 i E2 Obrázek 1: Darlingtonovo zapojení s tranzistory NPN Pokud budou tranzistory polarizovány do aktivního režimu, platí pro proudy jednotlivých elektrod následující relace i B1 (B F 1 +1)=α N2 i C1 = i E1 = i B2 = i C2 B F 2 (1) Pro celkový proudový zesilovací činitel lze tedy psát B F = i C i B = i C2 i B1 = B F 2 (B F 1 +1) = B F 2 B F 1, (2) z čehož vyplývá první výhodná vlastnost tohoto zapojení celkový proudový zesilovací činitel je přibližně B F -násobně větší, oproti jednomu klasickému tranzistoru Proto se toto zapojení využívá zejména tam, kde požadujeme velké proudové zesílení (koncové stupně), resp malý vstupní proud Jinými slovy tam, kde je třeba velký vstupní odpor při zachování velké strmosti g m (nelze použít tranzistory FET) V dalších úvahách budeme zjednodušeně považovat proudové zesilovací činitele B F obou tranzistorů za rovné, tj i činitele α N Stejný předpoklad provedeme i u jejich střídavých ekvivalentů β a α, B F 1 = B F 2 = B F, α N1 = α N2 = α N, β 1 = β 2 = β, α 1 = α 2 = α Pro stejnosměrné proudy v pracovním bodě potom platí I C1 = α N I E1 = α N I B2 = α N I C2 I C2 = (3) B F B F Použijme nyní Darlingtonovo zapojení v konstrukci jednoduchého zesilovačů Vyjdeme z jednostupňových zesilovačů v zapojení se společným emitorem (obrázek??) a kolektorem (obrázek??), kde však místo jednoho tranzistoru použijeme nyní Darlingtonovo zapojení tranzistorů dvou

Zapojení se společným emitorem Stejnosměrný bod je nastaven pomocí napěťového zdroje U 1 Toto nastavení je spíše ilustrativní a pracovní bod není nikterak stabilizován Pro praktické použití by tedy toto nastavení pracovního bodu bylo nevhodné (nepoužitelné) V našem případě se však budeme zabývat především vlastnostmi zapojení pro střídavé signály a pro tento účel je toto jednoduché nastavení naopak výhodné +U cc R c u 2 U 1 Obrázek 2: Zesilovač v zapojení SE s Darlingtonovým zapojením tranzistorů Pro poměr kolektorových proudů platí vztah 3 Budeme-li dále uvažovat rovnost hodnot B F β,platí,vzhledemk(??)a(??), ekvivalentní relace pro strmostmi obou tranzistorů Pro hodnoty prvků linearizovaného náhradního schématu pro malé změny obvodových veličin v okolí pracovního potom platí r e1 = r π1 = g m1 = αg m2 β = g m2 β, (4) β β 2 = = β, (5) g m1 g m2 α g m1 = β g m2 = = r π1 β +1 (6) Na následujícím obrázku 3 je náhradní linearzované schéma zapojení 2 pro střídavé veličiny, kde jsou tranzistory nahrazeny π-modely r π1 u be1 i b2 = i e1 = =(β 1 +1) g m1 u be1 R c u 2 g m2 Obrázek 3: Náhradní schéma zesilovače pro malé změny obvodových veličin Pro obvodové veličiny evidentně platí

( ) = rπ1 +(β +1) = ib1 2r π1, (7) = (β +1) = r π1 +(β +1) 2, (8) u 2 = g m2 R c = g m2 R c 2 (9) Vtupní odpor a napěťové zesílení lze potom vyjádřit z (7) a (9) R vst = =2r π1 =2(β +1) (10) A u = g m2r c (11) 2 Oproti klasickému zapojení se společným emitorem s jedním tranzistorem je napěťové zesílení zesilovače s Darlingtonovým zapojením poloviční, při stejném nastavení pracovního bodu (I C = I C2 kolektorový proud tranzistoru T 2 je shodný s kolektorovým proudem tranzistoru jednostupňového zesilovače) Vstupní odpor je však 2β-násobný (r π1 =2βrπ2 )! Toto zapojení se proto používá zejména tam, kde je nutný vysoký vstupní odpor Pokusme se nyní zvýšit zesílení celkového zapojení, při zachování vysokého vstupního odporu Zapojme mezi emitory obou tranzistorů rezistor Tím zvýšíme kolektorový proud prvního tranzistoru, tj jeho strmost g m2 a zároveň snížíme jeho vsrupní odpor r π1, na kterém se nyní sníží úbytek napětí Tím se zvýší napětí, tj zesílení celého zapojení Dokažme nyní tuto úvahu pomocí analýzy tohoto zapojení Na následujícím obrázku jsou ilustrovány stejnosměrné poměry (proudy) v obvodu se zapojeným rezistorem Pracovní bod tranzistoru T 2 je nezměněn, změnilo se pouze nastavení tranzistoru T 1, proto jsou jeho proudy a následně další změněné parametry značeny odlišně čárkovaně I B1 I C1 I E1 I B2 I RE T 2 I C2 I E2 Obrázek 4: Darlingtonovo zapojení tranzistorů včetně emitorového odporu Předpokládejme, že U BE2 =07V Potom platí ( I C1 = α N I E1 = α IC2 N (I B2 + I RE )=α N + 07 ), (12) B F tj pro prvky linearizovaného obvodu tranzistoru T 1 platí g m1 r π1 = =40I C1 = α N β g m1 = β +1 ( gm2 β + 28 g m2 β + 28 ), (13) (14)

Náhradní linearizované schéma pro malé změny obvodových veličin celého zesilovače, včetně rezistoru, je pak uvedeno na následujícím obrázku r π1 u be1 g m1 u be1 R c u 2 i b2 i RE g m2 Obrázek 5: Linearizované zapojení zesilovače pro malé změny obvodových veličin Dosazením výrazu (14) do vztahů (7) a (8), resp (9), dostaneme pro vstupní odpor a zesílení nové vztahy R vst a A u, přičemž R vst = (β +1)β(2 g m2 +29β) ( g m2 +28β)( g m2 + β), (15) A u = g m2r c g m2 +28β 2 g m2 +29β (16) Pokud zavedeme proměnnou a = RE, lze tyto vztahy dále upravit tak, aby vyjadřovaly vztah mezi původními hodnotami R vst, A u a hodnotami novými R vst, A u R vst (β +1)β a(2a + 29) = g m2 (a + 28)(1 + a) = R vst a(2a + 29) () (17) 2 (a + 28)(1 + a) A u = g a +28 m2r c 2a +29 =2A a +28 u (??) (18) 2a +29 Na následujících grafech jsou pak vyneseny závislosti, vyjádřené vztahy (17) a (??) Na obrázku 6 je vynesena závislost R vst R vst na činiteli a = RE Naobrázku7je vynesena závislost = A u g m2r c = a+28 2a+29 opět na činiteli a, což je poměr zesílení A u ku zesílení klasického jednostupňového zesilovače s jedním tranzistorem v zapojení se společným emitorem, viz (??) Například pro =53rπ2 je vstupní odpor oproti zapojení bez rezistoru právě poloviční R vst = r π1 = R vst /2 a napěťové zesílení dosahuje 17 násobku zesílení bez zařazeného rezistoru,tj =084u1 Tato hodnota se již více blíží hodnotě klasického jednostupňového zesilovače v zapojení se společným emitorem (084 jeho násobku), přičemž je však hodnota vstupního odporu β násobně větší (r π1 = βrπ2 )! Pozn: Vyráběná dvojice ho má

055 05 R vst R vst 045 04 035 03 2 4 6 8 10 = a Obrázek 6: Poměr vstupního odporu zesilovače se zařazeným rezistorem abez něho v závislosti na jeho velikosti, resp na poměru RE 092 09 088 086 084 082 08 078 2 4 6 8 10 = a Obrázek 7: Poměr zesílení A u, zesilovače 2 se zařazeným rezistorem a zesílení klasického stupně SE s jedním tranzistorem v závislosti na poměru

Zapojení se společným kolektorem +U cc U 1 R z u 2 Obrázek 8: Zesilovač v zapojení SC s Darlingtonovým zapojením tranzistorů αi e1 r e1 u be1 αi e2 i e1 = i b2 r e2 i e2 R z u 2 Obrázek 9: Linearizované zapojení zesilovače pro malé změny obvodových veličin

αi e1 r e1 u be1 αi e2 i e1 = ix β +1 re2 i e2 = i x u x Obrázek 10: Linearizované náhradní zapojení zesilovače pro určení výstupního odporu i e1 β +1 αi e1 u R0 R 0 r e1 u be1 αi e2 i e1 = i x β +1 re2 i e2 = i x u x Obrázek 11: Upravené linearizované náhradní zapojení zesilovače pro určení výstupního odporu