Přednáška 4, 5 a část 6, část 7 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů, 2013, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha
|
|
- Eva Němečková
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Přednáška 4, 5 a část 6, část 7 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů, 2013, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1
2 Informace Toto je grafický a heslovitý podkladový materiál určený pouze k přednášce A4B38NVS. Neobsahuje vlastní výklad, ani další informace, které jsou prezentovány při výkladu křídou na tabuli, jeho čtení nenahrazuje účast na přednášce. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 2
3 Náplň přednášky.poznámky k použití součástek Polovodič, MOS tranzistor velmi krátké zopakování A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 3
4 Součástky a bloky používané na cvičeních - nepájivé kontaktní pole Pozor - kontrola propojení podélných napájecích sběrnic (přerušení ve středu?) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 4
5 Kondenzátory používané na cvičeních Elektrolytický kondenzátor a tantalový kondenzátor rozlišení polarity!!! přepólování vede k destrukci, použití blokování napájení elektrolytický kondenzátor 22 uf tantalový kondenzátor 47 uf - ( minus) pól + ( plus) pól - pól označen na pouzdře též jako pól je označen ( ) keramický kondenzátor 100 nf - ( minus) pól + ( plus) pól s (-) pól je na plášti (+) pól je izolovaný svitkový kondenzátor 220 nf keramické a svitkové kondenzátory nerozlišují polaritu A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 5
6 Diody Si Dioda křemíková dioda (s přechodem PN), katoda je označena proužkem širším, než jsou ostatní proužky napětí v předním směru přibl. 0,7 V indexová značka - pruh anoda katoda Světlo emitující dioda červená LED, napětí v předním směru přibl. 2 V indexovou značkou (na spodní straně pouzdra) je označena katoda u nové LED katoda má kratší vývod (kratší vodič) indexová značka katoda anoda A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 6
7 Integrované obvody Pouzdro DIL( DIP) použito na cvičeních pro možnost použití v kontaktním poli Základní logické obvody - pouzdro 14 neb 16 vývodů Pouzdra zákl. log. obvodů pro povrchovou montáž SMD SOP, TSSOP Smysl číslování shodný jako u DIL indexová značka pin č. 1 pin č. 14 pin č. 7 pin č. 8 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 7
8 Integrované obvody Použití integrovaných obvodů na kontaktním poli Pro ochranu procesoru - mezi pin procesoru a piny obvodu na kontaktním - poli vložit ochranný rezistor o odporu 470 Ohmů. Pozor na zkraty rozvodu napájení + 5 V na kontaktním poli při napájení z USB a STM32VL Discovery kitu nebezpečí zničení ochranné diody na kitu A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 8
9 Opakování -pouzdro log. obvodu, číslování vývodů Číslování vývodů na pouzdře logického obvodu proti směru hodinových ručiček Vývod č. 1 umístěn vlevo od indexové značky směr platí i u pouzder pro SMD (povrch. montáž) Přívody napájení U CC a GND u TTL, TTL - LS,..., CD4000, 74HC, 74HCT,.. - vlevo dole GND, vpravo nahoře U CC, pouzdro 14 vývodů GND pin 7, Ucc pin 14 pouzdro 16 vývodů GND pin 8, Ucc pin 16 platí také u některých procesorů (AT89C51,...) pouzdro DIL 40 vývodů GND pin 20, Ucc pin 40 směr číslování vývodů GND indexová značka U CC (neplatí však obecně, např. ATmega32,,,,,a další s vnitřním převodníkem A/D svorky U CC a GND uprostřed na stranách pouzdra, pro zkrácení vnitřních přívodů v nitřních přívodů v pouzdře a snížení jejich impedance ) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 9
10 MOS tranzistor s indukovaným kanálem N Substrát, polovodič P, izolant SiO 2, Gate - polykrystalická Si elektroda MOS Tranzistor M - Metal poly Si (dříve i Al), izolant O - Oxid, S- Silicon substrát křemík U G kladné, přitahování elektronů, až počet elektronů přesáhne počet děr, Při U G > U T - prahové napětí, vznik inverzní vrstvy pod G indukovaný kanál n tranzistor NMOS elektrody G- gate, S - Source ( zdroj nosičů ), D Drain ( odvaděč nosičů ), pomocí oblastí N +, kontakt substrát P + poly - Si U G =0 G SiO 2 N + - Si U G > U T G N + - Si substrát P - Si substrát P - Si inverzní oblast indukovaný kanál N A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 10
11 Tranzistor NMOS s indukovaným kanálem - vlastnosti Napětí mezi elektrodami Gate a Source U GS > U T (U T prahové napětí threshold voltage) V log. obvodech - MOS tranzistor jako spínač I DS spínač proti zemi, U G - U GS = U G - 0 > U T, elementární invertor N- MOS, tvořen T 1, R 1 U T U GS přítomnost přechodů PN ve struktuře MOS tranz. mezi sub. a S, mezi sub. a D U GS = U G - U S > U T S - source U G D - drain R 1 + U CC N + - Si N + - Si T 1 D U S U 2 U 1 S substrát P - Si A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 11
12 Tranzistor NMOS jako spínač ve vzorkovači + U CC G D U 1 D S U 2 S D B- sub. G S Kanál n, elektrony, U S nižší napětí oproti U D, symetrická konstrukce, záměna funkce S a D podle připojeného napětí NMOS jako spínač - vzorkovače U G - U S = U GS > U T, pozor U G > U S + U T! Diody tvořené D a S proti substrátu- musí být v závěrném směru- substrát zapojit na nejzápornější napětí vyskytující se v obvodu tranzistoru Spínání napětí (-2 V až +2 V), substrát -2V, napětí U G ( -2V vyp, + 5 V zap.) Pro přepínač, vzorkovač - použitelný pouze typ se samostatně vyvedeným substrátem, Pozor - substrátová dioda MOS tranzistorů A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 12
13 Tranzistor NMOS jako spínač + U CC D G U 1 D S U 2 G S S D B- sub. Příklady: BS170, tři vývody možné použití - spínání proti zemi (pouze pro nezáporné napětí) BSS83 - čtyři vývody tranzistor je možno použít jako spínač ve vzorkovači, přepínači kanálů (substrát NMOS tranzistoru připojit na nejzápornější napětí v obvodu) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 13
14 Diskrétní MOS tranzistory Diskrétní MOS tranzistory odlišné konstrukční uspořádání, než bylo prezentováno u NMOS tranzistorů pro integrované obvody. Z hlediska funkce platí stejné principy. Ovládání výkonového MOS tranzistoru výstupem mikrořadiče? A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 14
15 Buzení tranzistoru NMOS Statický proud do G při U 1 > 0 blízký nule, pouze svodové proudy ochrannými diodami v G (není zakreslena) Proces spínání nabít kapacitu C GS změna napětí na C GD (problém při velkých proudech I DS!!!, záporná zpětná vazba, u 1 roste, u 2 klesá - nutno budit proud I G = C (du 2 /dt) výstupem procesoru není možno budit přímo výkonové tranzistory MOS (určené pro spínání proudu 1- tek a 10 tek A, problém velké kapacity mezi Drain a Gate) BS170 I DSmax = 0,5 A, U GS(th) min 0,8 V, max 3V, vstup kapacity typ. 20 pf U 1 C GD D + Ucc U 2 C GS S A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 15
16 Buzení tranzistoru NMOS Pro buzení výkonových MOS mikrořadičem použít budič, tzv. MOS driver schopný budit velké kapacity poskytuje větší proud potřebný při změnu stavu tranzistoru. C GD + Ucc D U 1 C GS S U 2 (pro jednoduché případy je možné použití budičů sběrnic z řady obvodů HCT) Otázka frekvence změny stavu statické spínání není problém ON OFF dynamické (periodické) spínání ( např. řízení PWM) potřeba specializovaného budiče. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 16
17 Tranzistor PMOS s indukovaným kanálem P jako spínač S - source D - drain P + - Si U G P + - Si S + Ucc B- sub. + U CC S D U S substrát N - Si U 1 D R 0 U 2 G Kanál P, nosiče náboje- díry, zdroj nosičů - source S, na vyšší (kladné) napětí oproti D - drain, Symetrická konstrukce, záměna funkce S a D podle orientace připojeného napětí mezi elektrodami U 1 = U cc PMOS rozepnut - nevede, U 1 = 0 PMOS sepnut - vede! Diody tvořené D a S proti B - substrátu- musí být polarizovány v závěrném směru- substrát B nutno zapojit na nejkladnější napětí vyskytující se v obvodu tranzistoru PMOS s kanálem P A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 17
18 Použití kombinace tranzistorů NMOS a PMOS Pro spínání napětí v přepínači analogových signálů ( analogový multiplexer) potřeba spínat napětí 0 až U CC, případně - U EE až +U CC řešení použití paralelní kombinace NMOS, PMOS (podobně využito např. ve spínačích 74HC4066) Analogicky řešeny analogové vstupy (ADC) mikrořadičů Rozšíření rozsahu na záporná napětí (- U EE až +U CC ). např. použito v analogovém multiplexeru 74HC4052, 74LVXT4052,.. nutné záporné napájecí napětí U EE Vstupní napětí se musejí pohybovat v rozmezí (- U EE až +U CC ). Pro nezáporná vstup napětí, možno připojit napájecí vstup U EE na GND. (pozor na limit katalog. parametru U CC U EE ) říz. G P G N + U CC U 1 U 2 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 18
19 Použití kombinace tranzistorů NMOS a PMOS v přepínači Rozšíření rozsahu spínaných napětí na záporná napětí (- U EE až +U CC ). např. použito v analogovém multiplexeru 74HC4052, 74LVXT4052,.. nutné záporné napájecí napětí U EE. Vstupní napětí se musejí pohybovat v rozmezí (- U EE až +U CC ). Pro nezáporná vstup napětí, možno připojit napájecí vstup U EE na GND. (pozor na limit katalog. parametru U CC U EE ) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 19
20 Bipolární tranzistory pro vestavěné systémy Bipolární tranzistory NPN, PNP viz. předchozí přednášky příslušných předmětů Použití obvykle jako koncové stupně budičů, ovládání výkonových výstupů, buzení LED, relé, motorků, parametry: napětí báze emitor U BE = 0,7 V, parametr h 21E = řádově stovky (výkonové tranzistory- desítky) Saturace, dalším růstem proudu do báze I B se nezvětšuje proud I CE Činitel saturace k sat kolikrát je větší proud do báze, než by odpovídalo příslušné jeho velikosti pro dané I CE v lineárním stavu ( zjednodušeně - k sat = I B / ( I CE / h 21E ) potřeba při volbě rezistoru do báze pro spínací tranzistory Saturační napětí CE v sepnutém stavu U CESAT = (desetiny voltu) 0,3 V- 0,5 podle typu a velikosti spínaného proudu max. závěrné napětí U EB = - 5 až -7 V, pozor průraz při překročení U CE max U CE max max napětí na tranzistoru důležité při ovládání koncových stupňů,.. typicky desítky voltů, spec. tranzistory - větší A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 20
21 Logický obvod jako dvojbran- statické parametry 1 U cc napájení ( U DD ), zem- GND- (ground) I i U cc I o Vstup, U i, I i vstupní napětí, proud Výstup U O, I O, výstupní napětí, proud Pozor na orientaci výstupního proudu. U i U o Kladný výstupní proud I O - vtéká do výstupu (proud z výstupu přes rezistor do GND - záporný) důležité kvůli orientaci v katalogových údajích (pozn. v aglosaské lit. napětí onačeno jako V - Voltage, tedy V i, V O,,...) (u STM32 a dalších proc. označení V DD - napájení, V SS - zem) Pomůcka pro zapamatování označení - Ucc (bipolární log. obvody, NPN tranzistory, kolektory na kladné napět) U CC U - colector, colector Podobně NMOS logika, Drain na kladné napětí tedy U DD (napětí U - Drain, Drain - U DD, jako U CC kladné napájení) U STM32F103,..logika společné elektrody Source ( U SS - source, source) - ekvivalent GND. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 21
22 Logický obvod jako dvojbran- statické parametry 2 U cc Charakteristické parametry obvodu I i I o U i U o U ih - vstup. napětí pro vysokou log. úroveň - High U ihmin - minimální vstupní napětí pro vysokou log. úroveň - High!!! (které obvod vyhodnotí jako úroveň High) U il - vstup. napětí pro nízkou log. úroveň - Low, U ilmax - maximální vstupní napětí pro nízkou log. úroveň - Low!!! (které obvod vyhodnotí jako úroveň Low) U OH - napětí na výstupu obvodu generujícího vysokou úroveň - High U OL - napětí na výstupu obvodu generujícího nízkou úroveň - Low I ih - vstupní proud pro vysokou log. úroveň High připojenou na vstup I il - vstupní proud pro nízkou log. úroveň Low připojenou na vstup I OH - výstupní proud při vysoké úrovni - H High I OL - výstupní proud při nízké úrovni - L Low A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 22
23 Bipolární logické obvody Logika TTL (nepoužívá se), význam - definice standardu a úrovní Ucc napájení Ucc = + 5V proti zemi - GND příklad - obvod NAND 7400 vstupy A, B, výstup Y, Y = /(AxB) A B T1 4k 1k6 130 T4 T2 D Y 1k T3 GND Vstup na U IL - nízká úroveň, vstupní proud I IL - záporný (= -1,6 ma), vytéká z emitoru T 1 a vtéká do výstupu budicího obvodu pro TTL logiku - kritický parametromezení počtu vstupů, které může výstup ve stavu L budit; snaha snížit I IL Vstup na U IH - úroveň H, vtéká nulový nebo malý kladný proud do vstupu U OH omezeno. Úbytek na U AK na diodě D a U CET4 (emitorový sledovač T 4 ) U OH < U CC - U CET4 = 5 V - 0,7 V- 0,7 V= 3,6 V - důsledek na výstupu Y hradla TTL není ve stavu H napětí 5 V ale nižší A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 23
24 Bipolární logické obvody TTL -LS a TTL - ALS Snížení I IL i dalších proudů v obvodu, řady bipolárních log. obvodů TTL - LS ( Low Power Schottky) ALS (Advanced Low Power Schottky) 20k 8k 120 Ucc 37k 50k 14k 50 Ucc A B 12k 4k Y 5k Y A 1k5 3k B 2k8 5k6 GND GND I IL - záporný (= -0,4 ma) I IL - záporný (= -0,1 ma) Při definici parametrů log obvodů CMOS (např. i mikroprocesorů) často odkaz na parametry TTL, nebo TTL - LS, např. formou, že výstup up je schopen budit vstup jednoho TTL hradla ( to drive one TTL load ), A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 24
25 Parametry řad bipolárních log. obvodů Důležité údaje: U ILmax max. napětí pro úroveň L (nízká úroveň na vstupu) U IHmin min. napětí pro úroveň H (vysoká úroveň na vstupu) I ILmax - vstupní proud pro U IL - nízkou úroveň na vstupu U t - rozhodovací napěťová úroveň na vstupu U CC - napájecí napětí typicky + 5 V ( + 4,75 až + 5,25 V) řada U ILmax I ILmax U IHmin I IH I OLmax U OLmax I OH U OHmin t PD U t I CCL [V] [ma] [V] [ua] [ma] [V] [ma] [V] [ns] [V] [ma] TTL 0,8-1, ,4-0,4 2,4 10 1,3 3 LS - TTL 0,8-0, ,5-0,4 2,7 10 1,1 0,6 S TTL 0, ,5-1 2,4 4,7 1,3 5 FAST 0,8-0, , ,3 1,5 1,4 ALS 0,8-0, ,5-0, ,4 0,4 pro TTL: U ILmax = 0,8 V, U IHmin = 2 V, I ILmax = - 1,6mA, zpoždění t pd - jednotky ns, a více podle typu obvodu. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 25
26 Bipolární log. obvody Nevyužité vstupy u TTL, TTL LS, TTL ALS Pro stav L připojit na zem - GND, Pro stav H připojit na výstup hradla s definovanou úrovní H (invertor se vstupem na GND) nebo na U CC ( i přes odpor 2-5 kohmů) Nezapojený vstup TTL, TTL LS, TTL ALS se chová jako by byl připojen na úroveň H ale není to korektní stav Stopa obvodů TTL, nebo TTL LS v katalogových údajích obvodů CMOS: obvod CMOS, příp. procesor je chopen budit (údaj v katalogu) 1 ( případně 2, a více) TTL LS loads znamená to, že při U O = L může do výstupu obvodu vtékat proud 1 x 0,4 ma ( příp. 2 x 0,4 ma = 0, 8 ma) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 26
27 Invertor CMOS CMOS - komplementární MOS logika využívající kombinaci NMOS a PMOS tranzistorů invertor CMOS (není CMOS tranzistor!) S p D p D n + Ucc p kanál nosiče - díry n kanál, nosiče - el. S n + Ucc vstup U G výstup invertoru GND P + P + N + N + N + (kontakt) P - kanál (N - kanál) vana P - Si P + (kontakt) substrát N - Si A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 27
28 Invertor CMOS - diody ve struktuře výstupu CMOS - komplementární MOS logika využívající kombinaci NMOS a PMOS tranzistorů + Ucc S p D 2 D 1 D n D n D 3 S n + Ucc vstup U G výstup invertoru GND P + P + N + N + N + (kontakt) P - kanál D 2 D 3 (N - kanál) vana P - Si P + (kontakt) substrát N - Si D 1 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 28
29 Invertor CMOS Důsledky V každém logickém obvodu CMOS je záporně polarizovaný PN přechod mezi svorkami Ucc napájení a GND zem. Při přepólování napájení substr. diody v propust.směru destrukce?) (pozn. Pro uživení zařízení použít zdroj s omezením proudu) CMOS - komplementární MOS logika využívající kombinaci Tyto závěrně polarizované přechody PN - závěrný proud problém klidového odběru Stand By režim procesorů pro bateriové napájení- při požadavku na etrémně malé klidové odběry- řádu ua. (Příklad- měřidla, rozpočítávací měřidlo topných nákladů - požadavek na funkci 10 let z jediné baterie, el. vodoměr, ) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 29
30 Náhradní schéma výstupu CMOS Sériově zapojené tranzistory PMOS a NMOS, Klidový stav Rp, nebo Rn se blíží nekonečnu rozepnutý stav Druhý tranzistor sepnutý R ON CMOS invertor (není CMOS tranzistor!) R P +U CC Náhradní schéma: Zdroj U CC do série R P_ON nebo GND (0 V) do série R N_ON u řady HCMOS a dalších, odpory 100 Ohmů a nižší ( 74LVCxxx R N_ON ~15 Ohmů, podle typu) Při změně stavu, malý okamžik částečně vedou oba tranzistory, důsledek - proudový impuls mezi U CC a GND R P_ON R N_ON R N U 2 GND +U CC U 2 GND A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 30
31 Logické obvody v technologii CMOS, řada CD4000 Technologie CMOS s hliníkovým hradlem - elektroda Gate - hliníková logické obvody řady CD4000 (někdy označované jako high voltage CMOS) viz v klidu I cc = 0, proudový odběr především při změnách stavu napájecí napětí Ucc = 3 až 15 V zpoždění invertoru - t pd roste s klesajícím napájecím napětím S p + Ucc U CC [V] t PD [ns] Obvody pro pomalé aplikace U ihmin = 0,7 x Ucc, = 0,3 x Ucc U ilmax D p D n S n Řada CD mnoho typů, široce rozšířené, nejsou kompatibilní s řadou TTL (jiné rozložení vývodů, jiné funkce) CD 4011 hradlo NAND rozložení vývodů jiné než u NAND TTL 7400 obecné vlastnosti řady CD4000 viz. dokument family.hef4000.specification.pdf A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 31
32 Logické obvody v technologii CMOS, řada CD4000 Nevyužité vstupy připojit!!! na správnou log. úroveň, L, nebo H, svorka GND nebo Ucc, Nezapojený vstup plovoucí nepředvídatelné chování, výskyt napětí v zakázané oblasti zvýšení klidového proudového odběru, částečně vedou oba tranzistory, A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 32
33 Logické obvody HC MOS Rychlé logické obvody CMOS - High Speed CMOS 74HCxx Technologie CMOS s křemíkovým hradlem (Poly Si Gate) náhrada za TTL, obdobné označení, funkce i rozložení vývodů TTL 7400, 74LC00, 74 ALS 00 funkční náhrada 74HC00, atd. Napájecí napětí U CC = + 2 až + 6V, typicky U CC = + 5V 74HC odlišné vstupní úrovně od TTL 74HCxxx U m (U t ) = 0,5 Ucc rozhodovací úroveň polovina napájecího napětí U ihmin = 0,7 x Ucc, 3,5 V!!! (při U CC = 5V) U ilmax = 0,3 x Ucc 1,5 V (při U CC = 5V) Výstup TTL není možno připojit na vstup HC (U CC = +5 V) U OH TTL obvodu není kompatibilní s U IH min u HC obvodu! vstupní klidové proudy I IH, I IL velmi malé, typ. 100 na, zaručováno- menší 1 ua A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 33
34 Logické obvody HCT MOS 74HCTxx Úprava vstupu HCT obvodu - posun, zpětná vazba,.., úprava velikosti vstup. tranzistorů - posun rozhodovací úrovně k nižší hodnotě (úprava pouze ve vstup. obvodu, ostatní je jako u HC, žádné další diody) 74HC + Ucc 74HCT S p + Ucc S p D p vstup HC D p D n D n U i =0,5 U cc S n symetrické S n R P = R N stejná vodivost vstup HC vstup HCT A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 34
35 Logické obvody HCT MOS 74HCT Rychlé logické obvody CMOS - High Speed CMOS TTL compatible 74HCTxx Napájení standardně U CC = +5V, rozmezí + 4,5 V až +5,5 V Výstupní obvod HCT vlastnosti stejné - jako výstup HC 74HCTxxx U m (U t ) = 1,3 V rozhodovací úroveň na vstupu U ihmin = 2 V!!! U ilmax = 0,8 V A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 35
36 Log. ob. 74HCT, vstupní napěťové úrovně a klidový proud Pozor, na vstupu 74HCT může být U ih = 2,4 V, ale roste I CC, Příčný proud- NMOS již vede, PMOS ještě není zcela vypnut I CC změna napájecího proudu I CC, pokud bude jeden vstup na U ih = 2,4 V, u SN74HCT00 Texas Instruments I CC = typ. 1,4 ma,,nxp 0,4 ma, odlišné podle výrobce) S p D p D n S n + Ucc Požadavek strmosti hran vstupního signálu (stejný důvod) zamezit výskytu napětí na vstupu v oblasti rozhodovací úrovně, požadavek doba hran kratší než 500 ns - jinak nárůst I CC Pro bateriové napájení. vstupy na úroveň 0 V, nebo U CC, jinak zvýšení odběru. Nevyužité vstupy připojit na GND nebo U CC,( přímo nebo přes rezistor) Vysokoimpedanční vstup - elektrostatická indukce, náhodně úroveň H nebo L Nepředvídatelné chování obvodu CMOS -!!!! kontrola vstupů A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 36
37 Log.ob. 74HC, 74HCT proudy napáj. I CC v závislosti na vstup.napětí Nesymetrická vstupní struktura u HCT, větší příčné proudy vstupní dvojicí tranzistorů Pokud vstup na napětí v zakázané oblasti (mezi U ILmax a U ih min ), částečné otevření obou vstupních tranzistorů pak je velký nárůst napájecího proudu I CC S p + Ucc D p vstup HC D n S n S p + Ucc D p D n vstup HCT S n A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 37
38 Typické vstupní parametry obvodů HC, HCT 74HCxxx U m (U t ) = 0,5 Ucc rozhodovací úroveň U ihmin = 0,7 x Ucc, 3,5 V!!! (při U CC = 5V) U ilmax = 0,3 x Ucc 1,5 V U i I i U cc I o U o 74HCTxxx při Ucc= 5 V U m (U t ) = 1,4 V rozhod. úrov. U ihmin ilmax = 2 V!!! pamatovat = 0,8 V!!! pamatovat I i zbytkový vstupní proud (Input Leakage Current) typ. do 0,1 ua, CMOS - prakticky nulový statický vstupní proud (zásad. rozdíl oproti TTL) (typicky i menší - řádu na, svodové proudy ochranných diod, vstup připojen na Ucc, nebo GND) Vstupní kapacity C i = typicky - řádově 5-10 pf Klidový napájecí proud obvodu, (f inp = 0 Hz) (při vstupu na U i = 0 nebo U cc ) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 38
39 Šumová imunita obvodů HC, HCT Šumová imunita: rozdíl mezi nejnepříznivějším stavem napětí výstupu prvního obvodu a požadavkem na velikost napětí na vstupu navazujícího obvodu (situace výstup vstup ) mechanická analogie šum. imunity - autobus pod mostem U ilmax - U olmax rezerva vzdálenosti, výška spodku mostu výška autobusu) nízkoletící letadlo nad mostem, U ohmin U ihmin Šumová imunita rezerva podjezdu nebo nadletu U ohmin - U ihmin U ilmax - U olmax A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 39
40 Typické výstupní parametry obvodů HC, HCT U OH - určen U CC a velikostí výstupního proudu, U cc vnitřním odporem R P I i I o výst. napětí naprázdno přibližně U OH = U CC U OL určeno velikostí výstupního proudu U i U o a vnitřním odporem R N napětí naprázdno přibližně U OL = 0 V (GND) Vnitřní odpory, pro odhad napětí R PON = typicky - přibližně 100 Ohmů a méně R NON = typicky - přibližně 50 Ohmů a méně Pro zapamatování a výpočty stačí - R PON, R NON = přibl. 100 Ohmů) výpočet znát! Náhradní schéma výstupu R P +U CC U OL = I O. R N U OH = U CC (I O. R P ) R N U O GND A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 40
41 Ochrana vstupů, standardní vstupy CMOS CMOS log obvody, průrazné napětí izolantu MOS tranzistorů - desítky V, působení statické elektřiny 10 -ky kv, (není možné - vstupy bez ochrany - průraz poškození struktury by nastal již při V ochrana vstupů, - záporně polarizované PN přechody D 1, D 2 Ideové schéma ochrany - obecně důsledky 0 <U i < U cc ; vstupní napětí nesmí být záporné, ani větší, než napájecí U CC D1 U 1 D2 CMOS obvod U 2 příp. omezení velikosti vstup. proudu rezistorem U CC R s U i 1 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 41
42 Mezní parametry obvodů HC, HCT I CC, I GND, I O, I ik, I OK (maximum) I CC, I GND - proud svorkou U CC nebo GND = 50 ma (70mA budiče sběrnic, např. 74HC244, )!!! I O výstup. proud = ± 25 ma (± 35 ma bus typy) (output source or sink current) U i I i U cc I o U o I IK proud vstupními záchyt. diodami (D 1, D 2 ) ±20 ma (input diode current) při (U Oi < 0.5 V nebo U Oi > U CC V) I OK output diode current (U O < 0.5 V to U O > U CC V) proud výstupními (parazitními) diodami (D 3, D 4 ) ±20 ma proud vnucený do výstupu D 1 U CC CMOS U 1 obvod U 2 D 2 D 3 D 4 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 42
43 Mezní parametry obvodů HC, HCT, a obvodů CMOS obecně, důsledky I CCmax, I GNDmax, I Omax, I ik, I OK I i U cc I o Příklad - posuvný registr 74HCT595, (74HC_HCT595_4.pdf, HC595.pdf vysvětlení mezních parametrů absol, maximum ratings, vysvětlení klíč. slov na dokumentech) použit pro buzení 7- segment LED, výstupy buzení LED proti U CC (úloha cvič.) jak volit proud? I O?? 10mA, katalog I Omax = 25 ma, ANO - OK 10 ma méně než povolená mez 25 ma, ale!!! 7x 10 ma = 70 ma = I GND max. absolutní pro 74HCT595 je právě 70 ma NE!!! volit nižší proud, např. 5 ma (7x 5 ma = celkem 35 ma) analogické úvahy u jednočipových mikropočítačů pro zvýšení hodnoty I CCmax, I GNDmax více vývodů U CC a GND na pouzdře uproc. Dom. úkol. - nalézt příslušné parametry a omezení pro STM32F103. Jak by bylo možno budit připojené LED (max. velikost proudů)? U i U o A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 43
44 Působení diod ve vstupu obvodu CMOS Zdroj signálu funguje (nechtěně) jako napáječ obvodu U CC1 = 5V U CC2 < 5V I n zatěžování zdroje signálu jednocestný usměrňovač s D a C zdroj signálu C + i v U n D CMOS log. obv. CMOS log. obv. Pozor na připojení zdroje signálu na vstup procesoru bez napájení (!!! cvičení, připojení vstupů obvodu 74HC595 bez napájení na výstupy STM32F103, použít ochranné rezistory) parazitní napájení obvodu ze zdroje signálu, (příklad, čítač CMOS, viz. výklad) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 44
45 Demonstrace působení diod ve vstupu obvodu CMOS Fantomové napájení kombinace D a C jako jednocestný usměrňovač, špičkový detektor odpojený napáj. zdroj, i možná částečná funkce, napáj. ze zdroje signálu připoj. další obvody, napáj. zdroj zátěž, příp. zkrat. důvod použití R 2 U CC1 = 5V U CC2 < 5V I n (bude ověřeno v poslední laboratorní úloze) zdroj signálu C + i v U n D CMOS log. obv. CMOS log. obv. (+ 3,3 V) C B1 U CC1 C B2 U CC2 + 5 V I n!!!! STM32 PC8 GND R 2 =470 u 1 in 1 HCT04 GND out 1 u 2 I in HC04 GND out 2 u 3 0 V C L A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 45
46 Ochranné diody realizace a zjednodušený model Ochrany vstupů, různé řešení, ochrany vstupu 74HCxx poly- Si rezistor 100 Ω D2 U CC U 1 U 2 D Ω HC MOS obvod difundovaný didový rezistor U CC D3 D5 U 1 D4 CMOS obvod U 2 D6 D7 Obecně model s diodami proti GND a U CC. zjednodušený model (pro zapamatování) obvodu CMOS z hlediska diod na vstupech a výstupech A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 46
47 Působení diod na výstupu obvodu CMOS Působení diody D 5 ve výstupní struktuře (důsledek přítomnosti tranzistoru PMOS ve výstupní struktuře) Výpadek napájení U CC2 nebo snížení napájecího napětí CMOS obvodu (např. s třístavovým výstupem) kolize sběrnice U CC D3 D5 U 1 D4 CMOS obvod U 2 D6 D7 U CC1 = 5V U CC2 < 5V U CC3 Nelze paralelně spojit třístavové výstupy budičů (CMOS) s různým napájecím napětí, např. 5 V a 3,3V Obvod s U CC2 by působil jako parazitní napěťový omezovač. D budič A D budič B i v přijímač Řešení: použít obvody 74FCTxxx T, které mají koncový stupeň (analogicky jako TTL ) pouze s MOS tranzistory jednoho druhu vodivosti NMOS A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 47
48 Řešení ochrany vstupů Pokud není možno zajistit správnou sekvenci náběhu napájení (u více procesorů nebo log. obvodů s více napájecími zdroji) - v nouzi možno použít ochranné rezistory, U CC1 U CC2 U CC1 U CC2 R D R 1 1 Využívat na cvičení, zamezení poškození procesoru!!! Volba velikosti ochranného odporu - omezení velikosti vstupního proudu na bezpečnou velikost, např. 5 ma, detaily- hledání v katalogu, absolute, max. ratings výpočet časové konstanty ochranného obvodu, parazitní kapacity vstupu obvodu a spojů R S zahrnuje vnitřní odpor výstupu a a vnější odpor R 1, C in zahrnuje vstupní kapacitu a parazitní kapacity τ=r C A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 48 S in
49 Přídavná ochrana vstupů s rezistorem Situace s částmi obvodu s různými napájecími zdroji nebezpečí částečného výpadku napájení nebo různě rychlého náběhu napájení. Nebezpečí poškození budicího i buzeného obvodu U CC1 U CC2 U CC1 U CC2 R R 2 D 1 1 Ochranný rezistor R 1 (470 Ohmů, - 1 kohm) kompromis mezi ochranou a dynamikou, limitně R = 270 ( příp. 220) Ohmů (5V /270 Ohmů = méně než 20 ma) Zhoršení dynamiky pro výpočet. čas. konstanty C = pf kapacita vstupu obvodu ( až 10 pf) + parazitní kapacity krátkého spoje čas. konstanta (tau) τ = 470 Ohmů x 20 pf = přibl s Doba náběžné hrany t nab = 2,2 x τ = přibl. 2 x 10-8 s = 20 ns A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 49
50 Mezní parametry konkrétních obvodů Způsob orientace v katalogovém listu obvodu přednáška s využitím katalogového listu HC00, 74HCT00, 74HCT595, STM32F103 viz. katalog - PDF Demonstrace typických a mezních parametrů U i, I ik, I Ok, I CCmax, I GND max, I Omax Vysvětlení způsobu specifikace parametrů obvodu a jak je nalézt v katalogovém listu viz vysvětlení na přednášce a příslušné katalogové listy. prezentováno pomocí katalogových listů vybraných obvodů na přednášce STM32F100, hesla: Absolute maximum ratings, General input/output characteristics A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 50
51 74HCxx mezní proudové a napěťové parametry mezí parametry napájecí napětí, proudy napájecími piny, proudy výstupními piny, proudy (clamp) diodami ve vstupní a výstupní struktuře výklad jednotlivých parametrů, (? kontrola porozumění problematice - proč. je U CC = -0,5 V až + 7 V ) V O 0,5 V až Vcc + 0,5 V co se tím míní, Vo?? větší než napáj.napětí???, výklad A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 51
52 Vstupní charakteristika obvodu CMOS Standardní vstup CMOS vstup 5 V tolerantní I i I i U CC U i 5 V U i Standardní vstup CMOS, při nulovém Ucc problém i při U i =1 V na vstupu. Pokud obvod nemá napájení, je jeho UVCC = 0 Pozor STM32VL Discovery, bez napájení, připojení napětí na vstup ADC pproč u některých vstupů STM32 vstupní proud závisí na napájecím napětí a u jiných ne? A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 52
53 Vstupní charakteristika obvodu CMOS bez napájení Standardní vstup CMOS, bez napájení napájením I i I i U CC U CC = 0 V U i U CC U i Standardní vstup CMOS, při nulovém Ucc problém, pokud je na jeho napájecí pin připojena zátěž proti zemi, vybitý blokovací kondenzátor na výstupu zdroje,..,. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 53
54 Vstupní charakteristiky obvodu sdya010.pdf Texas Instruments A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 54
55 Vstupní charakteristiky obvodu sdya010.pdf Texas Instruments A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 55
56 Vstupní charakteristiky obvodu sdya010.pdf Texas Instruments? diody ve vstupu? A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 56
57 Vstup v zakázané oblasti pásmo U ILmax až U IHmin,, nezapojený vstup sdya010.pdf Texas Instruments Nezapojený vstup CMOS - nedefinovaný stav na vstupu napětí se nastaví podle různých vnějších působení, elektrostat indukce, kapacitní přenosy, Částečné otevření obou vstupních tranzistorů, příčný proud U CC T1 U 1 T2 U 2 výsledky měření?? závěry pro aplikace?? A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 57
58 Výstupní charakteristiky obvodu sdya010.pdf Texas Instruments vnitřní odpor výstupu R H, R L R P_ON +U CC R N_ON U 2 GND výsledky měření? A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 58
59 Doporučené podmínky Katalogové údaje - doporučené podmínky pro provoz logického obvodu zde příklad pro řadu 74HCxx, analogicky hledat v katalogu i pro všechny další log. obvody a procesory. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 59
60 Statické parametry obvodu 74HCxx Diskuse výsledků měření porovnání s katalogovými údaji A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 60
61 Napájení Výklad na přednášce: otázka rychlosti odezvy stabilizátoru na změnu odběru, proč je nutno blokovat pomocí C Rozvod napájení, impedance spoje U DD, a spoje GND blokování rozvodu napájení, způsob rozvodu napájení, minimalizace plochy smyček význam použití blokovacích kondenzátorů, (TI_Bypass_Capacitors_scba007a.pdf) volba kapacit, umístění kondenzátorů zemnicí spoje a plochy, an223_ground_bounce.pdf materiál firmy TI rušení a vyzařování, EMC, EMI tlumivky v napájení vedení, odrazy A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 61
62 Obvody s třístavovým výstupem výstup nízká impedance úroveň L, nebo H, podle sepnutí tranzistoru NMOS, či PMOS výstup ve stavu vysoké impedance nevedou oba tranzistory realizace třístav. výstupu v 74HCxxx, 74HCTxxx D= 1 aktivní, D= 0 stav vysoké impedance impedance řádu Giga - Ohmů (pokojová teplota) Maximální napětí na výstupu parazitní diody jsou stále přítomné ve struktuře napětí přivedené na výstup nesmí napájecí napětí A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 62
63 Obvody s výstupem typu otevřený kolektor, open drain Pokud ve výstupu jen NMOS, není dioda mezi výstupem a napájením ( true open drain ), obvod umožňuje připojení napětí ( přes rezistor) větší, než je napájecí. Pozor v STM32, naprogramováním výstupu do režimu open drain se pouze deaktivuje tranzistor s PMOS ve výstupní struktuře ( nemá buzení stále nevede), ale jeho parazitní dioda zůstává!!!, ale piny 5v tolerantní --- jak?) Nepřekročit povolené napětí na výstupu funkční náhrada otevřeného kolektoru obousměrným pinem např. pro IIC bus (příklad ADSP BF533) výklad na tabuli náhrada výstupu typu OPEN drain vstupně výstupním pinem + Ucc D U 1 S U 2 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 63
64 Latch - UP efekt, parazitní tyristor ve struktuře CMOS Přítomnost ochranných diod na vstupu i parazitních diod na výstupu ve struktuře CMOS, parazitní tyristor mezi U CC a GND P - gate T1 U CC R - N sub. Vnucení nadměrného proudu do vstupu nebo výstupu a tekoucího PN přechody - nebezpečí sepnutí parazit. tyristoru mezi U CC a GND. Tyristor - zůstává sepnutý i po odeznění spínacího impulsu. U1 R - P obl. T2 N - gate Omezení proudu tyristoru - pouze odporem přívodů a zdrojem (spálení obvodu). Vypnutí tyristoru, pouze vypnutím napájení Latch UP free - struktura odolná Latch UPefektu, omezení proudu ochranným odporem. u HC - dřívejší zničení vstupní struktury. Pozor CMOS - převodníky, progr. obvody,... A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 64
65 Latch - UP efekt - Proudová injektáž možná i výbojem statické elektřiny do vstupu u jistých konstrukcí možné vyvolání Latch UP a a zničení obvodu (zmínit přiklad obvodu.7). Chránit obvody CMOS před výbojem statické elektřiny a před napěťovými špičkami, možnost částečného poškození vstup/výst bloku, zvýšení proudového odběru (ilustrační příklad se STM32F m.t. ) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 65
66 Ochrana vstupů 2-5 V tolerantní vstupy Problém pro vstupní napětí U 1 = U i > U cc potřeba tolerance + 5 V na vstupu, při Ucc= 3,3 V řešení v některých obvodech náhrada diody MOS tranzistorem 100 Ω U CC CMOS obvod U 1 U 2 T 1 D 1 vyšší napětí - otevření tranzistoru T 1 U imax = 5 V (5,5 V) Alternativa ochranný blok, ( otvírá se při překročení ochr. nap.) funkce i bez napájení, možnost ověřit měřením na obvodu bez napájení) U och 100 Ω ochr.bl. i ochr U CC CMOS obvod U 1 U 2 D 1 viz u STM32 blok FT. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 66
67 Ochrana vstupů STM32 STM32100, dvě varianty vstupů, standardní CMOS a FT- piny five volt tolerant tolerantní ke vstupní úrovni + 5 V (pozn. u FT pinů, předpoklad i jiné úpravy připojení substrátu P- MOS ve výstupu pro vyloučení působení sub. diody) Katalog: VDD_FT is a potential specific to five-volt tolerant I/Os and different from VDD. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 67
68 Ochrana vstupů 3 Vstupy + 5 V tolerantní, U imax = 5 V (5,5 V), nezávisle na napájení viz. katalog. (využití u 5V tolerantních obvodů) pokud není explicitně uvedeno- počítat s diodou mezi vstupem a U CC CMOS obvody - paměti, mikroprocesory, jednočip. mikropočítače, převodníky A/D v CMOS technologii,... přivedení měřeného napětí ( ze zdroje s malým vnitřním odporem) na vstup A/D převodníku bez napájení - poškození obvodu nadměrným proudem nutné omezení vstupního proudu I I na 10 ( příp. 20 ma), ( proudová injektáž, injected current u STM32F10x do 5 ma) řešení - použití vnějšího rezistoru R = cca 1 kohm (pozor, dynamika) Pamatovat pojem 5V tolerantní vstup, kdy má tento výraz smysl - pouze u obvodu s napájecím napětím nižším než 5 V. Umět nalézt tuto informaci v katalogu obecně analogové vstupy kvalitních převodníků A -D, chování jako standardní CMOS.., podobně u STM32, vstupy A/D nejsou + 5 V tolerantní vstupy analogových obvodů vyrobených technologií CMOS přítomnost diod mezi vstupem a U CC ( V DD ) rychlá hradlová pole- FPGA stejné, pozor na diody ve vstupech A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 68
69 Ochrana vstupů max. proudová injektáž u STM32F10x Maxima A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 69
70 Logické obvody CMOS- advanced varianty Vývoj log. obvodů řady pro zvýšení rychlosti AC - Advanced CMOS, ACT - Advanced CMOS, TTL compatible AC, AHC, VHC napájení Ucc = +2 až +5,5 V (příp +6 V) U ilmax = 0,3 x Ucc ; U ihmin = 0,7 x Ucc, ACT, AHCT, VHCT, FCT typické napájení má Ucc = + 5 V T značí - obvod je na vstupu kompatibilní s výstupními úrovněmi TTL U ihmin = 2 V; U ilmax = 0,8 V Doporučení řada AHC, kompromis vyšší rychlost než HC, menší rušení a proudové impulsy než AC. AHC má již specifikovány dyn. parametry i pro U CC = +3,3 V AHCT vyšší rychlost oproti HCT, avšak ještě únosné proudové špičky A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 70
71 Parametry log. obvodů CMOS s napájením + 5 V U CCsp napájecí nap.,při kterém jsou specifikovány dynamické parametry řada U CC U CCsp U t U IHmin U ILmax I OLmax I OHmax [V] [V] [V] [V] [V] [ma] [ma] toler. HC ,5.U CC 3,5 1, ne HCT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, AHC 2-5,5 3,3; 5 0,5. U CC 3,5 1, ano AHCT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, VHC 2-5,5 3,3; 5 0,5.U CC 3,5 1, ano VHCT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, AC 2-6 3,3; 5 0,5.U CC 3,5 1, ne ACT 4,5-5,5 5 1,4 2 0, FCT 4,75-5,25 5 1,4 2 0, V A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 71
72 Nízkonapěťová logika CMOS Snižování dynamické výkonové ztráty snižování napájecího napětí L Low Voltage, nízkonapěťová logika. Významná hodnota napájení U CC = + 3,3 V Např. signálové procesory, jádro 1,2V, interface obvody 3,3 V otázka + 5 V tolerance vstupů existují řady i s nižším napájecím napětím Řada 74LVC výhodná pro aplikace, rychlost, schopnost budit, + 5 V tolerance vstupů LV řady velmi často pouze v pouzdrech pro povrchovou montáž A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 72
73 Nízkonapěťová logika CMOS přehled vybraných řad řada U CC U CCopt U t I OLmax I OHmax 5V tol techn. [V] [V] [V] [ma] [ma] vstup LV 2-5,5 3,3 0,5*U CC +8-8 ne CMOS LVT 2,7-3,6 3,3 1, ano BiCMOS ALVT 2,3-3,6 3,3; 2,5 1, ano BiCMOS LVC 2-3,6 3,3 0,5*U CC ano CMOS ALVC 1,65-3,6 3,3; 2,5 0,5*U CC ne CMOS FCT3 2,7-3,6 3,3 1, ano CMOS AVC 1,4-3,6 2,5 0,5*U CC +8-8 ne CMOS LVX 2-3,6 3,3 0,5*U CC +4-4 ano CMOS LVQ 2-3,6 3,3 0,5*U CC ne CMOS LCX 2-3,6 3,3 0,5*U CC ano CMOS VCX 1,4-3,6 2,5 0,5*U CC ne CMOS AUC 1,1-2,7 1,8 0,5*U CC +8-8 ne CMOS A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 73
74 Společné rysy logických obvodů CMOS U t = 0,5.U CC, U IH min = 0,7.U CC, U ILmax = 0,3.U CC (mimo 74**Txx s U CC =5 V) U t 1,4 V, U IH min = 0,8 V, U ILmax = 2 V, pro CMOS TTL komp. ( 74**Txxx) Výstup ve stavu H se chová jako zdroj napětí U out = U CC s vnitřním odporem 25Ω-100Ω (neplatí pro řady 74FCTxxxT se dvěma tranz. NMOS na výst.). Výstup ve stavu L se chová jako zdroj napětí U out = 0 V s R V = 15Ωaž 70Ω. Vstupní klidové proudy jsou velmi malé I I < 1µA. Klidový napájecí proud I CC0 - je řádu jednotek, maximálně stovek mikroampér ( při mezních kladných teplotách C). Na vstupech jsou clamp-diody proti svorce GND (D 2, D 4 dle ). Část obvodů má na vstupech clamp-diody proti svorce U CC (jako D 1, D 3 ). Max. napětí na vstupu U Imax = U CC (s výjimkou 5 V, příp. 3,6 V toler. vstupů) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 74
75 Obvody CBT Crossbar Switches, lit. Texas Instruments scdd001b_cbt_log_fam.pdf Tranzistor NMOS (induk. kanál N) symetrická struktura, funkce elektrody Drain, Source podle orientace napětí, podmínka sepnutí U GS větší než prahové napětí U T G Spínače sběrnic, převodníky napěťových úrovní S D B- sub. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 75
76 Obvody CBT Elementární spínač SN74CBT1G125, SINGLE FET BUS SWITCH U CC = 5 V 5 Ohmů v sepnutém stavu, pro napěťové úrovně L (0 V) 10 Ohmů v sepnutém stavu, pro napěťové úrovně L (2,4 V) použitelné i jako rychlý analogový spínač, videosignál, ( obousměrný ) spínač sběrnic SN74CBT3245A pinově kompatibilní se obousměrným budičem sběrnic 74 HCT245, a dalšími 245 A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 76
77 CBT jako spínač sběrnice a převodník úrovní Podmínka sepnutí tranzistoru U GS >U T (napětí na gate 4,3 V) vstupní napětí do 3 V tranzistor vede ( symetrická funkce obr. a) - vstupní napětí 5 V tranzistor reguluje (analogie emitorového sledovače) - na výstupu může být max. napětí U G - U T U G = 4,3 V T 1 U 1 = 3,3 V U 2 = 3,3 V a) U 1 = 5 V T 1 U G = 4,3 V U T = 1 V U 2 = 3,3 V b) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 77
78 Obvod Bus - Hold Definice logické úrovně na sběrnici při odpojení všech budičů, zamezení výskytu nežádoucí napěťové úrovně a případného vzniku kmitů podstata bistabilní klopný obvod s invertory CMOS, kladná zpětná vazba zachovává poslední definovanou logická úroveň na sběrnici při použití obousměrných budičů sběrnic. Přepnutí budiče z režimu výstup do vstupního režimu, sběrnice je plovoucí floating obvodem Bus Hold, ekvivalent odporu 1 kohm ve zpětné vazbě při změně úrovně je nutno budit ( překonat působení) obsažen v řadě obvodů obousměrných budičů sběrnic (řada obvodů ABT, LVT, ALVC, LVC,..) řešení problému plovoucího vstupu viz. cvičení chování nezapojeného vstupu CMOS- floating. input analogie závaží u ručně přestavované výhybky na kolejích dráha- zůstane tak, kam byla naposled přestavěna- přehozena, je potřeba vyvinout sílu pro změnu stavu. A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 78
79 Důvod použití obvodu Bus hold Vstup obvodu na napětí v okolí rozhodovací úrovně částečně vedou oba tranzistory elementárního invertoru, zvýšení proudového odběru, změna napětí na vstupu změna proudu svorkou U CC nebo GND, úbytky na parazitních indukčnostech přívodů (problém ground bounce ) (vysvětlení působení imp. zemního vodiče,.tabule) vstup L do H, zvýšení proudu do GND, zvýšení úbytku na LGND, pokles napětí na vstupu (proti GND vývodu obvodu) je třeba zamezit dlouhodobému výskytu napětí na vstupu v okolí rozhodovací úrovně A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 79
80 Proudový odběr logických obvodů Bipolární log. obvody statický proudový odběr a jeho růst s frekvencí Logické obvody CMOS v klidu buzení odporových zátěží proud zátěží zbytkové závěrné proudy přechodů PN, zbytkový proud tepelně generovanými nosiči, proud roste s teplotou U CMOS největší význam - dynamický proudový odběr - přebíjení kapacit A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 80
81 Dynamická výkonová ztráta obvodů CMOS Přebíjení kapacity C L frekvencí f Dynamická výkonová ztráta nezávislá na velikosti odporů R P, R N (ovlivňují pouze dynamiku) +U CC +U CC C i R P U 1 U 2 C L C PD GND R N U 2 GND C L 2 2 P= fu CC CL P fucc = C napájecí proud obvodu I CC = fu C CC (střední hodnota I CC, I CC má impulsní charakter, proudové impulsy při změně stavu, viz dále blokování napájení) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 81
82 Dynamická výkonová ztráta obvodů CMOS Ekvivalentní ztrátová kapacita C PD (power dissipation capacitace), C pd vyjadřuje vnitřní parazitní kapacity i ztráty proudovým impulsem mezi svorkami +U CC a GND (pomalé hrany na vstupu růst C pd ), stř. hod. proudu ICC = f U celkový ztrát.výkon 2 P = fu C + C + I i CC ( PD L) CC0U CC napájecí proud I = fu C + C + CC i CC CC C ( PD L) ICC0 PD P= 2 fu CC CL +U CC U 1 U2 CL C i pro případ čítače - vstup f i, výstup f O 2 P = fc + f C U + I U D ( i PD O L) CC CC0 CC GND SN74HC04 (jediný invertor z obvodu) SN74HC164 (posuvný registr) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 82
83 Dynamická výkonová ztráta procesoru Informace v materiálech firmy ARM I CC = f U CC C PD proudový odběr jádra procesoru ARM CORTEX M0,??? co se tím míní? xxx ua / MHz Vychází se z daného napájecího napětí použitého pro danou technologii a z předpokladu, že proudový odběr je dán především dynamickými ztrátami přebíjení vnitřních kapacit a ekvivalentních ztrátových kapacit C PD velikost kapacit určena technologií (velikost elementu) To nezahrnuje proudový odběr periferií, paměti SRAM a FLASH Pro nízkopříkonové varianty procesorů nabývá významu složka I CC0 procesor je po většinu času v režimu spánku I CC0 ovlivněny svodovými proudy, proto použita někdy i poněkud jiná technologie (větší rozměr elementu pro docílení větších izolačních vzdáleností,.) viz STM32F1xx a STM32L1xxx ( nízkopříkonová varianta) A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 83
84 Snižování dynamického odběru log. obvodů CMOS a mikrořadičů Snižování proudového odběru: snižování napájecího napětí U CC snižování pracovní frekvence f (viz. dig. hodinky, 1,5 V, XTAL Hz) zkracování doby aktivní funkce obvodu t oper přechod operace spánek analogie zimní spánek živočichů, snížení tepové frekvence srdce, Použití obvodů nízkonapětové logiky, Snížení odběru mikroprocesorů a mikrořadičů: Rozdělení napájení jádra procesoru 2,5 V, 1,8 V, 1,2V..od napájení budičů výst. Napájení budičů výstupů často stále 3,3 V kvůli kompatibilitě s další logikou, ale možno i nižší napětí viz STM32F103 Napájení jádra nižší napětí, vnější vstup napájecího napětí, někdy vnitřní regulátor sníženého napětí Snížení taktovací frekvence jádra (PLL) na nutnou hodnotu, aktivace pouze periferií a sběrnic potřebných pro činnost (viz STM32F103) Volba dvou procesorů výkonný (hlavní) a monitorovací (zap.) viz. výklad Problematika bateriového napájení, především snížení odběru 2 P= fu C CC A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 84
85 STM32F100 bloky pro řízení proudového odběru.oscil dělička řízení frekvence hod. signálu hod. sig. sběrnic, dod. sig. výstupů, sllep mód, probuzení wake up (analogicky výkon podle potřeby notebook) Cortex-M3 CPU MHz JTAG/SW Debug Nested vect vectit IT Ctrl Ctrl 1 x Systick Timer 1 x DMA 7 Channels CRC 1x6x 16-bit PWM Synchronized AC AC Timer Timer Up Up to to Ext. Ext. ITs ITs Up Up to to I/Os I/Os 1x 1x SPI SPI 1x 1x USART/LIN Smartcard/IrDa Modem-Ctrl ARM Lite Hi-Speed Bus Matrix / / Arbiter (max (max 24MHz) 24MHz) Bridge ARM Peripheral Bus (max 24MHz) Flash Flash I/F I/F Bridge kB Flash Memory 4kB-8kB SRAM 20B 20B Backup Regs Clock Control ARM Peripheral Bus (max 24MHz) 1x16-bit timer with 2 IC/OC/PWM 2x16-bit timer each with 1 IC/OC/PWM 2 x 12bit DAC 1x 1x 12-bit ADC channels // 850ksps Temp Sensor Power Supply Reg Reg1.8V POR/PDR/PVD XTAL oscillators 32KHz + 3~25MHz Int. Int. RC RC oscillators 40KHz + 8MHz PLL PLL RTC // AWU 2x 2x Watchdog (independent & window) 3 x 16-bit Timer HDMI CEC CEC 2x 2x SPI SPI 2x 2x USART/LIN Smartcard // IrDa IrDa Modem Control 2x 2x I2C I2C A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 85
86 Měření na obvodech CMOS osciloskopem, sonda Při měření na logických obvodech CMOS zatěžovat malou kapacitou prostý koax. kabel na vstup osciloskopu kapacita 10 - ky pf stejně tak osciloskopická sonda, přepnuta 1:1 a připojena na vstup osciloskopu ( to pak není žádná sonda, ) kapacita pf ( připojení na XTAL oscilátor procesoru určitě nebude kmitat ( pozn - tabule - využití osc. sondy 1:1) zvýšení proudového odběru obvodu připojením sondy 1:1 ( viz. úloha - cvičení) přepnutí osciloskop. sondy na režim 10:1, kompenzovaný dělič R, C vstupní kapacita 5-7 pf ( kvalitní) osc. sonda, jednoduché osc. sondy 10:1 kapacita pf (závisí C in vstupu osciloskopu) připojení osciloskopické sondy hrot- na živý signál, svorka krokodýl, plášť sondy- na GND, ne opačně, kapacitní zátěže, zkrat přes zem a ochranné vodiče. výklad - tabule, zemní signály osc. sondy. zkrácení zemního vodiče, parazitní indukčnost zemního vodiče, smyčka anténa Aktivní osciloskopické sondy - kapacity cca 1 až 3 pf. zesilovač s MOS tranzistorem, ( choulostivé na napěťové špičky), možnost destrukce A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 86
87 Napájení blokování napájecího zdroje Výklad na přednášce: otázka rychlosti odezvy stabilizátoru na změnu odběru odběru, proč je nutno blokovat výstupy regulátoru pomocí C (analogie vyrovnávací sklad energie) Q = CU Q = I T Q náboj, C kapacita, I proud, T čas např. impulsní odběr, U ale podobně impulsní regulátor, dodání energie pouze v diskrétních intervalech = I T C regulátor - volba velikosti tak C, aby nebyly rušivé změny napájecího napětí T = 10 us, I = 500 ma C= 100 uf, změna napětí U = I T C = 0, = 0,05V A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 87
88 Napájení blokování napájení log. obvodů Výklad na přednášce: Impulsní odběr logického obvodu, viz. log. obvod CMOS přebíjení kapacit při změně vnitřních stavu mikroprocesoru, regulátor není schopen tak rychle reagovat problém parazitní indukčnosti Ls rozvodu napájení čím rychlejší mikroprocesor, tím důležitější otázka blokování napájení ( analogie sklad p., chladnička, sklep) U CC + log.ob. C b A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 88
89 Napájení blokování napájení, tlumivky Výklad na přednášce: Impulsní odběry- protékají impulsní proudy rozvodem napájení U CC, ale také zemí GND!!! Lokalizace proudového okruhu Tlumivka v rozvodu napájení neumožní impulsní proud, úbytek napětí na tlumivce příklad L= 50 nh, u L = 1V, jaký možný nárůst proudu? d 7 i dt 1 V = ul = = 2 10 A/s= 20 A/µ/ -9 L H = Logický obvod s velkým impulsním odběrem tlumivka neumožní prudkou změnu proudu z rozvodu U CC, jinak roste u L, kde je di/ dt obvod 0,02A / ns L u L = L di dt U CC + log.ob. C b A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 89
90 Napájení blokování napájení log. obvodů Výklad na přednášce: Omezení impulsního odběru z U CC, nutno použít blokovací kondenzátor dostatečné kapacity C b. předpoklad proudového impulsu 200 ma pro dobu 2 ns, C= 10 nf Kondenzátor s kapacitou 10 nf napájení log. obodu po dobu 2 ns při poklesu napětí o 0,04 V Logický obvod s velkým impulsním odběrem tlumivka neumožní prudkou změnu proudového odběru (di/ dt) obvod energie z lokálního blokovacího kondenzátoru C b, snížení rušení po rozvodu napájení Snížení impulsních proudů rozvodem GND Snížení rušení po rozvodu napájení a vyzařování rušivé vysokofrekvenční energie ( pozn. tlumivky se nedávají na rozvodu GND, U vodič GND je společný pro napájení i pro signály) = I T C U CC GND 0, = L log.ob. 9 = + 0,04 V C b A4B38NVS, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 90
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický a heslovitý
VícePřednáška 4, 5. A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift +
Přednáška 4, 5 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift + A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický
VícePřednáška 4, 5. A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift +
Přednáška 4, 5 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů,2012, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha otočení ctrl shift + A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický
VíceLogické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech
Logické obvody, aspekty jejich aplikace ve vestavných systémech 2015 A4M38AVS Aplikace vestavných systémů J. Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha A4M38AVS, 2015, J.Fischer, ČVUT - FEL Praha kat. měření
VíceA4B38NVS, 2011, kat. měření, J.Fischer, ČVUT - FEL. 2011, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer. Přednáška 7
Přednáška 7 011, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer 1 Náplň přednášky Poznámky ke cvičením: živení HW RS-3 + 5 V tolerance pinů STM3 log. obvody CBT dynamický odběr CMOS, blokování rozvodu napájení
Více2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer Grafický podkladový materiál k přednášce A4B38NVS Studium tohoto materiálu nenahrazuje účast
VícePřednáška 4, 6, část 7. A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer
Přednáška 4, 6, část 7 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2014 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Informace Toto je grafický a heslovitý podkladový
VícePřednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha
Přednáška 4, 5 a část 6 A4B38NVS Návrh vestavěných systémů 2015 katedra měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer Grafický podkladový materiál k přednášce A4B38NVS Studium tohoto materiálu nenahrazuje účast
VíceLogické obvody CMOS. 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1
Logické obvody CMOS 2014, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2014, J. Fischer, ČVUT - FEL, Praha, kat. měření 1 Polovodiče pro logické obvody, silně zjednodušený pohled detaily viz. kniha-
VícePřednáška , kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření,, ČVUT - FEL 1
Přednáška 10 2012, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření,, ČVUT - FEL 1 Náplň přednášky Čítače v MCU forma, principy činnosti A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat.
VícePřednáška A3B38MMP. Bloky mikropočítače vestavné aplikace, dohlížecí obvody. 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer
Přednáška A3B38MMP Bloky mikropočítače vestavné aplikace, dohlížecí obvody 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL Praha 1 Hlavní bloky procesoru
VíceČítače Přednáška 10 (11)
Čítače Přednáška 10 (11) 2015, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha 1 Náplň přednášky Čítače v MCU forma, principy činnosti použití čítačů
VíceETC Embedded Technology Club setkání
ETC Embedded Technology Club setkání 13.12. 2016 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 13.12.2016, ČVUT- FEL, Praha 1 Náplň Plán činnosti Výklad
VíceKontrolní otázky a okruhy k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2012) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM
Kontrolní otázky a okruhy k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2012) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM Cortex- M3 - proto, pokud je dotaz na procesor, míní
VíceA4B38NVS, 2011, kat. měření, J.Fischer, ČVUT - FEL. Přednáška 1. 2011, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer
Přednáška 1 2011, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer 1 Náplň HW návrh vestavěných systémů, komponenty a jejich využití, procesor jako součástka Logické obvody a jejich vlastnosti z hlediska spolupráce
VíceNapájení mikroprocesorů. ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer. studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS
Napájení mikroprocesorů v. 2012 Materiál je určen jako pomocný materiál pouze pro studenty zapsané v předmětu: A4B38NVS ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat.
VíceETC Embedded Technology Club setkání
ETC Embedded Technology Club setkání 2.5. 2017 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 14. 2.5.2017, ČVUT- FEL, Praha 1 Náplň Skupina 1: operační
VíceOkruhy a kontrolní otázky k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2015) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM
Okruhy a kontrolní otázky k testu v semestru A4B38NVS (verze r. 2015) Procesory s jádrem ARM Cortex - M3, (V dalším textu dotazy směřují na jádro ARM Cortex- M3 - proto, pokud je dotaz na procesor, míní
VíceCvičení předmětu A4B38NVS Návrh vestavěných systémů, kat. měření, ČVUT FEL, Praha, 2011
Úloha č. 1 Měření statických parametrů logických obvodů CMOS Úkol: Nastudujte katalogové listy obvodů 74HC04 a 74HCT04. Navrhněte a realizujte obvody pro měření vybraných statických parametrů logických
VíceETC Embedded Technology Club setkání zahájení druhého ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 24.10. 2017 zahájení druhého ročníku Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 3_2roč. 24.10.2017, ČVUT- FEL, Praha
VíceProjekt - Voltmetr. Přednáška 3 - část A3B38MMP, 2015 J. Fischer kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1
Projekt - Voltmetr Přednáška 3 - část A3B38MMP, 2015 J. Fischer kat. měření, ČVUT - FEL, Praha A3B38MMP, 2015, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Náplň Projekt Voltmetr Princip převodu Obvodové řešení
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceRozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. Přednáška 11 (12) A4B38NVS, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. J. Fischer
Rozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. Přednáška 11 (12) A4B38NVS, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha 1 Náplň přednášky Sériová rozhraní
VíceETC Embedded Technology Club setkání zahájení druhého ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 10.10. 2017 zahájení druhého ročníku Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 1_2r 10.10.2017, ČVUT- FEL, Praha
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceNapájení a blokování napájení mikroprocesorů
Napájení a blokování napájení mikroprocesorů Materiál je určen jako pomocný materiál pouze pro studenty zapsané v předmětu: A3B38MMP ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Jan Fischer, 2015
VícePřednáška UART, RS232, 422, 485
Přednáška UART, RS232, 422, 485 A4M38AVS Aplikace vestavěných systémů,2013, J. Fischer, katedra měření, ČVUT - FEL, Praha A4M38AVS, 2013, J.Fischer, ČVUT - FEL, kat. měření 1 STM32F100 - UART Sériová komunikace:
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 6, 3B 13.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,6, 3B 13.11.2018, ČVUT- FEL,
VíceŘádkové snímače CCD. zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer
Řádkové snímače CCD v. 2011 Materiál je určen pouze jako pomocný materiál pro studenty zapsané v předmětu: Videometrie a bezdotykové měření, ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer Jan Fischer,
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-6-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:
VíceETC Embedded Technology Club setkání 3, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 3, 3B 9.10. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 3, 3B 23.10.2018, ČVUT- FEL,
VíceNapájení mikroprocesorů
Napájení mikroprocesorů Přednáška A4B38NVS ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer A4B38NVS, 2014, J.Fischer, kat. měření, ČVUT FEL, Praha 1 Náplň Napájení síťové napájení, bateriové napájení
VíceMĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna
MĚŘENÍ HRADLA Poslední změna 23.10.2016 1. ZADÁNÍ: a) Vykompenzujte sondy potřebné pro připojení k osciloskopu b) Odpojte vstupy hradla 1 na přípravku a nastavte potřebný vstupní signál (Umax, Umin, offset,
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 5.4.1 KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt je
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
Více1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VícePřednáška - Čítače. 2013, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer. A3B38MMP, 2013, J.Fischer, ČVUT - FEL, kat. měření 1
Přednáška - Čítače 2013, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2013, J.Fischer, ČVUT - FEL, kat. měření 1 Náplň přednášky Čítače v MCU forma, principy činnosti A3B38MMP, 2013, J.Fischer,
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceUnipolární tranzistor aplikace
Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceRozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,..
Rozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. Přednáška A3B38MMP 2013 kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A3B38MMP, 2013, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha 1 Rozhraní SPI Rozhraní SPI ( Serial Peripheral
VíceKOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf
VíceRozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. Přednáška 11 (12)
Rozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. Přednáška 11 (12) A438NVS, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer A4B38NVS, 2012, J.Fischer, kat. měření, ČVUT - FEL 1 Náplň přednášky Sériová rozhraní rozhraní
VíceOBVODY TTL a CMOS. Úvod
OBVODY TTL a CMOS Úvod Tato úloha si klade za cíl seznámení se strukturou základních logických obvodů technologie TTL a CMOS, seznámení s jejich funkcí, vlastnostmi, základními charakteristikami a parametry.
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IE Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 Tranzistor MOFET charakteristiky, parametry, aplikace Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí
VíceProgramovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a
Programovatelný časový spínač 1s 68h řízený jednočip. mikroprocesorem v3.0a Tato konstrukce představuje časový spínač řízený mikroprocesorem Atmel, jehož hodinový takt je odvozen od přesného krystalového
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
VíceETC Embedded Technology Club 7. setkání
T mbedded Technology lub 7. setkání 31.1. 2017 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, Sc. T club - 7, 31.1.2017, ČVUT- FL, Praha 1 Náplň Výklad: ipolární tranzistor
VíceLOGICKÉ OBVODY. souèástka se doplòuje na sklad # souèástka na skladì, výprodej Dodací podmínky neoznaèených souèástek sdìlíme na poptávku
LOGICKÉ OBVODY Logické obvody øada technologie log. úroveò (V) rozsah Uc (V) Ic ( A) tpd max (ns] vstup výstup MOS 4000 Standard CMOS 5.0 3.0 ~ 18.0 20 CMOS CMOS 74 HC High Speed CMOS 5.0 2.0 ~ 6.0 80
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
VíceZkouškové otázky z A7B31ELI
Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se
Více4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy
4. Elektronické logické členy Kombinační a sekvenční logické funkce a logické členy Elektronické obvody pro logické členy Polovodičové paměti 1 Kombinační logické obvody Způsoby zápisu logických funkcí:
Vícemaxon motor maxon motor řídicí jednotka ADS 50/10 Objednací číslo 201583 Návod k obsluze vydání duben 2006
maxon motor řídicí jednotka ADS 50/10 Objednací číslo 201583 Návod k obsluze vydání duben 2006 ADS 50/10 je výkonná řídicí jednotka pro řízení stejnosměrných DC motorů s permanentními magnety a výkony
VíceA4B38NVS, 2011, kat. měření, J.Fischer, ČVUT - FEL. Rozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. A438NVS, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha. J.
Rozhraní mikrořadiče, SPI, IIC bus,.. A438NVS, kat. měření, ČVUT - FEL, Praha J. Fischer 1 Náplň přednášky Druhá část. přednášky 12 Sériové rozhraní SPI, Sériové rozhraní IIC A4B38NVS, 2011, kat. měření,
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceDioda jako usměrňovač
Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně
VícePopis obvodu U2403B. Funkce integrovaného obvodu U2403B
ASICentrum s.r.o. Novodvorská 994, 142 21 Praha 4 Tel. (02) 4404 3478, Fax: (02) 472 2164, E-mail: info@asicentrum.cz ========== ========= ======== ======= ====== ===== ==== === == = Popis obvodu U2403B
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceŘídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků
A10-1 Řídící a regulační obvody fázové řízení tyristorů a triaků.puls.výstup.proud Ig [ma] pozn. U209B DIP14 155 tacho monitor, softstart, U211B DIP18 155 proud.kontrola, softstart, tacho monitor, limitace
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VícePřevodník Ethernet ARINC 429
Převodník Ethernet ARINC 429 Bakalářská práce Tomáš Levora ČVUT FEL levortom@fel.cvut.cz Tomáš Levora (ČVUT FEL) Převodník Ethernet ARINC 429 levortom@fel.cvut.cz 1 / 25 Zadání Převádět data ze sběrnice
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
VíceMějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?
TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceÚloha č. 4. Připojení 7-segmentového zobrazovače LED s posuvným registrem, připojení tlačítek
Úloha č. 4. Připojení 7-segmentového zobrazovače LED s posuvným registrem, připojení tlačítek Úkol: K STM32F100 připojte pomocí sério-paralelního posuvného registru 7-segmetový zobrazovač s LED a dále
VíceKonfigurace portů u mikrokontrolérů
Konfigurace portů u mikrokontrolérů Porty u MCU Většina vývodů MCU má podle konfigurace některou z více funkcí. K přepnutí funkce dochází většinou automaticky aktivováním příslušné jednotky. Základní konfigurace
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceETC Embedded Technology Club setkání 1, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 1, 3B 9.10. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club, 1_3B 9.10.2018, ČVUT- FEL,
VícePřednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
VíceMěření základních vlastností logických IO TTL
Měření základních vlastností logických IO TTL 1. Zadání: A. Kombinační obvody: U jednoho hradla NAND TTL (IO 7400): a) Změřte převodní statickou charakteristiku U výst = f(u vst ) b) Změřte vstupní charakteristiku
VíceLogická sonda do stavebnice. Milan Horkel
TTLPROBE MLB Logická sonda do stavebnice Milan Horkel Logická sonda v podobě modulu slouží k zobrazování logických stavů H a L a neurčitého stavu X TTL logiky na třech LED. Logická sonda zobrazuje krátké
VíceLogická sonda do ruky. Milan Horkel
TTLPROBE MLB Logická sonda do ruky Milan Horkel Logická sonda slouží k zobrazování logických stavů H a L a neurčitého stavu X TTL logiky na třech LED. Logická sonda zobrazuje krátké impulsy na vstupu tak,
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1 Struktura logických
VíceETC Embedded Technology Club 10. setkání
ETC Embedded Technology Club 10. setkání 21.2. 2017 Katedra telekomunikací, Katedra měření, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club -10, 21.2.2017, ČVUT- FEL, Praha 1 Náplň Výklad: Fototranzistor,
VíceMěření vlastností jednostupňových zesilovačů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.
Měření vlastností jednostupňových zesilovačů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednostupňových zesilovačů a to jak
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,
VíceMĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU
MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového
VícePŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH Přednáška 2 - Obsah i 1 Bipolární diferenciální stupeň 1 1.1 Dif. stupeň s nesymetrickým výstupem (R zátěž) napěťový zisk... 4 1.1.1 Parametr CMRR pro nesymetrický dif. stupeň (R zátěž)...
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceModul výkonových spínačů s tranzistory N-FET
NFET4X0AB Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET Milan Horkel Ve starých mainboardech počítačů PC bývají pěkné veliké tranzistory N-FET, které je možné využít. Tranzistory bývají tak asi na proud
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceNávod k použití výkonového modulu KP10M
Návod k použití výkonového modulu KP10M výrobce : sdružení, 552 03 Česká skalice, Pod lesem 763, Česká republika typ : KP0M 1.Technické údaje 1.1 Úvod Výkonový modul KP10M je určen pro řízení dvoufázového
Více2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)
2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření
VíceMěřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole
13. VYSOKOFREKVENČNÍ RUŠENÍ 13.1. Klasifikace vysokofrekvenčního rušení Definice vysokofrekvenčního rušení: od 10 khz do 400 GHz Zdroje: prakticky všechny zdroje rušení Rozdělení: rušení šířené vedením
Více1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny
1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na
Více