Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš



Podobné dokumenty
Způsoby realizace paměťových prvků

Ne vždy je sběrnice obousměrná

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Informační a komunikační technologie

Paměti počítače ROM, RAM

PAMĚTI ROM, RAM, EPROM, EEPROM

Paměti počítače 9.přednáška

DUM č. 10 v sadě. 31. Inf-7 Technické vybavení počítačů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Technické prostředky počítačové techniky

Parametry pamětí vybavovací doba (tj. čas přístupu k záznamu v paměti) = 10 ns ms rychlost toku dat (tj. počet přenesených bitů za sekundu)

Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /21- Západočeská univerzita v Plzni

Paměti Josef Horálek

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností a hlavnímu parametry.

4.2 Paměti PROM NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n

Paměti polovodičové. Jedná se o mikroelektronické obvody s velkou hustotou integrace.

Struktura a architektura počítačů (BI-SAP) 10

Paměti operační paměti

Paměti EEPROM (1) 25/07/2006 1

Cílem kapitoly je seznámit studenta s pamětmi. Jejich minulostí, současností, budoucností a hlavními parametry.

Paměť počítače. 0 (neprochází proud) 1 (prochází proud)

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

Hardware ZÁKLADNÍ JEDNOTKA

CHARAKTERISTIKY MODELŮ PC

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, Vysoké Mýto

Dělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti. Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /11- Západočeská univerzita v Plzni

Operační paměti počítačů PC

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Sběrnicová struktura PC Interní počítačové paměti PC

Paměti Rambus DRAM (RDRAM) Paměti Flash Paměti SGRAM

HW počítače co se nalézá uvnitř počítačové skříně

2.9 Vnitřní paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

POLOVODIČOVÉ PAMĚTI. 1. Polovodičové paměti RAM. Paměťová buňka SRAM. řádkové vodiče. sloupcové vodiče. 1.1 Statická paměť RAM (SRAM)

ORGANIZAČNÍ A VÝPOČETNÍ TECHNIKA

Procesory a paměti Procesor

Trocha historie. Jednotlivé komponenty

Architektura počítače

1 Paměť a číselné soustavy

Počítačová sestava paměti, operační paměť RAM

Architektury CISC a RISC, uplatnění v personálních počítačích

Paměti a jejich organizace

Úvod do programování a práce s počítačem 2

Identifikátor materiálu: ICT-1-08

Adresový vodič. Datový vodič 30/12/2010 4

Volativní paměti: Dynamická paměť RAM

Karel Johanovský Michal Bílek. Operační paměť

Paměti. Prezentace je určena jako pro studenty zapsané v předmětu A3B38MMP. ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2013

Základní deska (1) Parametry procesoru (2) Parametry procesoru (1) Označována také jako mainboard, motherboard

PROCESOR. Typy procesorů

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEIII Paměti konstant

1/ Kapacita [B] - množství informací, které je možné do paměti uložit.

Solid State Drive SSD polovodičový disk. J. Vrzal, verze 0.8

Využití ICT pro rozvoj klíčových kompetencí CZ.1.07/1.5.00/

Hardware. Z čeho se skládá počítač

4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Paměti Chronologie a příklady jednotlivých druhů pamětí: Základní rozdělení pamětí:

Paměti v PC - souhrn

Pokročilé architektury počítačů

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Polovodičové paměti. Polovodičové paměti. - Paměti Flash ROM - použití v počítačích k uchování informací o konfiguraci, Princip zápisu a čtení

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, Vysoké Mýto

V roce 1955 fungovala feritová pamět na pricipu zmagnetizovaných feritových jader.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Typy pamětí. Hierarchické uspořádání paměťového subsystému počítače.

Hardware počítačů. Architektura počítačů Paměti počítačů Aritmetika - ALU Řadič

Paměti. Paměti. Rozdělení, charakteristika, druhy a typy pamětí. Banky

Paměti. Návrh počítačových systémů INP 2008

Základní pojmy informačních technologií

Inovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie. Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/

Základní deska (mainboard)

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

Obecný popis základní jednotky

Programovatelná logika

Gymnázium a Střední odborná škola, Rokycany, Mládežníků 1115


3. REALIZACE KOMBINAČNÍCH LOGICKÝCH FUNKCÍ

ÚVOD DO OPERAČNÍCH SYSTÉMŮ. Správa paměti. Přímý přístup k fyzické paměti, abstrakce: adresový prostor, virtualizace, segmentace

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace

Úvod do architektur personálních počítačů

Paměti personálních počítačů, vývoj pojmů, technologie, organizace

Sběrnicová struktura PC Procesory PC funkce, vlastnosti Interní počítačové paměti PC

Krokové motory. Klady a zápory

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Architektura počítačů

STAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech

Digitální učební materiál

Vnější paměti. Vnější paměti. Dělení podle materiálu a fyzikálních principů

Název školy: Základní škola a Mateřská škola Žalany

Paměti počítačů. Studijní materiál pro předmět Architektury počítačů

AGP - Accelerated Graphics Port

Intel Pentium D (1) Intel Pentium D (4) Intel Pentium Extreme Edition (1) Intel Pentium D (5)

Transkript:

Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno

Osnova Typy pamětí ROM Read Only Memory PROM Programmable ROM EPROM Erasable PROM EEPROM Electrically Erasable PROM Flash RAM Random Access Memory SRAM Static RAM DRAM Dynamic RAM SDRAM Synchronous DRAM Vícekanálové paměťové architektury Útoky na paměť 2

Obecný způsob realizace pamětí Interně jsou paměti zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická 0. 3

Obecný způsob realizace pamětí Přístup do paměti (čtení nebo zápis) - adresa paměťového místa, se kterým se bude pracovat, se přivede na vstup dekodéru. Dekodér výběr jednoho z adresových vodičů podle zadané adresy a nastavení hodnoty logická 1 na tomto vodiči. 4

Čtení obsahu adresovaného místa Vložení adresy paměťového místa, ze kterého se bude číst, na vstup paměti. Podle toho, jak jsou zapojeny jednotlivé paměťové buňky (tzn. jaká informace je v nich uložena), projde resp. neprojde hodnota logické jedničky na datové vodiče. Zesilovače zesílení informace na koncích datových vodičů. Pokud hodnota logická jedna projde přes paměťovou buňku => na výstupu obdržíme hodnotu 1. V opačném případě je na výstupu hodnota 0. 5

Zápis hodnoty do paměti Vložení adresy paměťového místa, do kterého se bude zapisovat, na vstup paměti. Nastavení hodnoty bitů b 1 až b 4 na hodnoty, které se budou do paměti ukládat. Uložení těchto hodnot do paměťových buněk na řádku odpovídajícím vybranému adresovému vodiči. 6

Paměti ROM (Read Only Memory) Paměti ROM jsou paměti, které jsou určeny pouze pro čtení informací. Zápis informace do paměti - při výrobě, potom již není možné žádným způsobem jejich obsah změnit. Paměť ROM - statická, energeticky nezávislá paměť. Při výrobě tohoto typu paměti ROM se používá nejčastěji některé z následujících realizací paměťových buněk: jako dvojice vodičů propojených/nepropojených přes polovodičovou diodu, TTL realizace, MOS realizace. 7

ROM realizace dvojicí vodičů 1. hodnota 0 nemůže přejít z adresového vodiče na vodič datový => jedná se o buňku, ve které je permanentně uložena hodnota 0. 2. hodnota 1 přejde díky zapojení adresového vodiče na datový, ale nikoliv v opačném směru to by vedlo k jejímu šíření po velké části paměti. 8

ROM realizace TTL Realizace buňky paměti ROM pomocí tranzistorů v technologii TTL. Na datový vodič je neustále přes odpor R přiváděna hodnota logická 1. 9

ROM realizace TTL programování / čtení Programování: Hodnota 0 - při programování zůstane adresový vodič spojen s bází tranzistoru. Hodnota 1 - propojka mezi adresovým vodičem a bází tranzistoru se zruší. Čtení: Buňka naprogramována na hodnotu 0 na adresový vodič se vloží 1 tranzistor se otevře => na datový vodič se vloží hodnota 0. Buňka naprogramována na hodnotu 0 na adresový vodič se vloží 1 tranzistor zůstane zavřený (protože báze není propojena s adresovým vodičem) - na datové vodiči zůstane hodnota 1. 10

ROM realizace MOS Tranzistory připojené k napájecímu vodiči plní pouze úlohu rezistorů podobně jako v případě TTL. Stejný princip činnosti jako v případě TTL. 11

ROM Výskyt v PC Výskyt v PC: systémový BIOS, dříve ROM BIOS, BIOS jiných adaptérů (firmware) např. pevný disk, generátory znaků v grafickém adaptéru. Dnes už se v PC setkáme s pamětí typu ROM velmi ojediněle. 12

PROM (Programable Read Only Memory) Paměť PROM (někdy i OTPROM One Time PROM) neobsahuje po vyrobení žádnou pevnou informaci a je až na uživateli, aby provedl příslušný zápis informace. Tento zápis je možné provést pouze jednou a poté již paměť slouží stejně jako paměť ROM. Paměti PROM představují statické a energeticky nezávislé paměti. Možnost realizace stejně jako u paměti ROM - při výrobě je vyrobena matice obsahující adresové vodiče, které jsou spojené s datovými vodiči přes polovodičovou diodu a tavnou pojistku z niklu a chromu (NiCr). 13

PROM realizace, programování Zápis informace se provádí vyšší hodnotou elektrického proudu (cca 10 ma), která způsobí přepálení tavné pojistky a tím i definitivně zápis hodnoty 0 do příslušné paměťové buňky. 14

PROM realizace pomocí multiemitorových tr. Realizace paměti typu PROM pomocí bipolárních multiemitorových tranzistorů. Takto realizovaná paměť PROM obsahuje pro každý adresový vodič jeden multiemitorový tranzistor. Počet emitorů = počet datových vodičů. 15

PROM čtení Na příslušný adresový vodič je přivedena hodnota logická 1 => víceemitorový tranzistor se otevře => ve směru kolektor emitor začne procházet elektrický proud. Tavná pojistka je průchozí => procházející proud otevře tranzistor, který je zapojen jako invertor => na výstupu je přečtena hodnota 0. Tavná pojistka byla při zápisu přepálena (tzn. je neprůchozí) => nedojde k otevření tranzistoru a na výstupu je přečtena hodnota 1. 16

PROM Paměť PROM pracující na tomto principu má po svém vyrobení ve všech buňkách zapsánu hodnotu 0 a při jejím programování se do některých buněk přepálením tavné pojistky zapíše hodnota 1. Výskyt PROM: Uložení sériového čísla, Firmware, 17

EPROM (Eraseable Programable Read Only Memory) Paměť EPROM je statická, energeticky nezávislá paměť, do které může uživatel provést zápis. Zapsané informace je možné vymazat působením ultrafialového záření. Tyto paměti jsou realizovány pomocí speciálních unipolárních tranzistorů, které jsou schopny na svém přechodu udržet elektrický náboj po dobu až několika let. Zapojení jedné buňky paměti EPROM je podobné jako u paměti EEPROM (viz dále). Výskyt v PC: např. jako generátory znaků (dříve). 18

EPROM - mazání Náboj lze vymazat působením UV záření. Paměti EPROM jsou charakteristické malým okénkem v pouzdře integrovaného obvodu obsahujícího tuto paměť. Pod okénkem je umístěn vlastní paměťový čip a to je místo, na které směřuje při vymazávání zdroj UV záření. Při práci bývá tento otvor většinou přelepen ochranným štítkem, aby nedocházelo ke ztrátám informace vlivem UV záření v ovzduší. 19

EEPROM (Electrically Eraseable PROM) Tento typ paměti má podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statickou, energeticky nezávislou paměť, kterou je možné naprogramovat a později z ní informace vymazat. Výhodou oproti EPROM pamětem je, že vymazání se provádí elektricky a nikoliv pomocí UV záření, čímž odpadá nepohodlná manipulace s pamětí při jejím mazání. Při výrobě pamětí EEPROM se používá speciálních tranzistorů vyrobených technologií MNOS (Metal Nitrid Oxide Semiconductor). Jedná se o tzv. floating-gate tranzistory, na jejichž řídicí elektrodě je nanesena vrstva nitridu křemíku (Si 3 N 4 ) a pod ní je umístěna tenká vrstva oxidu křemičitého (SiO 2 ). 20

EEPROM - realizace Jedno hradlo je ovládací (CG - control gate), druhé je plovoucí (FG - floating gate), izolované od okolí vrstvou oxidu. Protože je FG izolované, všechny elektrony na něj přivedené jsou zde uvězněny. Když jsou na FG elektrony, modifikují (částečně ruší) elektrické pole přicházející z CG, což modifikuje prahové napětí (U t ) buňky. 21

EEPROM - zápis Mezi source a drain protéká proud elektronů, některé elektrony překonají izolační mezeru a přeskočí na floating gate (hot electron injection). Přivedení velkého napětí na CG poskytne dostatečně silné elektrické pole pro přeskočení elektronů na FG. ITP - paměti 22

EEPROM - mazání Přivedením napětí mezi drain a control gate dojde k tunelovému jevu a elektrony z floating gate jsou odsáty. U EEPROM pamětí probíhá mazání každé buňky zvlášť (jedná se o časově poměrně náročnou operaci). ITP - paměti 23

EEPROM čtení, nevýhody Tranzistor s malým prahovým napětím se otevře a vede elektrický proud do datového vodiče, zatímco tranzistor s velkým prahovým napětím zůstane uzavřen. Počet přepsání je omezen na cca 10 6 cyklů. Důvodem je postupný přesun tunelovaných (vložených) elektronů do oxidu křemíku v řídící elektrodě, čímž se zmenšuje rozdíl mezi prahovými napětími pro log. 0 a 1. Buňka tak zůstává trvale v log. 1. V průběhu času se také náboj ztrácí, avšak při pokojové teplotě výrobci většinou garantují výdrž 10 let nebo více. ITP - paměti 24

Flash Flash paměti jsou obdobou pamětí EEPROM. Jedná se o paměti, které je možné naprogramovat a které jsou statické a energeticky nezávislé. Vymazání se provádí elektrickou cestou, jejich přeprogramování je možné provést přímo v počítači. Paměť typu Flash tedy není nutné před vymazáním (naprogramováním) z počítače vyjmout a umístit ji do speciálního programovacího zařízení. Hlavní rozdíl spočívá v mazání po blocích, což značně urychluje zápis. Další rozdíl je v konkrétním zapojení buněk (NAND Flash). 25

Paměti RAM (Random Access Memory) Paměti RAM jsou určeny pro zápis i pro čtení dat. Jedná se o paměti, které jsou energeticky závislé. Podle toho, zda jsou dynamické nebo statické, jsou dále rozdělovány na: DRAM - Dynamické RAM, SRAM - Statické RAM. 26

Paměti SRAM (Static Random Access Memory) Paměti SRAM uchovávají informaci v sobě uloženou po celou dobu, kdy jsou připojeny ke zdroji elektrického napájení. Paměťová buňka SRAM je realizována jako bistabilní klopný obvod, tj. obvod, který se může nacházet vždy v jednom ze dvou stavů, které určují, zda v paměti je uložena 1 nebo 0. 27

SRAM paměťová buňka U SRAM pamětí se používá dvou datových vodičů. Vodič Data je určený k zápisu do paměti. Vodič označený jako -Data se používá ke čtení. Hodnota na tomto vodiči je vždy opačná než hodnota uložená v paměti => na konci procesu čtení je nutno ji ještě negovat. 28

SRAM - zápis Při zápisu se na adresový vodič umístí hodnota logická 1, na vodič Data se přivede zapisovaná hodnota (např. 1). Tranzistor T 1 se otevře => jednička na vodiči Data otevře tranzistor T 4 => uzavře se tranzistor T 3. Tento stav obvodu představuje uložení hodnoty 0 do paměti. 29

SRAM - čtení Čtení - na adresový vodič je přivedena hodnota logická 1 => otevřou se tranzistory T 1 a T 2. Jestliže byla v paměti zapsána hodnota 1, je tranzistor T 4 otevřen (tj. na jeho výstupu je hodnota 0), čtenou hodnotu obdržíme na vodiči -DATA. Tranzistory T 5 a T 6 plní pouze funkci rezistorů. 30

SRAM - bipolární Paměti SRAM je možné uskutečnit i v technologii bipolární. Buňka takovéto paměti pracuje na podobném principu jako buňka v technologii MOS. 31

SRAM výhody/nevýhody Paměti SRAM jsou výhodné zejména pro svou nízkou přístupovou dobu 5-20 ns (v katalozích uváděno jako access time). Nevýhoda - vyšší složitost a z toho plynoucí vyšší výrobní náklady. V současné době jsou paměti SRAM používány především pro realizaci pamětí typu cache (RVP), jejichž kapacita je ve srovnání s operační pamětí několikanásobně nižší, rychlost a cena jsou vyšší. 32

SRAM novější typy pamětí DDR (Double Data Rate) SRAM 1 hodinový signál, 1 datová sběrnice (Common I/O). Přenos dat na nástupnou i sestupnou hranu hodinového signálu (2 datová slova v jednom cyklu CLK). QDR (Quad Data Rate) SRAM 2 hodinové signály, 2 separátní datové sběrnice pro čtení a zápis, každá v režimu DDR (Separate I/O). Iluze souběžného čtení a zápisu, interně ale paměť disponuje jen 1 portem operace jsou pipelinovány, ale stále sekvenční. QDR není 2x rychlejší jako DDR, ale 100% efektivnější pro prokládané zápisy a čtení. Navrhnutá pro vysokorychlostní síťové aplikace. ITP - paměti 33

DRAM (Dynamic Random Access Memory) Informace je uložena pomocí elektrického náboje na kondenzátoru. Tento náboj má tendenci vybíjet se i v době, kdy je paměť připojena ke zdroji elektrického napájení => je nutné periodicky provádět tzv. refresh, tj. oživování paměťové buňky. Tuto funkci plní některý z obvodů čipové sady. 34

DRAM - zápis Při zápisu se na adresový vodič přivede hodnota logická 1 => tranzistor T se otevře. Na datovém vodiči je umístěna zapisovaná hodnota (např. 1), tato hodnota projde přes otevřený tranzistor a nabije kondenzátor. V případě zápisu nuly dojde pouze k případnému vybití kondenzátoru (pokud byla dříve v paměti uložena hodnota 1). 35

DRAM - čtení Při čtení je na adresový vodič přivedena hodnota logická 1, která způsobí otevření tranzistoru T. Jestliže byl kondenzátor nabitý, zapsaná hodnota přejde na datový vodič. Tímto čtením však dojde k vybití kondenzátoru a zničení uložené informace => buňka je destruktivní při čtení a přečtenou hodnotu je nutné opět do paměti zapsat. 36

DRAM výhody/nevýhody Buňka paměti DRAM je velmi jednoduchá a dovoluje vysokou integraci a nízké výrobní náklady => je používána k výrobě operačních pamětí. Nevýhoda - vyšší přístupová doba (60-70 ns) způsobená nutností provádět refresh a časem potřebným k nabití a vybití kondenzátoru. 37

DRAM novější typy pamětí SDRAM (Synchronous DRAM) Operace jsou synchronizovány, přenosy dat se odehrávají na jednu z hran synchronizačního signálu (SDR Single Data Rate). DDR (Double Data Rate) SDRAM Přenos dat na nástupní i sestupní hranu synchronizačního signálu (2 datová slova v jednom cyklu). 2x zvýšení výkonu bez nutnosti zvyšování frekvence sběrnice. Druhy DDR pro různé frekvence sběrnice: DDR-200 (100 MHz), DDR-266 (133 MHz), DDR-333 (166 MHz), DDR-400 (200 MHz), atd. ITP - paměti 38

DRAM novější typy pamětí DDR2 SDRAM Realizuje přenosy na nástupnou a sestupnou hranu, navíc na vyšších kmitočtech než DDR. Čtyři slova dat mohou být přenesena během jednoho cyklu paměťové buňky. DDR2 dokáže pracovat na dvojnásobku rychlosti DDR. Přenos 4 datových slov v jednom cyklu. Zjednodušen protokol sběrnice pro podporu vysokorychlostních operací. Druhy DDR2 pro různé takty paměti: DDR2-400 (100 MHz), DDR2-533 (166 MHz), DDR2-667 (166 MHz), DDR2-800 (200 MHz), DDR2-1066 (266 MHz). ITP - paměti 39

DRAM novější typy pamětí DDR3 SDRAM Přenos 8 datových slov v jednom cyklu. Druhy DDR3 pro různé takty paměti: DDR3-800 (100 MHz), DDR3-1066 (133 MHz), DDR3-1333 (166 MHz), DDR3-1600 (200 MHz), DDR3-1866 (233,25 MHz), DDR3-2133 (266,625 MHz). DDR4 SDRAM Očekávaný nástupce už v r. 2013, desktopy a notebooky 2014. První plánovaný modul DDR4-2133. ITP - paměti 40

Další typy pamětí GDDR (Graphic Double Data Rate) Paměť navrhnutá pro grafické karty, založena na podobném principu jako DDR SDRAM. Varianty GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5. Paměti s ECC (Error Correction Code) Skupina paměťových modulů, které jsou schopny ve vlastní režii opravit všechny 1-bitové chyby a detekovat všechny 2- bitové chyby v přenosu dat (Hammingova vzdálenost = 4). Pro DIMM paměťové moduly, šířka 72b (64b data, 8b parita). Přínos pro datové servery s citlivými daty (Google). Vyšší cena, nutná podpora v řadiči. ITP - paměti 41

Osnova Typy pamětí ROM Read Only Memory PROM Programmable ROM EPROM Erasable PROM EEPROM Electrically Erasable PROM Flash RAM Random Access Memory SRAM Static RAM DRAM Dynamic RAM SDRAM Synchronous DRAM Vícekanálové paměťové architektury Útoky na paměť 42

Vícekanálové paměťové architektury Technologie, která zvyšuje přenosovou rychlost dat mezi pamětí a řadičem přidáním více komunikačních kanálů. Adresace úzkého místa: ITP - paměti 43

Vícekanálové paměťové architektury Dvoukanálové architektury Nutná podpora v základní desce (výrobci Intel, AMD). Separátní kanály pro připojení jednotlivých paměťových modulů (např. DDR, DDR2, DDR3 SDRAM) s řadičem zvýšení propustnosti. Podpora pro multi-threading a multi-core procesory. ITP - paměti 44

Vícekanálové paměťové architektury Tříkanálové architektury Podpora v Intel LGA1366, Core i7. Prokládaný režim rovnoměrné rozložení zátěže mezi jednotlivé kanály. Paměťové moduly musí být identické v kapacitě i rychlosti. Možnost obsadit jenom 2 kanály - dvoukanálová architektura. Čtyřkanálové architektury Podpora v Intel LGA2011, AMD G34. Paměťové moduly musí být identické v kapacitě i rychlosti. Možnost obsadit jenom 2, 3 kanály dvou/tří kanálová architektura. ITP - paměti 45

Děkuji Vám za pozornost! Záhlaví (99.99.9999) 46