Title: IX 8 7:40 (1 of 7)

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Title: IX 8 7:40 (1 of 7)"

Transkript

1 P N (PN) PŘECHOD P N přechod lze realizovat pouze z POLOVODIČŮ. Jedná se o materiál, který musí mít dokonalý krystal bez příměsí a nečistot (čistota musí být lepší než 99,9999 %). Czochralského metoda tvorby monokrystalu: Podívejme se nejprve na to, jakým způsobem získáváme výchozí materiál pro výrobu polovodičových součástek čistý monokrystalický křemík. Čistota materiálu je také jedním ze základních požadavků na materiál pro výrobu polovodičových součástek. Uvědomíme li si, že intrinsický materiál, tj. materiál bez příměsí, obsahuje jeden pár elektron díra na zhruba 10 9 atomů, pak nečistota, tj. koncentrace příměsí, řádu 10 9 zvýší koncentraci nosičů náboje dvakrát. Běžná čistota tzv. spektrálně čistých plynů, se měří v jednotkách ppm (particle per milion), tj. v jednotkách Jediná jednotka ppm by tedy zvýšila koncentraci nosičů, a tedy i vodivost polovodičového materiálu, tisíckrát. Jinak řečeno, v polovodičovém průmyslu, dnes braném jako zcela běžnou součást našeho života, se jedná o čistoty zhruba tisíckrát lepší, než bylo běžné v dřívější praxi. Je zřejmé, že elektrická vodivost je velmi dobrým indikátorem čistoty, a že zájem o polovodičový materiál byl příčinou intenzívní snahy o vyřešení problému purifikace materiálu. Představme si tedy, že máme vyrobit z purifikovaného křemíku ve formě drobných zrn monokrystalický materiál vhodný pro planární technologii. Metoda výroby tohoto materiálu (ingotu) je znázorněna na obrázku 4.1 a byla nazvána Czochralského (čti čochralského) metodou. Je to metoda pomalého tažení monokrystalického ingotu z taveniny výchozího materiálu, tedy křemíku. Křemík je umístěn v grafitové válcové nádobce v nádobě z křemenného skla. Křemenné sklo je voleno ze dvou důvodů; jednak vydrží velmi vysokou teplotu, jednak jsou v něm malé dielektrické ztráty. Válcová nádobka, ve které je křemík umístěn, je ohřívána na potřebnou teplotu pomocí tzv. indukčního ohřevu. K takovému ohřevu potřebujeme výkonový vysokofrekvenční generátor, s frekvencí typicky 500 khz a výkonem několika kw. Energii z generátoru pak vedeme přes obvod přizpůsobující impedanci generátoru impedanci zátěže (vzpomeňte si například z úvodu; výkon dodaný ze zdroje do zátěže je maximální, má li zátěž odpor stejný jako je vnitřní odpor zdroje; tento závěr se dá zobecnit na obecnou impedanci tak, že výkon do zátěže je maximální, jsou li reálné složky vnitřní impedance zdroje a zátěže stejné a imaginární složky impedance zdroje a zátěže mají opačné znaménko) na primární vinutí vysokofrekvenčního transformátoru, které je navinuto zvnějšku válcové křemenné nádoby. Sekundár tohoto transformátoru tvoří grafitová nádobka, ve které je křemík umístěn. Při správném přizpůsobení dostaneme tak značnou část výkonu generátoru do tohoto sekundárního závitu (dielektrické ztráty v křemenném skle jsou malé, takže sklo se energií z generátoru přímo neohřívá; ohřívá se však radiací od grafitové nádobky) a to má za následek, že nádobku ohřejeme na teplotu potřebnou k roztavení křemíku. Vzhledem k tomu, že proces probíhá v inertní atmosféře, křemík se neoxiduje a je možné s ním pracovat ve stavu taveniny. Shora do nádobky s křemíkem zasahuje osa, na jejímž dolním konci je umístěn tzv. zárodečný krystal. Je to kus monokrystalického materiálu válcového tvaru s takovým průměrem, který chceme vyrábět. Konec zárodečného krystalu se nejprve ponoří do taveniny a pak se za pomalého otáčení z taveniny vytahuje. Výsledkem této činnosti je ingot křemíku válcovitého tvaru, ve kterém je relativně málo poruch krystalové mříže. Title: IX 8 7:40 (1 of 7)

2 Růst monokrystalu je počáteční operací. Vstupní polykrystalický křemík s přídavkem malého množství dopantu, který určuje elektrické vlastnosti výsledného produktu, je roztaven v křemenném kelímku a do taveniny je ponořen monokrystalický zárodek. Regulací rychlosti tažení, teploty taveniny, otáček a řady dalších technologických parametrů se docílí toho, že atomy křemíku se postupně zabudovávají do přesně definovaných poloh v krystalové mřížce a tvoří monokrystal o požadovaném průměru a vlastnostech. Hodnocení parametrů se provádí po odřezání začátku a konce krystalu na kontrolních deskách. Části krystalu splňující specifikaci se obrousí na požadovaný průměr. Řezání monokrystalu je další operací, při níž se krystal rozčlení na jednotlivé desky, a to buď technologií řezání na pilách s vnitřním diamantovým bortem nebo tzv drátových řezačkách, kde se zpracovává celý díl krystalu najednou. Zaoblování ostrých hran desek po nařezání zabraňuje vzniku výštipků a lomů při následných operacích. Profilování okraje se děje pomocí diamantového kotoučku s drážkou požadovaného tvaru. Oboustranné lapování pomocí jemné suspenze kysličníku hlinitého odstraňuje z povrchu desek větší část narušení z řezání a zlepšuje geometrické parametry jako jsou planparalelita a rovinnost. Title: IX 17 12:06 (2 of 7)

3 Leptání ve směsi kyselin odstraňuje zbytkové narušení po lapování. Úpravy zadní strany desek se provádějí na většině produkce Si desek. Dle požadavků zákazníků na jednotlivé produkty se jedná o: depozice polykrystalického křemíku na zadní stranu nebo narušení zadní strany desek pískováním za účelem zvýšení getrační schopnosti desek depozice vrstvy oxidu křemičitého na zadní stranu jako prevence autodopingu během nanášení epitaxní vrstvy Leštění je kombinací chemických a mechanických procesů, které dávají přední straně desek zrcadlově lesklý povrch v kvalitě potřebné pro současnou výrobu polovodičových součástek. Poté desky procházejí sérií chemických a mechanických čistících kroků, při nichž se ostraňují zbytky leštící suspenze, stopové kontaminace i prachové částice. Část leštěných desek je po vizuální kontrole zabalena a distribuována přímo zákazníkům, část pokračuje na operaci epitaxe. Epitaxní vrstva je velmi tenká vrstva rovněž monokrystalického křemíku, která se deponuje na základní monokrystalickou desku. Jedná se o ultračistou vrstvu z pohledu nečistot s velmi přesným obsahem elektricky aktivního dopantu. Title: IX 17 12:10 (3 of 7)

4 Vytahováním ingotu z taveniny ubíráme ovšem materiál z grafitové nádobky, proto jej musíme přidávat; jeden z možných způsobů je přidávání materiálu do taveniny ve formě zrníček, pelet. Průměr monokrystalického ingotu rostl v průběhu vývoje s tím, jak se zlepšovalo know how této metody; od cca jednoho centimetru v počátcích polovodičové éry až po dnešní ingoty s průměrem okolo centimetrů. Je zřejmé, že během výroby těchto monokrystalických ingotů je možné do taveniny přidávat definované množství žádoucích příměsí, takže vytvořený monokrystalický materiál pak bude typu P nebo N. Takto připravený materiál je ingot válcovitého tvaru a je tedy nutné z něj připravit destičky tenké cca 0,2 mm, které jsou potřeba pro vlastní výrobu polovodičových prvků. Ty se dostanou rozřezáním válcového ingotu v rovině kolmé na jeho osu pomocí tzv. diamantové pily, což je okružní pila s listem ve tvaru tenké kruhové ocelové folie, na které je z obou stran přitmelen diamantový prášek. Pak následuje leštění povrchu těchto křemíkových kotoučků (zvaných salámky, neboť vypadají jako na plátky nakrájený salám) na takovou rovinnost, aby případné nerovnosti povrchu byly srovnatelné s vlnovou délkou viditelného světla. Tento proces je běžný z optického průmyslu a tedy nevyžaduje podrobnějšího popisu; leští se mechanicky pomocí brusných past s postupně menšími a menšími zrny až povrch křemíkové destičky připomíná dobré opticky přesné zrcadlo. P N přechod vzniká dotací pětimocných a třímocných prvků. Křemík je čtyřmocný pokud přidáme pětimocný prvek, přebyde elektron vzniká polovodič s vodivostí N elektronovou vodivostí. Pětimocné příměsi se nazývají donory dárci. Title: IX 8 7:27 (4 of 7)

5 DIODY Polovodičové prvky, obsahují jeden přechod P N. + A K IF UR[V] Uf, If propustný směr Ur,Ir závěrný směr IR IRmax UF [V] P N Druhy diod: usměrňovací LED diody fotodiody tunelové (Esakiho) diody Zenerovy diody Schottkyho diody kapacitní diody (varikapy, varaktory) Usměrňovací diody: slouží k usměrnění střídavého proudu či napětí průmyslových kmitočtů (50 Hz, 400 Hz, 800 Hz; spínané zdroje až 16 khz). Musí být dostatečně proudově a napěťově dimenzované, nemusí být rychlé mohou mít libovolnou kapacitu přechodu. Materiál křemík (Si), výjímečně germanium (Ge) menší napětí v propustném směru (cca 0,3 V proti 0,7 V Si), mají ale větší závěrný proud. LED diody: jsou to "svítící" diody. Světlo nevzniká jako u žárovky teplem, ale rekombinací nosičů náboje, kdy se uvolňuje foton a fonon. Vlnovou délku neurčuje světelný filtr, ale materiál. Vlnová délka je přesná, nevzniká spektrum světelného záření. Materiálem jsou tzv. intermetalické slitiny GaAs, GaP, GaInP,... Běžná závěrná napětí Ur jsou kolem 10 V, propustná Uf jsou kolem 2 3 V, proudy kolem ma. Bodové, rozptylky (podle pouzdra), laserové diody mají skleněnou čočku k dosažení koherence paprsku. Barvy: červená, zelená, oranžová, modrá, žlutá, bílá, IR. Fotodiody: na rozdíl od LED diod při dopadu světla generují napětí. Materiál nejčastěji Si. Nebo také mění vlastnosti propustnost v propustném směru. Tunelové diody: vyrábí se z dotovaného Ge nebo GaAs. Proti obyčejné diodě má V A charakteristiku jinou. Tunelová (Esakiho) dioda je dioda využívající tunelový jev v propustném směru který je vyvolaný stavem degenerace zvyšováním koncentrací při kterém Fermiho energetické hladiny přecházejí až do valenčního, respektive vodivostního pásu. Title: XII 21 7:57 (5 of 7)

6 If Ip Iv Pp Pv Ur [V] Up ~ 0,1 V 0,3 Uv ~ 0,27 V Uf [V] Ir Dioda vede přímo úměrně se zvyšováním anodového napětí do bodu Ip. Potom se zvyšováním napětí proud klesá až do Iv. Potom se V A charakteristika rovná normální diodě. Stabilizační (Zenerovy) diody: využívají tunelového nebo lavinového průrazu v závěrném směru. Dynamický odpor závisí na stabilizovaném napětí. Teplotní koeficient u tunelového průrazu je záporný (snižuje se šířka zakázaného pásma), u lavinového průrazu kladný (zmenšuje se počet nosičů). Teplotní koeficient může být nulový mezi oběma typy průrazů. Při přechodu lavinový průraz šum šumové diody, při vyšším napětí klesá. If Ur [V] Výkonové omezení Ir Ir max Uf [V] Nejedná se o destruktivní průraz, nýbrž o nedestruktivní lavinov ý. Zenerovy diody jsou navrhovány a konstruovány tak, aby závěrná část VA charakteristiky měla ostře vyjádřené průrazné napětí U R(BR). Pracovní oblast těchto diod leží v oblasti elektrického nedestruktivního průrazu, kdy se při velkých změnách proudu mění hodnota Zenerova napětí U Z jen velmi málo. S ohledem na skutečnost, že vodivost polovodičů je silně závislá na teplotě, zahrnujeme její vliv na chování součástek pomocí teplotního součinitele, definovaného vztahem KZ = ΔU / Δθ 100 / U [%; K 1]. Teplotní součinitel pro oblast závěrných napětí může být jak kladný, tak záporný, resp. roven nule. Lze zhruba říci, že tam, kde převládá Zenerův mechanismus průrazu, tj. pro U Z < 6 V je KZ < 0. Pracovní oblastí Zenerových diod rozumíme VA charakteristiku v závěrném směru. Z průběhu VA charakteristiky Zenerovy diody je zřejmé, že diferenciální odpor v její pracovní oblasti je velmi malý. Zenerova dioda je křemíková plošná dioda se slitinovým nebo difuzním přechodem, jejíž závěrná část charakteristiky se vyznačuje ostrým zlomem při Zenerově napětí. Charakteristika v přímém směru je shodná s charakteristikou běžné polovodičové diody. Prahové napětí je 0,70 až 0,72 V. Pracovní oblast leží v oblasti elektrického nedestruktivního průrazu, nesmí však překročit maximální ztrátový výkon PZ. Zenerův jev se uplatňuje pouze na velmi tenkých přechodech, příslušné napětí diod je do 6 V. Title: IX 13 7:29 (6 of 7)

7 Kapacitní diody Varikapy Provozní napětí je omezeno z jedné strany malým napětím v přímém směru a z druhé strany průrazným napětím přechodu. Rozsah pracovních napětí bývá od 1 V do 30 V. Těmto hodnotám odpovídá rozsah kapacit od 20 až 100 pf do 2,5 až 10 pf. Poměr maximální a minimální kapacity se pohybuje v rozmezí 2,5 až 6, u speciálních až 20. Pro výrobu se používá nejčastěji křemík, pro vysokofrekvenční varikapy Ge nebo GaAs. Varikap mění hodnotu kapacity v závislosti na ss. napětí. Přiváděné amplitudy vf. signálu jsou relativně malé, takže změna kapacity je prakticky lineární. Používají se místo ladících kondenzátorů v rozhlasových a televizních přijímačích a lze je zapojovat v oscilátorech pro dolaďování. Varaktory Varaktory pracují s velkým signálem, takže dochází k velké změně kapacity. Vzhledem k nelinearitě vznikají vyšší harmonické složky. Stejnosměrné předpětí se zpravidla nepřivádí. Vyrábějí se i planárněepitaxní technologií. Rozsah kmitočtů 30 MHz až 10 GHz. V současné době se užívají pro parametrické zesilovače, násobiče kmitočtu, pro ladění Gunnových a tranzistorových oscilátorů. Varaktor musí mít malý tepelný odpor. Varaktor lze provozovat i jako varikap (obráceně to neplatí). Schottkyho dioda Schottkyho dioda je součástka, která využívá usměrňovací vlastnost přechodu MN (kov polovodič). Velkou výhodou tohoto přechodu je, že v něm nedochází k injekci minoritních nosičů náboje. Vedení proudu je realizováno pouze majoritními nosiči, což přináší řadu výhod. Schottkyho přechody mají v přímém směru menší úbytky napětí než přechod PN. Z polovodiče N přecházejí do kovu tzv. horké elektrony z vrcholu energetické bariéry, které v kovu ztrácejí přebytek své energie. To předurčuje Schottkyho diody pro zpracování signálů s vysokými kmitočty. Pro výrobu Schottkyho diod se nejčastěji používá křemík nebo GaAs. Základ struktury tvoří destička silně dotovaného polovodiče N+. Na ní se epitaxí nanese vrstva typu N. Kontakt kov polovodič se vytváří napařování. Epitaxní slabě dotovaná vrstva zajišťuje diodě dobré závěrné vlastnosti, silně dotovaná vrstva pak dobrý ohmický kontakt a malý sériový odpor. Schottkyho diody se používají v aplikacích pro velmi vysoké frekvence, kde nahrazují hrotové diody, proti nimž mají lepší mechanickou pevnost, reprodukovatelnost při výrobě, menší šum a vyšší závěrné napětí. Vzhledem k rychlým spínacím časům a malému napětí v průchozím směru jsou Schottkyho diody užívány ve spínačích s dobou sepnutí jednotky ns i menší, jako ochranné prvky a jako součástky rychlých logických integrovaných obvodů. Malé napětí v přímém směru umožňuje využívat Schottkyho diod ve výkonové technice jako usměrňovače a spínače s větší energetickou účinností, menšími rozměry a hmotností než klasické diody. Jedním z nedostatků je menší závěrné napětí (průrazné napětí 10 až 150 V). Vysokofrekvenční a spínací diody Uvedené diody se používají v zapojeních, která pracují na vysokých kmitočtech nebo v impulzním režimu. Proto musí vykazovat velmi krátkou hodnotu zotavovací doby trr < 500 ns, z čehož vyplývá hodnota bariérové kapacity Cb řádově pf. S ohledem na rozsah přenášených kmitočtů je třeba, aby tyto diody vykazovaly malou hodnotu kapacity přechodu PN v závěrném směru a zároveň nízkou hodnotu difuzního napětí. Uvedené podmínky musí být splněny v případě požadavku detekce, resp. usměrnění VF signálu o malé hodnotě amplitudy. Title: IX 13 9:49 (7 of 7)

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

Neřízené polovodičové prvky

Neřízené polovodičové prvky Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou

Více

1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace.

1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace. 1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace. Vypracoval: Vojta Polovodiče: Rozdělení pevných látek na základě velikosti zakázaného pásu. Zakázaný pás

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Charakteristiky optoelektronických součástek

Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel

Více

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy

Více

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO

Více

Polovodiče. Co je polovodič? Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8

Polovodiče. Co je polovodič? Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8 Polovodiče Co je polovodič? 4 Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8 10 Ω m. Je tedy mnohem větší než u kovů, u kterých dosahuje intervalu 6 10

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

Zdroje napětí - usměrňovače

Zdroje napětí - usměrňovače ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

Oscilátory Oscilátory

Oscilátory Oscilátory Oscilátory. Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různých období vývoje a za zcela odlišných podmínek):

Více

Elektřina a magnetizmus závěrečný test

Elektřina a magnetizmus závěrečný test DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-20 Téma: závěrečný test Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: TEST - A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník TEST Elektřina a magnetizmus závěrečný

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Speciální metody obrábění

Speciální metody obrábění Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: Základy výroby druhý M. Geistová 6. září 2012 Název zpracovaného celku: Speciální metody obrábění Speciální metody obrábění Použití: je to většinou výkonné beztřískové

Více

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů

Více

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

Více

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory 1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

Polovodičové součástky

Polovodičové součástky Polovodičové součástky Základní materiály používané pro výrobu polovodičových součástek jsou čtyřmocné prvky křemík a germanium (obr. 1a). V krystalové mřížce jsou atomy těchto prvků tak uspořádány, že

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: počítačové

Více

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.3665 Šablona: III/2 č. materiálu: VY_32_INOVACE_127 Jméno autora: Mgr. Eva Mohylová Třída/ročník:

Více

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí Usměrňovače slouží k převedení střídavého napětí, nejčastěji napětí na sekundárním vinutí síťového transformátoru, na stejnosměrné. Jsou

Více

Fotovoltaické systémy

Fotovoltaické systémy Fotovoltaické systémy Prof. Ing. Vitězslav Benda, CSc ČVUT Praha, Fakulta elektrotechnická katedra elektrotechnologie 1000 W/m 2 Na zemský povrch dopadá část záření pod úhlem ϕ 1 6 MWh/m 2 W ( ϕ) = W0

Více

Parametry a aplikace diod

Parametry a aplikace diod Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Lasery optické rezonátory

Lasery optické rezonátory Lasery optické rezonátory Optické rezonátory Optickým rezonátorem se rozumí dutina obklopená odrazovými plochami, v níž je pasivní dielektrické prostředí. Rezonátor je nezbytnou součástí laseru, protože

Více

3.5. Vedení proudu v polovodičích

3.5. Vedení proudu v polovodičích 3.5. Vedení proudu v polovodičích 1. Umět klasifikovat látky podle vodivosti. 2. Seznámit se s fyzikálními vlastnostmi polovodičů, jejíž poznání vedlo k bouřlivému pokroku v elektronickém průmyslu. 3.5.1.

Více

Měřicí řetězec. měřicí zesilovač. převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku

Měřicí řetězec. měřicí zesilovač. převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku Měřicí řetězec fyzikální veličina snímač měřicí zesilovač A/D převodník počítač převod fyz. veličiny na elektrickou (odpor, proud, napětí, kmitočet...) převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku

Více

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole 13. VYSOKOFREKVENČNÍ RUŠENÍ 13.1. Klasifikace vysokofrekvenčního rušení Definice vysokofrekvenčního rušení: od 10 khz do 400 GHz Zdroje: prakticky všechny zdroje rušení Rozdělení: rušení šířené vedením

Více

Usměrňovač. Milan Horkel

Usměrňovač. Milan Horkel MLB Usměrňovač Milan Horkel Článek se zabývá tím, jak pracuje obyčejný usměrňovač napájecího zdroje. Skutečné průběhy napětí vypadají poněkud jinak, než bývá v učebnicích nakresleno.. Změřené průběhy Obrázek

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

Polovodiče - s jedním PN přechodem (dvojpóly) Polovodič a PN přechod. VA charakteristika. Propustný x Závěrný směr.

Polovodiče - s jedním PN přechodem (dvojpóly) Polovodič a PN přechod. VA charakteristika. Propustný x Závěrný směr. olovodiče - s jedním přechodem (dvojpóly) Dioda detekční, spínací a usměrňovací Zenerona dioda Kapacitní dioda LED (svíticí dioda) olovodičový LASER olovodič a přechod m.n. = elektrony m.n. = díry pohyb

Více

2. Zdroje a detektory světla

2. Zdroje a detektory světla 2. Zdroje a detektory světla transmitance (%) Spektrální rozsah Krátkovlné limity: Absorpce vzduchu (O 2,N 2,vodní pára) - 190 nm Propustnost optiky Spektrální rozsah zdroje vlnová délka (nm) http://www.hellma-analytics.com/text/283/en/material-and-technical-information.html

Více

Součástky s více PN přechody

Součástky s více PN přechody Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak

Více

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY CZ.1.07/1.1.06/01.0043 Tento projekt je financován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR. SOŠ informatiky a

Více

Napájení krokových motorů

Napájení krokových motorů Napájení krokových motorů Průvodce návrhem R AUTOMATIZAČNÍ TECHNIKA Střešovická 49, 162 00 Praha 6, email: s o f c o n @ s o f c o n. c z tel./fax : (02) 20 61 03 48 / (02) 20 18 04 54, http :// w w w.

Více

1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD.

1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD. Kondenzátory Kondenzátory jsou pasivní elektronické součástky vyrobené s hodnotou kapacity udané výrobcem. Na součástce se udává kapacita [F] a jmenovité napětí [V], které udává maximální napětí, které

Více

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581

Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Kód VM: VY_32_INOVACE_5 PAV04 Projekt: Zlepšení výuky na ZŠ Schulzovy sady registrační číslo: CZ.1.07./1.4.00/21.2581 Autor: Mgr. Petr Pavelka Datum: 15. 10. 2012 Ročník: 9. Vzdělávací oblast: Člověka

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

ZÁKLADNÍ ČÁSTI SPEKTRÁLNÍCH PŘÍSTROJŮ

ZÁKLADNÍ ČÁSTI SPEKTRÁLNÍCH PŘÍSTROJŮ ZÁKLADNÍ ČÁSTI SPEKTRÁLNÍCH PŘÍSTROJŮ (c) -2008, ACH/IM BLOKOVÉ SCHÉMA: (a) emisní metody (b) absorpční metody (c) luminiscenční metody U (b) monochromátor často umístěn před kyvetou se vzorkem. Části

Více

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen

Více

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) ta profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) 1. Cívky - vlastnosti a provedení, řešení elektronických stejnosměrných

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY

SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY 10.1. Kontaktní snímače teploty 10.2. Bezkontaktní snímače teploty 10.1. KONTAKTNÍ SNÍMAČE TEPLOTY Experimentální metody přednáška 10 snímač je připevněn na měřený objekt 10.1.1.

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Detektory optického záření

Detektory optického záření Detektory optického záření Vrbová, Jelínková, Gavrilov, Úvod do laserové techniky, ČVUT FJFI, 1994 Kenyon, The light fantastic, Oxford Goldman, Lasers in Medicine, kapitola Optická a tepelná dozimetrie

Více

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny.

Úvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Polovodičové lasery Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Energetické hladiny tvoří pásy Nejvyšší zaplněný pás je valenční, nejbližší vyšší energetický pás dovolených

Více

1. Zdroje a detektory optického záření

1. Zdroje a detektory optického záření 1. Zdroje a detektory optického záření 1.1. Zdroje optického záření výkon a jeho časový průběh spektrální charakteristika a její stabilita v čase koherenční vlastnosti 1.1.1. Tepelné zdroje velmi malá

Více

MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5

MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5 MODERNÍ METODY CHEMICKÉ FYZIKY I lasery a jejich použití v chemické fyzice Přednáška 5 Ondřej Votava J. Heyrovský Institute of Physical Chemistry AS ČR Opakování z minula Light Amplifier by Stimulated

Více

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY

MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY Úloha č. 14a MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY ÚKOL MĚŘENÍ: 1. Změřte napětí U min, při kterém se právě rozsvítí červená, žlutá, zelená a modrá LED. Napětí na LED regulujte potenciometrem. 2. Nakreslete graf

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak. Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY

SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY SOUČÁSTKY ELEKTRONIKY Učební obor: ELEKTRO bakalářské studium Počet hodin: 90 z toho 30 hodin v 1. semestru 60 hodin ve 2. semestru Předmět je zakončen zápočtem v 1. semestru a zápočtem a zkouškou ve 2.

Více

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor), 11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče

Více

ELEKTROLÝZA. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 13. 3. 2012. Ročník: osmý

ELEKTROLÝZA. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 13. 3. 2012. Ročník: osmý Autor: Mgr. Stanislava Bubíková ELEKTROLÝZA Datum (období) tvorby: 13. 3. 2012 Ročník: osmý Vzdělávací oblast: Člověk a příroda / Chemie / Chemické reakce 1 Anotace: Žáci se seznámí s elektrolýzou. V rámci

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU

MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU MĚŘENÍ JALOVÉHO VÝKONU &1. Které elektrické stroje jsou spotřebiči jalového výkonu a na co ho potřebují? &2. Nakreslete fázorový diagram RL zátěže připojené na zdroj střídavého napětí. &2.1 Z fázorového

Více

ÚSPĚŠNÉ A NEÚSPĚŠNÉ INOVACE LED MODRÁ DIODA. Hana Šourková 15.10.2013

ÚSPĚŠNÉ A NEÚSPĚŠNÉ INOVACE LED MODRÁ DIODA. Hana Šourková 15.10.2013 1 ÚSPĚŠNÉ A NEÚSPĚŠNÉ INOVACE LED MODRÁ DIODA Hana Šourková 15.10.2013 1 Osnova LED dioda Stavba LED Historie + komerční vývoj Bílé světlo Využití modré LED zobrazovací technika osvětlení + ekonomické

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

5 Monolitické integrované obvody

5 Monolitické integrované obvody Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony

Více