Paměti. Návrh počítačových systémů INP 2008

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Paměti. Návrh počítačových systémů INP 2008"

Transkript

1 Paměti Návrh počítačových systémů INP

2 Paměťové prvky v reálném počítači Paměť mikroprogramu Reg 2

3 Proč paměťová hierarchie? chceme maximalizovat výkonnost počítače (tj. poměr výkon/cena) potřeba nevolatilní paměti, která nepotřebuje napájecí napětí časová lokalita - pokud procesor používá nějakou položku v paměti, je vysoká pravděpodobnost, že ji bude používat znovu => ulož položku co nejblíž procesoru prostorová lokalita pokud procesor pracuje s nějakou položkou v paměti, potom položky, které jsou umístěny v paměti v blízkostí s této položky, budu s vysokou pravděpodobností také použity => ulož položky co nejblíž procesoru Processor Control Datapath Registers On-Chip Cache L2 Cache (SRAM) Hlavní paměť (DRAM) Sekundární paměť (Disk) Terciální paměť Přístupová doba: ns <10ns desítky ns jednotky ms sekundy Kapacita: stovky B kb jednotky MB jednotky GB stovky GB desítky TB Cena/MB: nejvyšší střední nejnižší 3

4 Paměti - typy a parametry Paměťové prvky se používají v počítači na všech hierarchických úrovních v těchto funkcích: - vnitřní paměť procesoru, jako registry, registrové sady, zásobníky, fronty, tabulky pro různé účely a paměť mikroprogramů v řadiči procesoru - hlavní paměť včetně rychlých vyrovnávacích pamětí - vnější paměti včetně vyrovnávacích pamětí apod. 4

5 Další parametry pamětí Přenosová rychlost je parametr udávající počet datových jednotek (bitů, bytů atd) přenášených do nebo z paměti za sekundu, např. 3MB/s u disku. Pro cenové rozvahy je důležitým parametrem cena/bit. K dalším významným parametrům patří chybovost paměti udávaná např. v počtu chyb na 1000 hodin a poruchovost, nejčastěji popisovaná parametrem střední doba mezi poruchami a dalšími podobnými parametry. Výkonnost je u pamětí udána parametry: kapacita, přístupová doba a přenosová rychlost. 5

6 Klasifikace pamětí podle fyzikálního principu - paměti polovodičové - bipolární a - unipolární MOS resp. CMOS - magnetické - disketové, - diskové, - páskové - atd. - optické - CD - DVD feritová pamět z IBM magnetooptické - molekulární Mnoho typů pamětí zmizelo a další se objevují. 6

7 Přístup k datům libovolný a sériový Pokud přístupová doba nezávisí na umístění požadované položky, jde o paměť s libovolným přístupem RAM - Random Access Memory. Paměť se sériovým přístupem SAM - Serial Access Memory vybavuje položky s různou dobou přístupu podle toho, jak dlouho to trvá, než se paměťové médium přisune k čtecí hlavě. Zde je však třeba si uvědomit, že disk s několika záznamovými povrchy je reprezentantem smíšeného přístupu; výběr záznamového povrchu je libovolný přístup, vystavování hlavy na požadovanou stopu a otáčení disku při čekání na požadovaný záznamový sektor je sériový přístup. Čistě sériový přístup má magnetická páska. 7

8 Libovolný přístup RAM adresa data IN/OUT a) RAM data IN/OUT Č/Z hlava adresa data IN/OUT Č/Z hlava Sériový přístup SAM páska adresa řízení směru pohybu otáčení b) SAM, resp. smíšený přístup 8

9 Výběr z paměti adresový adresa v přímém binárním kódu adresová část adresový dekodér. datová část. data IN/OUT výběrové vodiče (kód 1 z n) a) adresový výběr Paměťová místa jsou uspořádána podle adres vzestupně, adresový prostor je uspořádaný a souvislý. 9

10 Výběr z paměti - asociativní adresa/klíč data IN/OUT adresová část... datová část výběrové vodiče b) asociativní výběr U asociativního výběru jsou v adresovéčásti paměti poznamenány adresy paměťových míst datovéčásti. To znamená, že paměťová místa mohou být vzhledem k adresám uspořádána libovolným způsobem, některým adresám nemusí odpovídat žádné paměťové místo. Adresový prostor je neuspořádaný a nesouvislý. Výběrový vodič se aktivizuje na základě shody hledané adresy (klíče) s adresou daného řádku. Navíc se může pomocí masky adresy určit, které bity adresy se mají při porovnávání použít, a které ne. Proto je vhodné říkat adrese klíč. Popsaný princip asociativního výběru vyžaduje, aby ve všech řádcích adresovéčásti paměti byl komparátor adres - klíčů. 10

11 Komparátor adres - klíčů asociativní paměti a n a n-1 a n-2 a & řádkový vodič "shoda" b n b n-1 b n-2... b 0 a klíč na vstupu paměti dodaný uživatelem b jedna konkrétní hodnota klíče v paměti Uvedená obvodová struktura musí být zopakována n-krát, kde n je počet položek uložitelných v paměti. 11

12 Měnitelnost obsahu paměti R/W RWM - Read/Write Memory - paměť umožňující čtení i zápis ROM - Read Only Memory - paměť umožňující pouze čtení, zapisovat nelze Varianty: PROM - programovatelná ROM; čistá" nenaprogramovaná paměť umožňuje jedno naprogramování, další změna již není možná EPROM - vymazatelná PROM; naprogramovaná paměť se dá vymazat a znovu naprogramovat. Paměti s tímto označením se mažou ultrafialovým zářením. EEPROM - elektricky vymazatelná PROM. Zde je řada modifikací podle toho, zda je možno mazat vybraný řádek, nebo pouze celou paměť, jak rychle proces mazání probíhá (Flash EEPROM) atd. 12

13 Stálost obsahu paměti Podle energetické závislosti dělíme paměti na nevolatilní a volatilní. Je-li záznam stálý i po vypnutí napájecího napětí, jde o nevolatilní paměť. Volatibilita se u polovodičových pamětí překonává záložním napájecím zdrojem (např. akumulátorový článek v PC). Některé fyzikální principy vedou na paměť, u které se čtením záznam vymaže. Znamená to, že se po cyklu čtení musí zařadit vždy cyklus zpětného zápisu. Takové paměti se označují jako destruktivní. Podle doby uchování informace (data retention) dělíme paměti na statické (SRAM), které při dodržení jistých provozních parametrů drží informaci libovolně dlouho, a dynamické (DRAM), které "zapomínají", a to docela rychle. U prvních pamětí DRAM 16K x 1b to byly 2 ms. S rostoucí kapacitou pouzder DRAM se doba uchování informace prodlužuje. U čipů 1M x 1b to je typicky 8 ms, atd. U tohoto typu pamětí se proto musí zavčas informace obnovit (refresh). Vybíjení náboje a tedy pokles napětí na paměťovém kondenzátoru probíhá podle exponenciální křivky. 13

14 ROM PROM, EPROM RWM RAM SSRAM, SRAM DRAM Polovodičové paměti FPM DRAM, EDO DRAM, BEDO DRAM SDRAM DDR SDAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM EEPROM a FLASH 14

15 Struktura paměti ROM 16 x 4b A 3 A 2 A 1 A 0 adresový registr AR DC bin - 1 z 16. adresový (řádkový) vodič adresa čtecí zesilovač 111 sloupcový (datový) vodič datový registr b3 b2 b1 b0 pomocí MOS tran. 15

16 Komentář k příkladu paměti ROM Čtyřbitová binární adresa se zachycuje do adresového registru AR a dále se dekóduje do kódu 1 z 16, což znamená, že pro jistou adresu se aktivizuje příslušný adresový vodič. Obsah vybraného čtyřbitového adresového místa se objeví na sloupcových datových vodičích a po zesílení pomocí čtecích zesilovačů ČZ se zapíše do výstupního datového registru DR. Ve funkci paměťových prvků pamětí ROM se v historii počítačů vystřídaly všechny základní pasivní i aktivní elektrické prvky. Byly tak použity rezistory, indukčnosti, transformátory, feritová jádra, kapacitory, diody, tranzistory bipolární i unipolární. Nejrozšířenější typ EPROM využívá kapacity izolovaného hradla tranzistoru MOS. U pamětí PROM se programuje přepalováním chromniklových nebo křemíkových propojek. 16

17 Struktura paměti RWM adresa n bitů adresový registr AR DC bin - 1 z slovní vodič datový vodič n 2-1 Č čtecí a zápisové zesilovače... Z datový registr data 17

18 Komentář k RWM, typy paměťových členů Struktura paměti RWM (nepřesně označovaná jako RAM) je principiálně velmi podobná struktuře paměti ROM. Rozdíl je v tom, že sloupcové datové vodiče nyní přenášejí data obousměrně, a jsou doplněny zápisové zesilovače ZZ. Rovněž vnější datová sběrnice je obousměrná. +U CC +U CC Q' Q Z Č U E a) Bipolární statický člen b) Unipolární statický člen U D c) Unipolární dynamický paměťový člen DRAM Každý paměťový člen má jiný způsob čtení a zápisu informace. Podle typu použitého paměťového členu se proto modifikuje vnitřní zapojení paměťové matice, čtecích a zápisových zesilovačů, případně se modifikuje celková struktura paměti. U statických paměťových členů se zápis a čtení provádí pomocí dvojic sloupcových datových vodičů, které nesou komplementární proudové nebo napěťové impulsy. 18

19 SRAM (Static RAM) T1 T3 adresový vodič T5 T6 T2 T4 Vodič Data je určený k zápisu dat do paměti. Vodič označený jako -Data se používá ke čtení. Hodnota na tomto vodiči je vždy opačná než hodnota uložená v paměti => na konci procesu čtení je nutno ji ještě negovat. Při zápisu se na adresový vodič umístí hodnota logická 1, na vodič Data se přivede zapisovaná hodnota (např. 1). Tranzistor T1 se otevře => jednička na vodiči Data otevře tranzistor T4 => uzavře se tranzistor T3. Tento stav obvodu představuje uložení hodnoty 0 do paměti. Čtení - na adresový vodič je přivedena hodnota logická 1 => otevřou se tranzistory T1 a T2. Jestliže byla v paměti zapsána hodnota 1, je tranzistor T4 otevřen (tj. na jeho výstupu je hodnota 0), čtenou hodnotu obdržíme na vodiči -DATA. V případě uložené hodnoty 0 - tranzistor T4 je uzavřen (tj. na jeho výstupu je hodnota 1). 19

20 Př. SRAM (8k x 8b) 20

21 Čtení asynchronní SRAM 21

22 Zápis do SRAM 22

23 Adresování dvou a více pamětí 23

24 Dynamická paměť (DRAM) datový vodič adresový vodič Informace je uložena pomocí elektrického náboje na kondenzátoru. Při zápisu se na adresový vodič (WL word line) přivede hodnota logická 1 => tranzistor se otevře. Na datovém vodiči (BL bit line) je umístěna zapisovaná hodnota (např. 1), tato hodnota projde přes otevřený tranzistor a nabije kondenzátor. V případě zápisu nuly dojde pouze k případnému vybití kondenzátoru (pokud byla dříve v paměti uložena hodnota 1). Při čtení je na datový vodič nejdříve připojena hodnota ½ napájecího napětí. Potom je na adresový vodič přivedena hodnota logická 1, která způsobí otevření tranzistoru. Podle toho, zda je na kapacitoru úroveň H nebo L, bude nepatrně změněna úroveň na BL, buď vzroste nebo poklesne. Tato změna je detekována zesilovačem, který obnoví původní hodnotu na kapacitoru na H nebo L. Operace se provádí proto, že čtení destruuje logickou hodnotu v paměťové buňce DRAM. 24

25 DRAM obnova informace adresový vodič datový vodič Náboj na kondenzátoru má tendenci se vybíjet i v době, kdy je paměť připojena ke zdroji elektrického napájení => je nutné periodicky provádět tzv. refresh, tj. oživování paměťové buňky. Tuto funkci plní některý z obvodů čipové sady. Jednou za dobu t r (t r je např. 4ms) dojde k obnově informace v paměti. Zdegenerovaný obsah řádku je načten do registru a vzápětí je obsah registru (již s upravenými log. úrovněmi) zapsán zpět do buněk paměti. Obrázek ukazuje průběh napětí na kondenzátoru po zápisu log

26 Struktura DRAM 16K x 1bit 0 1 Reg. AŘ a DC. 2 7 Paměťová matice 16k bitů koincidenční výběr 7 RAS DIN Č/Z zesilovačů 127 DOUT ADRESA 7 WE CAS Reg. Adr. sloupce a DC 7 WE 26

27 Předávání adresy DRAM Pro minimalizaci počtu vývodů pouzder DRAM se ustálilo předávání adresy multiplexním způsobem nadvakrát. Členění adresy je naznačeno na obrázku: ADRESA adresa sloupce adresa řádku RAS Časový diagram DRAM CAS ADR adr. řádku adr. sloupce DIN DOUT 27

28 Komentář k adresování DRAM Nejdříve se předává adresa řádku AŘ; zápis této části adresy do registru AŘ z adresové sběrnice ADR je řízen signálem RAS - Row Address Select. Poté se na adresové sběrnici ADR objeví adresa sloupce AS a ta se zapíše do registru AS signálem CAS - Column Address Select. Jde-li o zápis, musí být na datovém vstupu DIN ve stanoveném intervalu platný datový bit, který se zapíše do adresovaného místa. Jde-li o čtení, pak za dobu danou katalogovými hodnotami se na datovém výstupu DOUT objeví přečtený bit. Funkce čtení/zápis se řídí signálem WE (často se používá označení R/-W). Adresový výběr provádějí dva adresové dekodéry s výstupem v kódu 1 z 128, a koincidence (tedy logický součin) aktivovaného řádkového a sloupcového vodiče určí adresované paměťové místo (1 z ). Koincidenčním výběrem se výběr paměťového místa z paměťové matice výrazně zjednoduší. 28

29 Čtecí zesilovač DRAM +U CC f 1 f 2 f 3 precharge čtení obnova C P f 3 f 3 f 1 vb 0 vb 1 C P v ax z adresového dekodér f 2 C M C ref f 2 f 1 U ref Čtecí zesilovač je zapojen na dvojici bitových sloupcových vodičů vb 0, vb 1. Bitové vodiče jsou zatíženy parazitními kapacitami C p. Na bitový vodič vb 0 je připojena dynamická paměťová buňka C M, na bitový vodič vb 1 je připojena referenční paměťová buňka C ref.čtení a obnova informace je řízena signály f 1, f 2, f 3 s průběhy dle obrázku. 29

30 Čtecí zesilovač DRAM - činnost V první fázi čtení se signálem f 1 otevřou spínače uvnitř ČZ (vyznačené pomocí čtverečků), čímž dojde k vyrovnání nábojů na parazitních kapacitách C P - fáze precharge, a referenční paměťová buňka se nabije na hodnotu rozhodovacího napětí U ref = (U 1 - U 0 ) /2. Ve druhé fázi se signálem f 2 zahájí adresový výběr; napětí z paměťové a referenční buňky se objeví na bitových vodičích vb 0, vb 1. Čtení se dokončí ve třetí fázi, kdy se signálem f 3 připojí k čtecímu zesilovači napájecí napětí. ČZ je diferenciální zesilovač, který je řízen rozdílem napětí paměťové a referenční buňky. Je-li tento rozdíl kladný, vyhodnotí se stav paměťové buňky jako 1, je-li rozdíl záporný, vyhodnotí se stav jako 0. Čtecí zesilovač tuto diferenci zesílí až do krajních hodnot U 0 nebo U 1, a na jednu z těchto hodnot se paměťová buňka nabije. Tím byla provedena obnova informace. 30

31 Řízení obnovy dat Mechanismus obnovy musí zajistit, aby se před uplynutím zaručené doby uchování informace adresovala všechna paměťová místa. Základem řadiče obnovy je čítač adresy řádku, který inkrementuje po 1 a po naplnění čítá znovu od nuly. Pro pouzdro DRAM 16K x 1 je čítač obnovy sedmibitový. Obnova dat se zajišťuje většinou jako vnější obnova, speciální paměti mají vnitřní mechanismus obnovy, tedy obvody pro řízení obnovy mají přímo na čipu. Vnější obnova je uspořádána jako - rozložená - dávková - transparentní - během normální činnosti 31

32 Obnova informace - komentář U rozložené obnovy se spouštějí pravidelně cykly obnovy tak, aby se v daném intervalu adresovaly všechny paměťové buňky. U dávkové obnovy následují všechny obnovovací cykly těsně za sebou. U transparentní obnovy se využívá volných intervalů v činnosti paměti, takže obnova pak nezdržuje činnost procesoru. Tento způsob je však možno použít jen někdy. Obnovy normální činností se využívá tam, kde je zaručeno adresování všech paměťových míst normální činností, např. u VIDEO paměti, ze které se cyklicky čtou data pro zobrazení na monitoru. Časové diagramy rozložené a dávkové obnovy jsou na obr. a), b). Cykly běžné činnosti paměti jsou označeny N, obnovovací cykly jsou označeny symbolem R. a) rozložená b) dávková R N N N N N N R N R R R R R R R N N

33 Délka cyklu obnovy Aby byl zachován již ustálený standardní interval mezi cykly rozložené obnovy 16µs bez zvýšení odběru, musí se u každé nové generace paměťových čipů zvětšovat doba uchování informace na dvojnásobek. U DRAM 16 Mb se vyvinuly dvě standardní doby uchování informace - doba převzatá z DRAM 4 Mb - 32 ms/2k cyklů obnovy - úpravami pro snížení odběru - 64 ms/4k cyklů obnovy. Vývojový trend dob uchování informace je zřejmý z obrázku. doba uchování 256 informace [ms] 128 4K cyklů K cyklů 16 4M 16M 64M 256M kapacita [b] 33

34 Bloková struktura DRAM (1) Zvětšení kapacity paměti (adresového prostoru) se provádí uspořádáním paměti do bloků. Na obrázku je naznačena rozšířená adresa a dekodér adresy bloku. Zde je použito jedno z více možných uspořádání. Protože u DRAM nejsou k dispozici výběrové signály Chip Select, jsou pomocí dekodéru vytvářeny v kódu 1 z n selektivní signály CAS i. Signál RAS je rozveden do všech bloků. Výsledná bloková struktura paměti je na dalším obrázku. Zvětšování šířky datového slova je omezeno pouze výkonem výstupů zdrojů signálů CAS i a RAS adresa bloku adresa sloupce adresa řádku A14 A15 A16 CAS E DC. CAS0 CAS1 CAS2. CAS7 34

35 A6-A0 / A13-A7 Bloková struktura DRAM (2) DRAM 16Kx1 DRAM 16Kx1... DRAM 16Kx1 blok 0 CAS0 CAS1 DRAM 16Kx1 DRAM 16Kx1... DRAM 16Kx blok CAS7 DRAM 16Kx1 DRAM 16Kx1... DRAM 16Kx1 blok 7 RAS... Di Di-1 D0 DATA IN/OUT 35

36 Topologie čipu DRAM 16 M x 1 bit bity 10 bitů 10 bitů 0 adresa bloku adresa sloupce adresa řádku Jeden blok má kapacitu 1 Mbit, třetí rozměr adresy má 4 bity. Přepnutí bloku změnou nejvyšších čtyř bitů (bity 20 až 23) beze změny adresy řádku a sloupce proběhne rychleji, než výběr podle nové adresy. Toho se využívá u většiny pamětí zavedením tzv. blokového nebo též stránkového režimu (má-li paměť pouze čtyři bloky, používá se název nibble mode). Po běžné sekvenci nastavení adresy pomocí signálů RAS a CAS se impulsním průběhem na CAS adresují postupně další bloky (hodnota RAS zůstává nezměněna). 36

37 Prokládání paměťových operací Bez prokládání Bank Bez prokládání S prokládáním Čtyřcestné prokládání urychlení 4x

38 Časování základní varianty DRAM Neustálé střídání RAS a CAS vede k tomu, že jen v určitých okamžicích (modrá barva na obrázku) dochází k přenosu dat do procesoru. Jak zvýšit propustnost? Změnit časování paměti! 38

39 Vývoj pamětí DRAM (princip uložení dat zůstává, paměti se liší v zásadě pouze frekvencí a časováním) Fast page mode DRAM (FPM DRAM) umožňuje realizovat čtení tak, že je nastaven ROW na určitou hodnotu a přičítá se hodnota COL Extended data out DRAM (EDO DRAM) přidán latch - prodlužuje se doba, po niž jsou přečtená data k dispozici na datové sběrnici => řadič paměti má více času na to, aby předal data přes sběrnici do procesoru. Burst Enhanced Data-Out DRAM (BEDO DRAM) interní čítač adres urychlí operace s pamětí Synchronous DRAM (SDRAM) jiný princip oproti předchozím, synchronizace paměti, ovládání příkazy RamBus DRAM (RDRAM) speciální typ paměti seriové propojení, sběrnice pouze 16 bitů Double data-rate synchronous DRAM (DDR SDRAM) přenosové děje se ovíjejí od nástupné i sestupné hrany synchronizačních pulsů - je tak možné dvakrát zrychlit přenos DDR2 SDRAM, DDR3 39

40 BEDO Burst Enhanced Data-Out DRAM Paměti typu BEDO obsahují interní čítač adres, takže se do adresového registru zavádí pouze adresa první, zbývajícíčtyři se odvodí v čítači postupnou inkrementací => redukce objemu komunikace mezi řadičem paměti a pamětí (burst = dávkové zpracování). BEDO urychluje o 30% oproti EDO. DR Data Register AL/C Address Latch/counter (plní dvě funkce) 40

41 Synchronní DRAM - SDRAM (1996, MHz, až 512MB, 3.3V ) Synchronní DRAM operace jsou synchronizovány Dávkový (burst) režim, podobně jako BEDO. Paměť SDRAM je řízena kombinací signálů RAS, CAS a WE, které představují kód příkazu. Každou nástupnou hranou signálu CLK jsou tyto signály dekódovány a SDRAM pak provede požadovanou funkci. Příkazy přijímané řadičem paměti a jejich kódy Příkazy generované řadičem pro SDRAM 41

42 SDRAM Programovatelná délka dávky (burst rate) Jedenkrát se aktivuje signál CAS a potom se přenese tolik datových jednotek, kolik udává přednastavená hodnota určitého registru. Programovatelná latence CAS Počet taktů nutných pro dodání dat od aktivace signálu CAS je opět možné nastavit. 42

43 DDR SDRAM Double Data Rate (r. 2000, MHz, 2.5V, 64MB - 2GB ) DDR - data jsou přenášena na náběžné i sestupné hraně hodinového pulsu (propustnost: 1,6-3,2 GB/s). Startovací frekvence jsou od 266MHz, které se označují standardem DDR266. Maximální rychlosti technologie DDR se pohybují okolo 600MHz efektivně, ale obvykle je pro jejich dosažení nutné značně vysoké napájecí napětí (i přes 3 V). Kromě DDR existuje i nízkonapěťová verze DDR pamětí LPDDR, které mají napájecí napětí mezi V a vykazují až o 40% nižší spotřebu. 43

44 SDRAM vs DDR 44

45 DDR2 a DDR3 DDR2-400 DDR2-800 pracovní frekvence: MHz, propustnost: GB/s, 1.8 V, 128 MB až 8 GB DDR DDR pracovní frekvence MHz, propustnost 6.4 GB/s 12.8 GB/s, napájecí napětí 1.5 V kapacita: 8 GB (Infineon) GDDR4 (Samsung)? 45

46 DDR vs DDR2 46

47 Prefetch K tomu, aby se využila celková délka burst přenosu, musí být procesor náležitě navržen, tj. musí být schopen přijmout jisté množství dat. Procesor při zjištění požadavku na čtení z DRAM vyvolá požadavek na určitý počet bytů. Tento počet je určen parametrem prefetch (přednačtení) a udává se v bytech. Například procesor Pentium III vyvolává požadavek na čtení 32 bytů. Výrobci procesorů většinou koncipují délku prefetch podle dostupných paměťových technologií tak, aby se využila celá délka burst přenosu. Například zmíněné Pentium III se svými 32 byty přesně odpovídá množství dat dodaných SDRAM pamětmi. Kdyby Pentium III načítal 64bytů, bylo by nutné vyvolat dva burst přenosy. Představme si nyní, co by se stalo, kdyby základní deska s Pentiem III byla osazena pamětmi DDR SDRAM. Ty by dodaly ne 32bytů, ale rovnou 64bytů. Procesor by ale přijal pouze prvních 32bytů a zbytek by zahodil (pokud by to nebylo ošetřeno jinak). Procesory Athlon jsou nastaveny na 64 bytový prefetch. To je shodou okolností přesně délka burst přenosu DDR SDRAM. Pentia 4 používá prefetch 128 bytů. 128 bytů je přesně schopnost burst přenosu pro dvou-kanálovou DDR SDRAM. 47

48 Vývoj parametrů DRAM 48

49 Paměť Flash nenaprogramovaná (smazaná) buňka naprogramovaná buňka Paměť Flash je paměť typu EEPROM (elektricky mazatelná a programovatelná paměť). Je tvořena sítí řádků a sloupců, na jejichž průsečících leží jednotlivé paměťové buňky. Každá z buněk obsahuje jeden unipolární tranzistor, který má nad sebou umístěna dvě hradla, vzájemně izolovaná tenkou oxidovou vrstvičkou. Horní hradlo (řídicí) je připojeno na sběrnici řádků a spodní hradlo není připojeno nikam (je plovoucí). Náboj se na toto plovoucí hradlo dostane tunelováním z řídicího hradla. Nenaprogramovaná buňka paměti nemá na plovoucím hradle žádný náboj, a proto se po přivedení výběrového signálu na konkrétní naadresovaný řádek paměti nedokáže paměťový tranzistor otevřít. Buňka si pamatuje logickou hodnotu 1. Pokud však vpravíme do plovoucího hradla náboj (programováním paměti), pak se po výběru řádku paměti dokáží tranzistory naprogramované paměťové buňky otevřít a buňka si tedy pamatuje logickou 0. Mazání paměti spočívá v tom, že se z plovoucího hradla uložený náboj odvede pryč. 49

50 Flash: Organizace paměťových buněk NAND vysoká hustota a kapacita, rychlý zápis, rychlé mazání, nižší spolehlivost (pro paměťové karty, MP3 přehrávače atd.). Nutnost použití redundantních buněk a opravných kódů. NOR rychlé čtení, pomalý zápis, pomalé mazání, nižší kapacita/$ (telefony, vestavěné systémy) 50

51 Flash čip 51

52 Trendy v NAND Flash pamětech 52

53 Příklady dalších variant pamětí FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) využívá feroelektrické krystaly, které umožňují paměti pracovat jako rychlá RAM a zároveň podržet data bez přítomnosti napájecího napětí. MRAM (magnetoresistive random-access memory) U tohoto typu paměti jsou data uložena za využití spinu elektronu, narozdíl od jiných druhů pamětí, u kterých nese informaci elektrický náboj. MRAM má oproti běžným RAM pamětem tu výhodu, že informace v ní uložené zůstávají po dobu asi deseti let i v případě, že dojde k odpojení napájení. MRAM umožňuje oproti technologii FLASH vyšší rychlost čtení i zápisu (až 200MB/s). Na rozdíl od technologie FLASH při zápisu nedochází k opotřebení, paměti zvládnou prakticky neomezené množství (10 15 ) zapisovacích cyklů. Celkový odběr proudu, který potřebují MRAM paměti pro zápis, je oproti FLASH pamětem také menší. Molekulární paměť bakteriorhodopsin a mnoho dalších 53

Dělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti. Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /11- Západočeská univerzita v Plzni

Dělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti. Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /11- Západočeská univerzita v Plzni ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Počítačové systémy Vnitřní paměti Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/11- Západočeská univerzita v Plzni ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní

Více

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru jsou používány

Více

Paměti Josef Horálek

Paměti Josef Horálek Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární

Více

Paměti počítače ROM, RAM

Paměti počítače ROM, RAM Paměti počítače ROM, RAM Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje. Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru

Více

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3) Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat

Více

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Více

Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/21- Západočeská univerzita v Plzni

Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/21- Západočeská univerzita v Plzni Počítačové systémy Vnitřní paměti Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/21- Západočeská univerzita v Plzni Hierarchire pamětí Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-2/21- Západočeská univerzita

Více

Paměti počítače 9.přednáška

Paměti počítače 9.přednáška Paměti počíta tače 9.přednáška Paměť Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na

Více

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

Více

Paměti operační paměti

Paměti operační paměti Paměti operační paměti Autor: Kulhánek Zdeněk Škola: Hotelová škola, Obchodní akademie a Střední průmyslová škola Teplice, Benešovo náměstí 1, příspěvková organizace Kód: VY_32_INOVACE_ICT_828 1.11.2012

Více

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů projekt GML Brno Docens DUM č. 10 v sadě 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů Autor: Roman Hrdlička Datum: 04.12.2013 Ročník: 1A, 1B, 1C Anotace DUMu: jak fungují vnitřní paměti, typy ROM a RAM pamětí,

Více

Operační paměti počítačů PC

Operační paměti počítačů PC Operační paměti počítačů PC Dynamické paměti RAM operační č paměť je realizována čipy dynamických pamětí RAM DRAM informace uchovávána jako náboj na kondenzátoru nutnost náboj pravidelně obnovovat (refresh)

Více

Informační a komunikační technologie

Informační a komunikační technologie Informační a komunikační technologie 7. www.isspolygr.cz Vytvořil: Ing. David Adamovský Strana: 1 Škola Integrovaná střední škola polygrafická Ročník Název projektu 1. ročník SOŠ Interaktivní metody zdokonalující

Více

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM 1 Požadavky na RDRAM - začátky Nové DRAM musí zajistit desetinásobné zvýšení šířky pásma srovnání výkonu procesoru a paměti. Náklady na výrobu a prodej

Více

SDRAM (synchronní DRAM) Cíl přednášky:

SDRAM (synchronní DRAM) Cíl přednášky: SDRAM (synchronní DRAM) Cíl přednášky: Shrnout předcházející techniky řízení pamětí. Prezentovat techniku SDRAM, postihnout její výrazné rysy a odlišnosti od předcházejících typů. Shrnout získané informace.

Více

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3) Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEIII Paměti konstant

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEIII Paměti konstant Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEIII - 1.5 Paměti konstant Obor: Mechanik elektronik Ročník: 3. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je spolufinancován

Více

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM 1 Požadavky na RDRAM - začátky Nové DRAM musí zajistit desetinásobné (?) zvýšení šířky pásma srovnání výkonu procesoru a paměti. Náklady na výrobu a

Více

Ne vždy je sběrnice obousměrná

Ne vždy je sběrnice obousměrná PAMĚTI Ne vždy je sběrnice obousměrná Paměti ROM (Read Only Memory) určeny pouze pro čtení informací. Informace jsou do těchto pamětí pevně zapsány při jejich výrobě a potom již není možné žádným způsobem

Více

Paměti SDRAM (synchronní DRAM)

Paměti SDRAM (synchronní DRAM) Paměti SDRAM (synchronní DRAM) 1 Paměti SDRAM Cíl přednášky: - Shrnout předcházející techniky řízení pamětí. - Prezentovat techniku SDRAM, postihnout její výrazné rysy a odlišnosti od předcházejících typů.

Více

Něco málo o časování a frekvenci

Něco málo o časování a frekvenci Paměti 2 Něco málo o časování a frekvenci Pokud pomineme rozdílné technologie (FPM, EDO, SDRAM, DDR SDRAM...), liší se paměti v zásadě pouze frekvencí a časováním. Ale co to vůbec je? Tyto dva faktory

Více

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace 1 Cíl přednášky Popsat architektury vnitřních pamětí personálních počítačů. Zabývat se vývojem pojmů, technologií, organizací. Vyvodit

Více

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry.

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry. Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod Operační paměť

Více

Paměti SDRAM (synchronní DRAM)

Paměti SDRAM (synchronní DRAM) Paměti SDRAM (synchronní DRAM) 1 Paměti SDRAM Cíl přednášky: - Shrnout předcházející techniky řízení pamětí. - Prezentovat techniku SDRAM, postihnout její výrazné rysy a odlišnosti od předcházejících typů.

Více

Paměti v PC - souhrn

Paměti v PC - souhrn Paměti v PC - souhrn V současném PC se vyskytuje podstatně více různých typů pamětí hierarchicky uspořádaných než v prvních typech. Zvýšila se kapacita pamětí, získávání dat z pamětí o velké kapacitě je

Více

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM 1 Požadavky na RDRAM - začátky Nové DRAM musí zajistit desetinásobné (?) zvýšení šířky pásma srovnání výkonu procesoru a paměti. Náklady na výrobu a

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informatika 2 Technické prostředky počítačové techniky - 2 Přednáší: doc. Ing. Jan Skrbek, Dr. - KIN Přednášky: středa 14 20 15 55 Spojení: e-mail: jan.skrbek@tul.cz 16 10 17 45 tel.: 48 535 2442 Obsah:

Více

4.2 Paměti PROM - 87 - NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n

4.2 Paměti PROM - 87 - NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Paměti polovodičové. Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace.

Paměti polovodičové. Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace. Paměti polovodičové Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace. Kromě základních vlastností, jako jsou kapacita a maximální doba přístupu se hodnotí i příkon a počet napájecích napětí

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry.

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod

Více

Paměti a jejich organizace

Paměti a jejich organizace Kapitola 5 Paměti a jejich organizace 5.1 Vnitřní a vnější paměti, vlastnosti jednotlivých typů Vnější paměti Jsou umístěny mimo základní jednotku. Lze je zařadit mezi periferní zařízení. Zápis a čtení

Více

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

1 Paměť a číselné soustavy

1 Paměť a číselné soustavy Úvod 1 Paměť a číselné soustavy Počítač používá různé typy pamětí. Odlišují se svou funkcí, velikostí, rychlostí zápisu a čtení, schopností udržet data v paměti. Úkolem paměti je zpřístupňovat data dle

Více

Pokročilé architektury počítačů

Pokročilé architektury počítačů Pokročilé architektury počítačů Architektura paměťového a periferního podsystému České vysoké učení technické, Fakulta elektrotechnická A4M36PAP Pokročílé architektury počítačů Ver.1.00 2010 1 Motivace

Více

ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA

ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA Střední škola, Havířov Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA POLOVODIČOVÉ PAMĚTI Ing. Bouchala Petr 2007 Vytištěno pro vnitřní potřebu školy PAMĚTI Úvod Paměť

Více

Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače.

Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače. Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače. Paměti Paměť mikroprocesor z ní čte program a data a ukládá do ní výsledky Dá se rozdělit na : Primární paměti, se kterými mikroprocesor

Více

Technické prostředky počítačové techniky

Technické prostředky počítačové techniky Počítač - stroj, který podle předem připravených instrukcí zpracovává data Základní části: centrální procesorová jednotka (schopná řídit se posloupností instrukcí a ovládat další části počítače) zařízení

Více

Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM

Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM Pavel Dvořák Gymnázium Velké Meziříčí Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0948 Jazyk: čestina Datum vytvoření: 17. 10. 2012 Cílová skupina: studenti

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informatika 2 Technické prostředky počítačové techniky - 2 Přednáší: doc. Ing. Jan Skrbek, Dr. - KIN Přednášky: středa 14 20 15 55 Spojení: e-mail: jan.skrbek@tul.cz 16 10 17 45 tel.: 48 535 2442 Obsah:

Více

Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/

Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/ Střední odborná škola elektrotechnická, Centrum odborné přípravy Zvolenovská 537, Hluboká nad Vltavou Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/34.0448 CZ.1.07/1.5.00/34.0448 1 Číslo projektu

Více

1. ÚVOD. Analogové a číslicové veličiny. Analogové a číslicové zobrazení signálů. Zaměření učebnice ČÍSELNÉ SOUSTAVY. Obvyklé číselné soustavy

1. ÚVOD. Analogové a číslicové veličiny. Analogové a číslicové zobrazení signálů. Zaměření učebnice ČÍSELNÉ SOUSTAVY. Obvyklé číselné soustavy Obsah 5 Obsah: 1. ÚVOD 11 1.1 Analogové a číslicové veličiny 12 1.2 Analogové a číslicové zobrazení signálů 13 1.3 Zaměření učebnice 15 2. ČÍSELNÉ SOUSTAVY 2.1 Obvyklé číselné soustavy 16 17 2.2 Převody

Více

Mikroprocesorová technika a embedded systémy. doc. Ing. Tomáš Frýza, Ph.D.

Mikroprocesorová technika a embedded systémy. doc. Ing. Tomáš Frýza, Ph.D. Ústav radioelektroniky Vysoké učení technické v Brně Polovodičové paměti Mikroprocesorová technika a embedded systémy Přednáška 9 doc. Ing. Tomáš Frýza, Ph.D. listopad 2012 Obsah přednášky Dělení polovodičových

Více

Mezipaměti počítače. L2 cache. L3 cache

Mezipaměti počítače. L2 cache. L3 cache Mezipaměti počítače Cache paměť - mezipaměť Hlavní paměť procesoru je typu DRAM a je pomalá. Proto se mezi pomalou hlavní paměť a procesor vkládá menší, ale rychlá vyrovnávací (cache) paměť SRAM. Rychlost

Více

Paměti. Paměti. Rozdělení, charakteristika, druhy a typy pamětí. Banky

Paměti. Paměti. Rozdělení, charakteristika, druhy a typy pamětí. Banky Paměti. Rozdělení, charakteristika, druhy a typy pamětí. Banky Paměti Paměť počítače je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje. Paměti lze rozdělit do tří základních

Více

Volativní paměti: Dynamická paměť RAM

Volativní paměti: Dynamická paměť RAM Petr Vích 4. C Maturita 2008/2009 Technologie výroby a. TTL tranzistor tranzistor logic - drahá b. CMOS complement metal oxid semiconductor Unipolární tranzistor PMOS pozitivní pomalá NMOS - negativní

Více

Paměti Flash. Paměti Flash. Základní charakteristiky

Paměti Flash. Paměti Flash. Základní charakteristiky Paměti Flash K.D. - přednášky 1 Základní charakteristiky (Flash EEPROM): Přepis dat bez mazání: ne. Mazání: po blocích nebo celý čip. Zápis: po slovech nebo po blocích. Typická životnost: 100 000 1 000

Více

Procesory a paměti Procesor

Procesory a paměti Procesor Procesory a paměti Procesor základní součást počítače, integrovaný obvod s velmi vysokým stupněm integrace, uváděn jako mozek počítače. V současné době jsou na trhu procesory dvou výrobců: Intel a AMD.

Více

Mikrokontroléry. Doplňující text pro POS K. D. 2001

Mikrokontroléry. Doplňující text pro POS K. D. 2001 Mikrokontroléry Doplňující text pro POS K. D. 2001 Úvod Mikrokontroléry, jinak též označované jako jednočipové mikropočítače, obsahují v jediném pouzdře všechny podstatné části mikropočítače: Řadič a aritmetickou

Více

Jako pomůcka jsou v pravém dolním rohu vypsány binární kódy čísel od 0 do 15 a binární kódy příkazů, které máme dispozici (obr.21). Obr.

Jako pomůcka jsou v pravém dolním rohu vypsány binární kódy čísel od 0 do 15 a binární kódy příkazů, které máme dispozici (obr.21). Obr. Model procesoru Jedná se o blokové schéma složené z registrů, paměti RAM, programového čítače, instrukčního registru, sčítačky a řídicí jednotky, které jsou propojeny sběrnicemi. Tento model má dva stavy:

Více

PAMĚTI ROM, RAM, EPROM, EEPROM

PAMĚTI ROM, RAM, EPROM, EEPROM Elektronická paměť je součástka, zařízení nebo materiál, který umožní uložit obsah informace (zápis do paměti), uchovat ji po požadovanou dobu a znovu ji získat pro další použití (čtení paměti). Informace

Více

Úvod do programování a práce s počítačem 2

Úvod do programování a práce s počítačem 2 Úvod do programování a práce s počítačem 2 Typy paměti RWM, RAM (Read Write Memory, Random Access Memory) provádí se zápis i čtení závislost na napájecím napětí SRAM» statická» jednou zapsaná informace

Více

Řízení IO přenosů DMA řadičem

Řízení IO přenosů DMA řadičem Řízení IO přenosů DMA řadičem Doplňující text pro POT K. D. 2001 DMA řadič Při přímém řízení IO operací procesorem i při použití přerušovacího systému je rychlost přenosu dat mezi IO řadičem a pamětí limitována

Více

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013 Paměti Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013 A3B38MMP, 2013, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Paměti - základní pojmy

Více

Základní principy konstrukce systémové sběrnice - shrnutí. Shrnout základní principy konstrukce a fungování systémových sběrnic.

Základní principy konstrukce systémové sběrnice - shrnutí. Shrnout základní principy konstrukce a fungování systémových sběrnic. Základní principy konstrukce systémové sběrnice - shrnutí Shrnout základní principy konstrukce a fungování systémových sběrnic. 1 Co je to systémová sběrnice? Systémová sběrnice je prostředek sloužící

Více

POLOVODIČOVÉ PAMĚTI. 1. Polovodičové paměti RAM. Paměťová buňka SRAM. řádkové vodiče. sloupcové vodiče. 1.1 Statická paměť RAM (SRAM)

POLOVODIČOVÉ PAMĚTI. 1. Polovodičové paměti RAM. Paměťová buňka SRAM. řádkové vodiče. sloupcové vodiče. 1.1 Statická paměť RAM (SRAM) POLOVODIČOVÉ PAMĚTI Polovodičové paměti se skládají z tzv. paměťových buněk. Paměťová buňka je realizována pomocí integrované součástky nebo obvodu, umožňující trvale nebo dočasně vyvolat dva stavy (reprezentace

Více

Hardware počítačů. Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič

Hardware počítačů. Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič Hardware počítačů Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič 5. Paměťový systém počítače Paměť je důležitou součástí počítače, procesor si s ní neustále vyměňuje data. vnitřní paměť =

Více

Paměťový podsystém počítače

Paměťový podsystém počítače Paměťový podsystém počítače typy pamětových systémů počítače virtuální paměť stránkování segmentace rychlá vyrovnávací paměť 30.1.2013 O. Novák: CIE6 1 Organizace paměťového systému počítače Paměťová hierarchie...

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V.2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V.2.1 Logické obvody Kapitola 24 Vnitřní paměti

Více

TECHNICKÝ POPIS MODULU GRAFIK =============================

TECHNICKÝ POPIS MODULU GRAFIK ============================= listů: 8 list : 1 TECHNICKÝ POPIS MODULU GRAFIK ============================= zpracoval: Nevoral schválil: Cajthaml ZPA, k.p. Nový Bor, listopad 1985 4-151-00342-4 list: 1 list: 2 1. VŠEOBECNĚ Obvody realizované

Více

AGP - Accelerated Graphics Port

AGP - Accelerated Graphics Port AGP - Accelerated Graphics Port Grafiku 3D a video bylo možné v jisté vývojové etapě techniky pracovních stanic provozovat pouze na kvalitních pracovních stanicích (cena 20 000 USD a více) - AGP představuje

Více

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC Informační systémy 2 Obsah: Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC ROM RAM Paměti typu CACHE IS2-4 1 Dnešní info: Informační systémy 2 03 Informační systémy

Více

Paměti, přednáška 7 a 8. studenty zapsané v předmětu: A3B38MMP a X38MIP, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer

Paměti, přednáška 7 a 8. studenty zapsané v předmětu: A3B38MMP a X38MIP, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Paměti, přednáška 7 a 8 v. 2011 Materiál je určen jako pomocný materiál pouze pro studenty zapsané v předmětu: A3B38MMP a X38MIP, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Jan Fischer, 2011 1

Více

Hardware. Ukládání dat, úložiště. Mgr. Jan Veverka Střední odborná škola sociální Evangelická akademie

Hardware. Ukládání dat, úložiště. Mgr. Jan Veverka Střední odborná škola sociální Evangelická akademie Hardware Ukládání dat, úložiště Mgr. Jan Veverka Střední odborná škola sociální Evangelická akademie Způsob záznamu informace na PC data existují na PC zakódovaná do dvojkové soustavy = formou hodnot 0

Více

Princip funkce počítače

Princip funkce počítače Princip funkce počítače Princip funkce počítače prvotní úlohou počítačů bylo zrychlit provádění matematických výpočtů první počítače kopírovaly obvyklý postup manuálního provádění výpočtů pokyny pro zpracování

Více

Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA

Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA RNDr. Jan Preclík, Ph.D. Ing. Dalibor Vích Jiráskovo gymnázium Náchod Skříň počítače case druhy Desktop Midi tower Middle tower Big tower Hardware - základní jednotka 2 Základní

Více

Dekódování adres a návrh paměťového systému

Dekódování adres a návrh paměťového systému Dekódování adres a návrh paměťového systému K.D. 2004 Tento text je určen k doplnění přednášek z předmětu POT. Je zaměřen jen na některé body probírané na přednáškách bez snahy o úplné vysvětlení celé

Více

SEKVENČNÍ LOGICKÉ OBVODY

SEKVENČNÍ LOGICKÉ OBVODY Sekvenční logický obvod je elektronický obvod složený z logických členů. Sekvenční obvod se skládá ze dvou částí kombinační a paměťové. Abychom mohli určit hodnotu výstupní proměnné, je potřeba u sekvenčních

Více

Paměti. Přednáška 7,8 - Paměti - tento materiál slouží pouze jako grafický podklad k přednášce a neposkytuje

Paměti. Přednáška 7,8 - Paměti - tento materiál slouží pouze jako grafický podklad k přednášce a neposkytuje Paměti Přednáška 7,8 - Paměti - tento materiál slouží pouze jako grafický podklad k přednášce a neposkytuje samostatný a úplný výklad X38MIP -2010, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer 1 Paměti -

Více

Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC Technické prostředky počítačové techniky Obsah: Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC ROM RAM Paměti typu CACHE IS2-4 1 Dnešní info: Informatika 2 04 Zemřel otec e-mailu Aplikace Záchranka

Více

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Paměti Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Paměti - základní pojmy

Více

Solid State Drive SSD polovodičový disk. J. Vrzal, verze 0.8

Solid State Drive SSD polovodičový disk. J. Vrzal, verze 0.8 Solid State Drive SSD polovodičový disk J. Vrzal, verze 0.8 Charakteristika SSD Charakteristika SSD soustava energeticky nezávislých flash pamětí, které jsou osazeny na destičce tištěného spoje alternativa

Více

PROCESOR. Typy procesorů

PROCESOR. Typy procesorů PROCESOR Procesor je ústřední výkonnou jednotkou počítače, která čte z paměti instrukce a na jejich základě vykonává program. Primárním úkolem procesoru je řídit činnost ostatních částí počítače včetně

Více

Vestavné systémy. BI-VES Přednáška 8. Ing. Miroslav Skrbek, Ph.D.

Vestavné systémy. BI-VES Přednáška 8. Ing. Miroslav Skrbek, Ph.D. Vestavné systémy BI-VES Přednáška 8 Ing. Miroslav Skrbek, Ph.D. Katedra počítačových systémů Fakulta informačních technologií České vysoké učení technické v Praze Miroslav Skrbek 2010,2011 ZS2010/11 Evropský

Více

asociativní paměti Ing. Jakub Št astný, Ph.D. 1 Katedra teorie obvodů FEL ČVUT Technická 2, Praha 6,

asociativní paměti Ing. Jakub Št astný, Ph.D. 1 Katedra teorie obvodů FEL ČVUT Technická 2, Praha 6, Pamět ové obvody, řadiče a implementace, asociativní paměti AČS Ing. Jakub Št astný, Ph.D. 1 1 FPGA Laboratoř Katedra teorie obvodů FEL ČVUT Technická 2, Praha 6, 166 27 http://amber.feld.cvut.cz/fpga

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu / Druh CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT

Více

Architektura počítače

Architektura počítače Architektura počítače Výpočetní systém HIERARCHICKÁ STRUKTURA Úroveň aplikačních programů Úroveň obecných funkčních programů Úroveň vyšších programovacích jazyků a prostředí Úroveň základních programovacích

Více

Systém řízení sběrnice

Systém řízení sběrnice Systém řízení sběrnice Sběrnice je komunikační cesta, která spojuje dvě či více zařízení. V určitý okamžik je možné aby pouze jedno z připojených zařízení vložilo na sběrnici data. Vložená data pak mohou

Více

HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně

HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně ZVT HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně HW vybavení PC Hardware Vnitřní (uvnitř počítačové skříně) Vnější ( ) Základní HW základní jednotka + zobrazovací zařízení + klávesnice + (myš) Vnější

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Jana

Více

velikosti vnitřních pamětí? Jaké periferní obvody má na čipu a k čemu slouží? Jaká je minimální sestava mikropočítače z řady 51 pro vestavnou aplikaci

velikosti vnitřních pamětí? Jaké periferní obvody má na čipu a k čemu slouží? Jaká je minimální sestava mikropočítače z řady 51 pro vestavnou aplikaci Některé otázky pro kontrolu připravenosti na test k předmětu MIP a problémové okruhy v l.sem. 2007 Náplní je látka z přednášek a cvičení do termínu testu v rozsahu přednášek, případně příslušného textu

Více

ZÁKLADY PROGRAMOVÁNÍ. Mgr. Vladislav BEDNÁŘ 2013 1.3 2/14

ZÁKLADY PROGRAMOVÁNÍ. Mgr. Vladislav BEDNÁŘ 2013 1.3 2/14 ZÁKLADY PROGRAMOVÁNÍ Mgr. Vladislav BEDNÁŘ 2013 1.3 2/14 Co je vhodné vědět, než si vybereme programovací jazyk a začneme programovat roboty. 1 / 14 0:40 1.3. Vliv hardware počítače na programování Vliv

Více

Karel Johanovský Michal Bílek. Operační paměť

Karel Johanovský Michal Bílek. Operační paměť Karel Johanovský Michal Bílek SPŠ-JIA Operační paměť 1 3 SO- Paměti - úvodem Paměti můžeme dělit dle různých kritérií: podle přístupu k buňkám paměti podle možnosti změny dat podle technologie realizace

Více

Typy a použití klopných obvodů

Typy a použití klopných obvodů Typy a použití klopných obvodů Klopné obvody s hodinovým vstupem mění svůj stav, pokud hodinový vstup má hodnotu =. Přidáním invertoru před hodinový vstup je lze upravit tak, že budou měnit svůj stav tehdy,

Více

Praktické úlohy- 2.oblast zaměření

Praktické úlohy- 2.oblast zaměření Praktické úlohy- 2.oblast zaměření Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Měření specializovanými přístroji, jejich obsluha a parametrizace; Diagnostika a specifikace závad, měření

Více

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení!

Kategorie Ž1. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie Ž1 START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Proč se pro dálkový přenos elektrické

Více

SKŘÍŇ PC. Základní součástí počítačové sestavy je skříň.

SKŘÍŇ PC. Základní součástí počítačové sestavy je skříň. SKŘÍŇ PC Základní součástí počítačové sestavy je skříň. Obsah skříně PC Skříň PC je nejdůležitější částí PC sestavy. Bez ní by počítač nemohl pracovat. Jsou v ní umístěny další součástky hardwaru, které

Více

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH, DUKELSKÁ 13 PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ Provedl: Jan Kotalík Datum: 3.1. 2010 Číslo: Kontroloval/a Datum: 1. ÚLOHA: Návrh paměti Pořadové číslo žáka:

Více

PAMĚŤOVÝ SUBSYSTÉM. Principy počítačů I. Literatura. Parametry paměti. Parametry paměti. Dělení pamětí podle funkce. Kritéria dělení pamětí

PAMĚŤOVÝ SUBSYSTÉM. Principy počítačů I. Literatura. Parametry paměti. Parametry paměti. Dělení pamětí podle funkce. Kritéria dělení pamětí Principy počítačů I PAMĚŤOVÝ SUBSYSTÉM Literatura http://www.tomshardware.com http://www.play-hookey.com/digital/ 6 kb ought to be enough for anybody. Bill Gates, 98 Parametry paměti kapacita objem informace,

Více

Seriové ATA, principy, vlastnosti

Seriové ATA, principy, vlastnosti Seriové ATA, principy, vlastnosti Snahy o zvyšování rychlosti v komunikaci s periferními zařízeními jsou velmi problematicky naplnitelné jedním z omezujících faktorů je fyzická konstrukce rozhraní a kabelů.

Více

Základní pojmy informačních technologií

Základní pojmy informačních technologií Základní pojmy informačních technologií Informační technologie (IT): technologie sloužící k práci s daty a informacemi počítače, programy, počítač. sítě Hardware (HW): jednoduše to, na co si můžeme sáhnout.

Více

Základní deska (1) Parametry procesoru (2) Parametry procesoru (1) Označována také jako mainboard, motherboard

Základní deska (1) Parametry procesoru (2) Parametry procesoru (1) Označována také jako mainboard, motherboard Základní deska (1) Označována také jako mainboard, motherboard Deska plošného spoje tvořící základ celého počítače Zpravidla obsahuje: procesor (mikroprocesor) patici pro numerický koprocesor (resp. osazený

Více

Základní části počítače. Skříň počítače ( desktop, minitower, tower) Monitor Klávesnice Myš

Základní části počítače. Skříň počítače ( desktop, minitower, tower) Monitor Klávesnice Myš Základní části počítače Skříň počítače ( desktop, minitower, tower) Monitor Klávesnice Myš 1. OBSAH SKŘÍNĚ POČÍTAČE 1.1 Základní deska anglicky mainboard či motherboard Hlavním účelem základní desky je

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

FLASH PAM TI. David Richter Ing. Karel Kubata

FLASH PAM TI. David Richter Ing. Karel Kubata FLASH PAM TI David Richter Ing. Karel Kubata Flash pam ti Obecná charakterstika: mechanicky odolné,, neobsahující žádné mechanické části uchovávaj vající data bezpřístupu elektrického napětí Použit ití

Více

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_15_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077

Více

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Název projektu: Moderní škola Registrační číslo: CZ.1.07/1.5.00/34.0467 Název klíčové aktivity: III/2 - Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Kód výstupu:

Více

PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY

PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY (PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE PLD) Programovatelné logické obvody jsou číslicové obvody, jejichž logická funkce může být programována uživatelem. Výhody: snížení počtu integrovaných

Více

Název školy: Základní škola a Mateřská škola Žalany

Název školy: Základní škola a Mateřská škola Žalany Název školy: Základní škola a Mateřská škola Žalany Číslo projektu: CZ. 1.07/1.4.00/21.3210 Téma sady: Informatika pro devátý ročník Název DUM: VY_32_INOVACE_5A_19_Paměti_počítače Vyučovací předmět: Informatika

Více

Memristor. Úvod. Základní struktura mertistorů

Memristor. Úvod. Základní struktura mertistorů Memristor Úvod Vědcům společnosti HP (Hewlett-Packard) se skoro náhodou povedlo nanotechnologií prakticky realizovat nový typ součástky s vlastnostmi již dříve předvídaného prvku pojmenovaného jako memristor

Více