Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška"

Transkript

1 Polovodičov ové prvky 4.přednáška

2 Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen velmi malou elektrickou vodivost. Pokud ale do jejich krystalové mřížky zabudujeme některé jiné prvky (tzv. příměsy), jejich vodivost se podstatně zvýší. 2

3 Donor Pokud dotujeme krystal křemíku pětimocným prvkem (např arsenem (As) nebo fosforem (P) ), zůstanou v krystalu, po zabudování příměsi do atomové mřížky, volné elektrony. Pokud takto dotovaný krystal vložíme do elektrického pole, volné elektrony se začnou pohybovat. Elektrická vodivost krystalu se podstatně zvýší. Takto dotovaný krystal se nazývá polovodič typu N. Prvek, kterým jsme křemík dotovali, se nazývá donor. 3

4 Akceptor Pokud krystal křemíku dotujeme třímocným prvkem (např. galiem (Ga) nebo indiem (In)), zůstanou v krystalové mřížce křemíku některé vazby neobsazeny. V místě těchto neobsazených vazeb vzniknou tzv. díry. Pokud krystal vložíme do elektrického pole, jsou některé elektrony z krystalové mřížky vytrženy, začnou se pohybovat ve směru elektrického pole a záhy jsou pohlceny některou ze sousedních děr. Elektrický proud tedy vzniká přesunem elektronů mezi sousedními atomy krystalové mřížky. Tento proud se jeví také tak, jako kdyby se díry pohybovaly v opačném směru než se přemisťují elektrony. Takto dotovaný krystal se také nazývá polovodič typu P. Prvek, kterým byl krystal dotován se nazývá akceptor. 4

5 Základní polovodičov ové prvky

6 PN přechod p - dioda difuze (průnik) děr N P difuze elektronů 6

7 Dioda v propustném m směru N P + 7

8 Dioda v závěrnz rném m směru N + P

9 Zapojení diody Polarizace diody v propustném směru, obvodem teče proud + I Polarizace diody v závěrném směru, obvodem proud neteče + 9

10 Tranzistor Tranzistory se dělí na dvě základní skupiny: Tranzistory řízené proudem (bipolární tranzistory): typ NPN typ PNP Tranzistory řízené elektrickým polem : FET (field effect transistors) MOSFET, MOS (metal oxide transistors) 10

11 Bipolárn rní tranzistory

12 Bipolárn rní tranzistor typ NPN Funkce tranzistoru spočívá v tranzistorovém jevu: Pokud přechod emitorbáze polarizujeme v propustném směru a přechod báze-kolektor v závěrném směru, začne tranzistorem téci bázový proud (I b ) a kolektorový proud (I c ). emitor báze kolektor 12

13 Bipolárn rní tranzistor Platí: I c = h I b, kde h je tzv. stejnosměrný zesilovací činitel tranzistoru. emitor báze kolektor N P N Schematická značka tranzistoru NPN emitor kolektor I c I b R b I c R c báze

14 Tranzistor jako zesilovač +U c v out > v in R b R c v out v in ~ 14

15 Realizace invertoru tranzistorem Pokud je vstup tranzistoru v in na úrovni L, je tranzistor uzavřen a jeho výstup v out je roven napětí zdroje U c a je tedy na úrovni H. R c +U c I c Pokud je vstup tranzistoru v in na úrovni H, je tranzistor otevřen. Průchod kolektorového proudu I c odporem R c způsobí úbytek napětí na výstupu: v out = U c - R c I c v in v out Parametry obvodu musí být stanoveny tak, aby v tomto případě výstup v out byl na úrovni L. v in v out L 0 H 1 H 1 L 0 15

16 Realizace NAND a NOR v 2 v 1 R c +U c v out V pozitivní logice obvod realizuje NAND: v 1 v 2 v out v 1 v 2 v out L L H L H H H L H H H L V negativní logice obvod realizuje NOR: v 1 v 2 v out

17 R c +U c v 2 v 1 v 1 v 2 v out L L H L H L H L L H H L Realizace NAND a NOR v out V pozitivní logice obvod realizuje NOR: v 1 v 2 v out V negativní logice obvod realizuje NAND: v 1 v 2 v out

18 Příklad realizace obvodu p q x p q y f 18

19 Příklad realizace obvodu p q 19

20 Konkrétn tní výroba invertoru 20

21 Tranzistory řízené elektrickým polem

22 MOS tranzistory Tranzistory MOS (Metal Oxid Semiconductor) jsou dvojího druhu: s indukovaným kanálem. s vodivým kanálem. Oba druhy mohou mít kanál typu N a pak je označujeme jako NMOS (Negative MOS) typu P a pak je označujeme jako PMOS (Positive MOS) 22

23 NMOS tranzistor s indukovaným kanálem Tranzistor je vytvořen na nosné destičce polovodiče typu P, který je zároveň velmi slabě dotován donorem. Na destičce je vytvořena oblast emitoru (angl. source) a kolektoru (angl. drain) silnou dotací donorem. Nosná destička polovodiče P je pokryta izolační vrstvou z oxidu křemíku (SiO2). Řídící elektroda (gate, hradlo) leží těsně nad izolační vrstvou mezi emitorem a kolektorem. S polovodičovou destičkou nemá žádné vodivé spojení. Schematická značka NMOS tranzistoru G S D Kov (hliník) S G (+) D isolátor SiO 2 N + N N + P Indukovaný kanál N 23

24 Funkce NMOS tranzistoru Při přiložení kladného U g napětí na hradlo (G) se vytvoří (indukuje) kanál N mezi emitorem (S) a kolektorem (D). Pokud přiložíme zároveň kladné napětí na kolektor, začne tranzistorem protékat proud I d, pro který platí: I d = ( 1 / r d,on ) U g kde konstanta úměrnosti r d,on se nazývá kolektorový odpor (drain resistance) a její hodnota se pohybuje v rozmezí 100 Ω -100 kω. Velikost napětí na hradle Ug tedy řídí velikost kolektorového proudu I d. Tranzistor pracuje jako zesilovač řízený napětím. 24

25 Realizace NAND a NOR tranzistory MOS V pozitivní logice NAND V pozitivní logice NOR +U c +U c v 1 v out v out v 2 v 1 v 2 25

26 Obvody CMOS Je-li na vstupu v in úroveň H, je tranzistor T 2 otevřen. Na řídící elektrodě je kladné napětí vzhledem k polovodičové destičce a mezi emitorem a kolektorem vznikne proto vodivý kanál typu N, který vodivě spojuje výstup v out se zemí. Tranzistor T 1 je uzavřen, protože potenciál na vstupu a na polovodičové destičce je zhruba stejný a vodivý kanál P (jedná se o PMOS tranzistor) nemůže vzniknout. Výstup v out je proto na potenciálu země a tedy na úrovni L. ( Complementary MOS ) Invertor +U c T 1 v in v out T 2 Je-li na vstupu v in úroveň L, je tranzistor T 1 otevřen a tranzistor T 2 uzavřen. Výstup v out je proto na potenciálu U c a tedy na úrovni H. 26

27 Obvody CMOS hradlo NAND hradlo NOR 27

28 Integrované obvody

29 Integrované obvody Integrovaný obvod (chip, čip) je čtvercová destička křemíku o rozměru kolem 5 5 mm, umístěná v plastovém nebo keramickém pouzdru. Keramické pouzdro má určitý počet nožiček (pinů), typicky 14, 16, 18, 22, 24, 28, 40 nebo 64. Nožičky jsou vodivě spojeny se vstupy a výstupy na destičce realizovaného obvodu a s místy na čipu, kam je třeba přivést napájecí napětí a zem. Pohled shora Pohled dovnitř destička s hradly 29

30 Stupeň integrace čipu SSI (Small scale integration) Tyto obvody obsahují zhruba 1-10 hradel. Typický SSI obvod je obvod 7400 firmy Texas Instruments, na kterém jsou realizována 4 hradla NAND. MSI (Medium scale Integration) Tyto obvody obsahují hradel. Tuto integraci vyžaduje realizace dekodérů, čítačů, multiplexorů atd. LSI (Large scale integration) Tyto obvody obsahují hradel. S touto integrací bývají realizovány jednoduché mikroprocesory (např. osmibitový procesor Intel 8080) a paměti s menší kapacitou. VLSI (Very large scale integration ) Tyto obvody obsahují více než hradel. S touto integrací jsou realizovány velké paměti a složité mikroprocesory jako např. procesor PENTIUM firmy Intel. 30

31 Integrovaný obvod 4 x NAND 7400 Texas Instruments SN74LS00 Motorola 31

32 Technologie integrovaných obvodů TTL (Transistor Transistor Logic) nejstarší a dosud nejrozšířenější technologie při výrobě obvodů SSI a MSI základním prvkem bipolární tranzistory rychlá hradla zpoždění okolo 12 ns jediné napájecí napětí +5V velká spotřeba elektrické energie velké zahřívání obvodů velmi rychlé malé paměti a rychlé a relativně výkonné pomocné obvody 32

33 Technologie integrovaných obvodů ECL (Emitor Coupled Logic ) hradla opět realizována bipolárními tranzistory tranzistory se nedostávají do stavu úplného uzavření nebo do stavu úplného otevření velmi rychlá hradla zpoždění okolo 1 ns velká spotřeba elektrické energie velké zahřívání obvodů rychlé paměti RWM a rychlé měřící a řídící počítače 33

34 Technologie integrovaných obvodů MOS-P, MOS-N hradla realizována PMOS a NMOS tranzistory doba odezvy 1-5 µs malá spotřeba elektrické energie menší zahřívání obvodů vyšší stupeň integrace než TTL technologie se již příliš nepoužívá monolitické mikroprocesory a paměti RWM-RAM s kapacitou 1Mb 34

35 Technologie integrovaných obvodů CMOS (Complementary MOS) použití tranzistoru NMOS jako základního spínacího prvku s aktivní zátěží tvořenou tranzistorem PMOS napájecí napětí 3-18V doba odezvy řádově ns velmi nízká spotřeba energie obvody malé až velmi vysoké hustoty integrace náchylné na vysoké statické napětí většina logických obvodů, operační paměti, mikroprocesory 35

36 Technologie integrovaných obvodů CCD (charge coupled devices) přenos náboje na parazitních kapacitách soustavou elektrod vytvořených technologií MOS pro velkokapacitní dynamické posuvné registry možná konkurence diskových pamětí 36

37 Historie vývoje integrovaných obvodů Integrované obvody: J.Kilby, R.A.Noyce (Fairchaild) Založení firmy INTEL (R. Noyce, G. Moore) T. Hoff navrhuje mikroprocesor (INTEL 4004) pro kalkulačky Vývoj mikroprocesorů: Motorola(Apple), INTEL( IBM PC) RISC procesory (ALPHA firmy DEC, POWER PC IBM) procesor Intel 386 technologie CMOS procesor Pentium mikrometrová technologie CMOS 37

38 Děkuji za pozornost! Příští přednáška: Kombinační logické obvody

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

Logické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1

Logické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Logické obvody CMOS 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Polovodiče pro logické obvody, silně zjednodušený pohled detaily viz. kniha-

Více

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí) Otázky z ELI 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí Volt 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud Amper 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor Ohm 4. V jakých jednotkách se vyjadřuje kapacita Farad

Více

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 1. pololetí Elektrodynamika - magnetická a elektromagnetická indukce - generátory

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič.

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič. 3. Polovodiče. Teorii vedení elektřiny v polovodičích lze podat v zásadě dvěma způsoby. První vychází z klasických představ vedení elektrického proudu jako záporně a kladně nabitých bodových nábojů (elektronů

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

3. Elektrický náboj Q [C]

3. Elektrický náboj Q [C] 3. Elektrický náboj Q [C] Atom se skládá z neutronů, protonů a elektronů. Elektrony mají záporný náboj, protony mají kladný náboj a neutrony jsou bez náboje. Protony jsou společně s neutrony v jádře atomu

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Číslicové obvody základní pojmy

Číslicové obvody základní pojmy Číslicové obvody základní pojmy V číslicové technice se pracuje s fyzikálními veličinami, které lze popsat při určité míře zjednodušení dvěma stavy. Logické stavy binární proměnné nabývají dvou stavů:

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Elektřina a magnetizmus

Elektřina a magnetizmus Elektřina a magnetizmus Elektrický náboj Všechny věci kolem nás se skládají z atomů. Atom obsahuje jádro (tvořené protony a neutrony) a obal tvořený elektrony. Protony a elektrony jsou částice elektricky

Více

2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ].

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 2. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na rezistoru - vzorec Jsou si přímo úměrné dle

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Hardware I. VY_32_INOVACE_IKT_668

Hardware I. VY_32_INOVACE_IKT_668 VY_32_INOVACE_IKT_668 Hardware I. Autor: Marta Koubová, Mgr. Použití: 5-6. třída Datum vypracování: 21.9.2012 Datum pilotáže: 1.10.2012 Anotace: Tato prezentace slouží k bližšímu seznámení s pojmem hardware.

Více

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče 4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY CZ.1.07/1.1.06/01.0043 Tento projekt je financován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR. SOŠ informatiky a

Více

17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek

17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek 17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek Polovodie se od kov liší pedevším tím, že mají vtší rezistivitu (10-2.m až 10 9.m) (kovy 10-8.m až 10-6.m). Tato rezistivita u polovodi

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

OBVODY TTL a CMOS. Úvod

OBVODY TTL a CMOS. Úvod OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Jana

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky Pedagogická fakulta Masarykovy univerzity Katedra technické a informační výchovy Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky PaedDr. Ing. Josef Pecina, CSc. Mgr. Pavel Pecina, Ph.D.

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

Vozítko na solární pohon. Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7

Vozítko na solární pohon. Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7 Vozítko na solární pohon Hung Pham Huy, Le Dinh Tuan, Jan Novák 7.A Gymnázium Cheb Nerudova 7 Krátký souhrn projektu: Náš tým věří, že perspektiva lidstva leží v obnovitelných zdrojích. Proto jsme se rozhodli

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

Číselné soustavy: Druhy soustav: Počítání ve dvojkové soustavě:

Číselné soustavy: Druhy soustav: Počítání ve dvojkové soustavě: Přednášející : Ing. Petr Haberzettl Zápočet : práce na doma hlavně umět vysvětlit Ze 120 lidí udělá maximálně 25 :D Literatura : Frištacký - Logické systémy Číselné soustavy: Nevyužíváme 10 Druhy soustav:

Více

Ladislav Szántó: Integrované obvody - Od pohyblivosti elektronů k mikroelektronice a nanoelektronice

Ladislav Szántó: Integrované obvody - Od pohyblivosti elektronů k mikroelektronice a nanoelektronice Ladislav Szántó: Integrované obvody - Od pohyblivosti elektronů k mikroelektronice a nanoelektronice Deset kapitol předkládané publikace představuje úvod k milníkům na cestě od fyzikální podstaty k metám

Více

VedenÌ elekt iny v pevn ch l tk ch

VedenÌ elekt iny v pevn ch l tk ch 42 VedenÌ elekt iny v pevn ch l tk ch Skupina pracovnìk tov rny v Rio Rancho v NovÈm Mexiku. Tov rna p edstavuje investici ve v öi 2,5 miliardy US dolar a m rozlohu jako dva tucty fotbalov ch h iöù. Podle

Více

3. CPU - [si: pi: ju: sentrl prousisiη ju:nit] (centrální procesorová jednotka) Základní součást počítače, která provádí výpočty a řídí překlad i

3. CPU - [si: pi: ju: sentrl prousisiη ju:nit] (centrální procesorová jednotka) Základní součást počítače, která provádí výpočty a řídí překlad i ZÁKLADNÍ HARDWARE 1. HARDWARE - [ha:d we ] Souhrn hmotných technických prostředků umožňujících nebo rozšiřujících provozování počítačového systému. HARDWARE je sám počítač, jeho komponenty (paměť, ( viz

Více

Paměti Josef Horálek

Paměti Josef Horálek Paměti Josef Horálek Paměť = Paměť je pro počítač životní nutností = mikroprocesor z ní čte programy, kterými je řízen a také do ní ukládá výsledky své práce = Paměti v zásadě můžeme rozdělit na: = Primární

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60...

propustný směr maximální proud I F MAX [ma] 75 < 1... při I F = 10mA > 50... při I R = 1µA 60 < 0,4... při I F = 10mA > 60... Teoretický úvod Diody jsou polovodičové jednobrany s jedním přechodem PN. Dioda se vyznačuje tím, že nepropouští téměř žádný proud (je uzavřena) dokud napětí na ní nestoupne na hodnotu prahového napětí

Více

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ 592 44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ PN přechod Polovodičové diody a tranzistory MOS struktury Speciální diody Měniče tepelné a světelné energie na elektrickou Tradiční

Více

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30 Senzor teploty Katalogový list SMT 160-30 Obsah 1. Úvod strana 2 2. Inteligentní senzor teploty strana 2 3. Vývody a pouzdro strana 4 4. Popis výrobku strana 4 5. Charakteristické údaje strana 5 6. Definice

Více

1. Úvod. 2. Krystalová struktura SiC

1. Úvod. 2. Krystalová struktura SiC Součástky na bázi SiC Ing. Tomáš Křeček VŠB-TU Ostrava, Fakulta elektrotechniky a informatiky, Katedra elektroniky, 17. listopadu 15, 708 33 OSTRAVA-PORUBA, tomas.krecek.fei@vsb.cz Abstract: Substrát karbid

Více

Chemická vazba Něco málo opakování Něco málo opakování Co je to atom? Něco málo opakování Co je to atom? Atom je nejmenší částice hmoty, chemicky dále nedělitelná. Skládá se z atomového jádra obsahujícího

Více

VODIVOST x REZISTIVITA

VODIVOST x REZISTIVITA VODIVOST x REZISTIVITA Ohmův v zákon: z U = I.R = ρ.l.i / S napětí je přímo úměrné proudu, který vodičem prochází drát délky l a průřezu S, mezi jehož konci je napětí U ρ převrácená hodnota měrné ele.

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Zdroj světla pro biologické aplikace

Zdroj světla pro biologické aplikace Gymnázium Jana Blahoslava Ivančice Zdroj světla pro biologické aplikace Závěrečná práce Adam Halbich Vedoucí práce: Mgr. Vítězslav Světlík Konzultant: doc. Ing. Miroslav Steinbauer, Ph.D. 2011 Prohlašuji,

Více

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů projekt GML Brno Docens DUM č. 10 v sadě 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů Autor: Roman Hrdlička Datum: 04.12.2013 Ročník: 1A, 1B, 1C Anotace DUMu: jak fungují vnitřní paměti, typy ROM a RAM pamětí,

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Základy polovodičové techniky

Základy polovodičové techniky rčeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS Obsah 1. Úvod str. 2 2. olovodičové prvky str. 2 2.1. olovodičové diody str. 3 2.2. Tyristory str. 7 2.3. Triaky str. 8 2.4. Tranzistory str. 9

Více

Hardware. Roman Bartoš

Hardware. Roman Bartoš Hardware Roman Bartoš Copyright istudium, 2005, http://www.istudium.cz Žádná část této publikace nesmí být publikována a šířena žádným způsobem a v žádné podobě bez výslovného svolení vydavatele. Produkce,

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

P1, P2 - SPOJENÍ POLOVODIČOVÉHO SENZORU S PC

P1, P2 - SPOJENÍ POLOVODIČOVÉHO SENZORU S PC P1, P2 - SPOJENÍ POLOVODIČOVÉHO SENZORU S PC Úvod Od samého počátku své existence sleduje měřicí technika dva základní směry vývoje. První směr hledá nové měřicí principy, druhý se snaží dosáhnout stále

Více

Volativní paměti: Dynamická paměť RAM

Volativní paměti: Dynamická paměť RAM Petr Vích 4. C Maturita 2008/2009 Technologie výroby a. TTL tranzistor tranzistor logic - drahá b. CMOS complement metal oxid semiconductor Unipolární tranzistor PMOS pozitivní pomalá NMOS - negativní

Více

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ 30, p. o. ELEKTRONIKA Ing. Pavel VYLEGALA 006 - - Obsah Elektrické obvody...4 Základní pojmy...4 Polovodičové součástky...6 Polovodič typu P,typu N,přechod

Více

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové Stejnosměrný proud I Dosud jsme se při studiu elektrického pole zabývali elektrostatikou, která studuje elektrické náboje v klidu. V dalších kapitolách budeme studovat pohybující se náboje elektrický proud.

Více

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem.

Jednoduchý Mosfet. Sharkus. Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Jednoduchý Mosfet Sharkus Návod na výrobu jednoduchého spínače s mosfetem. Zřejmě každý majitel AEG zbraně dříve či později narazí na opálené kontakty spouště. Průvodním jevem je nespolehlivé spínání spouště,

Více

Simulace diody (TCE 2006)

Simulace diody (TCE 2006) Simulace diody (TCE 2006) Cíl: 1. Seznámení s prostředím pro device simulation (DECKBUILD) pomocí 1-D simulace P-I-N diody (ATLAS) ve statickém a dynamickém režimu v komutačním obvodu (MIXEDMODE) 3. Sestavení

Více

Oldøich Kováø ELEKTRONIKA sbírka pøíkladù Oldøich Kováø ELEKTRONIKA - sbírka pøíkladù Recenzent èeského vydání: Ing Jiøí Hozman Recenzenti pùvodního slovenského vydání: Prof Ing Milan Kejzlar, CSc Doc

Více

Title: IX 6 11:27 (1 of 6)

Title: IX 6 11:27 (1 of 6) PŘEVODNÍKY ANALOGOVÝCH A ČÍSLICOVÝCH SIGNÁLŮ Převodníky umožňující transformaci číslicově vyjádřené informace na analogové napětí a naopak zaujímají v řídícím systému klíčové postavení. Značná část měřených

Více

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE 2012 Jakub Vyškovský i Anotace Tato absolventská práce se zabývá souhrnem a měřením aktivních elektronických

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Garant předmětu: Ing. Jaroslav Boušek, CSc. Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof.

Více

Architektura počítačů

Architektura počítačů Architektura počítačů Studijní materiál pro předmět Architektury počítačů Ing. Petr Olivka katedra informatiky FEI VŠB-TU Ostrava email: petr.olivka@vsb.cz Ostrava, 2010 1 1 Architektura počítačů Pojem

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/01 Elektrotechnika (slaboproud) Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA APLIKOVANÉ ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA APLIKOVANÉ ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA APLIKOVANÉ ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE Porovnání synchronních usměrňovačů a usměrňovačů se Schottkyho diodami Abstrakt

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ CZ.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_INOVACE_EM_1.08_měření VA charakteristiky usměrňovací diody Střední odborná škola a Střední

Více

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace 1 Cíl přednášky Popsat architektury vnitřních pamětí personálních počítačů. Zabývat se vývojem pojmů, technologií, organizací. Vyvodit

Více

Výukový materiál zpracovaný v rámci operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost

Výukový materiál zpracovaný v rámci operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Výukový materiál zpracovaný v rámci operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Registrační číslo: CZ.1.07/1. 5.00/34.0084 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada:

Více

Návrh DPS a EMC blokování napájení. Blokování napájení

Návrh DPS a EMC blokování napájení. Blokování napájení Problém: Blokování napájení impulzní spotřeba součástek 10 0.. 10 2 ma /ns zpoždění průchodu proudu na DPS > 0,1ns/cm stabilizátor napětí nestíhá reakční doba > 1μs Řešení: blokovací kondenzátor = velmi

Více

KAPITOLA 1 - ZÁKLADNÍ POJMY INFORMAČNÍCH A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ

KAPITOLA 1 - ZÁKLADNÍ POJMY INFORMAČNÍCH A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ KAPITOLA 1 - ZÁKLADNÍ POJMY INFORMAČNÍCH A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ KLÍČOVÉ POJMY technické vybavení počítače uchování dat vstupní a výstupní zařízení, paměti, data v počítači počítačové sítě sociální

Více

Semestrální práce z předmětu Kartografická polygrafie a reprografie

Semestrální práce z předmětu Kartografická polygrafie a reprografie Semestrální práce z předmětu Kartografická polygrafie a reprografie Digitální tisk princip a vývoj Pavel Stelšovský a Miroslav Těhle 2009 Obsah Jehličkové tiskárny Inkoustové tiskárny Tepelné tiskárny

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny.

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny. Psaní testu Pokyny k vypracování testu: Za nesprávné odpovědi se poměrově odečítají body. Pro splnění testu je možné využít možnosti neodpovědět maximálně u šesti o tázek. Doba trvání je 90 minut. Způsob

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. Doc. Ing. Arnošt

Více

1. Zdroje a detektory optického záření

1. Zdroje a detektory optického záření 1. Zdroje a detektory optického záření 1.1. Zdroje optického záření výkon a jeho časový průběh spektrální charakteristika a její stabilita v čase koherenční vlastnosti 1.1.1. Tepelné zdroje velmi malá

Více

Architektura počítačů

Architektura počítačů Architektura počítačů Co je architektura obecně: souhrn znalostí o prvcích, ze kterých se skládá nebo dá složit nějaký celek o způsobech, kterými lze tyto prvky využít pro dosažení požadovaných vlastností

Více

Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita

Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita BaBar SLAC Zbyněk Drásal 1 Historie diodového jevu v polovodičích Objev tzv. Halbleiteru (polovodiče) bodový kontakt kovu a krystalu (PbS) usměrňuje proud

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

VRSTVY Pd NANOČÁSTIC NA InP TYPU N PŘIPRAVENÉ ELEKTROFORETICKOU DEPOZICÍ PRO DETEKCI VODÍKU

VRSTVY Pd NANOČÁSTIC NA InP TYPU N PŘIPRAVENÉ ELEKTROFORETICKOU DEPOZICÍ PRO DETEKCI VODÍKU VRSTVY Pd NANOČÁSTIC NA InP TYPU N PŘIPRAVENÉ ELEKTROFORETICKOU DEPOZICÍ PRO DETEKCI VODÍKU Ondřej ČERNOHORSKÝ a,b, Karel ŽĎÁNSKÝ b, Jiří ZAVADIL b, Pavel KACEROVSKÝ b, Kateřina PIKSOVÁ a, Anton FOJTÍK

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více