Volativní paměti: Dynamická paměť RAM

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Volativní paměti: Dynamická paměť RAM"

Transkript

1 Petr Vích 4. C Maturita 2008/2009

2 Technologie výroby a. TTL tranzistor tranzistor logic - drahá b. CMOS complement metal oxid semiconductor Unipolární tranzistor PMOS pozitivní pomalá NMOS - negativní rychlá c. BICMOS bipolární tranzistor u čipů PNP NPN Typy pamětí z hlediska přístupu: Blokové schéma Volativní paměti: Dynamická paměť RAM DRAM Dynamic Random Acces Memory Správnější označení by mělo znít DRWM (Dynamic Read-Write Memory), protože i paměti ROM, tj. Read-Only Memory, do kterých nelze zapisovat nové informace, umožňují náhodný přístup (Random Acces) k datům Nejčastěji používaný typ paměti ve výpočetní technice (operační paměť počítače PC) Informace uchována jen při zajištěném napájení Zapsaná hodnota uchována jako náboj na parazitní kapacitě tranzistoru MOSFET Informace o jednom bitu je uchována pomocí malého náboje uloženého v kondenzátoru Ve skutečnosti nejde o kondenzátor, ale strukturu na čipu, která se chová jako kondenzátor s malou kapacitou (cca 0,1 pf) Paměťová buňka je velmi jednoduchá buňka, což umožňuje dosažení vyšší kapacity na menší ploše Jednoduchá struktura = nízká cena paměti Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

3 Zápis - na vodič X-W přivedeme aktivní úroveň (1), čímž se otevře tranzistor T3 Na vodič Y-W přivedeme zapisovanou informaci a ta se přes T3 uloží do Cp. Cp se tedy buď nabije (1) nebo vybije (0) Čtení - na vodič X-R se přivede aktivní úroveň, čímž se otevře tranzistor T2 a stav T1 ovlivní vodič Y-R Je-li Cp nabitý, T1 je otevřený a potom přes otevřený T2 a T1 je vodič Y-R na nulovém potenciálu - log 0 Čtení - na vodič X-R se přivede aktivní úroveň, čímž se otevře tranzistor T2 a stav T1 ovlivní vodič Y-R Je-li Cp vybitý, T1 je zavřený a přes otevřený T2 se připojí na vodič Y-R, na kterém bude úroveň log 1 Na vodič Y-R je tedy vždy přivedena opačná log. úroveň než jaký je obsah buňky Refresh DRAM Vzhledem k tomu, že kapacita uchovávající informaci je velmi malá a okolní prostředí není zcela nevodivé, dochází k samovolnému vybíjení a tím i k postupnému přechodu z úrovně logické jedničky do úrovně nuly Dochází tedy k zapomínání zapsané informace Z tohoto důvodu je nutné, aby byly údaje zapsané v dynamické paměti periodicky obnovovány Obnova se provádí tak, že se naráz přečtou hodnoty všech paměťových buněk umístěných v jednom řádků a následně se tyto hodnoty zapíší zpět Také při čtení se kapacita vybije tak, že se náboj spotřebuje na otevření tranzistorů čtení je tedy destruktivní operací a přečtená (zničená) informace se musí obnovit Kvůli nutnosti provádět Refresh mají dynamické paměti vyšší spotřebu el. Energie Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

4 Statická paměť RAM (SRAM) Slovem statická je myšleno to, že jednou zapsaný bit je v paměťové buňce držen po libovolně dlouhou dobu (pokud se nepřeruší napájení) a také to, že čtení není destruktivní, tzn. přečtením hodnoty bitu se obsah paměťové buňky neztrácí Informace uchována jen při zajištěném napájení Použito je 6 tranzistorů pro jednu paměťovou buňku a z toho plyne vyšší cena za jeden bit a větší plocha, kterou na čipu jedna paměťová buňka zabírá Základní buňku tvoří klopný obvod (mnohem složitější buňka než u paměti dynamické, ale je rychlejší a není nutné ji občerstvovat) Nízká spotřeba energie (nenabíjí se kondenzátory a překlápí se tranzistory a neprovádí se refresh) Kratší přístupová doba než u DRAM Nejčastěji používaný typ paměti v mikroprocesorové technice (právě protože netřeba provádět Refresh a paměti zde běžně používané nízké kapacity se prakticky nevyrábějí jako dynamické) 2 datové vodiče Data je určený k zápisu do paměti. Vodič označený jako \Data se používá ke čtení. Hodnota na tomto vodiči je vždy opačná než hodnota uložená v paměti. Při zápisu - se na adresový vodič umístí hodnota logická 1. Tranzistory T1 a T2 se otevřou. Na vodič Data se přivede zapisovaná hodnota (např 1). Tranzistor T1 je otevřen, takže jednička na vodiči Data otevře tranzistor T4 a tímto dojde k uzavření tranzistoru T3. Tento stav obvodu představuje uložení hodnoty 0 do paměti. Při čtení - je na adresový vodič přivedena hodnota logická 1, což způsobí otevření tranzistorů T1 a T2. Jestliže byla v paměti zapsána hodnota 1, je tranzistor T4 otevřen (tj. na jeho výstupu je hodnota 0) Jestliže byla v paměti zapsána hodnota 0, je tranzistor T4 uzavřen (tj. na jeho výstupu je hodnota 1) Výstupní log. úroveň je opačná oproti úrovni zapsané Výstupní log. úroveň je čtena přes vodič /DATA Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

5 Nevolatilní paměti Dosud jsme se seznámili s principem statických pamětí s náhodným přístupem (SRAM) a pamětí dynamických (DRAM) Oba typy pamětí po vypnutí napájecího napětí nenávratně ztrácí svůj obsah Takové paměti se nazývají volatilní (závislé na napájecím napětí) V moderních počítačích jsou volatilní paměti využívány v roli operační paměti, vyrovnávací paměti (cache) a zálohované paměti parametrů BIOSu Po zapnutí počítače nejsou ve volatilních pamětech uloženy žádné informace, tzn. ani strojový kód instrukcí, které by mohl mikroprocesor po zapnutí počítače začít zpracovávat Všechny počítače tedy musí obsahovat i nevolatilní paměť, jejíž obsah není závislý na napájení. V této nevolatilní paměti je uložen BIOS, který řídí činnost počítače po jeho zapnutí a umožní načtení operačního systému z disku Další nevolatilní paměti jsou v řídicí jednotce HDD, optické mechaniky, grafické karty apod. (obsahují firmware těchto periferií) Paměti ROM Vývojově nejstarší jsou paměti ROM (Read-Only Memory), do kterých jsou informace zapsány již při výrobě čipu jednou zapsanou hodnotu již nelze změnit Výroba ROM je velmi levná, jde o nejjednodušší formu uchování informací na křemíkových čipech Rychlost přístupu k datům je cca ns Nákladné je prvotní vytvoření masky pro výrobu čipů, proto se tyto typy pamětí vyplatí vyrábět pouze při velkém množství (desetitisíce) identických kusů Paměť ROM je vlastně kombinační logický obvod V mikroprocesorové technice používané pro uložení konstant, monitoru, programu u sériově vyráběné aplikace Paměti PROM: Paměť PROM neobsahuje po vyrobení žádnou pevnou informaci a je až na uživateli, aby provedl příslušný zápis informace. Tento zápis je možné provést pouze jednou a poté již paměť slouží stejně jako paměť ROM. Při výrobě je vyrobena matice obsahující spojené adresové vodiče s datovými vodiči přes polovodičovou diodu a tavnou pojistku z NiCr Takto vyrobená paměť obsahuje na začátku samé hodnoty 1 Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

6 programování, které se provádí ve speciálním přípravku, je založeno na destruktivním přerušení spojů v těch místech, kde má být zapsána logická nula Zápis informace se provádí vyšší hodnotou elektrického proudu (cca 10 ma), která způsobí přepálení tavné pojistky a tím i definitivně zápis hodnoty 0 do příslušné paměťové buňky. Zápis dat je prováděn po jednotlivých bitech tak, že je na příslušnou svislou vodivou cestu přivedeno relativně vysoké napětí (15-30V) a vodorovná vodivá cesta je uzemněna V místě spoje vodorovné a svislé vodivé cesty se nachází polovodičový prvek a k němu sériově připojený rezistor, kterými začne protékat poměrně vysoký proud, který způsobí, že se rezistor zahřeje na tak vysokou teplotu, že je jeho odporová část roztavena a spoj se přeruší bez možnosti jeho obnovy příslušný bit je trvale vynulován Paměti EPROM: Erasable Programable Read Only Memory Obsah paměti lze několikrát zapsat a smazat Mazání se však u těchto pamětí neprovádí elektrickým signálem, ale ultrafialovým zářením Obsah lze zapsat jen v programátoru (spec. zařízení) Paměťové buňky tvořeny tranzistory MOSFET s nábojem zanechaným na izolovaném hradle (udrží se v ní elektrický náboj po velmi dlouhou dobu, řádově desítky let) Tento náboj lze smazat ve všech buňkách současně delším působením UV záření Paměti jsou vybaveny okénkem, které UV propustí Levnější paměti okénko nemají- lze je tedy ale naprogramovat jen jednou (OTP One Time Programable) Zápis se provádí větším elektrickým napětím přivedeným na tranzistor, kde elektron překoná nevodivou vrstvičku, která elektrodu izoluje od substrátu a nemá již dostatečnou energii k tomu, aby přeskočil zpět Zapsaná informace je zapamatována a může být následně čtena tak, že se zjišťuje, zda je příslušný tranzistor ve vodivém či nevodivém stavu (elektrický náboj v izolované elektrodě otevírá kanál tranzistoru, který se stává vodivým) Tímto způsobem je možné, za použití vyššího programovacího napětí (cca 20V) zapsat do libovolného místa paměti EPROM bit s hodnotou nula Zápis jedničky do jediné paměťové buňky není bez smazání celé paměti možný Smazáním paměti se zapíše jednička do všech buněk Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

7 Mazání je možné několikrát opakovat, ovšem s tím, že se postupně vlastnosti čipu degradují a doba potřebná pro smazání se prodlužuje Smazané buňky mají obsah FFh EPROM obvody mají vývody pro napájení při běžném provozu a pro programovací napájení (vyšší) Režim programování se aktivuje vývodem PGM Programovací postupy i napětí se u jednotlivých typů různých výrobců liší. Programátor musí identifikovat typ a výrobce Tuto identifikaci lze číst při přivedení programovacího napětí na vývod A9 na datovém výstupu Paměti EEPROM: Paměti EEPROM umožňují programovací cyklus zkrátit jsou mazané elektricky Je možné mazání jednotlivých buněk (EPROM nebo FLASH se naproti tomu maže vždy celá) Zápis startován nastavením signálu WE (write enable) to spustí vnitřní automat, který se postará o smazání starého obsahu a zápis nové hodnoty. Programátor nebo počítač pak může provádět např. jiný výpočet a nakonec pozná, že nová hodnota byla zapsána, testem nejnižšího bitu, který je během fáze autonomního programování negován Zápis je podobný práci s RAM V současnosti se od použití této paměti upouští a využívá se paměti typu Flash Paměti FLASH velká kapacita čipu a relativně nízká cena Mazání je elektrické a využívá Fowler- Nordheimova tunelového jevu paměti se od EEPROM liší především tím, že je zápis i mazání prováděn po blocích, přičemž mazání je velmi rychlé přeprogramovatelná přibližně krát Pro mazání a programování je třeba přivést zvýšené programovací napětí na vývod Vpp Programování se provádí přes příkazový registr, do kterého mikropočítač po datových vodičích zapisuje povely (na rozdíl od EEPROM, kde je zápis řízen vestavěným automatem a podobá se zápisu do RAM) Příkaz ke smazání paměti je dvoubajtový, následován prodlevou a ověřením, že všechny buňky byly smazány Smazaná paměť má ve všech buňkách FFh Zápisem se pak vlastně nulují vybrané bity Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

8 Zapsat nulu lze vždy (i do nesmazané paměti) Zapsat bajt FFh nelze (je třeba celou paměť smazat) Před mazáním se nejdříve paměť přepíše bajty 00h (kvůli rovnoměrnému mazacímu proudu) Větší kapacity jsou dosaženy spojením několika malých Flash pamětí Tyto menší flash paměti tvoří tzv. bloky nebo sektory Při zápisu se nemusí nulovat a mazat celá velká paměť ale pouze jeden sektor (blok) U většiny čipů se udává minimální garantovaný počet přepisů/vymazání každého bloku v řádu stovek tisíc Jedná se zdánlivě o vysokou hodnotu, v porovnání s přepisovatelnými kompaktními disky či DVD, V případě, kdy FLASH paměti nahrazují disk, již může být tato hodnota kritická, hlavně při použití souborových systémů, které nedokáží rozložit zápisy tak, aby byl počet mazání každého paměťového bloku přibližně stejný Například souborový systém FAT, velmi často používaný právě pro FLASH disky, je nevýhodný, protože prakticky jakákoli změna v souborovém systému znamená zápis do alokační tabulky umístěné na pevném místě v za sebou jdoucích blocích Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

9 Časování paměti: Rychlost vyhledávání Rychlost vyhledávání je ovlivněna řadou faktorů. Datový prostor je organizován do banků, což jsou struktury definované určitým počtem řádek a sloupců. Aby bylo možné nalézt ty správná data, musí být napřed vybrán ten správný bank a následně musí dojít k vyhledávání řádku a sloupce. K účelu vyhledávání je definována řada příkazů. Délka těchto příkazů je uváděna v hodinových cyklech (T). Tak například 3T znamená tři hodinové cykly, 2.5T pak dva a půl hodinového cyklu. Cílem samozřejmě je dosáhnout co nejkratší doby vyhledávání, protože i počet hodinových cyklů má být ideálně co nejmenší. Dražší paměti se liší právě tím, že mají kratší dobu vyhledávání. Kratší v tomto případě znamená, že paměť dokončí operace rychleji, bez ohledu na nastavení, tedy bez ohledu na to, jak rychle jsou data skutečně čtena - je to tedy podobné jako například maximální rychlost automobilu. Výrobci obvykle značí časování pamětí následovně: Možné je ale i udávání hodnot obráceně, což více vyhovuje marketingovým Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

10 požadavkům (první je položka CAS Latency, která je v propagačních materiálech zmiňovaná více než často): Přestože toto značení neobsahuje veškeré parametry, udává ty nejdůležitější. Jinými slovy údaje poví o výkonu pamětí hodně. Řekněme si nyní něco o jednotlivých příkazech. Po té, co je vybrán bank (matice dat), je nutné nejprve vybrat řádek. Paměťový řadič vyvolá příkaz Row Address Strobe (tras) - jinak také Minimum RAS Active Time (minimální čas po vyvolání stavu Active pro stabilizaci). Tato operace trvá běžně pět či více cyklů a v podstatě udává, za jak dlouho je řádek použitelný - vyhledaný a připravený. Následuje příkaz RAS to CAS Delay (trcd), což je prodleva mezi hledáním řádku (RAS) a hledáním sloupce (CAS - Column Address Strobe), následovaný samotným vyhledáním sloupce, tedy operací CAS Latency (tcl). Po tomto vyhledání již jsou data přečtena. Název tcas(column Acces Strobe Latency) nebo tcl (cas latency) typické hodnoty (hodinových taktů) 2-5 trcd (RAS to CAS Delay) 3-5 popis Po tomto vyhledání již jsou data přečtena. prodleva mezi hledáním řádku (RAS) a hledáním sloupce (CAS) trp (Row Precharge) 2-5 obnoví data ve čtených buňkách tras (Row Address Strobe) 5-10 délka trvání adresace řádků CAS latency (CL) získáme ze vzorce tcac CL tclk Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

11 Kde je tcac Column Access Time a tclk je délka cyklu. Pro časování platí následující: CAS latency - platí, že čím nižší tím lepší trp - u nejlepších pamětí je tato hodnota 2. Opět platí - nižší je lepší. trcd - zde platí stejné pravidlo, jako pro trp a často lze použít i stejnou hodnotu. tras - zde je trochu zakopaný pes, jelikož nastavení těchto hodnot hodně záleží na daném čipsetu. Obr SPD čip Vlastní nastavení časování má vliv na výkon systému v jednotkách procent, vše však závisí na používaných aplikacích. Každá z pamětí má od výrobce určené optimální nastavení tohoto časování tak, aby bylo zajištěno, že v systému (z tohoto pohledu) stoprocentně poběží a nebudou s ní problémy. Výrobci tím navíc usnadňují život běžným (nezkušeným) uživatelům, kteří se tak nemusí o nic starat. Toto optimální nastavení je s dalšími hodnotami (jako velikost paměti, voltáž, rychlost, ) uloženo v SPD (Serial Presence Detect) čipu, přítomného na každém paměťovém modulu, ze kterého toto nastavení deska přečte. Pokud na paměti tento čip není nebo je třeba poškozen a deska tak nedetekuje doporučená nastavení, poté automaticky nastaví nejkonzervativnější hodnoty. Pokud některým uživatelům nastavené hodnoty (ať už ty nejnižší nebo ty z SPD čipu) nevyhovují, pak je mají možnost na většině základních desek změnit v BIOSu sami. Poslední věcí je označení Dual-Bank a Dual-Side. Tyto dva pojmy se nesmí zaměňovat, jelikož Dual-Side je označení pro umístění paměťových čipů na obou stranách pamětí, ale Dual-Bank je elektrický termín, který říká, že paměti jsou rozděleny na dvě elektrické části. Tyto pojmy jsou někdy důležité při řešení problémů s kompatibilitou u některých základních desek. Row Refresh Cycle Time (trfc) - Doba po vyvolání REF (viz dále) a opětovným nastolením stavu Active, tedy doba obnovy refreshe dat v banku. Některé řadiče umožňují také konfigurace dalších parametrů. Write Recovery Time (twr) je doba, která musí uplynout po zadání zápisu před tím, než bude vydán příkaz Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

12 Row Precharge. Pokud by byl tento zadán příliš rychle, budou obnovena data, která jsou příliš stará, tj. nestihne se zápis nových dat. Write to Read Delay (twtr) pro změnu udává, kolik cyklů musí uplynout před tím, než je vyvolána operace čtení po té, co právě proběhl zápis. Obdobně Read to Write Delay (trwt) značí prodlevu mezi čtením a následným zápisem. Důležitým parametrem je také Refresh Rate (tref). Paměťové čipy DRAM musí čas od času obnovovat veškerý svůj obsah, jinak se všechna data ztratí. Toto obnovování může probíhat po různě dlouhých okamžicích, udávaných v mikrosekundách (obvykle například 7.8µs). Délka je závislá na "hustotě" pamětí, tedy čím vyšší je kapacita čipu, tím musí být doba obnovování kratší, protože se musí vystřídat jednotlivé banky - čas totiž udává, za jak dlouho se má začít obnovovat další bank, nikoli jak dlouho se bude obnovovat jeden bank (od toho je zde čas trfc). Refresh se totiž obvykle neprovádí u všech banků současně, ale na střídačku. Čím bude prodleva mezi obnovováním banků delší, tím méně refresh operací se za určitý časový okamžik stane. To tedy znamená, že se zvýší pravděpodobnost ztráty dat, zároveň ale také vzroste výkon. To z toho důvodu, že v průběhu obnovy dat je bank nepřístupný jakékoli operaci. Cílem je tedy provádět co nejméně těchto operací, ale stále zaručit zachování obsahu. Problém s poklesem výkonu se pak snaží řešit Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

13 technologie zvaná Bank Interleave, která organizuje data prokládaně. Tím se zvyšují šance, že budou čtena data z banku, u nějž právě neprobíhá refresh. Bank Interleave může být různě intenzivní (2-way, 4-way...), kdy intenzivnější prokládání znamená vyšší výkon. Výpočet datového toku: Zadáno: DDR3 200 MHz efektivní frekvence (rozmezí MHz) Výpočet: Paměti mají 64b sběrnici = 8 B DDR3 je 2 3 = 8 bitů za takt Zdánlivá frekvence: = 1,6 GHz Výpočet datového toku: = 12,8 GB/s Drábek Tomáš 4. C Stránka /2009

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

Více

Něco málo o časování a frekvenci

Něco málo o časování a frekvenci Paměti 2 Něco málo o časování a frekvenci Pokud pomineme rozdílné technologie (FPM, EDO, SDRAM, DDR SDRAM...), liší se paměti v zásadě pouze frekvencí a časováním. Ale co to vůbec je? Tyto dva faktory

Více

Dělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti. Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /11- Západočeská univerzita v Plzni

Dělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti. Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /11- Západočeská univerzita v Plzni ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Počítačové systémy Vnitřní paměti Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/11- Západočeská univerzita v Plzni ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní

Více

Paměti počítače ROM, RAM

Paměti počítače ROM, RAM Paměti počítače ROM, RAM Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje. Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru

Více

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru jsou používány

Více

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů projekt GML Brno Docens DUM č. 10 v sadě 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů Autor: Roman Hrdlička Datum: 04.12.2013 Ročník: 1A, 1B, 1C Anotace DUMu: jak fungují vnitřní paměti, typy ROM a RAM pamětí,

Více

Ne vždy je sběrnice obousměrná

Ne vždy je sběrnice obousměrná PAMĚTI Ne vždy je sběrnice obousměrná Paměti ROM (Read Only Memory) určeny pouze pro čtení informací. Informace jsou do těchto pamětí pevně zapsány při jejich výrobě a potom již není možné žádným způsobem

Více

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Více

Paměti počítače 9.přednáška

Paměti počítače 9.přednáška Paměti počíta tače 9.přednáška Paměť Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na

Více

Paměti Josef Horálek

Paměti Josef Horálek Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární

Více

Paměti operační paměti

Paměti operační paměti Paměti operační paměti Autor: Kulhánek Zdeněk Škola: Hotelová škola, Obchodní akademie a Střední průmyslová škola Teplice, Benešovo náměstí 1, příspěvková organizace Kód: VY_32_INOVACE_ICT_828 1.11.2012

Více

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3) Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informatika 2 Technické prostředky počítačové techniky - 2 Přednáší: doc. Ing. Jan Skrbek, Dr. - KIN Přednášky: středa 14 20 15 55 Spojení: e-mail: jan.skrbek@tul.cz 16 10 17 45 tel.: 48 535 2442 Obsah:

Více

Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/21- Západočeská univerzita v Plzni

Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/21- Západočeská univerzita v Plzni Počítačové systémy Vnitřní paměti Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/21- Západočeská univerzita v Plzni Hierarchire pamětí Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-2/21- Západočeská univerzita

Více

Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/

Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/ Střední odborná škola elektrotechnická, Centrum odborné přípravy Zvolenovská 537, Hluboká nad Vltavou Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/34.0448 CZ.1.07/1.5.00/34.0448 1 Číslo projektu

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEIII Paměti konstant

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEIII Paměti konstant Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEIII - 1.5 Paměti konstant Obor: Mechanik elektronik Ročník: 3. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je spolufinancován

Více

PAMĚTI ROM, RAM, EPROM, EEPROM

PAMĚTI ROM, RAM, EPROM, EEPROM Elektronická paměť je součástka, zařízení nebo materiál, který umožní uložit obsah informace (zápis do paměti), uchovat ji po požadovanou dobu a znovu ji získat pro další použití (čtení paměti). Informace

Více

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry.

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry. Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod Operační paměť

Více

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

1 Paměť a číselné soustavy

1 Paměť a číselné soustavy Úvod 1 Paměť a číselné soustavy Počítač používá různé typy pamětí. Odlišují se svou funkcí, velikostí, rychlostí zápisu a čtení, schopností udržet data v paměti. Úkolem paměti je zpřístupňovat data dle

Více

Technické prostředky počítačové techniky

Technické prostředky počítačové techniky Počítač - stroj, který podle předem připravených instrukcí zpracovává data Základní části: centrální procesorová jednotka (schopná řídit se posloupností instrukcí a ovládat další části počítače) zařízení

Více

Informační a komunikační technologie

Informační a komunikační technologie Informační a komunikační technologie 7. www.isspolygr.cz Vytvořil: Ing. David Adamovský Strana: 1 Škola Integrovaná střední škola polygrafická Ročník Název projektu 1. ročník SOŠ Interaktivní metody zdokonalující

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informatika 2 Technické prostředky počítačové techniky - 2 Přednáší: doc. Ing. Jan Skrbek, Dr. - KIN Přednášky: středa 14 20 15 55 Spojení: e-mail: jan.skrbek@tul.cz 16 10 17 45 tel.: 48 535 2442 Obsah:

Více

Procesory a paměti Procesor

Procesory a paměti Procesor Procesory a paměti Procesor základní součást počítače, integrovaný obvod s velmi vysokým stupněm integrace, uváděn jako mozek počítače. V současné době jsou na trhu procesory dvou výrobců: Intel a AMD.

Více

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry.

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod

Více

Hardware počítačů. Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič

Hardware počítačů. Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič Hardware počítačů Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič 5. Paměťový systém počítače Paměť je důležitou součástí počítače, procesor si s ní neustále vyměňuje data. vnitřní paměť =

Více

4.2 Paměti PROM - 87 - NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n

4.2 Paměti PROM - 87 - NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V.2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V.2.1 Logické obvody Kapitola 24 Vnitřní paměti

Více

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3) Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat

Více

Paměti a jejich organizace

Paměti a jejich organizace Kapitola 5 Paměti a jejich organizace 5.1 Vnitřní a vnější paměti, vlastnosti jednotlivých typů Vnější paměti Jsou umístěny mimo základní jednotku. Lze je zařadit mezi periferní zařízení. Zápis a čtení

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Jana

Více

Mikroprocesorová technika a embedded systémy. doc. Ing. Tomáš Frýza, Ph.D.

Mikroprocesorová technika a embedded systémy. doc. Ing. Tomáš Frýza, Ph.D. Ústav radioelektroniky Vysoké učení technické v Brně Polovodičové paměti Mikroprocesorová technika a embedded systémy Přednáška 9 doc. Ing. Tomáš Frýza, Ph.D. listopad 2012 Obsah přednášky Dělení polovodičových

Více

Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM

Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM Pavel Dvořák Gymnázium Velké Meziříčí Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0948 Jazyk: čestina Datum vytvoření: 17. 10. 2012 Cílová skupina: studenti

Více

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_15_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077

Více

Paměťový podsystém počítače

Paměťový podsystém počítače Paměťový podsystém počítače typy pamětových systémů počítače virtuální paměť stránkování segmentace rychlá vyrovnávací paměť 30.1.2013 O. Novák: CIE6 1 Organizace paměťového systému počítače Paměťová hierarchie...

Více

Paměti Flash. Paměti Flash. Základní charakteristiky

Paměti Flash. Paměti Flash. Základní charakteristiky Paměti Flash K.D. - přednášky 1 Základní charakteristiky (Flash EEPROM): Přepis dat bez mazání: ne. Mazání: po blocích nebo celý čip. Zápis: po slovech nebo po blocích. Typická životnost: 100 000 1 000

Více

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy) Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace

Více

Operační paměti počítačů PC

Operační paměti počítačů PC Operační paměti počítačů PC Dynamické paměti RAM operační č paměť je realizována čipy dynamických pamětí RAM DRAM informace uchovávána jako náboj na kondenzátoru nutnost náboj pravidelně obnovovat (refresh)

Více

POLOVODIČOVÉ PAMĚTI. 1. Polovodičové paměti RAM. Paměťová buňka SRAM. řádkové vodiče. sloupcové vodiče. 1.1 Statická paměť RAM (SRAM)

POLOVODIČOVÉ PAMĚTI. 1. Polovodičové paměti RAM. Paměťová buňka SRAM. řádkové vodiče. sloupcové vodiče. 1.1 Statická paměť RAM (SRAM) POLOVODIČOVÉ PAMĚTI Polovodičové paměti se skládají z tzv. paměťových buněk. Paměťová buňka je realizována pomocí integrované součástky nebo obvodu, umožňující trvale nebo dočasně vyvolat dva stavy (reprezentace

Více

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie Ž1 START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Proč se pro dálkový přenos elektrické

Více

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM 1 Požadavky na RDRAM - začátky Nové DRAM musí zajistit desetinásobné zvýšení šířky pásma srovnání výkonu procesoru a paměti. Náklady na výrobu a prodej

Více

Vstupně - výstupní moduly

Vstupně - výstupní moduly Vstupně - výstupní moduly Přídavná zařízení sloužící ke vstupu a výstupu dat bo k uchovávání a archivaci dat Nejsou připojována ke sběrnici přímo, ale prostřednictvím vstupně-výstupních modulů ( ů ). Hlavní

Více

Základní pojmy informačních technologií

Základní pojmy informačních technologií Základní pojmy informačních technologií Informační technologie (IT): technologie sloužící k práci s daty a informacemi počítače, programy, počítač. sítě Hardware (HW): jednoduše to, na co si můžeme sáhnout.

Více

Princip funkce počítače

Princip funkce počítače Princip funkce počítače Princip funkce počítače prvotní úlohou počítačů bylo zrychlit provádění matematických výpočtů první počítače kopírovaly obvyklý postup manuálního provádění výpočtů pokyny pro zpracování

Více

Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC Technické prostředky počítačové techniky Obsah: Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC ROM RAM Paměti typu CACHE IS2-4 1 Dnešní info: Informatika 2 04 Zemřel otec e-mailu Aplikace Záchranka

Více

Identifikátor materiálu: ICT-1-08

Identifikátor materiálu: ICT-1-08 Identifikátor materiálu: ICT-1-08 Předmět Informační a komunikační technologie Téma materiálu Motherboard, CPU a RAM Autor Ing. Bohuslav Nepovím Anotace Student si procvičí / osvojí základní desku počítače.

Více

Role paměti v počítači

Role paměti v počítači Paměti Role paměti v počítači prostředek, umožňující uložení informací na požadovanou dobu data, program jednotky ms až neomezeně dlouho základní vlastnosti: kapacita celková kapacita, šířka slova, velikost

Více

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Název projektu: Moderní škola Registrační číslo: CZ.1.07/1.5.00/34.0467 Název klíčové aktivity: III/2 - Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Kód výstupu:

Více

Mezipaměti počítače. L2 cache. L3 cache

Mezipaměti počítače. L2 cache. L3 cache Mezipaměti počítače Cache paměť - mezipaměť Hlavní paměť procesoru je typu DRAM a je pomalá. Proto se mezi pomalou hlavní paměť a procesor vkládá menší, ale rychlá vyrovnávací (cache) paměť SRAM. Rychlost

Více

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Název projektu: Moderní škola Registrační číslo: CZ.1.07/1.5.00/34.0467 Název klíčové aktivity: III/2 - Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Kód výstupu:

Více

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM 1 Požadavky na RDRAM - začátky Nové DRAM musí zajistit desetinásobné (?) zvýšení šířky pásma srovnání výkonu procesoru a paměti. Náklady na výrobu a

Více

HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně

HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně ZVT HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně HW vybavení PC Hardware Vnitřní (uvnitř počítačové skříně) Vnější ( ) Základní HW základní jednotka + zobrazovací zařízení + klávesnice + (myš) Vnější

Více

SEKVENČNÍ LOGICKÉ OBVODY

SEKVENČNÍ LOGICKÉ OBVODY Sekvenční logický obvod je elektronický obvod složený z logických členů. Sekvenční obvod se skládá ze dvou částí kombinační a paměťové. Abychom mohli určit hodnotu výstupní proměnné, je potřeba u sekvenčních

Více

Přednášky o výpočetní technice. Hardware teoreticky. Adam Dominec 2010

Přednášky o výpočetní technice. Hardware teoreticky. Adam Dominec 2010 Přednášky o výpočetní technice Hardware teoreticky Adam Dominec 2010 Rozvržení Historie Procesor Paměť Základní deska přednášky o výpočetní technice Počítací stroje Mechanické počítačky se rozvíjely už

Více

ZÁKLADY PROGRAMOVÁNÍ. Mgr. Vladislav BEDNÁŘ 2013 1.3 2/14

ZÁKLADY PROGRAMOVÁNÍ. Mgr. Vladislav BEDNÁŘ 2013 1.3 2/14 ZÁKLADY PROGRAMOVÁNÍ Mgr. Vladislav BEDNÁŘ 2013 1.3 2/14 Co je vhodné vědět, než si vybereme programovací jazyk a začneme programovat roboty. 1 / 14 0:40 1.3. Vliv hardware počítače na programování Vliv

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu / Druh CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT

Více

Paměti. Návrh počítačových systémů INP 2008

Paměti. Návrh počítačových systémů INP 2008 Paměti Návrh počítačových systémů INP 2008 1 Paměťové prvky v reálném počítači Paměť mikroprogramu Reg 2 Proč paměťová hierarchie? chceme maximalizovat výkonnost počítače (tj. poměr výkon/cena) potřeba

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informační systémy 2 Obsah: Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC ROM RAM Paměti typu CACHE IS2-4 1 Dnešní info: Informační systémy 2 03 Informační systémy

Více

Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače.

Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače. Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače. Paměti Paměť mikroprocesor z ní čte program a data a ukládá do ní výsledky Dá se rozdělit na : Primární paměti, se kterými mikroprocesor

Více

Solid State Drive SSD polovodičový disk. J. Vrzal, verze 0.8

Solid State Drive SSD polovodičový disk. J. Vrzal, verze 0.8 Solid State Drive SSD polovodičový disk J. Vrzal, verze 0.8 Charakteristika SSD Charakteristika SSD soustava energeticky nezávislých flash pamětí, které jsou osazeny na destičce tištěného spoje alternativa

Více

Pokročilé architektury počítačů

Pokročilé architektury počítačů Pokročilé architektury počítačů Architektura paměťového a periferního podsystému České vysoké učení technické, Fakulta elektrotechnická A4M36PAP Pokročílé architektury počítačů Ver.1.00 2010 1 Motivace

Více

Základní deska (motherboard, mainboard)

Základní deska (motherboard, mainboard) Základní deska (motherboard, mainboard) Jedná se o desku velkou cca 30 x 25 cm s plošnými spoji s množstvím konektorů a slotů připravených pro vložení konkrétních komponent (operační paměť, procesor, grafická

Více

Úvod do programování a práce s počítačem 2

Úvod do programování a práce s počítačem 2 Úvod do programování a práce s počítačem 2 Typy paměti RWM, RAM (Read Write Memory, Random Access Memory) provádí se zápis i čtení závislost na napájecím napětí SRAM» statická» jednou zapsaná informace

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Paměti SDRAM (synchronní DRAM)

Paměti SDRAM (synchronní DRAM) Paměti SDRAM (synchronní DRAM) 1 Paměti SDRAM Cíl přednášky: - Shrnout předcházející techniky řízení pamětí. - Prezentovat techniku SDRAM, postihnout její výrazné rysy a odlišnosti od předcházejících typů.

Více

SDRAM (synchronní DRAM) Cíl přednášky:

SDRAM (synchronní DRAM) Cíl přednášky: SDRAM (synchronní DRAM) Cíl přednášky: Shrnout předcházející techniky řízení pamětí. Prezentovat techniku SDRAM, postihnout její výrazné rysy a odlišnosti od předcházejících typů. Shrnout získané informace.

Více

PCKIT LPT MODUL SBĚRNICE IOBUS PRO PC LPT. Příručka uživatele. Střešovická 49, Praha 6, s o f c o s o f c o n.

PCKIT LPT MODUL SBĚRNICE IOBUS PRO PC LPT. Příručka uživatele. Střešovická 49, Praha 6,   s o f c o s o f c o n. PCKIT LPT MODUL SBĚRNICE IOBUS PRO PC LPT Příručka uživatele Střešovická 49, 162 00 Praha 6, e-mail: s o f c o n @ s o f c o n. c z tel./fax : (02) 20 61 03 48 / (02) 20 18 04 54, http :// w w w. s o f

Více

PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY

PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY (PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE PLD) Programovatelné logické obvody jsou číslicové obvody, jejichž logická funkce může být programována uživatelem. Výhody: snížení počtu integrovaných

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Návrh konstrukce odchovny 2. dil

Návrh konstrukce odchovny 2. dil 1 Portál pre odborné publikovanie ISSN 1338-0087 Návrh konstrukce odchovny 2. dil Pikner Michal Elektrotechnika 19.01.2011 V minulem dile jsme si popsali návrh konstrukce odchovny. senzamili jsme se s

Více

Memristor. Úvod. Základní struktura mertistorů

Memristor. Úvod. Základní struktura mertistorů Memristor Úvod Vědcům společnosti HP (Hewlett-Packard) se skoro náhodou povedlo nanotechnologií prakticky realizovat nový typ součástky s vlastnostmi již dříve předvídaného prvku pojmenovaného jako memristor

Více

Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA

Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA RNDr. Jan Preclík, Ph.D. Ing. Dalibor Vích Jiráskovo gymnázium Náchod Skříň počítače case druhy Desktop Midi tower Middle tower Big tower Hardware - základní jednotka 2 Základní

Více

Paměti v PC - souhrn

Paměti v PC - souhrn Paměti v PC - souhrn V současném PC se vyskytuje podstatně více různých typů pamětí hierarchicky uspořádaných než v prvních typech. Zvýšila se kapacita pamětí, získávání dat z pamětí o velké kapacitě je

Více

Jako pomůcka jsou v pravém dolním rohu vypsány binární kódy čísel od 0 do 15 a binární kódy příkazů, které máme dispozici (obr.21). Obr.

Jako pomůcka jsou v pravém dolním rohu vypsány binární kódy čísel od 0 do 15 a binární kódy příkazů, které máme dispozici (obr.21). Obr. Model procesoru Jedná se o blokové schéma složené z registrů, paměti RAM, programového čítače, instrukčního registru, sčítačky a řídicí jednotky, které jsou propojeny sběrnicemi. Tento model má dva stavy:

Více

Karel Johanovský Michal Bílek. Operační paměť

Karel Johanovský Michal Bílek. Operační paměť Karel Johanovský Michal Bílek SPŠ-JIA Operační paměť 1 3 SO- Paměti - úvodem Paměti můžeme dělit dle různých kritérií: podle přístupu k buňkám paměti podle možnosti změny dat podle technologie realizace

Více

Pohled do nitra mikroprocesoru Josef Horálek

Pohled do nitra mikroprocesoru Josef Horálek Pohled do nitra mikroprocesoru Josef Horálek Z čeho vycházíme = Vycházíme z Von Neumannovy architektury = Celý počítač se tak skládá z pěti koncepčních bloků: = Operační paměť = Programový řadič = Aritmeticko-logická

Více

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Zkouškové otázky z A7B31ELI Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se

Více

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace 1 Cíl přednášky Popsat architektury vnitřních pamětí personálních počítačů. Zabývat se vývojem pojmů, technologií, organizací. Vyvodit

Více

Hardware. Roman Bartoš

Hardware. Roman Bartoš Hardware Roman Bartoš Copyright istudium, 2005, http://www.istudium.cz Žádná část této publikace nesmí být publikována a šířena žádným způsobem a v žádné podobě bez výslovného svolení vydavatele. Produkce,

Více

velikosti vnitřních pamětí? Jaké periferní obvody má na čipu a k čemu slouží? Jaká je minimální sestava mikropočítače z řady 51 pro vestavnou aplikaci

velikosti vnitřních pamětí? Jaké periferní obvody má na čipu a k čemu slouží? Jaká je minimální sestava mikropočítače z řady 51 pro vestavnou aplikaci Některé otázky pro kontrolu připravenosti na test k předmětu MIP a problémové okruhy v l.sem. 2007 Náplní je látka z přednášek a cvičení do termínu testu v rozsahu přednášek, případně příslušného textu

Více

Gymnázium a Střední odborná škola, Rokycany, Mládežníků 1115

Gymnázium a Střední odborná škola, Rokycany, Mládežníků 1115 Gymnázium a Střední odborná škola, Rokycany, Mládežníků 1115 Číslo projektu: Číslo šablony: 3 CZ.1.07/1.5.00/34.0410 Název materiálu: Ročník: Identifikace materiálu: Jméno autora: Předmět: Tématický celek:

Více

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf

Více

Akademický rok: 2004/05 Datum: Příjmení: Křestní jméno: Osobní číslo: Obor:

Akademický rok: 2004/05 Datum: Příjmení: Křestní jméno: Osobní číslo: Obor: Západočeská univerzita v Plzni Písemná zkouška z předmětu: Zkoušející: Katedra informatiky a výpočetní techniky Počítačová technika KIV/POT Dr. Ing. Karel Dudáček Akademický rok: 2004/05 Datum: Příjmení:

Více

Mikrokontroléry. Doplňující text pro POS K. D. 2001

Mikrokontroléry. Doplňující text pro POS K. D. 2001 Mikrokontroléry Doplňující text pro POS K. D. 2001 Úvod Mikrokontroléry, jinak též označované jako jednočipové mikropočítače, obsahují v jediném pouzdře všechny podstatné části mikropočítače: Řadič a aritmetickou

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2014/2015

Profilová část maturitní zkoušky 2014/2015 Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2014/2015 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: technika

Více

ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA

ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA Střední škola, Havířov Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA POLOVODIČOVÉ PAMĚTI Ing. Bouchala Petr 2007 Vytištěno pro vnitřní potřebu školy PAMĚTI Úvod Paměť

Více

Vstupně výstupní moduly. 13.přednáška

Vstupně výstupní moduly. 13.přednáška Vstupně výstupní moduly 13.přednáška Vstupně-výstupn výstupní modul (I/O modul) Přídavná zařízení sloužící ke vstupu a výstupu dat nebo k uchovávání a archivaci dat Nejsou připojována ke sběrnici přímo,

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013 Paměti Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013 A3B38MMP, 2013, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Paměti - základní pojmy

Více

Architektura Intel Atom

Architektura Intel Atom Architektura Intel Atom Štěpán Sojka 5. prosince 2008 1 Úvod Hlavní rysem Atomu je podpora platformy x86, která umožňuje spouštět a běžně používat řadu let vyvíjené aplikace, na které jsou uživatelé zvyklí

Více

Střední průmyslová škola elektrotechniky a informatiky, Ostrava VÝROBNÍ DOKUMENTACE

Střední průmyslová škola elektrotechniky a informatiky, Ostrava VÝROBNÍ DOKUMENTACE Střední průmyslová škola elektrotechniky a informatiky, Ostrava Číslo dokumentace: VÝROBNÍ DOKUMENTACE Jméno a příjmení: Třída: E2B Název výrobku: Interface/osmibitová vstupní periferie pro mikropočítač

Více

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM 1 Požadavky na RDRAM - začátky Nové DRAM musí zajistit desetinásobné (?) zvýšení šířky pásma srovnání výkonu procesoru a paměti. Náklady na výrobu a

Více

1. ÚVOD. Analogové a číslicové veličiny. Analogové a číslicové zobrazení signálů. Zaměření učebnice ČÍSELNÉ SOUSTAVY. Obvyklé číselné soustavy

1. ÚVOD. Analogové a číslicové veličiny. Analogové a číslicové zobrazení signálů. Zaměření učebnice ČÍSELNÉ SOUSTAVY. Obvyklé číselné soustavy Obsah 5 Obsah: 1. ÚVOD 11 1.1 Analogové a číslicové veličiny 12 1.2 Analogové a číslicové zobrazení signálů 13 1.3 Zaměření učebnice 15 2. ČÍSELNÉ SOUSTAVY 2.1 Obvyklé číselné soustavy 16 17 2.2 Převody

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz

Více

Paměti polovodičové. Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace.

Paměti polovodičové. Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace. Paměti polovodičové Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace. Kromě základních vlastností, jako jsou kapacita a maximální doba přístupu se hodnotí i příkon a počet napájecích napětí

Více

Jak do počítače. aneb. Co je vlastně uvnitř

Jak do počítače. aneb. Co je vlastně uvnitř Jak do počítače aneb Co je vlastně uvnitř Po odkrytí svrchních desek uvidíme... Von Neumannovo schéma Řadič ALU Vstupně/výstupní zař. Operační paměť Počítač je zařízení, které vstupní údaje transformuje

Více