VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

HTML
DOWNLOAD

Rozměr: px

Začít zobrazení ze stránky:

Download "VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl"

Ján Vopička
před 9 lety
Počet zobrazení:

Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing.

1 Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/ Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA Ročník třetí Datum tvorby Srpen 2012 Anotace Tematický celek je zaměřen na problematiku základů elektroniky. Prezentace je určena žákům 3.ročníku, slouží jako doplněk učiva. Pokud není uvedeno jinak, použitý materiál je z vlastních zdrojů autora

Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA Ročník třetí Datum tvorby Srpen 2012 Anotace Tematický celek je zaměřen

2 Bipolární tranzistor Tranzistor je polovodičová součástka, kterou tvoří dvojice přechodů PN. Je základem všech dnešních integrovaných obvodů, jako např. procesorů, pamětí atd. Tranzistorový jev (efekt) byl objeven a tranzistor vynalezen 16. prosince 1947 v Bellových laboratořích týmem ve složení William Shockley, John Bardeen a Walter Brattain. Za tento objev jim byla roku 1956 udělena Nobelova cena za fyziku, jednalo se o velmi významný objev, který vedl k faktickému vědeckotechnickému převratu v oblasti aplikované elektrotechniky. Tím byl zároveň potvrzen dosavadní stálý trend miniaturizace jednotlivých a později integrovaných součástek, shrnutý Mooreovým zákonem jako v čase konstantní proces koncentrace polovodičových součástek.

Za tento objev jim byla roku 1956 udělena Nobelova cena za fyziku, jednalo se o velmi významný objev, který vedl k faktickému vědeckotechnickému převratu v oblasti aplikované

3 Základní typy tranzistorů Bipolární (BJT Bipolar Junction Transistor) Jsou řízeny proudem od báze. Unipolární (FET Field Effect Transistor) Jsou řízeny napětím (elektrostatickým polem) na subgate. JFET (Junction FET) Řídící elektroda (gate) je tvořena závěrně polarizovaným přechodem PN. MESFET (Metal Semiconductor FET) Řídící elektroda (gate) je tvořena závěrně polarizovaným přechodem kov polokov. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Řídící elektroda (gate) je izolována od zbytku tranzistoru oxidem. MISFET (Metal Insulated Semiconductor FET) Obecný název pro tranzistor s izolovanou řídící elektrodou. Izolantem nemusí být jen oxid (např. nitrid ).

JFET (Junction FET) Řídící elektroda (gate) je tvořena závěrně polarizovaným přechodem PN.

4 Princip činnosti bipolárního tranzistoru oblastí. Bipolární tranzistor je třívrstvá součástka složená z různě dotovaných Emitor je na rozdíl od báze o několik řádů více dotován, má mnohem více volných nosičů náboje. V případě NPN tranzistoru elektronů, a ty zaplaví tenkou oblast báze. PNP Obr. 1 NPN Obr. 2

Emitor je na rozdíl od báze o několik řádů více dotován, má mnohem více

5 Princip činnosti bipolárního tranzistoru Uvažujme tranzistor typu NPN v zapojení se společným emitorem. Zvyšováním kladného napětí mezi bází a emitorem (tj. kladný pól zdroje na bázi a záporný na emitoru) se ztenčuje oblast bez volných nosičů na rozhraní báze a emitoru. Okolo napětí 0,6 V až 0,7 V pro křemík (Si) a 0,2 V až 0,3 V pro germanium (Ge) začíná PN přechod báze-emitor vést elektrický proud. Tato část tranzistoru se chová jako klasická polovodičová dioda. Přivedením kladného napětí mezi kolektor a emitor, začnou být přebytečné elektrony odsávány z báze směrem ke kolektoru. Přechod Báze kolektor je polarizován v závěrném směru. Přebytek elektronů je následně posbírán ve vyprázdněné oblasti přechodu kolektor-báze. NPN Obr. 3

Okolo napětí 0,6 V až 0,7 V pro křemík (Si) a 0,2 V až 0,3 V pro germanium (Ge) začíná PN přechod báze-emitor vést elektrický proud.

6 Podmínky pro správnou funkci tranzistoru Tenká vrstva báze Podstata tranzistorového jevu. Emitor dotovaný více než báze Způsobuje převahu volných nosičů náboje z emitoru. Při otevření přechodu báze emitor se tak zachovává délka báze a elektrony vstříknuté do báze z emitoru nestíhají rekombinovat. Báze dotovaná více než kolektor Čím větší je rozdíl dotací, tím větší napětí může tranzistor spínat, ale má také větší sériový odpor. V bipolárním tranzistoru vedou proud také díry. Ty se zákonitě pohybují opačným směrem, ale plní stejnou úlohu jako elektrony. Proto se tomuto typu tranzistoru říká bipolární. NPN Obr. 4

Při otevření přechodu báze emitor se tak zachovává délka báze a elektrony vstříknuté do báze z emitoru nestíhají rekombinovat.

7 Základní zapojení V elektronických obvodech může být tranzistor zapojen čtyřmi základními způsoby. Podle elektrody, která je společná pro vstupní i výstupní signál se rozlišuje zapojení se : společným emitorem (SE) - obrací fázi, proudové a napěťové zesílení je mnohem větší než 1 společnou bází (SB) - neobrací fázi, malé proudové zesílení (Ai<1), velmi malá vstupní impedance, velké napěťové zesílení (velikostně podobné jako zapojení SE), zapojení se využívá ve spínačích nebo ve zdrojích v části stabilizátoru společným kolektorem (SC) (= emitorový sledovač) - neobrací fázi, velký vstupní odpor, velké proudové zesílení, menší napěťové zesílení (<1), využívá se ve sledovačích daného obvodu

větší než 1 společnou bází (SB) - neobrací fázi, malé proudové zesílení (Ai<1), velmi malá vstupní impedance, velké napěťové zesílení (velikostně podobné jako zapojení SE),

Základní zapojení Nejčastěji se používá zapojení se společným emitorem (SE), viz obrázek. Na první pohled emitor není uzemněn, ale podstatný je pohled z hlediska přenosu změn signálu.

8 Základní zapojení Nejčastěji se používá zapojení se společným emitorem (SE), viz obrázek. Na první pohled emitor není uzemněn, ale podstatný je pohled z hlediska přenosu změn signálu. Z tohoto pohledu je rezistor R4 pro nastavení stejnosměrného pracovního bodu pro střídavý signál zkratován velkou paralelní kapacitou kondenzátoru C3. Důležitou informaci o vlastnostech tranzistoru podávají jeho vstupní a výstupní charakteristiky. Celková charakteristika se zakresluje do kartézské soustavy souřadnic. Obr. 5 Obr. 6

Z tohoto pohledu je rezistor R4 pro nastavení stejnosměrného pracovního bodu pro střídavý signál zkratován velkou paralelní

9 Rozdělení tranzistorů podle výkonu běžné tranzistory: slouží pro zpracování signálu (ať už jako jednotlivé diskrétní součástky, či součástky v čipech a mikročipech integrovaných obvodů), jsou dnes základním prvkem spotřební i nespotřební elektroniky (televize, rádia, počítače, mobilní telefony ). Běžné tranzistory obvykle zpracovávají signál v jednotkách voltů. Proud přitom bývá nejvýše v řádu miliampérů. Snahou od počátku je a zůstává minimalizace jak obou elektrických veličin, tak ztrát energie v součástce a z toho vyplývající efektivita zpracování informace.

mobilní telefony ). Běžné tranzistory obvykle zpracovávají signál v jednotkách voltů. Proud přitom bývá nejvýše v řádu miliampérů.

10 Rozdělení tranzistorů podle výkonu výkonové tranzistory: jsou klíčovým prvkem používaným ve výkonové elektronice, například v oblasti spínaných zdrojů nebo frekvenčních měničů. Výkonová elektronika je rovněž klíčová při realizaci moderních zdrojů světla (úsporná žárovka, LED dioda), moderních trakčních vozidel s asynchronními motory, hybridních automobilů a elektromobilů, fotovoltaických a větrných elektráren. Současné výkonové tranzistory (viz IGBT) jsou schopny ve spínacím režimu pracovat s napětím až v řádu kilovoltů a s proudy v řádu stovek nebo tisíců ampér.

Výkonová elektronika je rovněž klíčová při realizaci moderních zdrojů světla (úsporná žárovka, LED dioda), moderních trakčních vozidel s

11 Rozdělení tranzistorů podle výkonu středně výkonné tranzistory: mezi běžnými a výkonovými tranzistory - často jak parametry, tak fyzickou funkcí - jsou provozované v lineárním režimu a používají se například pro lineární regulátory napětí, nebo pro výkonové stupně audiozesilovačů.

funkcí - jsou provozované v lineárním režimu a používají se například

12 Použité zdroje: Kesl, Jan. Elektronika I Analogová technika. Praha :BEN, s. ISBN Obr. 1; 2; 3; 4: Kesl, Jan. Elektronika I Analogová technika. Praha :BEN, s. ISBN Obr. 5; 6:

13 Použité zdroje: Kesl, Jan. Elektronika I Analogová technika. Praha :BEN, s. ISBN Ilustrace: archiv autora

Podobné dokumenty

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární