DRUHY DIGITÁLNÍCH INTEGROVANÝCH OBVODŮ

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "DRUHY DIGITÁLNÍCH INTEGROVANÝCH OBVODŮ"

Transkript

1 DRUHY DIGITÁLNÍCH INTEGROVANÝCH OBVODŮ Základním stavebním blokem digitálních systému je logický člen (hradlo). U daného typu logického členu je jeho logická funkce jednoznačně dána, ale jeho jednotlivé fyzické realizace se mohou i velmi podstatně lišit vnitřní strukturou a výrobní technologií. Nejstarší skupina logických obvodů je založena na využití struktur sestavených z bipolárních tranzistorů, které v sepnutém stavu pracují v saturaci nebo na mezi saturace - DTL diodově tranzistorová logika, -TTL tranzistorově tranzistorová logika, - CMOS využití tranzistorů řízených polem - IIL integrovaná injekční logika, - včetně rychlých a Schottkyho variant.

2 2

3 3

4 4

5 5

6 Nejčastěji používané technologie AC, ACT, AHC, AHCT, ALVC, AUC, AUP, AVC, FCT, HC, HCT, LV-A, LV-AT, LVC, TVC ABT, ABTE, ALB, ALVT, BCT, HSTL, LVT BTA, CB3Q, CB3T, CBT, CBT-C, CBTLV, FB, FIFOs, GTL, GTLP, JTAG, I2C, VME ALS, AS, F, LS, S, TTL 6

7 Snižování napájecího napětí vlivem technologického pokroku 7

8 Vývojové řady integrovaných obvodů 8

9 4. Diodová logika Základní stavební jednotkou je logický člen součtu a součinu 9

10 4. Digitální integrované obvody TTL Základní stavební jednotkou je logický člen NAND +5 V 7400 R 4K R 2 K6 R 4 30R Příklady technologického řešení: A i vst T T 2 D T 4 i výst SN74ALS00 M74HCT00 B u A D A D B T 3 u B R 3 K u výst 0

11 i vst 2 ma Vstupní charakteristika i VST (u VST ) V u vst vstup je spojen se společným vodičem tranzistor T 2 uzavřen i c = 0-3 vstupní proud i vst = i B = (U C -u BE )/R odpovídající část vstupní charakteristiky má přibližně přímkový charakter se směrnicí i VST /u VST /R -7

12 i vst 2 ma V u vst zvyšování vstupního napětí tranzistor T 2 se začíná otvírat, protože do jeho báze začíná vtékat proud rozhodovací (prahové) vstupní napětí je,3 až,5 V při i VST = 0 ma veškerý proud rezistorem R teče do báze T 2 T 2 a T 3 v saturaci, u B2 =(,3 až,5) V T přechází do inverzního režimu, při i VST = 0 ma bude mezi C a E minimální napětí, pro U T 25 mv, N = 0,98 bude u CES -0,5 mv -7 u h 2E ces U T ln U T h2 E ln N 2

13 i vst 2 ma V další zvyšování vstupního napětí u vst proud T: i VST i.i B = i (U C -3u BE )/R = 8 A při dalším zvyšování vstupního napětí se proud téměř nemění, až při napětí 7 až 8 V dochází k průrazu přechodu emitor-báze T, při kterém musí být vstupní proud omezen na až 3 ma -6-7 proto maximální vstupní napětí udává výrobce 5,5 V. 3

14 i vst 2 ma V záporná vstupní napětí - u vst až do 0,7 V lineární tvar charakteristiky -2-3 zápornější napětí => otvírá se dioda DA, resp. DB a spolu s otevřeným T určuje tvar charakteristiky maximální velikost vstupního proudu je omezena z důvodu ztrátového výkonu na 0 až 5 ma -7 4

15 Výstupní charakteristika i VÝST (u VÝST ) i výst 50 ma stav 0 na výstupu V stav na výstupu u výst u VÝST = 0 pro kladná napětí T3 nasycen, charakteristika i C3 (u CE3 ) určuje průběh výstupní charakteristiky logického členu malé výstupní proudy: u VÝST = u CES3 0, V při zvyšování výstupního proudu roste výstupní napětí R VÝST je určen odporem nasyceného tranzistoru T 3 (0 až 5 ) i VÝST 40 ma přechází T3 z nasyceného do aktivního režimu => výstupní napětí prudce vzrůstá 5

16 i výst 50 ma stav 0 na výstupu 20 0 u VÝST = 0 pro záporná napětí V stav na výstupu u výst v oblasti záporných napětí závisí průběh charakteristiky na vlastnostech substrátové diody mezi kolektorem T 3 a společným vodičem

17 stav pro logickou na výstupu výstupní charakteristika je určena charakteristikou tranzistoru T 4 i výst 50 ma při dalším snižování se T 4 dostává do aktivního režimu a R dvýst klesá z M na 70 až stav 0 na výstupu při velkých výstupních napětích teče výstupem minimální kladný proud, i VÝST 40 μa T4 je uzavřen V stav na výstupu u výst při u VÝST = (3,3 až 3,5 V) i VÝST = 0 ma zbytkový proud tranzistoru T 4 se kompenzuje z T v oblasti menších výstupních napětí je T 4 v nasyceném stavu a R dvýst 60 zkratový proud při u VÝST < 0 V se opět uplatňuje substrátová dioda na výstupu 7

18 Převodní charakteristika TTL u VÝST (u VST ) u výst 5 V tvar charakteristiky: - velikost napájecího napětí - charakter připojené zátěže - pracovní teplota obvodu šrafování vyznačuje zakázané oblasti, do kterých pro daná vstupní napětí (u VSTL < 0,8 V a u VSTH > 2 V) nesmí výstupní napětí u VÝST zasáhnout V u vst 8

19 Čtyři typické oblasti: a) malá vstupní napětí (0,6 až 0,8 V) u VÝSTH = 3,3 až 3,7 V b) při zvětšování u VST se otvírá T 2 a jeho napěťové zesílení R 2 /R 3 -,4 udává přibližně sklon převodní charakteristiky v oblasti klesajícího u VÝST u výst 5 V V u vst c) při u VST,3 V se začíná otevírat i výstupní tranzistor T 3 a poněvadž je připojen paralelně k rezistoru R 3 a jeho vstupní odpor R VST klesá, zvětšuje se zesílení T 2 úměrně poměru - R 2 /(R 3 R VST3 ), charakteristika je velmi strmá d) další zvětšování u VST způsobí rychlý pokles výstupního napětí na hodnotu saturačního napětí výstupního tranzistoru T 3, na výstupu členu je typické napětí u VÝSTL 0,2 V 9

20 rychlá změna u VÝSTL při zpětném snižování vstupního napětí v okolí u VST,3 V je dynamickým jevem, kdy se tranzistor T 4 otevírá dříve, než stačí přejít tranzistor T 3 ze stavu nasycení do stavu zahrazení, po určitou dobu tedy vedou tranzistory T 3 a T 4 současně a výstupním obvodem protéká zkratový proud, vrcholová hodnota zkratového proudu dosahuje u standardní řady TTL 54/74 TTL až 25 ma, doba trvání tohoto proudového impulsu závisí na velikosti kapacitní zátěže výstupu a strmosti hrany budicího vstupního napětí 20

21 Dynamické parametry obvodů TTL udává výrobce nepřímo, a to pomocí typických časových zpoždění reakce výstupu logického členu při skokové změně logické hodnoty vstupního signálu např. pro řadu TTL udává výrobce TI dobu zpoždění reakce (zdržení) logického členu při přechodu z úrovně L na úroveň H hodnotou t PLH < 22 ns a při přechodu z úrovně H na úroveň L hodnotou t PHL < 5 ns 2

22 Další varianty obvodů TTL vyvinuty s cílem: - buď zmenšit příkon, - nebo zmenšit zpoždění signálu, - nebo v optimálním případě zmenšit i příkon i zpoždění. tak vznikly v řadě 54/74 varianty L, LS, ALS, H, S, AS, z nichž dnes mají největší uplatnění moderní zdokonalené varianty ALS a AS podstatné omezení rychlosti obvodů TTL vyplývá z časového zpoždění, které je nutné pro přechod tranzistoru z nasyceného stavu do stavu zahrazení rychlé logické obvody TTL proto používají ke zvýšení rychlosti Schottkyho tranzistory, což jsou tranzistory, mající mezi kolektor a bázi připojenu Schottkyho desaturační diodu, která zabraňuje přechodu tranzistoru do nasycení 22

23 74S V R 2K8 R 2 900R R 4 50R T 5 A T T 2 T 5 B T 3 Y R 3 500R R 4 250R R 5 3K5 D A D B T 6 rychlost členu je zvýšena zmenšením odporu jeho pracovních rezistorů jiná konfigurace výstupního obvodu pro (vlivem T 4, T 5 v Darlingtonově dvojici se snižuje výstupní dynamická na hodnotu asi 0 při výstupním signálu náhrada rezistoru R 3 aktivním obvodem s T 6 a R 3, R 4 (tento obvod urychluje otevírání tranzistoru T 3, omezuje přesycování báze T 3 nadměrným proudem, je-li T 3 otevřen, zlepšuje teplotní chování obvodu, neboť snižuje závislost dynamických parametrů na teplotě a zlepšuje tvar převodní charakteristiky) 23

24 Vnitřní zapojení obvodu 74ALS V R 37K R 2 50K R 3 4K R 7 50R A T A T 2 T 6 D 2A T 7 R 4 5K D A T 3 Y B T B T 5 R 5 2K8 R 6 5K6 D 2B T 4 D B 24

25 Výkonnost logických hradel TTL t d P d f m průměr časové zpoždění příkon na jeden člen maximální kmitočet 25

26 Digitální integrované obvody IIL Integrovaná injekční logika IIL (Integrated Injection Logic) využívá k proudovému buzení bipolárních spínacích tranzistorů injekci minoritních nosičů proudu do báze pomocí injektoru tvořeného tranzistorem PNP a nikoliv klasického buzení ze zdroje napájecího napětí přes sériový rezistor. Tím značně klesá ztrátový výkon a tedy i potřebný příkon obvodu a současně se podstatně zvyšuje počet součástek, které lze na čipu téže plochy integrovat. X I N T INJ T 2 Y Y Y Y X Y YY Y Kolektor injekčního tranzistoru T je spojen s bází vícekolektorového tranzistoru T 2, báze tranzistoru T je současně emitorem tranzistoru T 2. Emitor tranzistoru T (laterální tranzistor PNP) slouží jako injektor nosičů náboje. Difuzí se minoritní nosiče dostávají do kolektorového obvodu tohoto tranzistoru a tím i do báze tranzistoru T 2 (vícekolektorový tranzistor NPN). 26

27 Základní logickou funkcí obvodu je inverze logického signálu z jednoho společného vstupu (báze T2) na několik výstupů (kolektory T2). Požadované další logické funkce se u obvodů IIL vytvářejí vhodným spojováním jejich výstupů podle pravidel Booleovy algebry. Příklady spojování elementárních spínacích obvodů IIL pro získání logických funkcí NAND a NOR. Je zde schematicky naznačeno spojení dvou elementárních členů pro vytvoření klopného obvodu typu RS. A AB A.B A A. B = A + B S S 2 S 3 Q B B R R 2 R 3 Q a b c 27

28 Ztrátový výkon (a tedy i nutný příkon) je u obvodů IIL velmi malý. Velikost napájecího proudu určuje dobu zpoždění signálu při průchodu hradlem. Závislost mezi proudem I N a výsledným zpožděním je pro normalizovanou hodnotu zpoždění t pd /t pd0. Vztažná hodnota zpoždění je přibližně t pd0 = 0 až 20 ns. t t pd pd Protože vstupní napětí injektoru je přibližně konstantní, u INJ 0,85 V (je to úbytek napětí u EB na propustně pólovaném přechodu EB tranzistoru T ), bude příkon jednoznačně dán průměrnou hodnotou napájecího proudu IN injektoru. U čipů připadá na jeden z n logických členů průměrný proud I N /n. 0, 0,00 0,0 0, A I N 28

29 Převodník TTL/IIL R 0K T u VST TTL D u VÝST IIL R 2 0K 29

30 Logické obvody v technologii ECL R 290 R T 4 R OR T 3 2 až 8 T 5 T T 2 T 3 T 2 U R (-,75 V) u 2 (NOR) u 22 (OR) U R -,75 V D D 2 u u 2 u 3 R 3 K8 R 4 K5 R 5 K5 5,2 V R 6 2K R 8 2K36 a U EE = - 5,2 V b U EE = - 5,2 V ECL (emitter-coupled logic), bipolární tranzistory aktivní oblasti jako řízené přepínače proudu vyšší rychlost, logická funkce OR, malá výstupní dynamická impedance přibližně 2 až 8, výstupní signály navzájem inverzní, stabilní referenční stejnosměrné napětí U R = -,75 V napájecí napětí logických obvodů ECL U 30 EE = -5,2 V

31 - 5,2 V -,325 V -,75 V -,025 V - 0,690 V ECL - v několika typových řadách, které se značně liší odpory rezistorů, větší odpory - menší potřebný příkon, menší rychlost a naopak logické operace NOR nebo OR. u Lmin - 5,0 V -,5 u Lmax U R u Hmin -,0 u Hmax - 0,5 V u 0 u Lmin u Lmax U R u Hmin u Hmax - 5,0 V -,0 -,0-0,5 u 0 u 2 u 2 NOR - 0,700 V - 0,850 V -,75 V u 2Hmax u 2Hmin -,0 V U R - 0,5 V u Hmax u 2Hmax -,0 V U R -,500 V -,5 V u 2Lmax OR -,5 V u 2Lmax -,800 V u 2Lmin -,5 V u 2Lmin - 2,0 V šrafování vyznačuje toleranční oblasti, v nichž se může vyskytnout hodnota výstupního napětí u 2 pro dané povolené hodnoty vstupního napětí u ; jmenovité hodnoty přitom jsou u 2L = -,58 V a u 2H = -0,76 V 3

32 Logické obvody v technologii CMOS typické vlastnosti komplementární technologie CMOS: - původně navržena pro zařízení s omezenými kapacitami napájecích zdrojů, - velký rozsah napájecích napětí, - jednoduché napájení, - velmi malý příkon ve statickém režimu - velká šumová imunita, která se zvětšuje se zvětšujícím se napájecím napětím, - velký logický zisk, - relativně malé časové zdržení při přenosu ze vstupu na výstup (u obvodů HCMOS srovnatelné s obvody ALS TTL), - velký rozsah pracovních teplot, - ochrana všech vstupů a výstupů proti přepětí standardní řada obvodů 4000/4500 a

33 Základní invertor v technologii CMOS dva tranzistory pracující v obohacovací módu činnosti T vodivostní kanál typ N T 2 vodivostní kanál typ P při u VST = H nebo L je klidový proud velmi malý (na) diody slouží jako ochrana proti vlivům statické elektřiny a proti přepólování rozsah napájecích napětí 3 až 8 V (řada 4000/4500) 33

34 Ošetření nezapojených vstupů Nepoužité vstupy nesmí zůstat nezapojeny Připojují se na trvalou log. Úroveň Log H NAND a AND Log L OR a NOR Nepoužité vstupy můžou být také spojeny s dalším vstupem Nedoporučuje se pro high-speed design Spojením vstupu zvyšujeme jejich kapacitu

35 Převodní charakteristika CMOS Tvar těchto charakteristik je podmíněn postupným přechodem tranzistoru T z aktivní oblasti jeho výstupních charakteristik (vějířovitě se rozbíhající soustava charakteristik v okolí počátku souřadnic, vyznačujících se velkou strmostí) přes oblast proudové saturace (téměř přímkové charakteristiky, prakticky rovnoběžné s osou napětí) do stavu zahrazení (charakteristika splývající s osou napětí - tranzistorem teče jen zbytkový proud) a souběžně probíhajícím přechodem tranzistoru T 2 ze stavu zahrazení přes oblast saturace do aktivní oblasti. Oba tranzistory pracují s obohacením, při nulovém napětí hradla G tranzistoru vzhledem k jeho emitoru S je tranzistor uzavřen. K otevření tranzistoru s kanálem typu N je třeba přivést na jeho hradlo kladné napětí U GSN převyšující jeho prahové napětí U PN. Tranzistor s kanálem typu P se otevírá záporným napětím hradla vzhledem k jeho emitoru U GSP, toto napětí musí být zápornější, než prahové napětí tranzistoru U PP. 35

36 u O 4 V U DD = 5 V 2 0 U DD = 0 V 8 6 U DD = 5 V u O (u I ) 4 2 TTL V u I Převodní charakteristika pro různá napájecí napětí 36

37 2 ma i D 0 8 U C = 5 V U C = 0 V U C = 5 V V u I Proudový odběr hradla v závislosti na vstupním napětí 37

38 8 V 6 u O 4 U DD U DD - 0,0 H 2 0,7U DD 0 8 nedef V U DD 0,3U DD L 0,0 V Překrytí úrovní vstupních a výstupních napětí pro přípustné hodnoty napájecích napětí 38

39 + U N + U N x y x x 2 x 2 x y x x 2 x 2 a b Zapojení hradel a) NOR a b) NAND 39

40 40

41 Digitální integrované obvody řady 54HC/74HC a 54HCT/74HCT konstruovány tak, aby mohly přímo nahradit obvody TTL a bez problému s nimi spolupracovat vyrobeny technologií CMOS napájecí napětí U CC = 2 až 6 V bez potíží je lze budit obvody CMOS i TTL zaručované výstupní napětí obvodů TTL u OH > 2,4 V však nebude stačit pro vybuzení obvodu CMOS při U CC = 5 V u IH > 3,5 V, je nutné použít pomocný rezistor s odporem kolem 0 k připojený mezi vstup a +5 V rozložení vývodů v pouzdře je shodné s obvody TTL příklad obvodu 74HCT00 4

42 u O 5 V LS00 HC00 u O (u I ) V u I Převodní charakteristiky LSTTL a HCMOS příkon obvodů 74HC je významný především v dynamickém provozu, ve statickém režimu je příkon v průměru 0 µw pro elementární hradlo, změna teploty - vliv na příkon obvodu: při zvýšení teploty z 25 C na 85 C se napájecí proud při U CC = 6 V zvětší z 2 µa na 20 µa (příkon se zvětší z 2 µw na 20 µw) další zvýšení na maximální přípustnou teplotu 25 C se projeví napájecím proudem 40 µa a odpovídajícím ztrátovým výkonem 240 µw 42

43 Digitální integrované obvody FACT řady 74AC a 74AHC 0,2 ma i I u I (i I ) 0, napájecí napětí U CC = 2 až 6 V 74AC představují skupinu rychlých obvodů CMOS se vstupními úrovněmi CMOS a posílenými výstupy CMOS (až 24 ma) - 0, V u I 74ACT přestavují skupinu rychlých obvodů CMOS, ale jsou upraveny tak, aby při U CC = 5 V mohly přímo pracovat s obvody TTL - 0,2 vstupní proud v rozmezí vstupních napětí 0 až U CC typicky A, mimo toto rozmezí vzrůstá vlivem ochranných diod obvody FACT mají doby zpoždění stejné jako obvody ALS TTL 43

44 ZÁSADY NAVRHOVÁNÍ DIGITÁLNÍCH praktické zkušenosti, OBVODŮ A SYSTÉMŮ pochopením fyzikální podstaty jevů v jednotlivých stavebních prvcích a jejich vzájemných interakcí ukáží, které obvykle doporučované aplikační zásady je nutné v dané situaci dodržet a které lze obejít, popř. které vlastnosti obvykle uváděné jako nevýhodné je možné s výhodou využít k dosažení potřebného efektu. Jde především o aplikační zásady pro následující případy:. hazardy 2. připojování vstupů digitálních obvodů, 3. připojování výstupů digitálních obvodů, 4. spoje a přenos signálů, 5. obecné aplikační zásady, 44

45 Hazardy v kombinačních logických obvodech Základní pojmy Vznik hazardu - v důsledku časového zpoždění při průchodu signálu logickými členy vzniknou na výstupu obvodu při změnách vstupních signálů přechodné jevy ve tvaru impulsů (parazitní impulsy, glitch). Hodnota časového zpoždění (zdržení) v logických členech závisí na teplotě, napájecím napětí apod. jistý prvek náhodnosti v tom, zda ke vzniku uvedených impulsů, podmíněnému kombinací vhodných hodnot zpoždění, skutečně dojde nebo ne. Podle toho, zda se mění vstupní veličiny vzniká: statický hazard, dynamický hazard. Hazardní stavy negativně působí i v sekvenčních obvodech: mohou způsobit, že na ně zareagují jen některé (rychlejší) obvody, jiné (pomalejší) na ně zareagovat nemusí a systém se tak může dostat do nepředvídatelných stavů. 45

46 Vznik parazitního impulsu při statickém hazardu Očekávaný výstupní signál má mít stálou úroveň, ale při změně sledované vstupní veličiny může vlivem časových zpoždění v obvodu na výstupu vzniknout parazitní impuls opačné úrovně. a f ( a ) KLO - a f ( a ) KLO f ( a ) 3 2 KLO f ( a ) f ( a ) 2 2 f ( a ) 46

47 Vznik parazitního impulsu při dynamickém hazardu Při změně vstupní veličiny očekáváme změnu veličiny výstupní. Je-li v obvodu dynamický hazard, může se odezva výstupní veličiny skládat z většího lichého počtu změn, tj. k očekávané změně se přidá ještě jeden (nebo i více) parazitních impulsů. a KLO - KLO f ( a ) f ( a ) 2 KLO 4 f ( a ) a f ( a ) f ( a ) 2 KLO f ( a ) 3 a f ( ) 3 f ( a ) 47

48 Kombinační obvody s dvoustupňovou strukturou NAND-NAND a NOR-NOR a a' & y a a' ( a ) y a a' y a a' ( b ) y Pro NAND vzniká při hazardu parazitní impuls úrovně L při klidové úrovni H, u zapojení se členy NOR je tomu naopak. 48

49 Vyšetřování hazardů Zakreslíme-li vyšetřovanou funkci do Karnaughovy mapy, můžeme v ní hazardy lehce poznat. Obecně mohou vznikat parazitní impulsy u těch přechodů, kde se v mapě dotýkají dvě sousední smyčky, přičemž tento dotyk není překryt další smyčkou tyto hazardy se odstraní doplněním smyček, které tyto dotyky překrývají. Příklad: a a' logická funkce: y a b a c d b c d & & & y Parazitní impuls zde vzniká při změně proměnné a, je-li hodnota y = způsobována buď jedničkovou hodnotou součinu a.b nebo a c, ne však hodnotou proměnné d. 49

50 I I I a I C D F E I 8 9 B A I I I I I I I b c d Doplnění mapy o konsensus b. c zavede do mapy smyčku, která tento přechod překrývá. Tento doplňkový součin neobsahuje proměnnou a, takže svou jedničkovou hodnotu drží i při změně této proměnné. y a b a c d b c Zcela podobnou úvahou bychom mohli rozebrat příčiny a způsob odstranění hazardů v zapojeních s obvody NOR. 50

51 Potlačení hazardů způsobem uvedeným v příkladu za cenu poněkud větší složitosti zapojení, podmínkou je použití dvoustupňového zapojení NAND-NAND nebo NOR-NOR složeného ze základních kombinačních logických obvodů, výstupní signály využíváme až po uplynutí určité doby po změně vstupních proměnných, kdy již dojde k jejich ustálení, takové vzorkování jetypické pro synchronní sekvenční systémy, hazardy můžeme připustit, pokud jsme si jisti, že nemohou způsobit nepříjemnosti, v nejvyšší nouzi je možno použít filtru RC s charakterem integračního článku; toto řešení však nepatří k těm, která lze obecně doporučit, a může být příčinou jiných problémů souvisejících s prodloužením hran takto upravených signálů. 5

52 Připojování vstupů Je nutné dodržet požadované napěťové úrovně vstupních signálů. Při větších vstupních proudech některých logických obvodů (až i IL = 2 ma u STTL) respektovat také omezení velikosti vnitřního odporu zdroje signálu. Je třeba respektovat minimální přípustnou strmost hran vstupního logického signálu (např. limit V/µs pro běžné obvody TTL a až V/s pro obvody s hysterezní převodní charakteristikou). V případě vstupů digitálních obvodů jde především o následující aplikační zásady: ošetření nevyužitých vstupů, připojování vstupů nevyužitých logických obvodů, přizpůsobování napěťových úrovní, zpracování signálů mechanických kontaktů logickými obvody.

53 Ošetření nevyužitých vstupů Platí zásada neponechávat nevyužité vstupy logických obvodů TTL nepřipojené připojíme nevyužitý vstup na zdroj napětí definované úrovně L nebo H tak, aby nebyla narušena logická funkce ošetřovaného obvodu. U standardních obvodů TTL se vstup vyhodnocuje jako by byl nastaven na úroveň H, ale má v tomto případě velmi nízkou odolnost proti rušení. U požadavků na rychlost odezvy těchto obvodů se může projevit zpoždění způsobené nabíjecím procesem, vázaným na parazitní kapacitu nepřipojeného vstupu (u obvodů TTL ns na každý nepřipojený vstup). + 5 V (< 5,5 V) + 5 V + 5 V (< 5,5 V) SN 7492 R CÍTEJ CD CD CT0 A & AB A & AB A & AB &L A A B B B DATA { B C B C A B & AB A B & A + B NASTAV D L R 7 D BO CA

54 T A T B T C T D U CC Y = ABC Obvody CMOS - vysoká vstupní impedance (typicky 0 2 ) do nepřipojených vstupů se snadno indukuje rušivý signál. A B C D T A T B T C T D Nevyužité vstupy se připojují na U CC, na společný vodič nebo na použitý vstup, jinak výstup může mít nedefinovanou úroveň nebo se několikanásobně zvýší proudový odběr z napájecího zdroje. Volba kam připojit nevyužitý vstup není zcela libovolná - dá se jí ovlivnit i zatížitelnost výstupu obvodu. Připojením nevyužitých vstupů k použitým se patřičně zvětšuje proudová zatížitelnost výstupu (zvětšuje i OH u členů NAND a i OL u členů NOR) z výstupu vícevstupových hradel lze budit i větší zátěže.

55 Připojování vstupů nevyužitých logických obvodů Pokud na desce s plošnými spoji zůstane nevyužit jeden nebo dokonce více logických členů je vhodné připojit vstupy těchto nevyužitých obvodů na takovou úroveň, aby spotřeba těchto obvodů byla minimální. Např. hradlo TTL NAND má proudovou spotřebu asi ma při výstupní úrovni H a spotřebu asi 3 ma při výstupní úrovni L je vhodné vstupy nevyužitých obvodů NAND připojit na zem (ušetříme 2 ma na každý logický člen). U nevyužitých logických obvodů CMOS jsou takové úvahy zbytečné. Vždy je alespoň jeden z řetězce spínacích tranzistorů zahrazen - obvodem teče jen nepatrný klidový proud a logické členy (pokud pracují) ve statickém režimu mají zanedbatelně malý příkon.

56 Přizpůsobování napěťových úrovní Signály přiváděné na vstupy logických obvodů jsou dodávány z obvodů, jejichž výstupní signál může mít jiné úrovně H a L, než jaké jsou potřeba k buzení vstupů daných logických obvodů. Signály s větším rozkmitem obvykle stačí okrojit (a) Signály, které nemají dostatečnou velikost předběžně zesílit (b) Signály ležící v jiné napěťové oblasti nutno přesunout do požadované oblasti a popř. ještě dále upravit (c). U > U C 0 V R D 2 D U > U C U ZD < 5 V U < 0-0,7 V R H H L L U < 0 U > U C U C 0 V R R 2 D T + 5 V R 3 L H - 5 V + 5 V 0 V - 0,7 V R 3 K R R + 5 V T L H R 0K - 5 V a b c R < (u IL - U )/i IL

57 Vzájemné propojení obvodů TTL a CMOS (7402) R 0K (400) U DD = U C = 5 V (7407, 747) (40) U C = 5 V R 0 00K & TTL à CMOS TTL à CMOS (400) U 2 V DD (BC 77) (7404) U C = 5 V (4030) (KC 508) (7404) U DD > 5 V U C = 5 V = T R 27K T CMOS à TTL CMOS à TTL

58 Logické obvody CMOS u IL < 0,3 U DD (tj. pro U DD = 5 V je požadováno u IL <,5 V) u IH > 0,7 U DD až 0,8 U DD (pro U DD = 5 V tedy u IH > 3,5 až 4 V) Logické obvody TTL výstupní napětí u OL < 0,4 až 0,5 V a u OH > 2,4 až 2,7 V Z hlediska návrhu nejčistší řešení tohoto problému poskytují obvody CMOS ve verzích HCT a ACT jejichž vstupní napětí u IL, u IH jsou v tolerancích platných pro obvody TTL. Vazba CMOS na TTL Obvody CMOS řady 4000/4500 mají malou proudovou vydatnost, proto je nutné použít: buď výkonové CMOS 4049, 4050, nebo CMOS řady HC, HCT, AC a ACT, které se vyznačují velkou proudovou vydatností výstupů a na druhé straně aplikací obvodů TTL v řadách LS, ALS a AS, jejichž vstupní proudy jsou značně redukovány ve srovnání se staršími řadami.

59 Zpracování signálů mechanických kontaktů logickými obvody Patří sem různé spínače, přepínače, tlačítka, relé, klávesnice apod. Výstupní signál logického členu s mechanickým kontaktem může být v okamžiku zapnutí nebo vypnutí kontaktu doprovázen po dobu až několika milisekund zákmity (mechanického původu), které se dostávají na vstup připojených logických obvodů a pronikají do nich, což může mít nežádoucí důsledky v kritických případech je nezbytné signál z mechanických kontaktů ošetřit speciálními obvody. V nejjednodušším případě použijeme za spínačem integrační článek RC k časovému překlenutí přechodného děje při zapnutí nebo vypnutí kontaktu ( ms). Výstupní napětí členu RC se zpracovává invertorem s hysterezí.

60 R K +5 V 7432 Q 4K7 H +5 V 4K7 74AS00 & Q R 2 390R C L & Q a V K b ALS005 H Q H Q L Q L Q c K T NUL d

61 Zpracování signálů mechanických kontaktů logickými obvody CMOS zásady ošetřování signálů dodávaných z kontaktových logických členů jsou pro obvody CMOS obdobné jako u jiných technologií: U DD S R 74HC Q U DD R 00K 74ACT4 CMOS S 2 S Q (0 V) C 00 n R 2 M 0 V (U DD ) R 00K R 2 00K? překlápění klopného obvodu,? vliv opakovaného stlačení téhož tlačítka,? zákmity při spínání tlačítka, přechodné děje? dimenzování dvojbranu R R 2 C

62 Výstupy digitálních obvodů je třeba dodržet mezní hodnoty výstupních napětí a proudů, při buzení dalších logických obvodů ze sledovaného výstupu nesmíme překročit povolené zatížení výstupu, které se udává logickou zatížitelností N, logická zatížitelnost určuje největší počet logických vstupů, které můžeme z daného výstupu budit (např. z hradla 7400 (N = 0) můžeme dodávat výstupní logický signál do deseti vstupů logických obvodů TTL), přepočtem N.i VST snadno můžeme zjistit povolené hodnoty výstupních proudů i Z > 0,4 ma + 5 V proud i RH = (U C - u VÝSTH )/R se přičítá k výstupnímu proudu -i VÝSTH logického obvodu. R R Z při změně výstupní úrovně na L poteče výstupem IO proud i VÝSTL = i RL = (U C - u VÝSTL )/R i RL i VÝSTLmax R (U C - u VÝSTL )/ i VÝSTL max Pro TTL s logickou zatížitelností N = 0 je R 300 a pro výkonové obvody s N = 30 je R 00. Přídavný proud i RH je pak až 8,6 ma popř. až 26 ma

63 7400 KF508 budicí proud i + 5 V U B i C /h 2e je dodáván do báze T P z výstupu logického obvodu R i C R Z P R (u VÝSTH - u BE )/i B (,7 V)/i B & TTL (N < 0) R i B T uvažujeme-li u VÝSTH 2,4 V a u BE 0,7 V, pak R p (U C - u VÝSTH )/i B (2,6 V)/i B Proud i B l ze kompenzovat pomocí proudu rezistorem R p tak, že výstup logického obvodu k tvorbě proudu i B prakticky nepřispívá.

64 Spínání velkých proudů 7403 BC 2 U P > 0 KU 606 (30 V) + U i B R (K8) R Z R Z & i B <= 8 A 74HCU04 T KUN 05 T T 2 R 0K protože u VÝSTH u BE2s + u BE3s 0,7 V + 2,4 V = 3, V, není při provozu nikdy překročeno dovolené výstupní napětí logického členu, i když je rezistor R napájen ze sběrnice +30 V, tranzistory T a T 2 musejí být vybrány s ohledem na dostatečnou proudovou vydatnost a na předpokládané provozní napětí, R (U p u BEs u BE2s ).h 2es.h 2e2s /i

65 Ovládání výkonových zátěží obvody CMOS při aktivní úrovni H U U U D D D KY 30 Re 74HCT08 (408) & I D R 2 T 74HCT08 (408) & I 0,5A LOGICKÝ SIGNÁL R R 0K T KF 508 T 2!! proudová zatížitelnost hradla CMOS, napětí logické úrovně,!! k dosažení proudové slučitelnosti je použita pro zapínání budicí cívky relé Re Darlingtonova dvojice tranzistorů T a T 2,!! proč dioda??

66 Buzení výkonové zátěže při aktivní úrovni L 7437 D + 5 V Re 74ALS V Ž 3 V/50 ma & R 80R R 2 270R a b 7400 U C = + 5 V 74HC02 U DD U~ R 2 0K i Z ZÁTĚŽ & R R 0K i B R 2 R Z i G c U N < 0 V d

67 Spoje a přenos signálů Při přenosu signálu používáme v zásadě dva typy přenosových vedení:. nesymetrická (jeden vodič je uzemněn), 2. symetrická (rozdílová). Volba vhodné konstrukce vedení závisí i na požadovaném druhu přenosu:. jednosměrný přenos, 2. podmíněně obousměrný přenos, 3. přenos multiplexní sběrnicí. Indukcí rušivého signálu vzniká z vnějších zdrojů šum u Š a ve společném vodiči existuje mezi oběma konci vedení potenciální rozdíl u ZEM. Vstupní napětí přijímače je dáno superpozicí u K = u V + u ZEM u Š.

68 Model nesymetrického vedení VYSÍLAČ PŘIJÍMAČ r VÝST r vst D VST u i u V u Š u K R K D VÝST u ZEM nesymetrické vedení - konstrukčně jednoduché, neboť každá signálová cesta je tvořena jedním vodičem, přičemž signál je vztažen ke společnému vodiči (zemi)

69 Model symetrického vedení ROZDÍLOVÝ VYSÍLAČ SYMETRICKÉ VEDENÍ ROZDÍLOVÝ PŘIJÍMAČ u Š D VST D VÝST u Š SPOLEČNÝ VODIČ u ZEM symetrické vedení využívá k přenosu signálu rozdílový signál dvou vodičů, které jsou buzeny symetricky vůči společnému vodiči, jenž se na přenosu signálu nepodílí, vedení je buzeno z vysílače se dvěma komplementárními výstupy, přijímač pracuje jako rozdílový zesilovač (komparátor), rušivé napětí u Š se indukuje do obou signálových vodičů a působí jako souhlasné napětí, jímž je podložen přenášený signál, rušivé napětí u ZEM rozdílu zemních potenciálů společného vodiče působí rovněž jako souhlasné napětí na vstupech přijímače

70 Dosažení velkého odstupu signálu od šumu. použít stíněné vodiče k potlačení přeslechů, 2. zvětšit úroveň výstupního signálu vysílače, 3. zmenšit odpor společného vodiče a tím minimalizovat napětí u ZEM, 4. dostatečně oddálit signálové vodiče od napájecího rozvodu a od sousedních signálových vodičů, 5. upravit sklon hran výstupních impulsů vysílače tak, aby se zmenšily přeslechy vzniklé kapacitní vazbou, 6. použít přijímač s hysterezní charakteristikou, 7. zkrátit spoje tak, aby se zmenšila možnost působení rušivých zdrojů na vedení, použít vhodnou kombinaci předchozích způsobů. každý z uvedených způsobů má však i své nedostatky, např. první tři způsoby jsou ekonomicky náročné, pátý a šestý způsob znamenají zpomalení zpracování signálu a zkracování spojů nebývá vždy možné

71 Spoje plošné spoje, jednoduché drátové vodiče, dvojité a vícenásobné vodiče, zkroucené vodiče nebo koaxiální kabely Elektricky krátké vedení - signál jím projde za kratší dobu než je trvání nejstrmější hrany signálu. Může být impedančně nepřizpůsobeno a přesto nedojde k rušení signálu odraženým impulsem. Elektricky dlouhé vedení - podél něho signál prochází déle než je doba trvání hrany jeho impulsu. Rušivý signál vzniklý odrazem na nepřizpůsobeném konci vedení doznívá až po skončení hrany signálu a způsobuje rušení. typ t hr [ns] l m [m] ,5 74AS,5 0,3 74S 2,5 0,3 74L 5,5 74LS 6 0,55 74ALS 3 0,35 74H 7 0,65

72 dynamické odpory vstupů a výstupů nejsou stejné a navíc se liší i podle druhu hrany impulsu, tedy při změně H L a L H v tabulce jsou hodnoty dynamického výstupního odporu r VÝST a dynamického vstupního odporu r VST pro obě hrany procházejícího impulsu. obvod hrana H L hrana L H r VÝST [ ] r VST [ ] r VÝST [ ] r VST [ ] S H

73 Jednoduchý vodič z hlediska přenosu signálu se jeví jako nesymetrické vedení, nemůže mít jednoznačně definovanou charakteristickou impedanci - záleží na jeho geometrickém tvaru a poloze vzhledem ke společné zemnicí ploše (Z stovky až tisíce ) Z Dvojitý vodič a paralelní vícenásobné vodiče impedance silně závisí na jejich geometrickém uspořádání a na blízkosti ostatních vodičů v přístroji L/C Vedení se zkroucenými vodiči tvořeno dvěma souběžnými izolovanými vodiči s průměrem drátu 0,5 mm nebo 0,3 mm, navzájem kolem sebe zkroucenými tak, že na m délky připadá 25 až 40 zkrutů, tím je zaručena konstantní hodnota charakteristické impedance, ta by měla být co nejmenší, jinak vzrůstají přeslechy

74 Přenos signálu nepřizpůsobeným vedením

75 Vlastnosti vedení se zkroucenými vodiči snadné impedanční přizpůsobení, může být použito i pro přenos na elektricky dlouhé vzdálenosti, je odolné proti rušení, charakteristický odpor vedení bývá 00 až 30 (někdy 50 až 200 ) při průměru drátu 0,5 mm, tloušťce izolace 0,05 až 0, mm a při 20 až 40 zkrutech na metr délky, průměrná kapacita je 30 až 80 pf na metr délky vedení, díky konstantní hodnotě charakteristické impedance jsou zkroucené vodiče vhodné pro přenosy na velké vzdálenosti (až 000 m) s poměrně vysokými kmitočty (až nad 5 MHz), maximální útlum na kmitočtu 5 MHz je přibližně 2,8 db pro vedení dlouhé 30 m.

76 Vlastnosti vedení s koaxiálním kabelem Koaxiální kabely - většinou jen pro nejnáročnější případy Charakteristický odpor bývá 50 až 80 Ω. Kapacita C = 30 až 00 pf/m. Malý útlum (asi 2 až 5 db/00 m na kmitočtu 0 MHz). Jsou používány jako nesymetrická vedení. Koaxiální kabely mají však i nevýhody Zabírají více místa. Obtížně se napojují. Mají větší hmotnost. Jsou dražší.

77 Přizpůsobení konce nesymetrického vedení V R 2 (220) l = 5 m 7404 D R 00 l = 5 m R (220) U nepřizpůsobeného vedení se nejhůře přenáší hrana H L impulsů. Na přizpůsobovacím rezistoru R na začátku vedení se zmenší skok H L tak, že na konci vedení bude součet předchozí úrovně H, přímého a odraženého impulsu nulový. R = 2 Z - r VÝST 2 = (r VST - Z)/(r VST + Z) 2 Z r VÝST r VST činitel odrazu na konci vedení charakteristický odpor vedení výstupní odpor vysílače vstupní odpor přijímače při přenášené hraně H L. TTL NAND: r VÝST 2 a r VST,2 k - zkroucený dvojvodič s Z 30, 2 0,8 R 92. Volíme R = 00, nebo lépe při sledování průběhu u 2 (t) na osciloskopu optimalizujeme hodnotu R experimentálně nastavením trimru.

78 Aplikační zásady pro návrh zařízení s digitálními obvody zabezpečení dostatečného chlazení součástek vhodným umístěním výkonově namáhaných součástek a chladičů, vyloučení přeslechů vhodným prostorovým umístěním vodičů nebo jejich stíněním, kvalitní rozvod zemí a napájecích napětí, spojování zemí různých zdrojů a částí obvodu, spojení zemí s kostrou a propojení zemí se spolupracujícím zařízením, ochrana zdrojů proti zkratu a ochrana integrovaných obvodů proti přepětí, dostatečná filtrace napájecích napětí elektrolytickými kapacitory a ve skupinách integrovaných obvodů keramickými kapacitory, ochrana konektorů proti chybnému připojení označením nebo mechanickými klíči, snadná výměna součástek s kratší dobou života (pojistky, žárovky), ošetření signálů z mechanických kontaktů proti vlivu odskakování kontaktů, zpracování pomalu se měnících signálů logickými obvody s hysterezní charakteristikou Schmittova klopného obvodu,

79 ošetření nepoužitých vstupů logických obvodů a vstupů nepoužitých obvodů, k výstupům číslicových obvodů nepřipojovat přímo kapacitory s kapacitou větší než 0,5 až nf, ochrana logických obvodů a tranzistorů s indukční zátěží (relé) antiparalelně zapojenou ochrannou diodou, ochrana vstupů a výstupů obvodů proti přepětí, zaručit, aby nemohlo být na vstupy obvodů CMOS přivedeno napětí, pokud obvody nemají připojeno napájecí napětí UDD, správný návrh delších přenosových vedení a jejich správné impedanční zakončení (zkroucený dvojvodič a koaxiální kabely), zajistit snadnou diagnostiku zařízení, zabránění výskytu hazardních impulsů a stavů, nastavení definovaného stavu po zapnutí přístroje,

80 dodržení bezpečnostních předpisů; obsluha zařízení musí být za všech okolností bezpečná, kvalitní, úplná a jednoznačná dokumentace pro případné opravy nebo zhotovení dalšího kusu, ochrana proti vnějšímu rušení, zabránit generování rušivých signálů, nepřekročit povolené mezní parametry použitých součástek.

Měření základních vlastností logických IO TTL

Měření základních vlastností logických IO TTL Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku

Více

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je

Více

OBVODY TTL a CMOS. Úvod

OBVODY TTL a CMOS. Úvod OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.

Více

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu. [Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru

Více

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Digitální obvody. Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D.

Digitální obvody. Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D. Digitální obvody Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D. Základní invertor v technologii CMOS dva tranzistory: T1 vodivostní kanál typ N T2 vodivostní kanál typ P při u VST = H nebo L je klidový proud velmi malý

Více

Operační zesilovač (dále OZ)

Operační zesilovač (dále OZ) http://www.coptkm.cz/ Operační zesilovač (dále OZ) OZ má složité vnitřní zapojení a byl původně vyvinut pro analogové počítače, kde měl zpracovávat základní matematické operace. V současné době je jeho

Více

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor

Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE. Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Ukázka práce na nepájivém poli pro 2. ročník SE Práce č. 1 - Stabilizovaný zdroj ZD + tranzistor Seznam součástek: 4 ks diod 100 V/0,8A, tranzistor NPN BC 337, elektrolytický kondenzátor 0,47mF, 2ks elektrolytického

Více

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Zkouškové otázky z A7B31ELI Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se

Více

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat

Výpočet základních analogových obvodů a návrh realizačních schémat Parametrický stabilizátor napětí s tranzistorem C CE E T D B BE Funkce stabilizátoru je založena na konstantní velikosti napětí. Pokles výstupního napětí způsobí zvětšení BE a tím větší otevření tranzistoru.

Více

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Více

Principy konstrukce rozvodů V/V sběrnic

Principy konstrukce rozvodů V/V sběrnic Principy konstrukce rozvodů V/V sběrnic Historie a současnost Rozvody tzv. sálových počítačů - výrazně delší kabely než v dnešních sestavách počítačů, rozvody realizovány paralelně, bylo nutné řešit problémy

Více

Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů

Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů Digitální obvody (na rozdíl od analogových) využívají jen dvě napěťové úrovně, vyjádřené stavy logické nuly a logické jedničky. Je na nich založeno hodně elektronických

Více

4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy

4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy 4. Elektronické logické členy Kombinační a sekvenční logické funkce a logické členy Elektronické obvody pro logické členy Polovodičové paměti 1 Kombinační logické obvody Způsoby zápisu logických funkcí:

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Schmittův klopný obvod

Schmittův klopný obvod Schmittův klopný obvod Použité zdroje: Antošová, A., Davídek, V.: Číslicová technika, KOPP, České Budějovice 2007 Malina, V.: Digitální technika, KOOP, České Budějovice 1996 http://pcbheaven.com/wikipages/the_schmitt_trigger

Více

Zásady návrhu a aplikace A/Č obvodů

Zásady návrhu a aplikace A/Č obvodů ásady návrhu a aplikace A/Č obvodů působy buzení A/Č převodníků Rušivé signály Napájení A/Č systémů Impedanční přizpůsobení Stínění elektronických obvodů ásady návrhu tištěných spojů Přenos signálů z hlediska

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-6-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

Principy konstrukce rozvodů V/V sběrnic

Principy konstrukce rozvodů V/V sběrnic Principy konstrukce rozvodů V/V sběrnic Historie a současnost Rozvody tzv. sálových počítačů - výrazně delší kabely než v dnešních sestavách např. personálních počítačů, rozvody realizovány paralelně,

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E

OPERA Č NÍ ZESILOVA Č E OPERAČNÍ ZESILOVAČE OPERAČNÍ ZESILOVAČE Z NÁZVU SE DÁ USOUDIT, ŽE SE JEDNÁ O ZESILOVAČ POUŽÍVANÝ K NĚJAKÝM OPERACÍM. PŮVODNÍ URČENÍ SE TÝKALO ANALOGOVÝCH POČÍTAČŮ, KDE OPERAČNÍ ZESILOVAČ DOKÁZAL USKUTEČNIT

Více

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů OPEAČNÍ ZESLOVAČ (OZ) Operační zesilovač je polovodičová součástka vyráběná formou integrovaného obvodu vyznačující se velkým napěťovým zesílením vstupního rozdílového napětí (diferenciální napěťový zesilovač).

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro: Krajské kolo soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2009 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

Více

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3? TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ

OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ Odlišnosti silových a ovládacích obvodů Logické funkce ovládacích obvodů Přístrojová realizace logických funkcí Programátory pro řízení procesů Akční členy ovládacích

Více

ZDROJ 230V AC/DC DVPWR1

ZDROJ 230V AC/DC DVPWR1 VLASTNOSTI Zdroj DVPWR1 slouží pro napájení van souboru ZAT-DV řídícího systému ZAT 2000 MP. Výstupní napětí a jejich tolerance, časové průběhy logických signálů a jejich zatížitelnost odpovídají normě

Více

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu. v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý

Více

I. Současná analogová technika

I. Současná analogová technika IAS 2010/11 1 I. Současná analogová technika Analogové obvody v moderních komunikačních systémech. Vývoj informatických technologií v poslední dekádě minulého století digitalizace, zvýšení objemu přenášených

Více

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové

Více

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost

GFK-1904-CZ Duben Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Provozní vlhkost. Skladovací vlhkost Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole 13. VYSOKOFREKVENČNÍ RUŠENÍ 13.1. Klasifikace vysokofrekvenčního rušení Definice vysokofrekvenčního rušení: od 10 khz do 400 GHz Zdroje: prakticky všechny zdroje rušení Rozdělení: rušení šířené vedením

Více

GFK-1905-CZ Duben 2001. Specifikace modulu. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-1905-CZ Duben 2001. Specifikace modulu. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul má jeden elektricky oddělený kontakt typu C. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 12,2 mm x 120 mm x 71,5 mm K elektricky oddělenému přepínacímu kontaktu relé. Provozní

Více

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Velmi zjednodušený úvod

Velmi zjednodušený úvod Velmi zjednodušený úvod Výroková logika: A, B, C - výroky. Booleova algebra Výroky nabývají hodnot Pravdivý a Nepravdivý. C = A B A B Booleova algebra: a, b, c - logické (Booleovské) proměnné. Logické

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Vazební mechanismy přenosu rušivých signálů. Jiří Dřínovský UREL, FEKT, VUT v Brně

Vazební mechanismy přenosu rušivých signálů. Jiří Dřínovský UREL, FEKT, VUT v Brně Vazební mechanismy přenosu rušivých signálů Jiří Dřínovský UREL, FEKT, VUT v Brně Vazební mechanismy přenosu rušivých signálů Galvanická vazba (vazba společnou impedancí) Kapacitní vazba Induktivní vazba

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Číslo Projektu Škola CZ.1.07/1.5.00/34.0394 Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1 Autor Ing. Bc.Štěpán Pavelka Číslo VY_32_INOVACE_EL_2.17_zesilovače 8 Název Základní

Více

IOFLEX02 PROGRAMOVATELNÁ DESKA 16 VSTUPŮ A 32 VÝSTUPŮ. Příručka uživatele. Střešovická 49, Praha 6, s o f c o s o f c o n.

IOFLEX02 PROGRAMOVATELNÁ DESKA 16 VSTUPŮ A 32 VÝSTUPŮ. Příručka uživatele. Střešovická 49, Praha 6,   s o f c o s o f c o n. IOFLEX02 PROGRAMOVATELNÁ DESKA 16 VSTUPŮ A 32 VÝSTUPŮ Příručka uživatele Střešovická 49, 162 00 Praha 6, e-mail: s o f c o n @ s o f c o n. c z tel./fax : 220 610 348 / 220 180 454, http :// w w w. s o

Více

Logická sonda do ruky. Milan Horkel

Logická sonda do ruky. Milan Horkel TTLPROBE MLB Logická sonda do ruky Milan Horkel Logická sonda slouží k zobrazování logických stavů H a L a neurčitého stavu X TTL logiky na třech LED. Logická sonda zobrazuje krátké impulsy na vstupu tak,

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky

Více

Číselné vyjádření hodnoty. Kolik váží hrouda zlata?

Číselné vyjádření hodnoty. Kolik váží hrouda zlata? Čísla a logika Číselné vyjádření hodnoty Au Kolik váží hrouda zlata? Dekadické vážení Když přidám osmé závaží g, váha se převáží => závaží zase odeberu a začnu přidávat závaží x menší 7 závaží g 2 závaží

Více

Studium tranzistorového zesilovače

Studium tranzistorového zesilovače Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor

Více

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.

Nelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony. Nelineární obvody Dosud jsme se zabývali analýzou lineárních elektrických obvodů, pasivní lineární prvky měly zpravidla konstantní parametr, v těchto obvodech platil princip superpozice a pro analýzu harmonického

Více

SEKVENČNÍ LOGICKÉ OBVODY

SEKVENČNÍ LOGICKÉ OBVODY Sekvenční logický obvod je elektronický obvod složený z logických členů. Sekvenční obvod se skládá ze dvou částí kombinační a paměťové. Abychom mohli určit hodnotu výstupní proměnné, je potřeba u sekvenčních

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Prvky a obvody elektronických přístrojů II

Prvky a obvody elektronických přístrojů II Prvky a obvody elektronických přístrojů Lubomír Slavík TECHNCKÁ NVEZTA V LBEC Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií Materiál vznikl v rámci projektu ESF (CZ..07/..00/07.047) eflexe požadavků

Více

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače

Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače Kapitola 9: Návrh vstupního zesilovače Vstupní zesilovač musí zpracovat celý dynamický rozsah mikrofonu s přijatelným zkreslením a nízkým ekvivalentním šumovým odporem. To s sebou nese určité specifické

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2 PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní

Více

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský

Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský Optický oddělovač nízkofrekvenčního audio signálu Michal Slánský K této stavbě tohoto zařízení optického oddělovače NF signálu mě vedla skutečnost, neustálé pronikajícího brumu do audio signálu. Tato situace

Více

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-1913-CZ Prosinec 2001. Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou- a třídrátové Provozní teplota -25 C až +55 C

Více

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např.

VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. VÝVOJOVÁ DESKA PRO JEDNOČIPOVÝ MIKROPOČÍTAČ PIC 16F88 A. ZADÁNÍ FUNKCE A ELEKTRICKÉ PARAMETRY: vstupní napětí: U IN AC = 12 V (např. z transformátoru TRHEI422-1X12) ovládání: TL1- reset, vývod MCLR TL2,

Více

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

GFK-2004-CZ Listopad Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C. Modul slouží pro výstup digitálních signálů 24 Vss. Specifikace modulu Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení 48,8 mm x 120 mm x 71,5 mm dvou-, tří- a čtyřdrátové Provozní teplota -25 C až

Více

Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET

Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET NFET4X0AB Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET Milan Horkel Ve starých mainboardech počítačů PC bývají pěkné veliké tranzistory N-FET, které je možné využít. Tranzistory bývají tak asi na proud

Více

Bezpečnostní modul Monitorování Nouzového zastavení dle ČSN EN 418/ČSN EN

Bezpečnostní modul Monitorování Nouzového zastavení dle ČSN EN 418/ČSN EN Bezpečnostní modul Monitorování Nouzového zastavení dle ČSN EN 418/ČSN EN 60204-1 Označení svorek Rozměry 2 3 4 13 23 33 Y64 41 Y74 2 3 4 13 23 33 41 Y64 Y74 99 mm (3,89 in) 35 mm (1,38 in) 1 / 2 S33 S34

Více

Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1

Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1 Základy elektrotechniky 2 (21ZEL2) Přednáška 1 Úvod Základy elektrotechniky 2 hodinová dotace: 2+2 (př. + cv.) zakončení: zápočet, zkouška cvičení: převážně laboratorní informace o předmětu, kontakty na

Více

Odrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy

Odrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy Odrušení plošných spojů Ing. Jiří Vlček Tento text je určen pro výuku praxe na SPŠE. Doplňuje moji publikaci Základy elektrotechniky Elektrotechnologii. Vlastnosti plošných spojů Odpor R = ρ l/s = ρ l/t

Více

Manuál přípravku FPGA University Board (FUB)

Manuál přípravku FPGA University Board (FUB) Manuál přípravku FPGA University Board (FUB) Rozmístění prvků na přípravku Obr. 1: Rozmístění prvků na přípravku Na obrázku (Obr. 1) je osazený přípravek s FPGA obvodem Altera Cyclone III EP3C5E144C8 a

Více

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče

Bezkontaktní spínací prvky: kombinace spojitého a impulsního rušení: strmý napěťový impuls a tlumené vf oscilace výkonové polovodičové měniče 12. IMPULZNÍ RUŠENÍ 12.1. Zdroje impulsního rušení Definice impulsního rušení: rušení, které se projevuje v daném zařízení jako posloupnost jednotlivých impulsů nebo přechodných dějů Zdroje: spínání elektrických

Více

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech.

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech. Neznalost amplitudové a fázové frekvenční charakteristiky dolní a horní RC-propusti

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?

Více

2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ

2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ 2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ 2.1 Úvod Na rozdíl od zapojení operačních zesilovačů (OZ), v nichž je závislost výstupního napětí na napětí vstupním reprezentována lineární funkcí (v mezích

Více

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_03_Filtrace a stabilizace Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.10 Integrovaná střední škola technická Mělník,

Více

Elektronika ve fyzikálním experimentu

Elektronika ve fyzikálním experimentu Elektronika ve fyzikálním experimentu Josef Lazar Ústav přístrojové techniky, AV ČR, v.v.i. E-mail: joe@isibrno.cz www: http://www.isibrno.cz/~joe/elektronika/ Elektrický obvod Analogie s kapalinou Základními

Více

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC. ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY ELEKTRONIKA Maturitní témata 2018/2019 26-41-L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY Řešení lineárních obvodů - vysvětlete postup řešení el.obvodu ohmovou metodou (postupným zjednodušováním) a vyřešte

Více

Logická sonda do stavebnice. Milan Horkel

Logická sonda do stavebnice. Milan Horkel TTLPROBE MLB Logická sonda do stavebnice Milan Horkel Logická sonda v podobě modulu slouží k zobrazování logických stavů H a L a neurčitého stavu X TTL logiky na třech LED. Logická sonda zobrazuje krátké

Více

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Páté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend, iveigend@fit.vutbr.cz

Více

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku

ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,

Více

Unipolární tranzistor aplikace

Unipolární tranzistor aplikace Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky

Více

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs 1 Zadání 1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda integrační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 1 = 62µs derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs Možnosti

Více

Stejnosměrné generátory dynama. 1. Princip činnosti

Stejnosměrné generátory dynama. 1. Princip činnosti Stejnosměrné generátory dynama 1. Princip činnosti stator dynama vytváří budící magnetické pole v tomto poli se otáčí vinutí rotoru s jedním závitem v závitech rotoru se indukuje napětí změnou velikosti

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-7-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více