Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.



Podobné dokumenty
Bipolární tranzistory

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Elektronické praktikum EPR1

Bipolární tranzistory

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Zvyšování kvality výuky technických oborů

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Zvyšování kvality výuky technických oborů

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

15. ZESILOVAČE V KOMUNIKAČNÍCH ZAŘÍZENÍCH

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Měření na unipolárním tranzistoru

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

1.1 Pokyny pro měření

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

Dioda jako usměrňovač

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Manuální, technická a elektrozručnost

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Neřízené polovodičové prvky

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ

Katalog vybraných součástek TESLA

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Typ UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

ETC Embedded Technology Club 7. setkání

Zvyšování kvality výuky technických oborů

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor

Operační zesilovač. Úloha A2: Úkoly: Nutné vstupní znalosti: Diagnostika a testování elektronických systémů

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS

7. Elektrický proud v polovodičích

Zvyšování kvality výuky technických oborů

napájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól

Stabilizátory napětí a proudu

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Oscilátory Oscilátory

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

IOFLEX02 PROGRAMOVATELNÁ DESKA 16 VSTUPŮ A 32 VÝSTUPŮ. Příručka uživatele. Střešovická 49, Praha 6, s o f c o s o f c o n.

1.3 Bipolární tranzistor

Aut 2- prvky ovládacích soustav + regulační technika (1/3)

Základy elektrotechniky

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_04_Zesilovače a Oscilátory

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Základy elektrotechniky

PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah

MULTIGENERÁTOR TEORIE

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

Schmittův klopný obvod

U01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),

BJT jako zesilovač malého signálu. BJT jako odporový dvojbran. Linearizace charakteristik pro okolí P 0. zapojení SE!! U CE

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

Transkript:

ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod s obvykle polarizuje v propustném směru, kolektorový ve směru závěrném ipolární tranzistor - struktura Typ polovodičů určuje typ tranzistoru 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 1 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 2 Princip práce tranzistoru Proud, (elektrony tečou opačně) Princip práce tranzistoru Vodní přirovnání Malým proudem báze ovládám mnohem větší proud kolektoru 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 3 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 4 Zesílení Proudové Napěťové Výkonové Zapojení SE P β np np β Malý vstupní a velký výstupní odpor ( d) P ( d) ( d) 20*log α β 1 α β 20*log 10*log np np E 1 / β Zapojení S P P R R VST VST Velký VÝST VÝST E ( S ) P( SE ) < E + Malý E 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 5 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 6 1

Tři základní zapojení tranzistoru Soustava charakteristik - SE 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 7 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 8 Druhy tranzistorů niverzální - zesilovací stupně P je 50 až 500 mw E do 30 až 50 V do 500 m Výkonové P je jednotky až stovky W E do 50 až 150 V je jednotky až desítky Vysokofrekvenční P do 1 W, f max do 500 MHz Spínací - optimalizovány na rychlé změny Zesilovací stupeň - pracovní bod Výkonová ztráta Na příklad K611 max 3 E max 50 V Ptot 10 W 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 9 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 10 Zesilovací stupeň - pracovní bod Nastavení pracovního bodu a b max mez velkých nelinearit mez velkých nelinearit mezní hodnota tranzistoru max mezní hodnota tranzistoru P max mezní hodnota tranzistoru P O Ptracovní oblast 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 11 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 12 2

Spínací tranzistory Spínací tranzistory i b i b t d t r t s t f zpoždění impulsu (delay time) doba čela impulsu (rise time) přetah impulsu (storage time) týl impulsu (fall time) i c t on celková zapínací doba t d + t r Požadavek je krátký spínací čas a a malé saturační napětí Esat 1, 1 saturační režim (malý úbytek napětí, pomalý) 2, 2 proudový spínací režim (větší úbytek napětí, rychlejší, obtížně se nastavuje) 3, 3 lavinový režim (nejrychlejší, velký úbytek napětí) t d t r t s t f t off celková vypínací doba t s + t f 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 13 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 14 Darlinktonovo zapojení Pouzdra tranzistorů β β β D T1 T 2 E D E T1 + E T 2 R VST D R VST T + R VST T 2 β T1 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 15 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 16 NPN tranzistor, vytvořený v epitaxní vrstvě Fyzické provedení 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 17 Značení tranzistorů První písmeno (G) germaniový tranzistor (K) křemíkový tranzistor Druhé písmeno nízkofrekvenční tranzistory D nízkofrekvenční výkonový tr. F vysokofrekvenční tranzistory L vysokofrekvenční výkonové tr. S spínací tranzistory spínací výkonové tr. třetí písmeno neoznačuje přímo techn. param 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 18 3

Značení tranzistorů -příklady 168, 168, 168 108, 108, 108 jeden a ten samý tranzistor křemíkový pro nízkofrekvenční zesilovače a všeobecné použití liší se pouzdrem 108 x 168 liší se zesílením (β) od 170, od 290, od 500 Příkl. použití - sériový stabilizátor SE K 508 nízkofrekvenční NPN tranzistor Tesla -křemíkový K 611 spínací výkonový NPN tranzistor Tesla -křemíkový G 507 nízkofrekvenční PNP tranzistor Tesla - germaniový 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 19 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 20 Příkl. použití - darlinkton Příkl. použití - darlinkton, zesil. odch. SE SE S 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 21 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 22 Příkl. použití - NF zesilovač Příkl. použití-kapacitně vázaný zes. S S 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 23 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 24 4

Příkl. použití-stejnosměrně vázaný zes. Příkl. použití - komplementár Vstup báze T1 Výstup nebo E T2 Odporem R ZP1 se nastavuje zesílení celého stupně 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 25 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 26 Příkl. použití - oscilátor Příkl. použití - spínač LED, relé... 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 27 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 28 Příkl. použití - multivibrátor Příkl. použití - Schmitův KO vykazuje hysterezi 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 29 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 30 5

Příkl. použití - diferenční zesilovač principiální sch. 27.2.2008 Základy elektroniky - 4. přednáška 31 6