TRANZISTORY BIPOLÁRNÍ

TRNZISTORY BIPOLÁRNÍ Tranzistory NF do 1.5W BC547B BC557B 45 0.1 0.5 00~450 100 0.6 (1) BC547C BC557C T/B 45 0.1 0.5 40~800 100 0.6 (1) BC546B BC556B 65 0.1 0.5 00~450 100 0.6 (1) N3904 T/B N3906 T/B 40 0. 0.6 > 30 50 0.3~0.4 () MPS4 T/R MPS9 T/R 300 0.5 0.6 > 5 50 0.5 () N5401 150 0.6 0.6 > 50 100 0.5 () BC337-5 T/B BC37-5 45 0.8 0.6 160~400 100 0.7 (1) BC337-40 BC37-40 45 0.8 0.6 50~600 100 0.7 (1) BC639 BC640 T/B 80 1.0 0.8 40~160 100 0.5 (3) Pouzdra balená v pásu tj. T/B pøíp. T/R mají zpravidla dvojnásobnou rozteè mezi vývody (okrajové noièky jsou vyhnuté do stran) Tranzistory NF 1.5W a více BD135-16 BD136-16 45 1.5 8 100~50 50 0.5 TO16 BD137-16 BD138-16 60 1.5 8 100~50 50 0.5 TO16 BD139-10 BD140-10 80 1.5 8 60~160 50 0.5 TO16 BD139-16 BD140-16 80 1.5 8 100~50 50 0.5 TO16 BD139 BD140 80 1.5 8 5~50 50 0.5 TO16 BD37 BD38 80 5 40~50 3 0.6 TO16 BD437 45 4 36 > 30 3 0.6 TO16 BD439 60 4 36 > 0 3 0.8 TO16 BD441 BD44 80 4 36 40~140 3 0.8 TO16 BD43C BD44C 100 6 65 > 15 3 1.5 MJE1503 MJE15033 50 8 50 > 10 30 0.5 BD711 BD71 100 1 75 > 15 3 1.0 BD911 BD91 100 15 90 > 5 3 3.0 TO16 (SOT3) TIP3055 TIP955 60 15 90 > 5 3.0 TO47 Tranzistory Darlington BD677 / 679 / 681 BD678 / 680 / 68 BC517 30 1 0.6 > 30 000 00 1.0 (1) BD679 BD680 80 4 40 > 750 10.5 TO16 BD679 BD680 80 4 40 > 750 10.8 TO16 BD681 BD68 100 4 40 > 750 10.5 TO16 TIP1 TIP17 100 5 65 > 1000 10 4.0 BDX33C BDX34C 100 10 70 > 750 0.5 BDW93C BDW94C 100 1 40 > 750 0 3.0 Tranzistory výkonový s anti-paralelní diodou BUL38D 450 5 80 10~60 1.1 Tranzistory VF > 1GHz objednací název Uce Ic P G f pouzdro NPN PNP V m W db GHz BFR91 1 50 0.3 14 5 TO50 BFR96TS 15 100 0.7 11.5 5 TO50 BDW93 / BDX33 / BDX53 BDW94 / BDX34 / BDX54 TIP110 / 10 / 1 TIP115 / 15 / 17 TO47 Bipolární Tranzistory - parametry Uces(V) - saturaèní napìtí kolektor-emitor Ic () - nejvyšší dovolený proud kolektoru B - stejnosmìrný zesilovací èinitel G (db) - zisk f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet TO 50 0.01

TRNZISTORY FET Tranzistory MOSFET do 1.5W objednací název kanál Uds Id P Rds t on/off pouzdro kanál N V W m ns BS108 T/B N 00 0.5 0.35 8000 15 / 15 (6) BS170 N 60 0.50 0.83 5000 10 / 10 (6) IRFD910 P 100 1.0 1.3 600 40 / 50 DIP-4P Tranzistory MOSFET výkonové objednací název kanál Uds Id P Rds t on/off pouzdro kanál N V W m ns SPU0N60C3 N 650 1.8 5 3000 10 / 80 TO51 IRFU40 N 500.4 4 3000 0 / 50 TO51 IRLU04N N 55 17 45 65 80 / 50 TO51 STF3NK80Z N 800.5 5 4.5 44 / 76 IS OTF7T60P N 700 7 38 1100 7 / 56 IS IRLI530N N 100 1 41 100 60 / 55 IS IRFI530N N 100 1 41 110 33 / 6 IS IRFI540N N 100 0 54 5 50 / 75 IS IRFIZ44N N 55 31 45 4 76 / 107 IS IRF80 N 500.5 50 3000 17 / 49 STP3NK90Z N 900 3 90 4.8 5 / 63 IRFBG30 N 1000 3.1 15 5000 40 / 10 SPP03N60S5 N 600 3. 38 1400 60 / 55 STP5NK100Z N 1000 3.5 15 3700 30 / 70 STP5NK80Z N 800 4.3 110 400 45 / 75 IRF830 N 500 4.5 74 1500 4 / 58 IRF840 N 500 8 15 850 40 / 70 IRF50 N 100 9. 60 70 40 / 40 STP11NK40Z N 400 10 110 550 40 / 60 IRF740 N 400 10 15 550 40 / 75 STP10NK60Z N 600 10 35 750 40 / 85 OT10N60 N 600 10 50 750 74 / 140 IRFZ4N N 55 17 45 70 40 / 50 IRL640 N 00 17 15 180 90 / 95 IRLZ4N N 55 18 45 60 80 / 50 IRFB400 N 00 18 100 100 0 / STP0NF0 N 00 18 110 15 45 / 50 IRF640 N 00 18 15 180 65 / 81 IRFZ34N N 55 9 68 40 60 / 70 BUZ11 N 50 30 75 40 100 / 300 IRF540N N 100 33 130 44 45 / 80 IRL540N N 100 36 140 44 90 / 100 IRLZ44N N 55 47 110 95 / 40 IRFZ44N N 55 49 94 18 70 / 80 IRF3710 N 100 57 00 3 70 / 100 IRFZ48N N 55 64 130 14 90 / 85 IRFB47 N 00 65 330 4 53 / 5 SPP80N06SL N 55 80 10 7 55 / 60 STP10N4F6 N 40 80 110 4.3 90 / 60 IRFB431 N 150 85 350 15 78 / 60 IRFB4410Z N 100 97 30 9 68 / 100 OT44 N 30 110 100 4 48 / 73 IRF305 N 55 110 00 8 115 / 115 IRL3803 N 30 140 00 6 44 / 64 IRF1405 N 55 169 330 5.3 03 / 40 IRFP460LC N 500 0 80 70 100 / 80 TO47 IRFP60N N 00 50 300 40 80 / 100 TO47 IRFP433 N 50 57 57 9 TO47 IRFP054N N 55 81 170 1 80 / 90 TO47 IRFP064N N 55 110 00 8 115 / 115 TO47 IRFP3306 N 60 10 0 4. 90 / 10 TO47 IRFP4568 N 150 171 517 5.9 145 / 130 TO47 IRFU904N P 55 11 38 175 70 / 60 TO51 IRF950 P 100 6.8 60 600 40 / 46 IRF950N P 100 6.8 48 480 60 / 60 IRF9640 P 00 11 15 500 60 / 80 IRF9Z4N P 55 1 45 175 70 / 60 IRF9530N P 100 13 75 00 75 / 90 IRF9540 P 100 19 150 00 80 / 80 IRF510 P 100 40 00 60 103 / 160 IRF4905 P 55 74 00 0 10 / 155 Pouzdra balená v pásu tj. T/B pøíp. T/R mají zpravidla dvojnásobnou rozteè mezi vývody (okrajové noièky jsou vyhnuté do stran) DIP- 4P TO51 (IPK) IS - chladící plech oddìlen od vnìjšího prostøedí zalitím v plastovém izolantu (tl. zalitého plechu cca + 1mm) TO47 FET tranzistory - parametry na tranzistoru f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet tranzistoru Uds (V) - nejvyšší dovolené stejnosm. napìtí Drain - Source Id () - nejvyšší dovolený proud elektrodou Drain Rds () - odpor Drain - Source v sepnutém stavu t on/off (ns) - èas sepnutí / vypnutí; (ONdelay+rise / OFFdelay+fall) 0.0 ECOM s.r.o., Zahradní 76, 517 71 Èeské Meziøíèí, tel: 494 661 511, 494 661 188, fax: 494 661 0, http://www.ecom.cz, e-mail: sales@ecom.cz

TRNZISTORY BIPOLÁRNÍ SMD Tranzistory nf SMD BC848W BC858W 30 0.1 0. 110~800 100 0. SOT33 BC846W 65 0.1 0. 110~450 100 0. SOT33 BC846BW BC856BW 65 0.1 0. 00~450 100 0. SOT33 BC847 BC857 45 0.1 0.5 110~0 100 0.3 BC847C BC857C 45 0.1 0.5 40~800 100 0.3 BC847B BC857B 45 0.1 0.5 00~450 100 0. BC850C # BC860C 45 0.1 0.5 40~800 100 0. PMBT3904 PMBT3906 40 0. 0.5 30~300 300 0.3 MMBT4 MMBT9 300 0.5 0.3 > 5 50 0.5 BC817-5 BC807-5 45 0.5 0.31 160~400 80 0.7 BC817-40 BC807-40 45 0.5 0.31 50~600 80 0.7 BC846B BC856B 65 0.1 0.31 00~450 150 0.3 FMMT458T 400 0.3 0.5 100~300 50 0.5 FMMT560T 500 0.15 0.5 80~300 60 0.5 BCX54-16 BCX51-16 45 1.5 1.0 100~50 100 0.5 SOT89 BCX55-16 BCX5-16 60 1.5 1.0 100~50 100 0.5 SOT89 BCX56-16 BCX53-16 80 1.5 1.0 100~50 100 0.5 SOT89 BCP55-16 BCP5-16 60 1.0 1.3 100~50 115 0.5 SOT3 BCP56-16 80 1.0 1.5 100~50 130 0.5 SOT3 BCP53-16 80 1.5 1.5 100~50 50 0.5 SOT3 BDP949 60 3.0 5.0 > 50 100 0.5 SOT3 SOT33 SOT89 Tranzistory Darlington SMD NPN V m W MHz V BCV47 60 0.5 0.5 > 10 000 170 1.0 Tranzistory s vestavìnými rezistory (BRT) SMD objednací název Uce Ic P B f Uces R1 R pouzdro NPN V m W MHz V k k BCR51 50 500 0.33 >60 100 0.3 4.7 4.7 SOT3 Dvojice tranzistorù nf SMD NPN V m W MHz V BC846S 65 100 0. >110 100 0.3 SOT363 Tranzistory vf > 1GHz SMD objednací název Uce Ic P G f pouzdro NPN V m W db GHz BFS17P 15 5 0.3 10.5 BFR9 15 5 0.3 14 5 BFR93 1 35 0.3 13 6 T41511T 1 50 0. 15.5 8 SOT143(1) BFG67 10 50 0.3 17 8 SOT143() BFG540W 15 10 0.5 10 9 SOT343N SOT363 SOT143 Bipolární Tranzistory - parametry Uces(V) - saturaèní napìtí kolektor-emitor Ic () - nejvyšší dovolený proud kolektoru B - stejnosmìrný zesilovací èinitel G (db) - zisk f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet SOT343N 0.03

Tranzistory MOSFET SMD TRNZISTORY FET SMD objednací název kanál Uds Id P g fs ton/off Rdson pouzdro kanál N V W S ns m FDV30P P 5 0.1 0.35 0.14 13 / 14 10000 (3) BSS84 P 50 0.13 0.5 0.05 4 / 4 5000 (3) BSS83P P 60 0.33 0.36 0.47 94 / 117 000 (3) FDV304P P 5 0.46 0.35 0.8 15 / 90 1100 (3) IRLML630 P 0 0.78 0.54 0.56 30 / 45 600 (3) BSS15P P 0 1.5 0.5 4.5 16 / 9 150 (3) TSM301CX P 0.8 0.9 6.5 4 / 160 130 (3) O3413 P 0 3 1.4 1 43 / 109 80 (3) IRLML503 P 30 3 1.5 3.1 30 / 140 98 (3) IRLML640 P 0 3.7 1.3 6 400 / 970 56 (3) O3401 P 30 4 1.4 17 10 / 50 50 (3) IRLML6401 P 1 4.3 1.3 86 43 / 460 50 (3) IRLTS4 P 0 6.9 8.5 4 / 150 3-6 IRF7404 P 0 7.7.5 6.8 46 / 165 40 IRF7416 P 30 10.5 5.6 70 / 10 0 O4437 P 1 11 3 38 58 / 53 16 IRF70 P 14 11.5 8.4 440 / 100 1 IRF745 P 0 15.5 44 33 / 390 8. IRFR9310 P 400 1.8 50 0.91 1 / 50 7000 DPK IRFR910N P 100 6.6 40 1.4 60 / 60 480 DPK IRFR904N P 55 11 38.5 70 / 60 175 DPK IRFR5410 P 100 13 66 3. 75 / 90 05 DPK IRFR5505 P 55 18 57 4. 40 / 35 110 DPK IRFR5305 P 55 31 110 8 80 / 100 65 DPK IRF9Z4S P 60 11 60 1.4 80 / 45 80 DPK IRF9530NS P 100 14 79 3. 75 / 90 00 DPK IRF9540NS P 100 3 140 5.3 80 / 100 117 DPK IRF4905S P 55 74 00 1 115 / 155 0 DPK SOT3 DPK (TO5) N700 N 60 0.1 0. 0.3 0 / 40 4300 (3) BSS13 N 100 0.15 0.5 0.40 15 / 30 300 (3) BSN0 N 50 0.17 0.83 0.17 8 / 16 800 (3) BSS138 N 50 0. 0.36 0.45 0 / 40 1800 (3) FDV301N N 5 0. 0.35 0. 9 / 7 5000 (3) FDV303N N 5 0.68 0.35 1.5 1 / 30 450 (3) IRLML40 N 0 1. 0.54 1.3 1 /15 50 (3) IRLML030 N 30.7 1.3.6 8 / 8 100 (3) IRLML0060 N 60.7 1.5 7.6 1 / 11 116 (3) O3406 N 30 3.6 1.4 11 6 / 34 50 (3) IRLML646 N 0 4.1 1.3 10 9 / 17 46 (3) IRLML50 N 0 4. 1.5 5.8 18 / 80 45 (3) TSM31CX N 0 4.9 0.75 40 55 / 80 33 (3) IRLML0030 N 30 5.3 1.3 9.5 10 / 1 7 (3) O3400 N 30 5.7 1.4 33 6 / 9 6.5 (3) IRFML844 N 5 5.8 1.5 10 5 / 1 4 (3) IRLML644 N 0 6.3 1.3 17 13 / 31 1 (3) IRF7468 N 40 9.4.5 7 10 / 4 0.015 IRF7413 N 30 13.5 10 60 / 100 0.011 IRF8734 N 30 1.5 85 9 / 3 0.0035 BSP96 N 100 1.1 1.8 1. 13 / 59 0.7 SOT3 IRLL04N N 55 3.1 1 3.3 9 / 43 65 SOT3 IRFL04Z N 55 5.1 1.0 6. 30 / 50 58 SOT3 BSP149 N 00 0.66 1.8 0.4 9 / 65 3500 SOT3 IRFR310 N 400 1.7 5 0.9 18 / 3 3600 DPK IRFRC0 N 600 4 1.4 33 / 55 4400 DPK IRFR0N N 00 5 43.6 0 / 30 600 DPK IRLR10N N 100 10 48 3.1 40 / 45 185 DPK IRLR04N N 55 17 45 8.3 80 / 50 65 DPK IRLR705 N 55 8 68 11 110 / 50 40 DPK IRFR3806 N 60 43 71 41 45 / 95 15.8 DPK IRL640S N 00 17 15 16 90 / 95 180 DPK IRF540NS N 100 33 130 1 46 / 75 44 DPK IRL540NS N 100 36 140 14 90 / 101 44 DPK IRF804S N 40 75 300 130 135 / 60 DPK IRL1404ZS N 40 75 30 10 00 / 80 3.1 DPK IRF305S N 55 110 00 44 115 / 115 8 DPK IRL03NS N 30 116 180 73 171 / 89 7 DPK MCP87055T-U/LC N 5 60 1.8 9 15 / 14 7 DFN8 (3x3) MCP870T-U/MF N 5 100. 155 35 / 38.6 DFN8 (5x6) MCP87050T-U/MF N 5 100. 101 3 / 16 6 DFN8 (5x6) DFN8 DPK (TO63) pouzdro D H L b RM mm mm mm mm mm mm DFN8 (3x3) 1.00 3.0 3.0 0.40 0.30 0.65 DFN8 (5x6) 1.00 5.0 6.0 0.61 0.41 1.7 FET tranzistory SMD - parametry na tranzistoru f (MHz) - nejvyšší pracovní kmitoèet tranzistoru Uds (V) - nejvyšší dovolené stejnosmìrné napìtí Drain - Source Idss (m) - proud elektrodou Drain pro Ugs=0 Id (m) - nejvyšší dovolený proud elektrodou Drain Rds () - odpor Drain - Source v sepnutém stavu g fs (ms) - strmost (vstupní admitance) t on/off (ns) - èas sepnutí / vypnutí; (ONdelay+rise / OFFdelay+fall) 0.04 ECOM s.r.o., Zahradní 76, 517 71 Èeské Meziøíèí, tel: 494 661 511, 494 661 188, fax: 494 661 0, http://www.ecom.cz, e-mail: sales@ecom.cz

Dvojice tranzistorù MOSFET SMD TRNZISTORY FET, IGBT objednací název kanál Uds Id P gfs ton/off Rdson pouzdro V W S ns m IRF7103 x N 50 3 3.8 17 / 70 130 IRF7341 x N 55 4.7 7.9 13 / 45 50 IRF7311 x N 0 6.6 0 5 / 69 9 IRF7331 x N 0 7 14 30 / 160 30 IRL637 x N 30 8.1 30 19 / 49 17.9 IRF8313 x N 30 9.7 3 18 / 13 15.5 IRF734 x P 55 3.4 3.3 4 / 65 105 IRF7304 x P 0 4.7 4 35 / 84 90 IRF7316 x P 30 4.9 7.7 6 / 66 58 O481 x P 1 9 45 80 / 11 19 O8807L x P 1 6.5 1.4 45 80 / 11 0 TSSOP8 IRF7343 IRF7307 IRF7319 IRF7389 N 55 4.7 7.9 1 / 45 50 P 55 3.4 3.3 14 / 65 105 N 0 5. 8.3 51 / 83 50 P 0 4.3 4 35 / 83 90 N 30 6.5 14 17 / 43 9 P 30 4.9 7.7 6 / 66 58 N 30 7.3 14 17 / 43 9.5 P 30 5.3 7.7 6 / 66 58 TSSOP8 Tranzistory J- FET kanál N V m W ms J11 35 5 0.35 50 (5) BF45 30 ~6.5 0.35 3~6.5 (4) BF56B 30 6~13 0.35 >4.5 (4) BF45B 30 6~15 0.35 3~6.5 (4) BF45C 30 1~5 0.35 3~6.5 (4) Tranzistory J- FET SMD kanál N V m W ms BFR31 30 1~5 0.5 1~4.5 BF545 30 ~6.5 0.5 3~6.5 kanál P V m W ms MMBFJ177 5 1.5~0 0.5 300 Tranzistory IGBT objednací název Uce Ic P anti-paralelní Uce(on) @Vge @Ic pouzdro N kanál V W vnitøní dioda V V IRG4BC0UD 600 13 60 NO 1.85 15 6.5 IRG4BC0U 600 13 60 NE 1.85 15 6.5 IRG4BC0KD 600 16 60 NO.7 15 9 IRG4BC0FD 600 16 60 NO 1.66 15 9 IRG4BC0S 600 19 60 NE 1.4 15 10 IRG4BC30UD 600 3 100 NO 1.95 15 1 IRG4BC30U 600 3 100 NE 1.95 15 1 IRG4BC30K 600 8 100 NE.1 15 16 IRG4BC40U 600 40 160 NE 1.7 15 0 IRGB30B60K 600 78 370 NE 1.95 15 30 IRG4PH40UD 100 41 160 NO.43 15 1 TO47 IRG4PH40U 100 41 160 NE.43 15 1 TO47 IRG4PC40FD 600 49 160 NO 1.50 15 7 TO47 IRG4PF50W 900 51 00 NE.5 15 8 TO47 IRG4PC50W 600 55 00 NE.30 15 7 TO47 TO47 IGBT Tranzistory - parametry Uce(on) (V) - úbytek napìtí kolektor-emitor pøi definovaném Vge a Ic Uge (V) - hodnota napìtí gate - emitor pøi kterém je zmìøeno Uce(on) Ic () - nejvyšší dovolený proud kolektoru @Ic () - hodnota proudu kolektoru pøi kterém je zmìøeno Uce(on) 0.05