Přednáška 11. GISAX (Grazing-Incidence Small-Angle X-Ray Scattering) Martin Kormunda

Podobné dokumenty
LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií)

F7030 Rentgenový rozptyl na tenkých vrstvách

Přednáška 12. Neutronová difrakce a rozptyl neutronů. Martin Kormunda

Chemie a fyzika pevných látek p2

Krystalografie a strukturní analýza

Možnosti rtg difrakce. Jan Drahokoupil (FZÚ) Zdeněk Pala (ÚFP) Jiří Čapek (FJFI)

Chemie a fyzika pevných látek l

Lasery RTG záření Fyzika pevných látek

Fotoelektronová spektroskopie Instrumentace. Katedra materiálů TU Liberec

10/21/2013. K. Záruba. Chování a vlastnosti nanočástic ovlivňuje. velikost a tvar (distribuce) povrchové atomy, funkční skupiny porozita stabilita

Teorie rentgenové difrakce

Vybrané spektroskopické metody

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenografie, RTG prášková difrakce

Jiří Oswald. Fyzikální ústav AV ČR v.v.i.

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření

RTG difraktometrie 1.

(1 + v ) (5 bodů) Pozor! Je nutné si uvědomit, že v a f mají opačný směr! Síla působí proti pohybu.

1 Teoretický úvod. 1.2 Braggova rovnice. 1.3 Laueho experiment

Techniky prvkové povrchové analýzy elemental analysis

Metody analýzy povrchu

Fotonásobič. fotokatoda. typicky: - koeficient sekundární emise = počet dynod N = zisk: G = fokusační elektrononová optika

Pozitron teoretická předpověď

Metody analýzy povrchu

Detekce nabitých částic Jak se ztrácí energie průchodem částice hmotou?

Praktikum III - Optika

INTERAKCE IONTŮ S POVRCHY II.

Difrakce elektronů v krystalech, zobrazení atomů

4 ZKOUŠENÍ A ANALÝZA MIKROSTRUKTURY

Rentgenová spektrální analýza Elektromagnetické záření s vlnovou délkou 10-2 až 10 nm

RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) + ERDA (Elastic Recoil Detection) PIXE (Particle Induced X-ray Emission)

Charakterizace koloidních disperzí. Pavel Matějka

Elektronová mikroskopie II

Difrakce elektronů v krystalech a zobrazení atomů

Úvod do studia anorg. materiálů - MC240P33

Polovodičové detektory

Fyzika pro chemiky II

Fyzika IV. -ezv -e(z-zv) kov: valenční elektrony vodivostní elektrony. Elektronová struktura pevných látek model volných elektronů

Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic

Electron BackScatter Diffraction (EBSD)

Fourierovské metody v teorii difrakce a ve strukturní analýze

Experimentální laboratoře (beamlines) ve Středoevropské synchrotronové laboratoři (CESLAB)

HODNOCENÍ POVRCHOVÝCH ZMEN MECHANICKÝCH VLASTNOSTÍ PO ELEKTROCHEMICKÝCH ZKOUŠKÁCH. Klára Jacková, Ivo Štepánek

Stojaté a částečně stojaté vlny

18 Podmínky pro směry hlavních difrakčních maxim při difrakci na mřížkách

Praktikum školních pokusů 2

Studium tenkých mazacích filmů spektroskopickou reflektometrií

Princip metody Transport částic Monte Carlo v praxi. Metoda Monte Carlo. pro transport částic. Václav Hanus. Koncepce informatické fyziky, FJFI ČVUT

TECHNICKÁ UNIVERZITA V LIBERCI

Rentgenová difrakce a spektrometrie

Svazek pomalých pozitronů

1. Ze zadané hustoty krystalu fluoridu lithného určete vzdálenost d hlavních atomových rovin.

Elektronová mikroskopie a RTG spektroskopie. Pavel Matějka

Řešení: Nejdříve musíme určit sílu, kterou působí kladka proti směru pohybu padajícího vědra a napíná tak lano. Moment síly otáčení kladky je:

Program XPS XRD XRF. Martin Kormunda

SAXSpace. Modulární řešení analýzy nanostruktur. ::: Innovation in Materials Science

13. Spektroskopie základní pojmy

Úloha 1: Vypočtěte hustotu uhlíku (diamant), křemíku, germania a α-sn (šedý cín) z mřížkové konstanty a hmotnosti jednoho atomu.

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.

Měření absorbce záření gama

C Mapy Kikuchiho linií 263. D Bodové difraktogramy 271. E Počítačové simulace pomocí programu JEMS 281. F Literatura pro další studium 289

Analýza vrstev pomocí elektronové spektroskopie a podobných metod

Dualismus vln a částic

Daniel Franta. jaro Ústav fyzikální elektroniky, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita

Modulace a šum signálu

Glass temperature history

Metody povrchové analýzy založené na detekci iontů. Pavel Matějka

Anihilace pozitronů v letu

Společná laboratoř optiky. Skupina nelineární a kvantové optiky. Představení vypisovaných témat. bakalářských prací. prosinec 2011

Radiometrie, radiační metody

NANOSTRUKTURY NA BÁZI UHLÍKU A POLYMERU PRO VYUŽITÍ V BIOELEKTRONICE A V MEDICÍNE

Fyzikální korespondenční seminář UK MFF 22. II. S

Fyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM. Praktikum z pevných látek (F6390)

Krátká teorie. Monochromatická elektromagnetická vlna Intenzita světla Superpozice elektrických polí. Intenzita interferenčního obrazce.

CHAPTER 5 MODIFIED MINKOWSKI FRACTAL ANTENNA

Úvod do fyziky tenkých vrstev a povrchů. Typy interakcí, základy elektronové difrakce, metody LEED a RHEED

Metody charakterizace

Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)

Fotoelektronová spektroskopie ESCA, UPS spektroskopie Augerových elektronů. Pavel Matějka

EELS (Electron Energy Loss Spectrometry) a Electron Stimulated Desorption (ESD)

Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého

Charakteristiky optického záření

METODY ANALÝZY POVRCHŮ

CZ.1.07/2.2.00/ AČ (SLO/RCPTM) Detekce a zpracování optického signálu 1 / 30

Fotoelektrické snímače

Techniky mikroskopie povrchů

Elektronová Mikroskopie SEM

Měření šířky zakázaného pásu polovodičů

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

Aplikace barevného vidění ve studiu elastohydrodynamického mazání

Proč by se průmysl měl zabývat výzkumem nanomateriálů

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ

Na základě toho vysvětlil Eisnstein vnější fotoefekt, kterým byla platnost tohoto vztahu povrzena.

2. Difrakce elektronů na krystalu

Chemie a fyzika pevných látek p3

ZÁKLADNÍ ČÁSTI SPEKTRÁLNÍCH PŘÍSTROJŮ

(Umělé) osvětlování pro analýzu obrazu

Základy výpočetní tomografie

Metody pro studium pevných látek

Elementární částice. 1. Leptony 2. Baryony 3. Bosony. 4. Kvarkový model 5. Slabé interakce 6. Partonový model

c) vysvětlení jednotlivých veličin ve vztahu pro okamžitou výchylku, jejich jednotky

Transkript:

Přednáška 11 GISAX (Grazing-Incidence Small-Angle X-Ray Scattering)

Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering Rozptyl rengenovských fotonů pod malým úhlem první publikovaná idea 1986 tato oblast je omezená přímým svazkem a prvním difrakčním píkem wave vector transfer q=kf-ki

Grazing Incidence Small Angle X-ray Scattering Vhodné na popis morfologie povrchu A pro určení laterární distribuce morfologických útvarů nanočástic na povrchu Také lze určit změny hustoty elektronů na povrchu

Zdroj fotonů - Synchrotron X-ray svazek ionizuje vzduch

Synchrotron urychlené elektrony v ukládacím okruhu, produkují záření vedené do beamlines záření je velice intenzivní SOLEIL, Paříž, elektrony 2.75 GeV, délka okruhu 354 m http://www.synchrotron-soleil.fr/portal/page/portal/sourceaccelerateur

Reálné uspořádání měření

GISAX Výhoda techniky je schopnost analýzy pouze povrchu, protože svazek dopadů pod malým úhlem tedy jeho cesta i velice tenkou vrstvou je mnohem delší než při normálovém uspořádání experimentu to je ale také možné Lze také aplikovat insitu při růstu epitaxních povlaků pro přímou analýzu jejich růstu

Vhodné aplikace pole kvantových teček výzkum nestabilních struktur během růstu vrstvy samoorganizované povlaky blokových kopolymerů nanočástice

Princip plošný 2D detektor monochromatické rentgenové záření

Řezy uspořádáním experimentu pro ochranu detektoru odříznout pomocí beamstop

Teorie je poměrně obtížná světlo je rozptýleno ve směru kf pod úhlem (2θf, αf) viz obrázek na fluktuacích hustot stavů elektronů osvětlených svazkem rozptylový vektor q v prostoru je

Detekce obecně jsou rozptylové úhly malé jednotky stupňů pro GISAX vzdálenost detektoru cca 1 až 4m GIUSAXS utra malý úhel pak až 13 m detektor může být CCD kamera

Teorie - Intenzita signálu je dána vektorovou rovnicí F je tvarový faktor S je celková interferenční funkce Detailní teorie je popsány v dokumentaci modelovacího SW viz. http://lnwww.insp.upmc.fr/axe4/oxydes/isgisaxs/figur es/doc/manual.html

Tvarový vektor daný integrálem, to je ale pouze Fourierova transformace tvaru objektu někdy označován DWBA - distorted wave Born approximation

Rozptylové události nicméně je také třeba uvážit všechny možné rozptylové jevy (některé SW ještě uvažují další případy)

Tvarový faktor F simulated cylindrical form factor (R=5nm; H/R=1)

Tvarový faktor F simulated spherical form factor (R=5nm; H/R=2)

Tvarový faktor F Figure 6: simulated half-spherical form factor (R=5nm; H/R=1)

Tvarový faktor F simulated pyramidal form factor (R=5nm; H/R=1; φ= 54.73 )

Interferenční funkce S Kombinace vypočtených tvarových faktorů v DWBA spolu s celkovou interferenční funkcí dává celkový účinný průřez rozptylu

Interferenční funkce S imulated interference function (2Dhex,a=20 nm)

Interferenční funkce S hexagonal arranged cylinders (R=5nm; H/R=1; 2Dhex,a=20 nm)

Interferenční funkce S hexagonal arranged spheres (R=5nm; H/R=2; 2Dhex,a=20 nm)

Interferenční funkce S hexagonal arranged half spheres (R=5nm; H/R=1; 2Dhex,a=20 nm)

Polykrystalický materiál pro tenké vrstvy je typický tento patern

Analýza dat Jednodušší analýza se dá provést nikoliv pomocí kompexních 2D obrazců, ale jen pokocí out-of-plane záznamů. To jsou řezy ve směru qy a lze z nich určit analyzovat funkci S(qy). Rozptylovou křivku I(qy) získáme z řezu s konstantním qz v místě maxima (typicky Yoneda pík) a tyto informace vložíme do vhodného modelovacího SW např. GISAXS.

Analýza dat Pro určení tvarového faktoru F je nicméně nutné uvažovat vždy celý 2D obrazec aby poloměr R(y) ve směru povrchu byl reprezentativní. V prvním přiblížení lze uvažovat v out-of-plane analýze cylindrické objekty protože u nich qy nezávisí na na qy a ai. Tyto výsledky mohou být použity pro komplexní analýzu.

Příklad 3nm thick deposit of Pd on MgO(100)@700K. http://ln-www.insp.upmc.fr/axe2/oxydes/isgisaxs/isgisaxs.htm#gisaxs

Příklad Pt/ZrO2 reakce s CO katalizátory equivalent platinum thickness of 0.6 nm (3.23 1015 at cm2) TEM 500 nm x 500 nm Samples doi:10.1016/j.apsusc.2006.02.006

http://hasyweb.desy.de/science/annual_reports/2002_report/part1/contrib/46/7262.pdf Au nanočástice na povrchu polymerů 2x2 μm AFM image of gold nanoparticles (d=5nm), adsorbed on PS-P2VP Polymer brush (h= 7 nm), Z range - 10.8 nm strong interaction between the polymer brush (P2VP component) and the gold nanoparticles resulted in a reduction of the dominant length scale on the sample surface after the deposition of the gold.

Sloupcové samo organizované nanodisky CuS 14-20 nm in diameter and 5-7 nm thick GISAXS obtained from a nanodisk film on a silicon substrate. The horizontal streaks of the (00l) reflections indicate that the columns are oriented perpendicular to the substrate. 10.1021/nl062419e

Tvar a velikost kvantových teček z Ge Ge (15 nm) deposited on boron terminated Si(111) surfaces is shown to form relaxed triangular Ge pyramids with no orientational dispersion. AFM The PII S0040-6090(98)01290-5 triangles indicate the orientation of the islands with respect to the incident beam.

Kvantová tečka Quantum dot, ohraničená oblast polovodiče o průměru kolem 30 nm a výšce 8 nm, schopná v důsledku nižší energie ve srovnání s energií vodivostního pásu okolního polovodiče vázat elektrony. Ty mohou nabývat pouze diskrétních hodnot energie, podobně, jako je tomu u atomu. Kvantové tečky se využívají ve speciálních součástkách, které jsou schopny pracovat s jednotlivými elektrony či fotony. http://www.aldebaran.cz/glossary/print.php?id=549

Kvantové tečky http://www.chemicke-listy.cz/docs/full/2011_08_611-615.pdf

Blokové kopolymery A thin PS-PB film with a molar mass of 183 kg/mol, bulk lamellar period of 839 ± 13 Å, and a film thickness of 2320 Å. (a) Tapping mode AFM height image. I (b) GISAXS intensity map on a logarithmic scale. The incident angle was 0.20 at a photon energy of 8 kev. The vertical stripe down the middle of the GISAXS pattern is the shadow of the beamstop. Straight Bragg rods at q of 0.008 Å-1 indicate the formation of perpendicular lamellae.

Literatura http://www.gisaxs.de/ http://www.slac.stanford.edu/cgi-wrap/getdoc/slac-r