PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus



Podobné dokumenty
Praktikum II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Praktikum II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

Praktikum II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úloha č. 11. Název: Charakteristiky diod

Praktikum III - Optika

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úlohač.5 Název: Měření osciloskopem. Pracoval: Lukáš Ledvina

Fyzikální praktikum...

1. Změřte voltampérovou charakteristiku vakuové diody (EZ 81) pomocí zapisovače 4106.

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

Elektronické praktikum EPR1

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Praktikum IV

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

1. Změřte závislost indukčnosti cívky na procházejícím proudu pro tyto případy:

1. Změřit metodou přímou závislost odporu vlákna žárovky na proudu, který jím protéká. K měření použijte stejnosměrné napětí v rozsahu do 24 V.

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Jiří Kozlík dne:

Měření charakteristik fotocitlivých prvků

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

Fyzikální praktikum II

Praktikum II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Jan Polášek stud. skup. 11 dne

I Mechanika a molekulová fyzika

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Praktikum II Elektřina a magnetismus

FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM FJFI ČVUT V PRAZE. Úloha 11: Termická emise elektronů

Fyzikální praktikum II

Systém vykonávající tlumené kmity lze popsat obyčejnou lineární diferenciální rovnice 2. řadu s nulovou pravou stranou:

Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek

Studium fotoelektrického jevu

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD

PRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecně fyziky MFF UK. úlohač.11 Název: Dynamická zkouška deformace látek v tlaku

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Charakteristiky optoelektronických součástek

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÝCH DIOD 201-3R

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úlohač.XI. Název: Měření stočení polarizační roviny

Praktikum III - Optika

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úloha č. 6. Název: Měření účiníku. dne: 16.

Fyzikální praktikum I

Autor: Mgr. Lucia Klimková Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Posuzoval:... dne:...

1.1 Usměrňovací dioda

1.3 Bipolární tranzistor

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

PRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úloha č. XXII. Název: Diferenční skenovací kalorimetrie

Měření VA charakteristik polovodičových diod

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky optoelektronických součástek

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY

FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM FJFI ČVUT V PRAZE. Úloha 11: Termická emise elektronů. Abstrakt

V-A charakteristika polovodičové diody

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úlohač.IV

I Mechanika a molekulová fyzika

Téma: Měření voltampérové charakteristiky

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úlohač.10 Název: Hallův jev. Pracoval: Lukáš Ledvina

PRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Pavel Ševeček stud. skup.: F/F1X/11 dne:

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úlohač.III. Název: Mřížkový spektrometr

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ

Fyzikální praktikum II

Laboratorní práce č. 1: Určení voltampérových charakteristik spotřebičů

Praktikum II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úloha č. 5. Název: Měření osciloskopem

PRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK

11 Termická emise elektronů

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

Fyzikální praktikum I

Praktikum I Mechanika a molekulová fyzika

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK

PRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úloha č. 11 Název: Dynamická zkouška deformace látek v tlaku

Laboratorní práce č. 3: Měření elektrického proudu a napětí

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Praktikum III - Optika

Fyzikální praktikum III

Fyzikální praktikum...

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Elektronické praktikum EPR1

Technická měření v bezpečnostním inženýrství. Elektrická měření proud, napětí, odpor

PRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úloha č. 10 Název: Rychlost šíření zvuku. Pracoval: Jakub Michálek

Úloha 15: Studium polovodičového GaAs/GaAlAs laseru

Fyzikální praktikum FJFI ČVUT v Praze

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Praktikum I Mechanika a molekulová fyzika

3. Změřte závislost proudu a výkonu na velikosti kapacity zařazené do sériového RLC obvodu.

3. Diskutujte výsledky měření z hlediska platnosti Biot-Savartova zákona.

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK

Transkript:

Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal dne: Hodnocení: Připomínky: Kapitola referátu Možný počet bodů Udělený počet bodů Teoretická část 0 3 Výsledky měření 0 10 Diskuse výsledků 0 4 Závěr 0 2 Seznam použité literatury 0 1 Celkem max. 20 Posuzoval: dne

1 Pracovní úkol 1. Změřte charakteristiky křemíkové (KY 721) a vakuové (EZ 81) diody pomocí zapisovače 4106. 2. Změřte charakteristiky Zenerovy diody (KZ 703) bod po bodu. 3. Určete její dynamický vnitřní odpor v propustném směru při proudu 200 ma a v závěrném směru pro proud 400 ma. 4. Určete odpovídající Zenerovo napětí při tomto proudu. 5. Pro tento proud (pracovní bod) zakreslete do grafu zatěžovací přímku pro napětí zdroje U 1 = 9 V. 6. Určete odpovídající stabilizační činitel. 2 Teorie Vakuová dioda je tvořena evakuovanou buňkou, ve které je umístěna katoda a anoda. Při žhavení katody dochází k emisi elektronů z katody. Při vytvoření napěťového rozdílu mezi katodou a anodou se podporuje (při kladném napětí na anodě) přechod elektronů z katody na anodu. Při nulovém napětí mezi elektrodami stále teče nepatrný proud. Jestliže na elektrody připojíme opačná napětí, bude tento proud klesat k nule. V propustném směru je závislost anodového proudu I a na anodovém napětí U a přibližně popsána vztahem I a = au 3 2 a, (1) kde a je konstanta závislá na geometrickém uspořádání elektrod. Polovodičové diody jsou tvořeny dvěma oblastmi - v oblasti typu P jsou nosiči náboje díry a v oblasti typu N elektrony. Charakteristika přechodu P-N je nesouměrná, čehož se využívá. Je-li na oblast typu P přiložen kladný pól a na oblast typu N záporný pól, je dioda zapojena v propustném směru. Jestliže se obrátí polarita napětí, odpor diody bude řádově větší, dioda bude zapojena v závěrném směru. Charakteristiku diod měříme pomocí zapisovače podle obrázku 1. R je známý odpor, který slouží k záznamu proudu, jelikož proud je úměrný napětí na odporu (svorky Y). Napětí na diodě je zaznamenáváno pomocí svorek X. Měření charakteristiky bod po bodu provádíme podle zapojení na obrázku 2, pokud je odpor voltmetru dostatečně velký vzhledem k odporu diody. Obrázek 1: Měření charakteristiky pomocí zapisovače U Zenerovy diody se využívá toho, že při zapojení diody v závěrném směru existuje určité napětí, při kterém dochází k průrazu a dioda začne vést proud. Voltampérová charakteristika Zenerovy diody je zobrazena na obrázku 3. Dynamický odpor diody je dán vzorcem 2

Obrázek 2: Měření charakteristiky bod po bodu Obrázek 3: Voltampérová charakteristika Zenerovy diody 3

r i = U 0 I 0, (2) kde U 0 je přírůstek napětí a I 0 přírůstek proudu v daném bodě voltampérové charakteristiky. Zenerovy diody mají uplatnění při stabilizaci napětí v obvodu (obrázek 4). Napětí U 0 na diodě Obrázek 4: Stabilizace stejnosměrného napětí bude dáno vztahem U 0 = U 1 R s I, (3) kde U 1 je napětí zdroje, I je proud v obvodu a R s je odpor zvolený tak, aby zatěžovací přímka protínala charakteristiku diody v průrazné oblasti. Jestliže je v této oblasti Zenerovo napětí U Z a diodou prochází proud I Z, pak volíme R s = U 1 U Z I Z. (4) Stabilizační činitel S u je definován jako poměr relativní změny vstupního napětí a relativní změny výstupního napětí. U 1 U S u = 1 U 0 = U 0 U 1 (5) U U 1 U 0 0 Tento vztah se dá přepsat jako Při počítání přenosu chyb budu používat vzorec podle [1] S u = U 0(R s + r i ) U 1 r i (6) σ 2 f = n ( f i=1 x i ) 2 σx 2 i (7) µ 3 Výsledky měření Měřil jsem charakteristiku Zenerovy diody v propustném a závěrném směru bod po bodu podle zapojení na obrázku 2. Při měření v závěrné části charakteristiky, kdy je odpor diody největší, jsem ověřil, že se procházející proud měřený ampérmetrem nezmění při odpojení voltmetru, odpor voltmetru je tedy dostatečně velký vzhledem k odporu diody, aby toto zapojení mohlo být použito. Naměřené hodnoty jsou uvedeny v tabulce 1 a vyneseny do grafu 1. Dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody pro dané proudy jsem určil lineární regresí blízkých bodů voltampérové charakteristiky. Chybu měření jsem určil z chyby lineární regrese a z nepřesnosti měřicích přístrojů. V propustném směru je při proudu I = 200 ma (pro regresi použity body z rozmezí 140-224 ma) dynamický vnitřní odpor r ip = (0, 17 ± 0, 01) Ω. (8) 4

Tabulka 1: Voltampérová charakteristika Zenerovy diody bod po bodu Závěrný směr Propustný směr I [µa] U [V] I [ma] U [V] I [ma] U [V] 2,5 3,106 1,95 6,786 0,0070 0,342 5,0 3,847 2,3 6,796 0,0105 0,361 8,0 4,252 3,4 6,815 0,026 0,403 10,0 4,478 4,2 6,822 0,040 0,423 13,0 4,700 5,4 6,831 0,054 0,437 15,0 4,803 17,0 6,869 0,075 0,452 20,0 5,020 22,8 6,877 0,090 0,460 25,0 5,177 52,0 6,902 0,150 0,482 30,5 5,308 124 6,944 0,220 0,498 35,0 5,404 152 6,955 0,295 0,512 40,5 5,488 210 6,973 0,405 0,526 48,0 5,590 260 7,000 0,475 0,532 60,0 5,715 280 7,015 0,50 0,534 70 5,805 310 7,025 1,50 0,580 80 5,873 370 7,049 2,00 0,589 91 5,940 420 7,063 2,45 0,598 100 5,984 450 7,074 3,8 0,614 125 6,086 500 7,057 11,4 0,652 150 6,178 620 7,095 14,8 0,661 200 6,297 780 7,172 18,8 0,668 250 6,386 940 7,213 24 0,676 305 6,459 45 0,695 355 6,512 70 0,713 405 6,548 140 0,737 450 6,581 160 0,739 490 6,605 204 0,748 500 6,621 220 0,750 900 6,721 224 0,751 5

400 200 Graf 1: Voltampérová charakteristika Zenerovy diody KZ 703 Naměřené hodnoty Zatěžovací přímka 0 I [ma] -200-400 -600-800 -1000-8 -7-6 -5-4 -3-2 -1 0 1 U [V] V závěrném směru je při proudu I = 400 ma (pro regresi použity body z rozmezí 280-500 ma) dynamický vnitřní odpor r iz = (0, 24 ± 0, 06) Ω. (9) Při zapojení v závěrném směru a proudu I = 400 ma bude na diodě Zenerovo napětí U 0 = (7, 1 ± 0, 1) V. (10) Pro tento proud (pracovní bod) a napětí zdroje U 1 = 9 V je v zapojení pro stabilizaci napětí (obrázek 4) vhodné použít odpor R s = 4, 75 Ω, (11) zatěžovací přímka pro tento odpor je znázorněna v grafu 1. Stabilizační činitel je určen ze vzorce (6). 4 Diskuse výsledků S u = 16 ± 4 (12) Naměřená charakteristika vakuové i křemíkové diody odpovídá předpokládaným závislostem. U vakuové diody jsem v souladu s předpokladem naměřil i při nulovém a malém záporném napětí mezi elektrodami malý proud, který má stejnou orientaci jako v propustném směru. Při měření pomocí zapisovače dochází k jistým nepřesnostem, což je vidět z toho, že závislosti nejsou hladké. Naměřená voltampérová charakteristika Zenerovy diody také odpovídá teoretické závislosti, v jejích částech, kde jsem určoval dynamický vnitřní odpor, je z grafu 1 vidět, že je dostatečně lineární. Při měření dynamického vnitřního odporu vznikla relativně velká chyba, která se také promítla do chyby určení stabilizačního činitele. Tato chyba je způsobena malým rozsahem hodnot započítaných při lineární regresi. Pokud bychom do lineární regrese zahrnuli větší rozsah hodnot, závislost by už nebyla tak lineární a dopouštěli bychom se další chyby. 6

5 Závěr Změřil jsem voltampérové charakteristiky vakuové diody EZ 81 a křemíkové diody KY 721 pomocí zapisovače (grafy 2 a 3 v přiloženém listu). Změřil jsem charakteristiku Zenerovy diody KZ 703 bod po bodu, naměřené hodnoty jsou uvedeny v tabulce 1 a charakteristika je znázorněna v grafu 1. Určil jsem dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma a v závěrném směru při proudu 400 ma Zenerovo napětí při proudu 400 ma je r ip = (0, 17 ± 0, 01) Ω (13) r iz = (0, 24 ± 0, 06) Ω. (14) U 0 = (7, 1 ± 0, 1) V. (15) Pro proud 400 ma jsem zakreslil do grafu 1 zatěžovací přímku pro napětí zdroje U 1 = 9 V. Určil jsem stabilizační činitel S u = 16 ± 4 (16) Reference [1] J. Englich: Úvod do praktické fyziky I, Matfyzpress, Praha 2006 [2] R. Bakule, J. Šternberk: Fyzikální praktikum II - Elektřina a magnetismus, SPN, Praha 7