TRANZISTORY BIPOLÁRNÍ

Rozměr: px

Začít zobrazení ze stránky:

Download "TRANZISTORY BIPOLÁRNÍ"

Tadeáš Kovář
před 8 lety
Počet zobrazení:

1 TRNZISTORY BIPOLÁRNÍ Tranzistory NF do 1.5W BC547B BC557B ~ (1) BC547C BC557C T/B ~ (1) BC546B BC556B ~ (1) N3904 T/B N3906 T/B > ~0.4 () MPS4 T/R MPS9 T/R > () N > () BC337-5 T/B BC ~ (1) BC BC ~ (1) BC639 BC640 T/B ~ (3) Pouzdra balená v pásu tj. T/B pøíp. T/R mají zpravidla dvojnásobnou rozteè mezi vývody (okrajové noièky jsou vyhnuté do stran) Tranzistory NF 1.5W a více BD BD ~ TO16 BD BD ~ TO16 BD BD ~ TO16 BD BD ~ TO16 BD139 BD ~ TO16 BD37 BD ~ TO16 BD > TO16 BD > TO16 BD441 BD ~ TO16 BD43C BD44C > MJE1503 MJE > BD711 BD > BD911 BD > TO16 (SOT3) TIP3055 TIP > TO47 Tranzistory Darlington BD677 / 679 / 681 BD678 / 680 / 68 BC > (1) BD679 BD > TO16 BD679 BD > TO16 BD681 BD > TO16 TIP1 TIP > BDX33C BDX34C > BDW93C BDW94C > Tranzistory výkonový s anti-paralelní diodou BUL38D ~ Tranzistory VF > 1GHz objednací název Uce Ic P G f pouzdro NPN PNP V m W db GHz BFR TO50 BFR96TS TO50 BDW93 / BDX33 / BDX53 BDW94 / BDX34 / BDX54 TIP110 / 10 / 1 TIP115 / 15 / 17 TO47 Bipolární Tranzistory - parametry Uces(V) - saturaèní napìtí kolektor-emitor Ic () - nejvyšší dovolený proud kolektoru B - stejnosmìrný zesilovací èinitel G (db) - zisk f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet TO

7 (1) BC639 BC640 T/B 80 1.0 0.8 40~160 100 0.5 (3) Pouzdra balená v pásu tj. T/B pøíp. T/R mají zpravidla dvojnásobnou rozteè mezi vývody (okrajové noièky jsou vyhnuté do stran) Tranzistory NF 1.

2 TRNZISTORY FET Tranzistory MOSFET do 1.5W objednací název kanál Uds Id P Rds t on/off pouzdro kanál N V W m ns BS108 T/B N / 15 (6) BS170 N / 10 (6) IRFD910 P / 50 DIP-4P Tranzistory MOSFET výkonové objednací název kanál Uds Id P Rds t on/off pouzdro kanál N V W m ns SPU0N60C3 N / 80 TO51 IRFU40 N / 50 TO51 IRLU04N N / 50 TO51 STF3NK80Z N / 76 IS OTF7T60P N / 56 IS IRLI530N N / 55 IS IRFI530N N / 6 IS IRFI540N N / 75 IS IRFIZ44N N / 107 IS IRF80 N / 49 STP3NK90Z N / 63 IRFBG30 N / 10 SPP03N60S5 N / 55 STP5NK100Z N / 70 STP5NK80Z N / 75 IRF830 N / 58 IRF840 N / 70 IRF50 N / 40 STP11NK40Z N / 60 IRF740 N / 75 STP10NK60Z N / 85 OT10N60 N / 140 IRFZ4N N / 50 IRL640 N / 95 IRLZ4N N / 50 IRFB400 N / STP0NF0 N / 50 IRF640 N / 81 IRFZ34N N / 70 BUZ11 N / 300 IRF540N N / 80 IRL540N N / 100 IRLZ44N N / 40 IRFZ44N N / 80 IRF3710 N / 100 IRFZ48N N / 85 IRFB47 N / 5 SPP80N06SL N / 60 STP10N4F6 N / 60 IRFB431 N / 60 IRFB4410Z N / 100 OT44 N / 73 IRF305 N / 115 IRL3803 N / 64 IRF1405 N / 40 IRFP460LC N / 80 TO47 IRFP60N N / 100 TO47 IRFP433 N TO47 IRFP054N N / 90 TO47 IRFP064N N / 115 TO47 IRFP3306 N / 10 TO47 IRFP4568 N / 130 TO47 IRFU904N P / 60 TO51 IRF950 P / 46 IRF950N P / 60 IRF9640 P / 80 IRF9Z4N P / 60 IRF9530N P / 90 IRF9540 P / 80 IRF510 P / 160 IRF4905 P / 155 Pouzdra balená v pásu tj. T/B pøíp. T/R mají zpravidla dvojnásobnou rozteè mezi vývody (okrajové noièky jsou vyhnuté do stran) DIP- 4P TO51 (IPK) IS - chladící plech oddìlen od vnìjšího prostøedí zalitím v plastovém izolantu (tl. zalitého plechu cca + 1mm) TO47 FET tranzistory - parametry na tranzistoru f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet tranzistoru Uds (V) - nejvyšší dovolené stejnosm. napìtí Drain - Source Id () - nejvyšší dovolený proud elektrodou Drain Rds () - odpor Drain - Source v sepnutém stavu t on/off (ns) - èas sepnutí / vypnutí; (ONdelay+rise / OFFdelay+fall) 0.0 ECOM s.r.o., Zahradní 76, Èeské Meziøíèí, tel: , , fax: , sales@ecom.cz

8 5 3000 10 / 80 TO51 IRFU40 N 500.4 4 3000 0 / 50 TO51 IRLU04N N 55 17 45 65 80 / 50 TO51 STF3NK80Z N 800.5 5 4.

3 TRNZISTORY BIPOLÁRNÍ SMD Tranzistory nf SMD BC848W BC858W ~ SOT33 BC846W ~ SOT33 BC846BW BC856BW ~ SOT33 BC847 BC ~ BC847C BC857C ~ BC847B BC857B ~ BC850C # BC860C ~ PMBT3904 PMBT ~ MMBT4 MMBT > BC817-5 BC ~ BC BC ~ BC846B BC856B ~ FMMT458T ~ FMMT560T ~ BCX54-16 BCX ~ SOT89 BCX55-16 BCX ~ SOT89 BCX56-16 BCX ~ SOT89 BCP55-16 BCP ~ SOT3 BCP ~ SOT3 BCP ~ SOT3 BDP > SOT3 SOT33 SOT89 Tranzistory Darlington SMD NPN V m W MHz V BCV > Tranzistory s vestavìnými rezistory (BRT) SMD objednací název Uce Ic P B f Uces R1 R pouzdro NPN V m W MHz V k k BCR > SOT3 Dvojice tranzistorù nf SMD NPN V m W MHz V BC846S > SOT363 Tranzistory vf > 1GHz SMD objednací název Uce Ic P G f pouzdro NPN V m W db GHz BFS17P BFR BFR T41511T SOT143(1) BFG SOT143() BFG540W SOT343N SOT363 SOT143 Bipolární Tranzistory - parametry Uces(V) - saturaèní napìtí kolektor-emitor Ic () - nejvyšší dovolený proud kolektoru B - stejnosmìrný zesilovací èinitel G (db) - zisk f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet SOT343N 0.03

5 BC817-5 BC807-5 45 0.5 0.31 160~400 80 0.7 BC817-40 BC807-40 45 0.5 0.31 50~600 80 0.7 BC846B BC856B 65 0.1 0.31 00~450 150 0.3 FMMT458T 400 0.3 0.5 100~300 50 0.5 FMMT560T 500 0.15 0.5 80~300 60 0.

4 Tranzistory MOSFET SMD TRNZISTORY FET SMD objednací název kanál Uds Id P g fs ton/off Rdson pouzdro kanál N V W S ns m FDV30P P / (3) BSS84 P / (3) BSS83P P / (3) FDV304P P / (3) IRLML630 P / (3) BSS15P P / (3) TSM301CX P / (3) O3413 P / (3) IRLML503 P / (3) IRLML640 P / (3) O3401 P / (3) IRLML6401 P / (3) IRLTS4 P / IRF7404 P / IRF7416 P / 10 0 O4437 P / IRF70 P / IRF745 P / IRFR9310 P / DPK IRFR910N P / DPK IRFR904N P / DPK IRFR5410 P / DPK IRFR5505 P / DPK IRFR5305 P / DPK IRF9Z4S P / DPK IRF9530NS P / DPK IRF9540NS P / DPK IRF4905S P / DPK SOT3 DPK (TO5) N700 N / (3) BSS13 N / (3) BSN0 N / (3) BSS138 N / (3) FDV301N N / (3) FDV303N N / (3) IRLML40 N /15 50 (3) IRLML030 N / (3) IRLML0060 N / (3) O3406 N / (3) IRLML646 N / (3) IRLML50 N / (3) TSM31CX N / (3) IRLML0030 N / 1 7 (3) O3400 N / (3) IRFML844 N / 1 4 (3) IRLML644 N / 31 1 (3) IRF7468 N / IRF7413 N / IRF8734 N / BSP96 N / SOT3 IRLL04N N / SOT3 IRFL04Z N / SOT3 BSP149 N / SOT3 IRFR310 N / DPK IRFRC0 N / DPK IRFR0N N / DPK IRLR10N N / DPK IRLR04N N / DPK IRLR705 N / DPK IRFR3806 N / DPK IRL640S N / DPK IRF540NS N / DPK IRL540NS N / DPK IRF804S N / 60 DPK IRL1404ZS N / DPK IRF305S N / DPK IRL03NS N / 89 7 DPK MCP87055T-U/LC N / 14 7 DFN8 (3x3) MCP870T-U/MF N / 38.6 DFN8 (5x6) MCP87050T-U/MF N / 16 6 DFN8 (5x6) DFN8 DPK (TO63) pouzdro D H L b RM mm mm mm mm mm mm DFN8 (3x3) DFN8 (5x6) FET tranzistory SMD - parametry na tranzistoru f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet tranzistoru Uds (V) - nejvyšší dovolené stejnosmìrné napìtí Drain - Source Idss (m) - proud elektrodou Drain pro Ugs=0 Id (m) - nejvyšší dovolený proud elektrodou Drain Rds () - odpor Drain - Source v sepnutém stavu g fs (ms) - strmost (vstupní admitance) t on/off (ns) - èas sepnutí / vypnutí; (ONdelay+rise / OFFdelay+fall) 0.04 ECOM s.r.o., Zahradní 76, Èeské Meziøíèí, tel: , , fax: , sales@ecom.cz

5 4 / 160 130 (3) O3413 P 0 3 1.4 1 43 / 109 80 (3) IRLML503 P 30 3 1.5 3.1 30 / 140 98 (3) IRLML640 P 0 3.7 1.3 6 400 / 970 56 (3) O3401 P 30 4 1.4 17 10 / 50 50 (3) IRLML6401 P 1 4.3 1.3 86 43 / 460 50 (3) IRLTS4 P 0 6.

5 Dvojice tranzistorù MOSFET SMD TRNZISTORY FET, IGBT objednací název kanál Uds Id P gfs ton/off Rdson pouzdro V W S ns m IRF7103 x N / IRF7341 x N / IRF7311 x N / 69 9 IRF7331 x N / IRL637 x N / IRF8313 x N / IRF734 x P / IRF7304 x P / IRF7316 x P / O481 x P / O8807L x P / 11 0 TSSOP8 IRF7343 IRF7307 IRF7319 IRF7389 N / P / N / P / N / 43 9 P / N / P / TSSOP8 Tranzistory J- FET kanál N V m W ms J (5) BF45 30 ~ ~6.5 (4) BF56B 30 6~ >4.5 (4) BF45B 30 6~ ~6.5 (4) BF45C 30 1~ ~6.5 (4) Tranzistory J- FET SMD kanál N V m W ms BFR ~ ~4.5 BF ~ ~6.5 kanál P V m W ms MMBFJ ~ Tranzistory IGBT objednací název Uce Ic P pouzdro N kanál V W vnitøní dioda V V IRG4BC0UD NO IRG4BC0U NE IRG4BC0KD NO IRG4BC0FD NO IRG4BC0S NE IRG4BC30UD NO IRG4BC30U NE IRG4BC30K NE IRG4BC40U NE IRGB30B60K NE IRG4PH40UD NO TO47 IRG4PH40U NE TO47 IRG4PC40FD NO TO47 IRG4PF50W NE TO47 IRG4PC50W NE TO47 TO47 IGBT Tranzistory - parametry Uce(on) (V) - úbytek napìtí kolektor-emitor pøi definovaném Vge a Ic Uge (V) - hodnota napìtí gate - emitor pøi kterém je zmìøeno Uce(on) Ic () - nejvyšší dovolený proud () - hodnota proudu kolektoru pøi kterém je zmìøeno Uce(on) 0.05

7 4 35 / 84 90 IRF7316 x P 30 4.9 7.7 6 / 66 58 O481 x P 1 9 45 80 / 11 19 O8807L x P 1 6.5 1.4 45 80 / 11 0 TSSOP8 IRF7343 IRF7307 IRF7319 IRF7389 N 55 4.7 7.9 1 / 45 50 P 55 3.4 3.3 14 / 65 105 N 0 5.

Podobné dokumenty

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé