Moderní mikroskopie Elektronová mikroskopie (TEM, SEM) Mikroskopie skenující sondou

Podobné dokumenty
Moderní světelná a elektronová mikroskopie

Mikroskopické techniky

Nanoskopie Elektronová mikroskopie (TEM, SEM) Mikroskopie skenující sondou

TRANSMISNÍ ELEKTRONOVÁ MIKROSKOPIE

Techniky mikroskopie povrchů

C Mapy Kikuchiho linií 263. D Bodové difraktogramy 271. E Počítačové simulace pomocí programu JEMS 281. F Literatura pro další studium 289

TRANSMISNÍ ELEKTRONOVÁ MIKROSKOPIE

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

Proč elektronový mikroskop?

ELEKTRONOVÁ MIKROSKOPIE V TEXTILNÍ METROLOGII

Difrakce elektronů v krystalech a zobrazení atomů

Elektronová mikroskopie a mikroanalýza-2

Transmisní elektronová mikroskopie (TEM)

Elektronová mikroskopie II

Metody skenovací elektronové mikroskopie SEM a analytické techniky Jiří Němeček

Vlnová délka světla je cca 0,4 µm => rozlišovací schopnost cca. 0,2 µm 1000 x víc než oko

Difrakce elektronů v krystalech, zobrazení atomů

Základní pojmy a vztahy: Vlnová délka (λ): vzdálenost dvou nejbližších bodů vlnění kmitajících ve stejné fázi

Charakterizace materiálů I KFY / P224. Martin Kormunda

Technická specifikace předmětu veřejné zakázky

Elektronová Mikroskopie SEM

M I K R O S K O P I E

DIFRAKCE ELEKTRONŮ V KRYSTALECH, ZOBRAZENÍ ATOMŮ

MIKROSKOPIE JAKO NÁSTROJ STUDIA MIKROORGANISMŮ

Metody charakterizace

Elektronová mikroskopie a RTG spektroskopie. Pavel Matějka

Laboratoř charakterizace nano a mikrosystémů: Elektronová mikroskopie

V001 Dokončení a kalibrace experimentálních zařízení v laboratoři urychlovače Tandetron

3. Vlastnosti skla za normální teploty (mechanické, tepelné, optické, chemické, elektrické).

ELEKTRON JAKO VLNA VE VAKUU

LEED (Low-Energy Electron Diffraction difrakce elektronů s nízkou energií)

Kryogenní elektronová mikroskopie aneb Nobelova cena za chemii v roce 2017

Jak měřit NANO Nástroje pro měření a vyhodnocování nanostruktur

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření

Optická konfokální mikroskopie a mikrospektroskopie. Pavel Matějka

Typy světelných mikroskopů

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenografie, RTG prášková difrakce

Analýza vrstev pomocí elektronové spektroskopie a podobných metod

METODY ANALÝZY POVRCHŮ

Vakuový systém mikroskopu

SKENOVACÍ (RASTROVACÍ) ELEKTRONOVÁ MIKROSKOPIE

Nejdůležitější pojmy a vzorce učiva fyziky II. ročníku

Rastrovací elektronová mikroskopie

Viková, M. : MIKROSKOPIE II Mikroskopie II M. Viková

RTG difraktometrie 1.

Optické metody a jejich aplikace v kompozitech s polymerní matricí

M I K R O S K O P I E

4 ZKOUŠENÍ A ANALÝZA MIKROSTRUKTURY

Transmisní elektronová mikroskopie Skenovací elektronová mikroskopie Mikroskopie skenující sondou. Mikroskopické metody SEM, TEM, AFM

Optika pro mikroskopii materiálů I

Obrazovkový monitor. Antonín Daněk. semestrální práce předmětu Elektrotechnika pro informatiky. Téma č. 7: princip, blokově základní obvody

Základy mikroskopie. Úkoly měření: Použité přístroje a pomůcky: Základní pojmy, teoretický úvod: Úloha č. 10

Videosignál. A3M38VBM ČVUT- FEL, katedra měření, přednášející Jan Fischer. Před. A3M38VBM, 2015 J. Fischer, kat. měření, ČVUT FEL, Praha

DOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj

Chemie a fyzika pevných látek p2

Ionizační manometry. Při ionizaci plynu o koncentraci n nejsou ionizovány všechny molekuly, ale jenom část z nich n i = γn ; γ < 1.

CT-prostorové rozlišení a citlivost z

Zobrazovací metody v nanotechnologiích

Krystalografie a strukturní analýza

Mikroskopické metody Přednáška č. 3. Základy mikroskopie. Kontrast ve světelném mikroskopu

10/21/2013. K. Záruba. Chování a vlastnosti nanočástic ovlivňuje. velikost a tvar (distribuce) povrchové atomy, funkční skupiny porozita stabilita

Dodávka analytického rastrovacího elektronového mikroskopu s vysokým rozlišením vč. zařízení na přípravu vzorků pro projekt NTIS

REM s ultravysokým rozlišením JEOL JSM 6700F v ÚPT AVČR. Jiřina Matějková, Antonín Rek, ÚPT AVČR, Královopolská 147, Brno

Viková, M. : MIKROSKOPIE I Mikroskopie I M. Viková

Základní pojmy. Je násobkem zvětšení objektivu a okuláru

2. Určete frakční objem dendritických částic v eutektické slitině Mg-Cu-Zn. Použijte specializované programové vybavení pro obrazovou analýzu.

Viková, M. : MIKROSKOPIE V Mikroskopie V M. Viková

Historie světelné mikroskopie. Světelná mikroskopie. Robert Hook (1670) a Antonie van Leeuwenhoek (1670) zakladatelé světelné mikroskopie

Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)

ÚSTAV FYZIKÁLNÍ BIOLOGIE JIHOČESKÁ UNIVERZITA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH

Laboratorní úloha č. 7 Difrakce na mikro-objektech

Fotografický aparát. Fotografický aparát. Fotografický aparát. Fotografický aparát. Fotografický aparát. Fotografický aparát

Klíčová slova TEM, transmisní elektronový mikroskop, zlato, germanium, nanočástice, nanovlákna

VLNOVÁ OPTIKA. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Optika - 3. ročník

Rentgenová spektrální analýza Elektromagnetické záření s vlnovou délkou 10-2 až 10 nm

Princip rastrovacího konfokálního mikroskopu

F6450. Vakuová fyzika 2. Vakuová fyzika 2 1 / 32

EM, aneb TEM nebo SEM?

Domácí úlohy ke kolokviu z předmětu Panorama fyziky II Tomáš Krajča, , Jaro 2008

Ústav molekulární a translační medicíny LF UP holografický transmisní mikroskop

Rozdělení přístroje zobrazovací

Spektroskopické é techniky a mikroskopie. Spektroskopie. Typy spektroskopických metod. Cirkulární dichroismus. Fluorescence UV-VIS

Testování nanovlákenných materiálů

Struktura bílkovin očima elektronové mikroskopie

Geometrická optika. předmětu. Obrazový prostor prostor za optickou soustavou (většinou vpravo), v němž může ležet obraz

IONTOVÉ ZDROJE. Účel. Požadavky. Elektronové zdroje. Iontové zdroje. Princip:

MĚŘENÍ ABSOLUTNÍ VLHKOSTI VZDUCHU NA ZÁKLADĚ SPEKTRÁLNÍ ANALÝZY Measurement of Absolute Humidity on the Basis of Spectral Analysis

Metodologie přípravy vzorků pro transmisní elektronovou mikroskopii. Kateřina Hrubá

ANALYTICKÝ PRŮZKUM / 1 CHEMICKÉ ANALÝZY DROBNÝCH KOVOVÝCH OZDOB Z HROBU KULTURY SE ZVONCOVÝMI POHÁRY Z HODONIC METODOU SEM-EDX

(Umělé) osvětlování pro analýzu obrazu

Theory Česky (Czech Republic)

MŘÍŽKY A VADY. Vnitřní stavba materiálu

Chemie a fyzika pevných látek l

Video mikroskopická jednotka VMU

1. Millerovy indexy, reciproká mřížka

STANOVENÍ TVARU A DISTRIBUCE VELIKOSTI ČÁSTIC MODELOVÝCH TYPŮ NANOMATERIÁLŮ. Edita BRETŠNAJDROVÁ a, Ladislav SVOBODA a Jiří ZELENKA b

2. Difrakce elektronů na krystalu

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY KONTRAST V OBRAZE ZÍSKANÉM POMOCÍ IONIZAČNÍHO DETEKTORU VE VP SEM

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka

Profilová část maturitní zkoušky 2017/2018

Transkript:

Moderní mikroskopie Elektronová mikroskopie (TEM, SEM) Mikroskopie skenující sondou Doc.RNDr. Roman Kubínek, CSc. Katedra experimentální fyziky Přírodovědecké fakulty, Univerzita Palackého v Olomouci

Elektronová mikroskopie Transmisní elektronová mikroskopie (TEM a HRTEM) Skenovací elektronová mikroskopie (SEM)

Transmisní elektronová mikroskopie Transmisní Elektronový Mikroskop

Urychlené elektrony jako vlna ve vakuu Pohybující se elektron o energii E a hybnosti p má podle Lui de Broglieho teorie vlnovou povahu; tedy chová se jako vlna o: f = E h λ = frekvenci a vlnové délce, kde h je m v Planckova konstanta. e h Pro vlnovou délku elektronu odvodíme vztah V praxi pro výpočet λ při známé hodnotě U [V] λ = h 2m0eU 1 + eu 2m c 0 2 h 2m eu 0 Příklad: λ = 1,226 U [ nm] U= 10 kv λ = 0,01226 nm U= 100 kv λ = 0,0037 nm

Elektrony procházející preparátem Atomy stejného druhu v různě orientované krystalické mříži (v případě levého obrázku, prochází elektrony snadněji) Kontrast v obraze závisí mimo jiné na: orientaci krystalů v látce, na průměrném protonovém čísle atomů preparátu, na hustotě látky (počtu atomů v krystalické mříži). Pro transmitované elektrony: v případě obrázku vlevo bude obraz světlejší než v případě obrázku vpravo

Zviditelnění obrazu vytvořeného elektrony v TEM přeměnou kinetické energie elektronů na světlo pozorování, záznam dopadem elektronů na fotografickou emulzi záznam Přeměna energie elektronů na světlo Podobně jako v klasické TV obrazovce, elektrony bombardují stínítko opatřené luminoforem (fosfor, ZnS atd.) V komoře TEM, v její spodní části je oválné luminiscenční stínítko (fosfor zelená fosforescence), na němž vzniká celkový obraz Snímání obrazu speciální CCD kamerou - registrujeme změny intenzity jako ČB (šedotónový) obraz.

Digitální kamery pro elektronovou mikroskopii pro instalaci na 35 mm port Morada (11 MPixelů) MegaView III (6 MPixelů) Parametry: Rozlišení obrazu - 11 megapixelů Velikost pixelu - 9.0 x 9.0 µm Kmitočet pixelu - až 25 MHz Dynamický rozsah - 14 bitů Instalace kamery - příruba na širokoúhlém portu Připojení PC - technologie FireWireTM(IEEE 1394) Spřažení kamery - s optickými čočkami Vnitřní přenosový čip s elektronickým přerušovačem umožňuje extrémně krátké i extrémně dlouhé expoziční časy - 1 ms až 60 s. Morada dosahuje až 10 snímků za sekundu a frekvenci pixelu 24 MHz. CCD čip je chlazený Peltierovým způsobem a vzduchem a je stabilizovaný při 15 C, poskytuje velmi vysoký poměr signál/šum. Morada používá nové speciálně vyvinuté scintilátory, optimalizované pro 100 a 200 kev. Kamera má video výstup 640 x 408 pixelů (50 Hz PAL, 60 Hz NTSC).

Digitální kamery pro elektronovou mikroskopii Pro instalaci pod projekční komoru Keen View Černobílá CCD kamera s vysokým rozlišením instalovaná ve spodní části projekční komory mikroskopu v ose elektronového svazku. Uspořádání CCD čipu a účinného fosforového scintilátoru na principu optického vlákna. CCD typ: rychlost: 10 nebo 20 MegaPixel/s, dynamická plocha: 4096 odstínů šedi (12 bit), rozlišení: 1280 x 1024), Expozičníčas: 100 µs - 160 s. Chlazení kamery Peltierem na teplotu 10 o C, chlazení je součástí dodávky. Obrazová data jsou odesílána přes FireWireTM (IEEE1394), což eliminuje použití přídavného framegrabberu. Použití pro biologické aplikace a pro materiálový výzkum s požadavkem na vysoké rozlišení. Instalace: běžné transmisní mikroskopy FEI (Philips), LEO, Jeol

Konstrukce TEM Čtyři základní stavební a funkční prvky elektronového mikroskopu: zdroj elektronů (elektronové dělo), elektromagnetické čočky, Elektronové dělo preparátový stolek (držák, goniometr), vakuový systém. Systém elektromagnetických čoček a clon Preparátová komůrka Luminiscenční stínítko

Konstrukce TEM elektronové dělo zdroj elektronů: termoemisní zdroj přímo (nepřímo) žhavená katoda (2700 o C Wolframové vlákno vydrží měsíc) katoda LaB 6 (2100 o C hexaborid lanthanu vydrží rok) autoemisní (studený) zdroj (FEG) vydrží několik let Wehneltův válec (obklopuje katodu) potenciál -100 V Křižiště (zdroj elektronů, podobně jako vlákno žárovky) s průměrem cca 50 µm Urychlovací napětí 100 až 300 kv (obvyklá hodnota TEM)

Konstrukce TEM elektromagnetickéčočky elektromagnetická čočka průběh magnetického pole (aberace) (solenoid) Pro ohniskovou vzdálenost elektromagnetické čočky přibližně platí: 2 1 e 2 f = 8. m. U z z B zo ( z). dz Bz 0 magnetická indukce v místě z na ose 1 Výhoda: možnost měnit ohniskovou vzdálenost elmag. čočky změnou proudu ve vinutí cívky (solenoidu). Nevýhoda: Magnetické pole v dutině cívky (čočky) se mění (podle obrázku) a to vede k vadám zobrazení (sférická vada, chromatická vada)

Konstrukce TEM tubus TEM kondenzor fokusuje elektronové paprsky na preparát promítá křižiště elektronové trysky na preparát zajišťuje jeho homogenní a intenzivní ozáření) objektiv je určen k tvorbě obrazu (faktor zvětšení 50 100x) projektiv je tvořen dalšími čočkami, které určují výsledné zvětšení TEM a promítají obraz na stínítko Součástí elektronoptického systému v tubusu jsou clony: Clona kondenzoru odcloní mimoosové elektronové svazky Aperturní clona (součást objektivu) určuje aperturu elektronového svazku paprsků

Konstrukce TEM preparátová komůrka Držák vzorku 1. Přesný a jemný posun (krok nm) 2. Posun v osách x, y, z, 3. Rychlá výměna preparátu

Konstrukce TEM vakuový systém EM potřebuje vakuum: ve vzduchu je elektron absorbován, (dosah elektronového svazku EM ve vzduchu je max. 1 m) elektronové dělo musí být izolováno vakuem (vzduch není dobrý izolant), vzduch obsahuje molekuly O 2, N 2, CO 2 a hydrokarbonáty, které způsobují kontaminaci tubusu a vzorku. Běžné hodnoty tlaku atmosférický tlak 0,1 MPa (10 5 Pa) tlak v kosmickém prostoru 10-7 Pa Vakuum v preparátové komůrce 10-5 Pa Vakuum v prostoru katody 10-5 Pa (pro LaB 6 ), 10-7 Pa (FEG) Vakuum v prostoru stínítka 10-3 Pa (je zde film pro záznam obrazu) Vakuový systém EM je tvořen řadou ventilů spojených s vývěvami

Konstrukce TEM vakuový systém Schema vakuového systému moderního TEM 3 oddělené vakuované komory 1. prostor katody 2. prostor preparátu 3. projekční komora Typy vývěv: rotační vývěva (předvakuum) difúzní olejová vývěva iontová (Ti sublimační, 100 litrů/s) turbomolekulární Měření vakua: měrkami Piraniho typu Cyklus vzduchem uzavíratelných ventilů (čerpání rotačními vývěvami cca 30 s.) Čerpání preparátové komory s výměnou vzorku trvá několik minut. Pro kryoaplikace (biologické vzorky) je nutné odstranit usazování ledu na povrchu vzorku (kryostat s LN 2 )

Základní pracovní režimy TEM Světlé a temné pole Difrakce TEM vysokého rozlišení TEM Tomografie Rentgenová mikroanalýza

Metoda světlého a tmavého pole Světlé pole - standardní režim zobrazení rovina preparátu Na tvorbě obrazu se podílí paprsky přímo procházející preparátem, boční difrakční maxima jsou zachycena aperturní clonou. aperturní clona (v obrazové ohniskové rovině objektivu)(obvykle 4 8 průměrů AC) Obraz světlého pole krystalu MnO (krystaly leží na tenké C vrstvě na měděné síťce) Temné pole vysunutím AC excentricky mimo osu, necháme procházet preparátem pouze paprsky 1. difrakčního maxima. Použití pro zvýšení kontrastu krystalických materiálů

TEM jako difraktograf 1. pro identifikaci krystalů, 2. pro stanovení orientace krystalu. Difrakční obrazec vzniká v obrazové ohniskové rovině objektivu (podobnost se SM) projektiv je pro sledování obrazu zaostřen na rovinu obrazu vytvořeného objektivem. Pro studium difraktogramů je nutné přeostřit Pr na OOR. Příklad: dva typy elementárních buněk dvě roviny (vzdálenost rovin 1/2 délky elementární buňky) Pro horizontální směr: čtyři roviny (1/4 el.buňky) Pro dvě roviny reciproká vzdálenost = 2 (dva body ve dvojnásobné vzdálenosti od středu), Pro čtyři roviny reciproká vzdálenost = 4 (čtyřnásobná vzdálenost od středu) Při započítání ostatních směrů dostaneme 3D síť mřížových bodů Difraktogram Si difraktogram Si 3 (hexagonální symetrie)

HRTEM - elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením Splnění několika podmínek: 1. náklon vzorku tak, aby umožnil průchod elektronového svazku podél uspořádaných atomů (viz. obrázek atomů v mřížce), 2. použití apertury s velmi malým průměrem pro dosažení úzkého elektronového paprsku, 3. zpravidla se používá vyšší urychlovací napětí (nad 300 kv). TEM obraz atomů Si s vysokým rozlišením vzdálenost mezi atomy (bližšími) 0,14 nm skutečná struktura (vlevo nahoře) Azbestová vlákna na síťce struktura azbestu s vysokým rozlišením

HRTEM (High Resolution Transmission Electron Microscopy)

TEM tomografie Co je třeba k získání 3D informace? Každý obrázek je 2D projekcí z 3D objektu

Jak získat 3D informaci v TEM? Stereo zobrazování (TEM) Dva stejné obrázky získané při různých náklonech dávají stereo obraz Nevýhoda je omezená hloubka ostrosti Série řezů (TEM) Sestavení 3D obrazu ze série řezů jejich složením Nevýhoda: značná doba pořízení dílčích řezů a jejich analýza. Dochází ke ztrátě obrazových dat Tomografie (TEM) Získání série obrazových dat z náklonu vzorku a jejich 3D softwarová rekonstrukce Výhoda: + rychlost (limitovaná rychlostí zpracování dat v PC + obraz s vysokým rozlišením (5 nm)

TEM Tomografie - princip Automatizovaný sběr r dat Objemová rekonstrukce obrazu 3D Vizualizace

TEM Tomografie - princip Pořízení obrazů při náklonu Seřazení projekcí Rekonstrukce Vizualizace a analýza

TEM Tomografie - princip Pořízení obrazů při náklonu Seřazení projekcí Rekonstrukce Vizualizace a analýza obrazu

TEM Tomografie - princip Pořízení obrazů při náklonu Seřazení projekcí Rekonstrukce Vizualizace a analýza obrazu

TEM Tomografie - princip Plně automatizovaný sběr dat 30 60 min. Rekonstrukce 10 min. Objemové rozpoznání 90 min. Bakteri terie (Movie 9 sec.) Courtesy: Dr. Kobayashi, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Osaka, Japan

Příprava preparátů pro TEM Hlavní cíl: Získat morfologickou informaci (reprodukovatelným způsobem) se snahou potlačit jakékoliv artefakty preparátu. Tenká transparentní fólie pro zachycení ultratenkých řezů tkání nebo suspenze částic uhlíková fólie 20 až 50 nm, plastická fólie (Formvar ředěný v etylendichloridu <0,5%) 20 nm Podmínka: stabilita při prozařování elektrony, nízká zrnitost, kontrast porovnatelný se vzorkem. Příprava plastické fólie je snadnější nežčisté C vrstvy (pro HRTEM je vhodnější C fólie) Síťka pro TEM pevná podpora pro fólie (řezy) vyrobená z Cu (antiferomagnetikum) Mesh 100 (100 čar/palec) Označení MESH Mesh 400

Příprava preparátů pro TEM Postup nanesení fólie na síťku a sklíčko ponořit do roztoku s Formvarem b vysušení v bezprašném prostředí c fólie splavená na hladinu vody d síťka na proužku papíru pod fólii Příprava uhlíkové fólie

Příprava preparátů pro TEM Ultratenké řezy Vrstvou o tloušťce 100 nm (biologický preparát o ρ = 1 g.cm -3 ) prochází 50 % elektronů při UN = 50 kv není možné pozorovat celé buňky. Obvyklá tloušťka tenkého řezu 50 nm. Pro řezání musí být tkáň speciálně připravena: odběr tkáně (krájení v kapce fixáže na polyetylénu) nebo buněk (přímo do fixativa) fixace odvodnění kontrastování zalití do bločků krájení

Zalévání vzorku do bločku Ultratenké řezy Vlastnosti ideální zalévací hmoty (Durcupan, Vestopal, ): rozpustnost v etanolu nebo acetonu před polymerizací, neovlivňuje chemicky vzorek, nezpůsobuje pnutí ve vzorku, homogenně tuhá, ale dostatečně plastická, stabilní při ozařování elektronovým paprskem. Bloček tkáně je párátkem přenesen na dno želatinové kapsle a zalit zalévací hmotou. Ořezání bločku do tvaru komolého jehlanu Ploška by měla mít velikost 0,5 mm

Ultramikrotomie Ultratenké řezy

Stínování těžkými kovy Zvýraznění povrchové topografie odpařováním kovu ze strany latexové kuličky (0,3 µm) stínované a) Au b) Au Pd Kovy používané na stínování: vysoká hustota, inertnost vzhledem k chemickým vlivům a teplotě, Au, Pd, Cr, Ni, Ge, Pt, U. Cr pod 5 nm vykazuje granularitu. Slitina Pt-Pd (3:1) je vhodnější nežčistá platina. Slitina dává tloušťku 0,3 1,5 nm.

Repliky Vzorky silnější než 0,1 µm nemohou být studovány v TEM (rozptyl, absorpce). Metoda povrchových replik spočívá v otisku povrchu do tenkého filmu transparentního pro elektrony (C, Formvar atd.). Tloušťka repliky je cca 20 nm. Z důvodu malého kontrastu je dodatečně stínována. Negativní replika Způsob vytváření replik: a - rozpuštěním vzorku b - odtržením z povrchu a odstraněním pásky Nanesení plastického (nebo C) filmu, sloupnutí (obtížné), stínování Pozitivní replika postup přípravy pozitivní repliky

Metody mrazového sušení, lomu a odpařování (Freeze Drying/ Fracturing/ Etching) Freeze drying zmražení v LN 2 sublimace ledu ve vakuu porovnání sušení na vzduchu a metodou Freeze Drying (zabrání se agregaci částic) Při mrazovém sušení buněk může být jako mezistupeň zařazeno nanesení uhlíkového filmu pro dosažení lepšího kontrastu

Freeze fracturing (etching) Metody umožňují zkoumání objektů ve zmraženém stavu. Odpadá fixace chemickými činidly (a tedy možných chemických reakcí se vzorkem). Rozlišení je dáno zrnitostí nanášeného kovu, z něhož je vyrobena replika. Freezing Kousek tkáně (buněčné suspenze) je rychle zmražen (LN 2 ) a přenesen do vakuovaného prostoru s nízkou teplotou. Fracturing Zmrzlá tkáň je zchlazeným nožem obnažena (zlomena) a dochází k sublimaci ledu z povrchu (-90 o C) do hloubky 10 30 nm.vytvoří se reliéf povrchu. Povrchová topografie kopíruje buněčné membrány a organely. Povrch se bezprostředně stínuje kovem a nanáší se C film pro vytvoření repliky. Postup: a. izolace tkáně b. zmražení c. mrazový lom d. sublimace ledu e. stínování a příprava repliky f. čištění repliky

Transmisní elektronová mikroskopie (TEM) JEM 2010 (JEOL) Transmisní elektronová mikroskopie (TEM) je zobrazovací technikou využívající průchodu urychlených elektronů vzorkem a jeho zobrazení na fluorescenčním stínítku nebo záznamu na film nebo speciální CCD kameru. Podle zvoleného urychlovacího napětí je možné měřit velikosti nanočástic do 0,1 nm. Aplikace: stanovení velikosti a distribuce částic, morfologie nanočástic, chemického složení, krystalické struktury. Rozlišovací mez 0.194 nm Urychlovací napětí: 80 200 kv Zvětšení: 50 1,500 000