Spintronics. Tomas Jungwirth. Institute of Physics ASCR Prague, Czech Rep. and University of Nottingham, UK
|
|
|
- Hana Tomanová
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Spintronics Tomas Jungwirth Institute of Physics ASCR Prague, Czech Rep. and University of Nottingham, UK
2 Outline Spintronic devices Physical paradigms of spintronics Materials for spintronics
3 Outline Spintronic devices Physical paradigms of spintronics Materials for spintronics
4 Electronics Electron has fixed charge Q C manipulating charge = manipulating entire electron
5 Electronics I e Transistor Shockley, Bardeen, and Brattain, 1947
6 Electronics V G I e Transistor Shockley, Bardeen, and Brattain, 1947
7 Electronics V G I e = 0 Transistor Shockley, Bardeen, and Brattain, 1947
8 Electronics V G 1 0 Transistor Shockley, Bardeen, and Brattain, 1947
9 Spintronics Electron has spin - magnetic moment B ev/t manipulating spin = manipulating internal degree of freedom of electron
10 Spintronics M I e Anisotropic magnetoresistance: current depeds on spin (magnetization) orientation Kelvin, 1857
11 Spintronics M I e Anisotropic magnetoresistance: current depeds on spin (magnetization) orientationc Kelvin, 1857
12 Spintronics 1 I e 0 I e = 0 Giant magnetoresistance Fert, Grünberg, 1988
13 Spintronics M Inverse magnetoresistance: spin (magnetization) orientation depends on current Berger, 1978
14 Spintronic sensors First HDD, 1956 MB in a room Micro HDD 100GB in a pocket
15 Spintronic sensors 1990s
16 Spintronic sensors 1990s
17 Spintronics memory chip - MRAM Non-volatile RAM, 2006
18 MRAM: universal memory write with magnetic field write with current write with current & perpendicular scalable to ~ 10 nm
19 MRAM: universal memory Compatible with CMOS
20 Conventional architecture with CMOS New architectuture with MRAM MRAM kb huge gap MB GB in a few years TB
21 Non-volatile spintronic logic
22 Conventional architecture with CMOS New architectuture with spin memory/logic longer term...
23 Worldwide MRAM development and manufacturing
24 Outline Spintronic devices Physical paradigms of spintronics Materials for spintronics
25 Spin-orbit coupling: quantum relativistic physics 2 p 1 2 E mv 2m 2 i ( r, t) t 2 2 ( r, t) 2 2m r
26 Spin-orbit coupling: quantum relativistic physics E mc 1/ 2, m (1 v m 2 Dirac equation 0 / c 2 )
27 Spin-orbit coupling: quantum relativistic physics
28 Spin: internal degree of freedom of electron
29 Spin: internal degree of freedom of electron Spin-up B ev/t
30 Spin: internal degree of freedom of electron Spin-down
31 Spin: internal degree of freedom of electron Quantum physics: any linear combination allowed a + b
32 Ultra-relativistic quantum particles (neutrino)
33 Ultra-relativistic quantum particles (neutrino) Dirac equation E cp s spin and orbital motion coupled
34 Ultra-relativistic quantum particles (neutrino) Dirac equation E cp s spin and orbital motion coupled
35 Ultra-relativistic quantum particles (neutrino) Dirac equation E cp s spin and orbital motion coupled
36 Dirac spintronics paradigm: quantum-relativistic spin-orbit coupling Relies on a single spin-orbit coupled magnet (or non-magnet) Mott spintronics paradigm: two-spin-channel model of ferromagnets Relies on spin-transport between ferromagnets
37 Ohmic Dirac device: AMR Kelvin, 1857 Magnetization-orientation-dependent scattering
38 Tunneling Mott device: TMR MRAM Spin-channel-dependent tunneling DOS
39 Dirac spin-gated transistor M Ciccarelli, Zarbo, Irvine, Campion, Gallagher, Wunderlich, Jungwirth, Ferguson preprint 12
40 M Dirac spin-gated transistor Ciccarelli, Zarbo, Irvine, Campion, Gallagher, Wunderlich, Jungwirth, Ferguson preprint 12
41 Magnetization-orientation-dependent chemical potential Dirac spin-gated transistor Ciccarelli, Zarbo, Irvine, Campion, Gallagher, Wunderlich, Jungwirth, Ferguson preprint 12
42 Outline Spintronic devices Physical paradigms of spintronics Materials for spintronics
43 Current Mott sensors and MRAMs based on FM transition metals Single-crystal Mg0 large MR perpendicular M
44 Dirac spintronic devices based on antiferromagnets Spin-orbit AMR effects equally well present in AFMs as in FMs FM AMR ~ ( m) 2 AFM Shick, Jungwirth PRB 10
45 From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt NiFe MgO NiFe MnIr Ta/Ru/Ta Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat. 11
46 From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt MgO NiFe NiFe MnIr Ta/Ru/Ta Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat. 11
47 From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt MgO MnIr NiFe Ta/Ru/Ta Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat. 11
48 From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt MgO MnIr NiFe Ta/Ru/Ta Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat. 11
![R [k ] From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt MgO MnIr 100 50 3 nm IrMn NiFe Ta/Ru/Ta -1 0 1 B [ T ] >100% MR signal at](/docs-images/57/40466850/images/49-0.jpg "~50 mt Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat.")
49 R [k ] From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt MgO MnIr nm IrMn NiFe Ta/Ru/Ta B [ T ] >100% MR signal at ~50 mt Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat. 11
50 R (kohm) From Mott FM-FM device to Dirac AFM device Pt MgO MnIr NiFe Ta/Ru/Ta Field (Oe) Electrically measurable memory effect in AFM Park, Wunderlich, Marti, Holy, Kurosaki, Yamada, Yamamoto, Nishide, Hayakawa, Takahashi, Shick, Jungwirth Nature Mat. 11
51 Ferromagnetic semiconductors
52 Ferromagnetic semiconductors Molecular beam epitaxy of (Ga,Mn)As GaAs common III-V semiconductor Group-II Mn magnetic moment, holes GaAs:Mn feromagnetic semiconductor
53 Optical spin transfer torque in (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductor Nemec, Rozkotova, Tesarova, Trojanek, Ranieri, K.Olejník, Zemen, Novák, Cukr, Malý, Jungwirth, Nature Phys Ultrafast (100fs) excitation of magnetization compare with ns-scale of current STT
54 Dirac non-magntic semiconductor (spin-hall) transistor Wunderlich, Park, Irvine, Zarbo, Rozkotová, Němec, Novák, Sinova, Jungwirth, Science 2010
55 Dirac non-magntic semiconductor (spin-hall) transistor Wunderlich, Park, Irvine, Zarbo, Rozkotová, Němec, Novák, Sinova, Jungwirth, Science 2010
56 Dirac non-magntic semiconductor (spin-hall) transistor Wunderlich, Park, Irvine, Zarbo, Rozkotová, Němec, Novák, Sinova, Jungwirth, Science 2010
57 Dirac non-magntic semiconductor (spin-hall) transistor Wunderlich, Park, Irvine, Zarbo, Rozkotová, Němec, Novák, Sinova, Jungwirth, Science 2010
58 Dirac non-magntic semiconductor (spin-hall) transistor + V G Wunderlich, Park, Irvine, Zarbo, Rozkotová, Němec, Novák, Sinova, Jungwirth, Science 2010
59 V G2 [V] + Dirac non-magntic semiconductor logic V G2 V G1 2 m R H2 R H1 I PH V B Hall bar VG1-0.25[V] R H2 [ ] AND Wunderlich, Park, Irvine, Zarbo, Rozkotová, Němec, Novák, Sinova, Jungwirth, Science 2010
60 Institute of Physics ASCR and Charles Univ., Prague, Czech Rep. Univ. of Nottingham, UK Hitachi and Univ. Cambridge, UK & Hitachi Japan J. Wunderlich, A. Ferguson, B.G. Park, C. Ciccarelli, Y. Kurosaki, M. Yamada, H. Yamamoto, A. Nishide, J. Hayakawa, H. Takahashi, L. Zarbo, A. Shick,V. Novák, H. Reichlová, K. Olejník, M. Cukr, X. Marti, O. Stelmakhovych, V. Holý, P. Němec, P. Horodyská, E. Rozkotová, N. Tesařová, J. Mašek, F. Máca, J. Sinova, J. Železný, K. Výborný, J. Zemen, R. Campion, T. Foxon, B. Gallagher, P. Wadley, K. Edmonds, A. Rushforth,...
61
62 Tunneling Dirac device: TAMR - Discovered in GaMnAs - Bistable spin-valve-like signal whose sign depends on field angle Gould et al. PRL 04 Brey et al. APL 04, Giddings et al. PRL 04, Giraud et al. APL 05, Sankowski et al. PRB 07, Ciorga et al., NJP 07
63 -TAMR in metals Tunneling Dirac device: TAMR - large spin-orbit large signal Park, Wunderlich, Jungwirth et al. PRL 08 Shick, Jungwirth et al. PRB 06, Moser et al. PRL 07, Gao et al. PRL 07
64 Chemical potential controlled Dirac device: CBAMR (m) Discovered in GaMnAs SET Gate-voltage and magnetiztionangle dependent Coulomb oscillations Wunderlich, Jungwirth et al. PRL 06, Schlapps et al. PRB 09
65 Chemical potential controlled Dirac device: CBAMR Electrical control of spintronics Positive & negative MR Spintronic control of electronics p-type & n-type transistor m 1 V G1 m 2 V G2 B (T) rotating m Wunderlich, Jungwirth et al. PRL 06, Solid State Commun. 07
66 Chemical potential controlled Dirac device: CBAMR CBAMR confirmed in metal channel with ferromagnetic leads Bernard-Mantel et al. Nature Phys. 09
67 Transistor
68 Transistor
69 Transistor
70 Transistor 1. transistor z roku dnes s velikostí hradla pod 20 nm a vzdáleností 2 nm od polovodivého kanálu (1 nm = 10-9 m)
71 Integrovaný obvod - čip Několik kilometrů drátů o tloušťce nm milionů transistorů na čipu
72 Tepelný výkon na cm dnes jako žehlička a za 10 let ve hvězdách
73 Problém s elektrickou těsností při zmenšování pod 100 nm
74 Konec éry křemíku
75 Konec klasické fyziky
76 Fyzický konec škálovaní u 1 nm, dál už jen jednotlivé atomy
77 Konec škálovaní na dohled co potom je zatím ve hvězdách nm 2010
78 Stavebnice z jednotlivých atomů
79 Stavebnice z jednotlivých atomů Čisto (vakuum) jako v mezihvězdném prostoru 10 6 to mbar 10 9 to mbar
80 Stavebnice z jednotlivých atomů Růst po atomových vrstvách
81 Stavebnice z jednotlivých atomů Atomárně hladké vrstvy
82 Stavebnice z jednotlivých atomů Střídaní atomů ve vrstvě nebo od vrstvy k vrstvě
83 Stavebnice z jednotlivých atomů Kreslení atomy po povrchu
84 Stavebnice z jednotlivých atomů Kreslení atomy po povrchu 35 atomů xenonu na povrchu niklu (1990)
85 Stavebnice z jednotlivých atomů Výměna atomů Křemík (Si) za cín
86 Stavebnice z jednotlivých atomů Výměna atomů Křemík (Si) za cín
87 Atomové jádro MeV (10 6 ev) Atom
88 Atom Valenční elektrony ev Atomové jádro MeV (10 6 ev)
89 Elektron - ika Elementární částice elektron: Náboj Q C hmotnost m kg Síla vnějšího electrického pole na elektron QE ma - Co dál s elektronem?
90 Kvantová relativistická fyzika 2 p 1 2 E mv 2m 2 i ( r, t) t 2 2 ( r, t) 2 2m r
91 Kvantová relativistická fyzika E mc 2, m 1/ (1 m v 2 0 / c 2 )
92 Kvantová relativistická fyzika
93 time Spin: vnitřní stupeň volnosti elektronu space
94 time Spin: vnitřní stupeň volnosti elektronu space Spin-up
95 time Spin: vnitřní stupeň volnosti elektronu space Spin-down
96 time Spin: vnitřní stupeň volnosti elektronu space Kvantová fyzika: libovlná kombinace také možná a + b
97 time Elektronika s kvantovými bity a kvantovým počítáním Klasické 2 bity a počítání buď nebo nebo nebo space Kvantové 2 bity a počítání: 1 = a 0 = a 00 + b 11 + c 10 + d 01 v páru kvantových bitů je možné uložit libovolnou kombinaci 4 stavů najednou Pro n bitů je to 2 n stavů
98 Elektronika s ultra-relativistickými kvantovými částicemi Ultrarychlé částice s klidovou hmotou blízkou 0 (neutrino)
99 Elektronika s ultra-relativistickými kvantovými částicemi Ultrarychlé částice s klidovou hmotou blízkou 0 (neutrino) spin a pohyb se vzájemně ovlivňují E cp s
100 Elektronika s ultra-relativistickými kvantovými částicemi Ultrarychlé částice s klidovou hmotou blízkou 0 (neutrino) spin a pohyb se vzájemně ovlivňují E cp s
101 Elektronika s ultra-relativistickými kvantovými částicemi Ultrarychlé částice s klidovou hmotou blízkou 0 (neutrino) spin a pohyb se vzájemně ovlivňují E cp s
102 Elektronika s ultra-relativistickými kvantovými částicemi neutrino graphene E cp s E vp s Elektron v jedné atomové vrstvě uhlíku (graphenu): = kapesní neutrino rychlost v c / 300 Geim & Novoselov, Nobelova cena 2010
103 Spin je magnetický moment m Elementární magnetický moment (Bohrův magneton) Energie v magnetickém poli m E B m B 5 ev/t
104 Spin je magnetický moment m Elementární magnetický moment (Bohrův magneton) Energie v magnetickém poli m E B m B 5 ev/t
105 Spintronika malé shrnutí Elektron nese elementární (záporný) naboj
106 Spintronika malé shrnutí Elektron nese elementární (záporný) naboj Elektron nese spin, se kterým se dá počítat i bez pohybu náboje a 00 + b 11 + c 10 +d 01
107 Spintronika malé shrnutí Elektron nese elementární (záporný) naboj Elektron nese spin, se kterým se dá počítat i bez pohybu náboje a který může být s pohybem svázán a 00 + b 11 + c 10 +d 01
108 Spintronika malé shrnutí Elektron nese elementární (záporný) naboj Elektron nese spin, se kterým se dá počítat i bez pohybu náboje a který může být s pohybem svázán a 00 + b 11 + c 10 +d 01 Spin je elementární magnetický moment
109 Spintronika malé shrnutí Elektron nese elementární (záporný) naboj Elektron nese spin, se kterým se dá počítat i bez pohybu náboje a který může být s pohybem svázán a 00 + b 11 + c 10 +d 01 Spin je elementární magnetický moment
110 Dnes spintronické součástky využívaji feromagnetické vodiče Kolektivní chování spinů snadné ovládání a velký signál
111 Dnes spintronické součástky využívaji feromagnetické vodiče Kolektivní chování spinů snadné ovládání a velký signál
112 Dnes spintronické součástky využívaji feromagnetické vodiče Kolektivní chování spinů snadné ovládání a velký signál a paměť
113 První spintronické prvky v magnetických sensorech Spintronické čtecí hlavy Indukční čtecí hlavy (cívka) Anisotropní magnetoresistance (AMR) 1850 s 1990 s Lord Kelvin 1857 Giantická magnetoresistance (GMR) Grünberg & Fert `88, Nobelova cena 2007
114 Spintronika umožnila obrovské zvýšení kapacity pevných disků První pevný disk (1956) - MB Dnešní mikro-disk GB
115 Spintronická operační paměť v čipu - MRAM RAM čip, který nezapomíná nehybný pevný disk Prvni 4Mb MRAM 2006
116 Spintronika umí několik funkcí v jedné součástce: číst, pamatovat si i zapisovat informaci GB MRAM ~2015 Zápis pomocí spinově polarizovaných proudů
117 Snaha integrovat spintroniku do polovodičových součástek Spintronický transistor procesor stálá a operční paměť, procesor - vše v jednom čipu
118 Jeden přístup: udělat z obyčejného polovodiče feromagnetický Zatlouct železný hřebík do křemíkové desky není správná cesta
119 Jeden přístup: udělat z obyčejného polovodiče feromagnetický Růst Mn-dopovaného GaAs s atomovou přesností GaAs standardní III-V polovodič Group-II Mn magnetické momenty a díry GaAs:Mn feromagnetický a elektricky dopovaný polovodič
120 Spintronický transistor Spinové ovládání elektroniky Elektrické ovládání spintroniky V G1 V G0
121 Jiná možnost je ochočit spiny v nemagnetickém polovodiči Spin závisí na pohybu elektronu F SO F SO I E Zmagnetované hrany (spinový Hallův jev)
122 Spinový Hallový mikročip Supravodivý magnet Stejná magnetizace v polovodiči dosažená pomocí milionkrát menších proudů i rozmerů
123 Spiny v polovodiči se dají ještě víc zkrotit Injektované spinově polarizované proudy budí příčné elektrické napěti
124 Spiny v polovodiči se dají ještě víc zkrotit Ustálený stav
125 Spiny v polovodiči se dají ještě víc zkrotit Spiny působí na proud ale i proud může působit na spiny
126 Spintronický transistor Elektrony stále proudí matipuluje se spin
127 Spintronický transistor + V G Elektrony stále proudí matipuluje se spin
128 Budoucnost mikroelektroniky ve hvězdách... spintronika jednou z možných cest která se učí z kvantové relativistické fyziky a skládání látek z jednotlivých atomů využívá spin elektronu samostatně nebo svázaného s pohybem náboje v elektrickém a magnetickém poli úspěšně nahrazuje nebo integruje prvky pro ukládání a čtení informace zpracování informace zatím na ůrovni prototypů jednotlivých spintronických transistorů
![V G2 [V] + Spintronický transistor: experimentání realizace V G2 V G1 R H2 R H1 2 m I PH V B Elektrony stále proudí matipuluje se spin 0.25 0-0.](/docs-images/57/40466850/images/129-0.jpg "25-0.5-0.75 0.25 0-0.25-0.5-0.75 Hall bar 2 0-1 0 0 0 +1 0 0-0.5 VG1-0.25[V] 0 0.25 R H2 [ ] + - -4-3.0 0 0.0 +4 3.")
129 V G2 [V] + Spintronický transistor: experimentání realizace V G2 V G1 R H2 R H1 2 m I PH V B Elektrony stále proudí matipuluje se spin Hall bar VG1-0.25[V] R H2 [ ] AND
130 Kvantová relativistická fyzika
131 Kvantová fyzika částice i vlna zároveň p 2m částice E ( mv )
132 r -i p t i E, Kvantová fyzika částice i vlna zároveň přechod od klasické ke kvantové fyzice )] sin( ) [cos( ), ( t r k i t r k A t r vlna vlnové číslo p k frekvence E ), ( 2 ), ( t r r m t r t i m p E
133 Relativistická fyzika time space
134 Relativistická fyzika time - Absence absolutní vztažné soustavy (etheru) - Maximální rychlost (rychlost světla ve vakuu) stejná ve všech inerciálních soustavách 1 1 v c 2 2 space 4-rozměrný časoprostor x' ( x t' ( t vt) vx/ 2 c ) Energie a hmotnost E m mc m 2 0
135 Kvantová-relativistická fyzika time 4-rozměrný časoprostor x' ( x t' ( t vt) vx/ 2 c ) Energie a hmotnost E m mc m 2 0 space E 2 nerelativisticky p 1 2 i, p -i E ( mv ) t r 2m 2 t ( ) r 2
136 Kvantová-relativistická fyzika time 4-rozměrný časoprostor x' ( x t' ( t vt) vx/ 2 c ) Energie a hmotnost E m mc m 2 0 space E i, p -i nová vlnová rovnice pro dvě nerozlučné vlny t r (vlastně čtyři, ale ty další dvě pro antičástice)
137 End of the CMOS scaling era Konec škálovaní na dohled co potom je zatím ve hvězdách nm 2010
138 End of the CMOS scaling era 1b transistors on a chip
139 End of the CMOS scaling era
140 End of the CMOS scaling era
141 Mott inverse magnetoresistance device: spin transfer torque write with current STT-MRAM electron flux electron flux M fixed M free M fixed M free M free rotates towards M fixed parallel alignment M free rotates away from M fixed antiparallel alignment
142 Dirac inverse magnetoresistance device: spin-orbit FMR Fang, Kurebayashi, Wunderlich, Vyborny, Zarbo, Campion, Casiraghi, Gallagher, Jungwirth and Ferguson, Nature Nano. 2011
143 Mott spintronics paradigm: two-spin-channel model of ferromagnets Relies on spin-transport between ferromagnets Dirac spintronics paradigm: quantum-relativistic spin-orbit coupling Relies on a single spin-orbit coupled magnet (or non-magnet)
144 Ferromagnetism = Pauli exclusion principle & Coulomb repulsion can be as strong as bonding in solids total wf antisymmetric = orbital wf antisymmetric * spin wf symmetric (aligned) DOS DOS Mott majority and minority spin channels
145 Spin-orbit coupling from classical E&M and postulated electron spin nucleus rest frame electron rest frame I Qv Q 0 I r r B 4 r 4 r 3 E 3 0 B 1 0 0v E 2 c v E H SO g B e S B mc S v E Lorentz transformation Thomas precession
146 Ohmic Mott device: GMR Fert, Grünberg, 1988 Spin-channel-dependent scattering
147 Tunneling Dirac device: TAMR Gould, Ruster, Jungwirth, Molenkamp et al Magnetization-orientation-dependent tunneling DOS
Budoucnost mikroelektroniky ve hvězdách.... spintronika jednou z možných cest
Budoucnost mikroelektroniky ve hvězdách... spintronika jednou z možných cest Transistor Transistor 1:1 1:0.000001 1. transistor z roku 1947..dnes s velikostí hradla pod 20 nm a vzdáleností 2 nm od polovodivého
T. Jungwirth, V. Novák, E. Rozkotová, T. Janda, J. Wunderlich, K. Olejník, D. Butkovičová, J. Zemen, F. Trojánek, P. Malý
Optospintronika Cesta k femtomagnetismu P. Němec, N. Tesařová, Praha T. Jungwirth, V. Novák, E. Rozkotová, T. Janda, J. Wunderlich, K. Olejník, D. Butkovičová, J. Zemen, F. Trojánek, P. Malý J. Wunderlich,
Objevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat
Objevy v oblasti antiferomagnetických materiálů mění způsob ukládání dat Vedoucí Oddělení spintroniky a nanoelektroniky ve Fyzikálním ústavu Akademie věd ČR Tomáš Jungwirth informoval účastníky LII. zasedání
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001 1. Vazba v pevné látce, elastické a tepelné vlastnosti materiálů 2. Elektrické vlastnosti materiálů 3. Optické vlastnosti materiálů 4. Magnetické vlastnosti materiálů
Současnost a budoucnost pevných disků Obsah
Současnost a budoucnost pevných disků Obsah 1. Současnost a budoucnost pevných disků 2. Magnetorezistivní hlavy 3. GMR hlavy 4. Heat Assisted Magnetic Recording na scénu přichází laser 5. Technologie AFC
MOLEKULÁRNÍ NANOMAGNETY A JEJICH TECHNOLOGICKÉ APLIKACE
MOLEKULÁRNÍ NANOMAGNETY A JEJICH TECHNOLOGICKÉ APLIKACE Obr. zdroj [8] Tradiční magnety, které běžně potkáváme v životě, jsou tvořeny kovy nebo slitinami kovů v pevné fázi. Jde tedy o magnetické krystaly
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Nobelova cena za fyziku 2007. Ladislav Havela. MFF UK Praha
Nobelova cena za fyziku 2007 Ladislav Havela MFF UK Praha 2013 GMR Effect Obří magnetorezistence Albert Fert (narozen 7.3.1938 v Carcassone ve Francii). Vystudoval École Normale Supérieure v Paříži. V
Grafen. Nobelova cena za fyziku 2010. Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha
Grafen Nobelova cena za fyziku 2010 Ludvík Smrčka Fyzikální ústav AVČR v. v. i. Praha 25.10.2012 Andre Geim Flying frog The Nobel Prize in Physics 2010 was awarded jointly to Andre Geim and Konstantin
STACIONÁRNÍ MAGNETICKÉ POLE. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník
STACIONÁRNÍ MAGNETICKÉ POLE Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Magnetické pole Vytváří se okolo trvalého magnetu. Magnetické pole vodiče Na základě experimentů bylo
ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
Josephsonovy čipy. 10 V čipy mají kolem 20 000 J. přechodů.
Josephsonovy čipy 10 V čipy mají kolem 20 000 J. přechodů. Jen několik laboratoří dokáže vyrobit čipy: Hypres (NIST technology), USA Supracon a PTB, Germany NMIJ, Japan. Výtěžnost výroby je malá, tedy
Pozitron teoretická předpověď
Pozitron teoretická předpověď Diracova rovnice: αp c mc x, t snaha popsat relativisticky pohyb elektronu x, t ˆ i t řešení s negativní energií vakuum je Diracovo moře elektronů pozitrony díry ve vaku Paul
Přednášky z lékařské biofyziky Biofyzikální ústav Lékařské fakulty Masarykovy univerzity, Brno
Přednášky z lékařské biofyziky Biofyzikální ústav Lékařské fakulty Masarykovy univerzity, Brno 1 Přednášky z lékařské biofyziky Biofyzikální ústav Lékařské fakulty Masarykovy univerzity, Brno Struktura
Atom vodíku. Nejjednodušší soustava: p + e Řešitelná exaktně. Kulová symetrie. Potenciální energie mezi p + e. e =
Atom vodíku Nejjednodušší soustava: p + e Řešitelná exaktně Kulová symetrie Potenciální energie mezi p + e V 2 e = 4πε r 0 1 Polární souřadnice využití kulové symetrie atomu Ψ(x,y,z) Ψ(r,θ, φ) x =? y=?
Látkové množství. 6,022 10 23 atomů C. Přípravný kurz Chemie 07. n = N. Doporučená literatura. Látkové množství n. Avogadrova konstanta N A
Doporučená literatura Přípravný kurz Chemie 2006/07 07 RNDr. Josef Tomandl, Ph.D. Mailto: tomandl@med.muni.cz Předmět: Přípravný kurz chemie J. Vacík a kol.: Přehled středoškolské chemie. SPN, Praha 1990,
Vzájemné silové působení
magnet, magnetka magnet zmagnetované těleso. Původně vyrobeno z horniny magnetit, která má sama magnetické vlastnosti dnes ocelové zmagnetované magnety, ferity, neodymové magnety. dva magnetické póly (S-J,
Aplikace elektroniky. Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS. Čím se budeme zabývat - cvičení?
Čím se budeme zabývat? Struktury integrovaných systémů A2M34SIS Přednášející: Cvičící: Jiří Jakovenko Vladimír Janíček Jan Novák Historický přehled vývoje integrovaných obvodů, Moorovy zákony, metody návrhu,
Elektronový obal atomu
Elektronový obal atomu Vlnění o frekvenci v se může chovat jako proud částic (kvant - fotonů) o energii E = h.v Částice pohybující se s hybností p se může chovat jako vlna o vlnové délce λ = h/p Kde h
Relativistická dynamika
Relativistická dynamika 1. Jaké napětí urychlí elektron na rychlost světla podle klasické fyziky? Jakou rychlost získá při tomto napětí elektron ve skutečnosti? [256 kv, 2,236.10 8 m.s -1 ] 2. Vypočtěte
Struktura a architektura počítačů (BI-SAP) 10
Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti Struktura a architektura počítačů (BI-SAP) 10 doc. Ing. Hana Kubátová, CSc. Katedra číslicového návrhu Fakulta informačních technologii
Magnetický záznam dat (2) Magnetický záznam dat (1) Magnetický záznam dat (3) Magnetický záznam dat (4) Magnetický záznam dat (6)
Magnetický záznam dat (1) Magnetický záznam dat je prováděn působením magnetického pole na magneticky vodivý materiál K vyjádření jakosti magnetického pole se používají dvě veličiny: intenzita magnetického
Základy elektrotechniky - úvod
Elektrotechnika se zabývá výrobou, rozvodem a spotřebou elektrické energie včetně zařízení k těmto účelům používaným, dále sdělovacími a informačními technologiemi. Elektrotechnika je úzce spjata s matematikou
Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
Kvantové provázání. Pavel Cejnar ÚČJF MFF UK Praha
Kvantové provázání Pavel Cejnar ÚČJF MFF UK Praha Seminář PřF UK Praha, listopad 2018 Kvantové provázání monopartitní tripartitní multipartitní Kanazawa, Japonsko bipartitní Zápasníci, Uffizi muzeum, Florencie
Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)
Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat
Základní zákony a terminologie v elektrotechnice
Základní zákony a terminologie v elektrotechnice (opakování učiva SŠ, Fyziky) Určeno pro studenty komb. formy FMMI předmětu 452702 / 04 Elektrotechnika Zpracoval: Jan Dudek Prosinec 2006 Elektrický náboj
Optika. Nobelovy ceny za fyziku 2005 a 2009. Petr Malý Katedra chemické fyziky a optiky Matematicko fyzikální fakulta UK
Optika Nobelovy ceny za fyziku 2005 a 2009 Petr Malý Katedra chemické fyziky a optiky Matematicko fyzikální fakulta UK Optika zobrazování aplikace základní fyzikální otázky např. test kvantové teorie
18. Stacionární magnetické pole
18. Stacionární magnetické pole 1. "Zdroje" magnetického pole a jeho popis a) magnetické pole tyčového permanentního magnetu b) přímého vodiče s proudem c) cívky s proudem d) magnetická indukce e) magnetická
Atomové jádro Elektronový obal elektron (e) záporně proton (p) kladně neutron (n) elektroneutrální
STAVBA ATOMU Výukový materiál pro základní školy (prezentace). Zpracováno v rámci projektu Snížení rizik ohrožení zdraví člověka a životního prostředí podporou výuky chemie na ZŠ. Číslo projektu: CZ.1.07/1.1.16/02.0018
10/21/2013. K. Záruba. Chování a vlastnosti nanočástic ovlivňuje. velikost a tvar (distribuce) povrchové atomy, funkční skupiny porozita stabilita
Chování a vlastnosti nanočástic ovlivňuje velikost a tvar (distribuce) povrchové atomy, funkční skupiny porozita stabilita K. Záruba Optická mikroskopie Elektronová mikroskopie (SEM, TEM) Fotoelektronová
Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly
Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr
2. Elektrotechnické materiály
. Elektrotechnické materiály Předpokladem vhodného využití elektrotechnických materiálů v konstrukci elektrotechnických součástek a zařízení je znalost jejich vlastností. Elektrické vlastnosti materiálů
FYZIKA 4. ROČNÍK. Kvantová fyzika. Fotoelektrický jev (FJ)
Stěny černého tělesa mohou vysílat záření jen po energetických kvantech (M.Planck-1900). Velikost kvanta energie je E = h f f - frekvence záření, h - konstanta Fotoelektrický jev (FJ) - dopadající záření
Paměti počítače ROM, RAM
Paměti počítače ROM, RAM Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje. Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru
ATOMOVÁ FYZIKA JADERNÁ FYZIKA
ATOMOVÁ FYZIKA JADERNÁ FYZIKA 12. JADERNÁ FYZIKA, STAVBA A VLASTNOSTI ATOMOVÉHO JÁDRA Autor: Ing. Eva Jančová DESS SOŠ a SOU spol. s r. o. JADERNÁ FYZIKA zabývá strukturou a přeměnami atomového jádra.
Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš
Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy
5. Vedení elektrického proudu v polovodičích
5. Vedení elektrického proudu v polovodičích - zápis výkladu - 26. až 27. hodina - A) Stavba látky a nosiče náboje Atom: základní stavební částice; skládá se z atomového jádra (protony a neutrony) a atomového
FYZIKA KOLEM NÁS. bez vnějšího pole. s vnějším polem
Snímače magnetického pole FYZIKA KOLEM NÁS Zdeněk Bochníček *, katedra obecné fyziky, Přírodovědecká fakulta MU Jednoduché snímače magnetického pole člověk používá již více než 2 000 let. První aplikace
Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto
Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Jana
Magnetické vlastnosti látek (magnetik) jsou důsledkem orbitálního a rotačního pohybu elektronů. Obíhající elektrony představují elementární proudové
MAGNETICKÉ POLE V LÁTCE, MAXWELLOVY ROVNICE MAGNETICKÉ VLASTNOSTI LÁTEK Magnetické vlastnosti látek (magnetik) jsou důsledkem orbitálního a rotačního pohybu elektronů. Obíhající elektrony představují elementární
Za hranice současné fyziky
Za hranice současné fyziky Zásadní změny na počátku 20. století Kvantová teorie (Max Planck, 1900) teorie malého a lehkého Teorie relativity (Albert Einstein) teorie rychlého (speciální relativita) Teorie
5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY
5. Materiály pro MAGNETICKÉ OBVODY Požadavky: získání vysokých magnetických kvalit, úspora drahých kovů a náhrada běžnými materiály. Podle magnetických vlastností dělíme na: 1. Diamagnetické látky 2. Paramagnetické
Paměti Josef Horálek
Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární
Princip magnetického záznamuznamu
Princip magnetického záznamuznamu Obrázky: IBM, Hitachi 1 Magnetické materiály (1) n I H = l B = μ H B l μ μ = μ μ 0 0 μ = 4π 10 r 7 2 [ N A ] n I Diamagnetické materiály: µ r < 1 (Au, Cu) Paramagnetické
Bipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
Fyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO
1. Jednotky a veličiny soustava SI odvozené jednotky násobky a díly jednotek skalární a vektorové fyzikální veličiny rozměrová analýza 2. Kinematika hmotného bodu základní pojmy kinematiky hmotného bodu
Jiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.
Jiří Oswald Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. I. Úvod Polovodiče Zákládní pojmy Kvantově-rozměrový jev II. Luminiscence Si nanokrystalů III. Luminiscence polovodičových nanostruktur A III B V IV. Aplikace Pásová
Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering Czech Technical University in Prague
Tomáš Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering Czech Technical University in Prague Správa paměti v z/os 1 2 3 4 5 6 7 8 Data se ukládají do: REAL STORAGE = "rychlá" pamět např. RAM AUXILIARY
PERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY
PERSPEKTIVNÍ POLOVODIČOVÉ STRUKTURY A SOUČÁSTKY Vladislav Musil Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Ústav mikroelektroniky, Technická 10, Brno musil@feec.vutbr.cz
Okruhy k maturitní zkoušce z fyziky
Okruhy k maturitní zkoušce z fyziky 1. Fyzikální obraz světa - metody zkoumaní fyzikální reality, pojem vztažné soustavy ve fyzice, soustava jednotek SI, skalární a vektorové fyzikální veličiny, fyzikální
Podivuhodný grafen. Radek Kalousek a Jiří Spousta. Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně. Čichnova 19. 9.
Podivuhodný grafen Radek Kalousek a Jiří Spousta Ústav fyzikálního inženýrství a CEITEC Vysoké učení technické v Brně Čichnova 19. 9. 2014 Osnova přednášky Úvod Co je grafen? Trocha historie Některé podivuhodné
Od kvantové mechaniky k chemii
Od kvantové mechaniky k chemii Jan Řezáč UOCHB AV ČR 19. září 2017 Jan Řezáč (UOCHB AV ČR) Od kvantové mechaniky k chemii 19. září 2017 1 / 33 Úvod Vztah mezi molekulovou strukturou a makroskopickými vlastnostmi
Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)
Historie počítačů Historie počítačů se dělí do tzv. generací, kde každá generace je charakteristická svou konfigurací, rychlostí počítače a základním stavebním prvkem. Generace počítačů: Generace Rok Konfigurace
Opakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu
11. Polovodiče Polovodiče jsou krystalické nebo amorfní látky, jejichž elektrická vodivost leží mezi elektrickou vodivostí kovů a izolantů a závisí na teplotě nebo dopadajícím optickém záření. Elektrické
Energie, její formy a měření
Energie, její formy a měření aneb Od volného pádu k E=mc 2 Přednášející: Martin Zápotocký Seminář Aplikace lékařské biofyziky 2014/5 Definice energie Energos (ἐνεργός) = pracující, aktivní; ergon = práce
Anihilace pozitronů v pevných látkách
Anihilac pozitronů v pvných látkách Jakub Čížk katdra fyziky nízkých tplot Tl: 1 912 788 jakub.cizk@mff.cuni.cz http://www.kfnt.mff.cuni.cz výuka Anihilac pozitronů v pvných látkách Doporučná litratura:
Zeemanův jev. 1 Úvod (1)
Zeemanův jev Tereza Gerguri (Gymnázium Slovanské náměstí, Brno) Stanislav Marek (Gymnázium Slovanské náměstí, Brno) Michal Schulz (Gymnázium Komenského, Havířov) Abstrakt Cílem našeho experimentu je dokázat
Zeemanův jev. Pavel Motal 1 SOŠ a SOU Kuřim, s. r. o. Miroslav Michlíček 2 Gymnázium Vyškov
Zeemanův jev Pavel Motal 1 SOŠ a SOU Kuřim, s. r. o. Miroslav Michlíček 2 Gymnázium Vyškov 1 Abstrakt Při tomto experimentu jsme zopakovali pokus Pietera Zeemana (nositel Nobelovy ceny v roce 1902) se
I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
Stacionární magnetické pole. Kolem trvalého magnetu existuje magnetické pole.
Magnetické pole Stacionární magnetické pole Kolem trvalého magnetu existuje magnetické pole. Stacionární magnetické pole Pilinový obrazec magnetického pole tyčového magnetu Stacionární magnetické pole
Orbitalová teorie. 1.KŠPA Beránek Pavel
Orbitalová teorie 1.KŠPA Beránek Pavel Atom Základní stavební částice hmoty je atom Víme, že má vnitřní strukturu: jádro (protony + neutrony) a obal (elektrony) Už víme, že v jádře drží protony pohromadě
1. Kvantové jámy. Tabulka 1: Efektivní hmotnosti nosičů v krystalech GaAs, AlAs, v jednotkách hmotnosti volného elektronu m o.
. Kvantové jámy Pokročilé metody růstu krystalů po jednotlivých vrstvách (jako MBE) dovolují vytvořit si v krystalu libovolný potenciál. Jeden z hojně používaných materiálů je: GaAs, AlAs a jejich ternární
Mikro a nano vrstvy. Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé sensory - N444028
Mikro a nano vrstvy 1 Co je nanotechnolgie? Slovo pochází z řečtiny = malost, trpaslictví. Z něj n j odvozen termín n nanotechnologie. Jako nanotechnologie je označov ována oblast vědy, jejímž cílem je
Elementární částice. 1. Leptony 2. Baryony 3. Bosony. 4. Kvarkový model 5. Slabé interakce 6. Partonový model
Elementární částice 1. Leptony 2. Baryony 3. Bosony 4. Kvarkový model 5. Slabé interakce 6. Partonový model I.S. Hughes: Elementary Particles M. Leon: Particle Physics W.S.C. Williams Nuclear and Particle
Procesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál
Procesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál Anotace Označení DUMU: VY_32_INOVACE_IT1.05 Předmět: Informatika a výpočetní technika Tematická oblast: Úvod do studia informatiky, konfigurace
Programovatelná logika
Programovatelná logika Přehled historie vývoje technologie programovatelných obvodů. Obvody PLD, GAL,CPLD, FPGA Příklady systémů a vývojových prostředí. Moderní elektrotechnický průmysl neustále stupňuje
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering Czech Technical University in Prague
Tomáš Faculty of Nuclear Sciences and Physical Engineering Czech Technical University in Prague Správa paměti v zos 1 2 3 4 5 6 7 Data se ukládají do: REAL STORAGE = "rychlá" pamět např. RAM AUXILIARY
Laboratoř na čipu. Lab-on-a-chip. Pavel Matějka
Laboratoř na čipu Lab-on-a-chip Pavel Matějka Typy analytických čipů 1. Chemické čipy 1. Princip chemického čipu 2. Příklady chemických čipů 3. Příklady analytického použití 2. Biočipy 1. Princip biočipu
ATOM. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 25. 7. 2012. Ročník: osmý
ATOM Autor: Mgr. Stanislava Bubíková Datum (období) tvorby: 25. 7. 2012 Ročník: osmý Vzdělávací oblast: Člověk a příroda / Chemie / Částicové složení látek a chemické prvky 1 Anotace: Žáci se seznámí se
Techniky prvkové povrchové analýzy elemental analysis
Techniky prvkové povrchové analýzy elemental analysis (Foto)elektronová spektroskopie (pro chemickou analýzu) ESCA, XPS X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) Any technique in which the sample is bombarded
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001
Fyzikální vlastnosti materiálů FX001 1. Vazba v pevné látce, elastické a tepelné vlastnosti materiálů 2. Elektrické vlastnosti materiálů 3. Optické vlastnosti materiálů 4. Magnetické vlastnosti materiálů
Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK
Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony
VYSOKÁ ŠKOLA POLYTECHNICKÁ JIHLAVA
VYSOKÁ ŠKOLA POLYTECHNICKÁ JIHLAVA Katedra elektrotechniky a informatiky Obor: Počítačové systémy Bakalářská práce Téma: Víceotáčkový absolutní snímač úhlové polohy Jméno a příjmení: Oliva Radim 3.r. PS
Optoelektronické senzory. Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém
Optoelektronické senzory Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém Optron obsahuje generátor světla (LED) a detektor optické prostředí změna prostředí změna
Alexey Kovalev. Department of Physics. Collaborators: L. Zabro, Y. Tserkovnyak, G.E.W. Bauer, J. Sinova
Nanomechanical Spinpolarizer p Alexey Kovalev Department of Physics Texas A&M University Collaborators: L. Zabro, Y. Tserkovnyak, G.E.W. Bauer, J. Sinova Outline We study the effects of time dependent
5. Magnetické senzory Magnetická měření Napěťový a proudový transformátor Bezkontaktní senzory el. proudu
5. Magnetické senzory Magnetická měření Napěťový a proudový transformátor Bezkontaktní senzory el. proudu přednášky A3B38SME Senzory a měření zdroje převzatých obrázků: pokud není uvedeno jinak, zdrojem
ATOMOVÉ JÁDRO. Nucleus Složení: Proton. Neutron 1 0 n částice bez náboje Proton + neutron = NUKLEON PROTONOVÉ číslo: celkový počet nukleonů v jádře
ATOM 1 ATOM Hmotná částice Dělit lze: Fyzikálně ANO Chemicky Je z nich složena každá látka Složení: Atomové jádro (protony, neutrony) Elektronový obal (elektrony) NE Elektroneutrální částice: počet protonů
Metrologie v geodézii (154MEGE) Ing. Lenka Línková, Ph.D. Katedra speciální geodézie B
Metrologie v geodézii (154MEGE) Ing. Lenka Línková, Ph.D. Katedra speciální geodézie B 902 http://k154.fsv.cvut.cz/~linkova linkova@fsv.cvut.cz 1 Metrologie definice z TNI 01 0115: věda zabývající se měřením
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE II
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE II FOTOELEKTRICKÝ JEV VNĚJŠÍ FOTOELEKTRICKÝ JEV na intenzitě záření závisí jen množství uvolněných elektronů, ale nikoliv energie jednotlivých elektronů energie elektronů
Úvod do moderní fyziky. lekce 3 stavba a struktura atomu
Úvod do moderní fyziky lekce 3 stavba a struktura atomu Vývoj představ o stavbě atomu 1904 J. J. Thomson pudinkový model atomu 1909 H. Geiger, E. Marsden experiment s ozařováním zlaté fólie alfa částicemi
Úvod do studia anorg. materiálů - MC240P33
Úvod do studia anorg. materiálů - MC240P33 Magnetismus, Magneticky uspořádané a neuspořádané struktury, Feromagnetismus, Antiferomagnetismus, Magnetické materiály, Záznamové materiály. Příprava magnetických
VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
FYZIKA MIKROSVĚTA. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Fyzika mikrosvěta - 3. ročník
FYZIKA MIKROSVĚTA Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Fyzika mikrosvěta - 3. ročník Mikrosvět Svět o rozměrech 10-9 až 10-18 m. Mikrosvět není zmenšeným makrosvětem! Chování v mikrosvětě popisuje kvantová
Zvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Elektrický proud v polovodičích
Elektrický proud v polovodičích Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický odpor je při obvyklých teplotách mnohem menší než u izolantů, ale zase mnohem větší než u kovů. Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický
Optické spektroskopie 1 LS 2014/15
Optické spektroskopie 1 LS 2014/15 Martin Kubala 585634179 mkubala@prfnw.upol.cz 1.Úvod Velikosti objektů v přírodě Dítě ~ 1 m (10 0 m) Prst ~ 2 cm (10-2 m) Vlas ~ 0.1 mm (10-4 m) Buňka ~ 20 m (10-5 m)
Přehled veličin elektrických obvodů
Přehled veličin elektrických obvodů Ing. Martin Černík, Ph.D Projekt ESF CZ.1.7/2.2./28.5 Modernizace didaktických metod a inovace. Elektrický náboj - základní vlastnost některých elementárních částic
Hardware. Ukládání dat, úložiště. Mgr. Jan Veverka Střední odborná škola sociální Evangelická akademie
Hardware Ukládání dat, úložiště Mgr. Jan Veverka Střední odborná škola sociální Evangelická akademie Způsob záznamu informace na PC data existují na PC zakódovaná do dvojkové soustavy = formou hodnot 0
SKŘÍŇ PC. Základní součástí počítačové sestavy je skříň.
SKŘÍŇ PC Základní součástí počítačové sestavy je skříň. Obsah skříně PC Skříň PC je nejdůležitější částí PC sestavy. Bez ní by počítač nemohl pracovat. Jsou v ní umístěny další součástky hardwaru, které
Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry.
Paměti Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry. Klíčové pojmy: paměť, RAM, rozdělení pamětí, ROM, vnitřní paměť, vnější paměť. Úvod
Řídicí a monitorovací systém pro akvária. Lukáš Kratina
Řídicí a monitorovací systém pro akvária Lukáš Kratina Freescale Technology Application 2013-2014 1 Úvod Na to jak je akvaristika rozmanitá, kolik faktorů ovlivňuje správný chod akvária a zejména kolik
Paměti počítače 9.přednáška
Paměti počíta tače 9.přednáška Paměť Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na
Variátor. Doutnavka. Zářivka. Digitron. Sensistor. Kompaktní Zářivka. Ing. Ladislav Fišer, Ph.D.: Druha prednaska. VA charakteristika
VA charakteristika Variátor R S a R D. = f(u) VA charakteristika Doutnavka Sériové řazení 0-A náběhová oblast A-B pracovní oblast B-C oblast přetížení U R = I 27.2.2008 12:46 Základy elektroniky - 2. přednáška
Struktura atomu. Beránek Pavel, 1KŠPA
Struktura atomu Beránek Pavel, 1KŠPA Co je to atom? Částice, kterou již nelze chemicky dělit Fyzikálně ji lze dělit na elementární částice Modely atomů Model z antického Řecka (Démokritos) Pudinkový model
Fyzika opakovací seminář 2010-2011 tematické celky:
Fyzika opakovací seminář 2010-2011 tematické celky: 1. Kinematika 2. Dynamika 3. Práce, výkon, energie 4. Gravitační pole 5. Mechanika tuhého tělesa 6. Mechanika kapalin a plynů 7. Vnitřní energie, práce,
Blue-light LED, modrá
Blue-light LED, modrá je dobrá Jan Soubusta Společná laboratoř optiky UP a FZÚ AVČR Obsah přednášky Nobelova cena Laureáti za fyziku 2014 Historický přehled Co je to LED? Výhody LED? Nobelova cena za fyziku
Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje
Paměti Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru jsou používány