Polovodičové součástky

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Polovodičové součástky"

Transkript

1 Polovodičové součástky Základní materiály používané pro výrobu polovodičových součástek jsou čtyřmocné prvky křemík a germanium (obr. 1a). V krystalové mřížce jsou atomy těchto prvků tak uspořádány, že každý atom je vázán se sousedním elektronovou dvojicí, tj. dvěma elektrony, které obíhají po drahách společných oběma atomům (obr. 1b). Obr. 1 Schematické znázorněni: a) atomu křemíku, b) vazby mezi atomy křemíku. Při teplotě absolutní nuly se chová vlastní polovodič jako izolant, protože všechny valenční elektrony jsou zapojeny do meziatomových vazeb. Valenční pásy atomů jsou plně obsazeny a vodivostní pásy jsou prázdné. Aby valenční elektron přešel z valenčního pásu do vodivostního, musí překonat zakázaný pás energie o šířce 0,72 ev (1, J) u germania a 1,12 ev ( J) u křemíku. Potřebnou energii může elektron získat. např. ve formě tepelné energie. Zahříváním krystalu polovodiče vzniká kmitavý pohyb atomů, který se projevuje uvolňováním elektronů z atomových.vazeb. Při teplotě 20 C dosahuje již koncentrace elektronů ve vodivostním pásu asi cm 3 u germania a cm 3 u křemíku. Ve srovnání s počtem atomů, kterých je cm 3, je vodivost vlastního polovodiče velmi malá. Každý elektron, který přejde z valenčního pásu do vodivostního, poruší pravidelnou vazbu mezi atomy. V krystalové mřížce se objeví atomy, kterým chybí ve valenčním pásu záporný elektron, a které se proto chovají jako kladné ionty. Elektrony sousedních atomů jsou do těchto míst přitahovány, zaplňují valenční vazby, ale současně tím vytvářejí kladné náboje v sousedních atomech. Takto vzniklé kladné náboje se nazývají díry. V polovodiči probíhá neustále proces generace a rekombinace nosičů elektrických nábojů, takže jejich počet je ustálený. Atomy jako pevná součást mřížky se nepohybují, přemísťují se pouze elektrony a díry. Pro výrobu polovodičových součástek se nepoužívají vlastní polovodiče, ale nevlastní typu N nebo P, u nichž se pravidelnost krystalové mřížky porušuje stopami prvků s odlišným počtem valenčních elektronů. Obr. 2 Nevlastní polovodič typu N: a) schématické vyznačení vazby mezi atomy, b) pásový model

2 Nevlastni polovodič typu N vznikne přidáním pětimocného prvku, např. fosforu, arzénu nebo antimonu. Dotování polovodičového materiálu pětimocným prvkem, tzv. donorem, způsobuje, že jeden z pěti valenčních elektronů příměsi je z hlediska meziatomových vazeb přebytečný, a proto snadno přechází z valenčního pásu do vodivostního. U nevlastního polovodiče typu N je počet volných elektronů větší než u polovodiče vlastního. Polovodič N vykazuje elektronovou vodivost (obr. 2). Obr. 3 Nevlastní polovodič typu P: a) schématické vyznačení vazby mezi atomy, b) pásový model Nevlastni polovodiče typu P se dotují trojmocným prvkem, např. indiem nebo galiem. Neúplná vazba mezi atomy způsobená jedním chybějícím elektronem se brzy zaplní některým volným elektronem, což se projeví vznikem díry v jiném místě krystalové mřížky. Do místa díry je vtažen jiný elektron, který opět zanechá po sobě díru. Vliv třímocného prvku, tzv. akceptoru, spočívá v tom, že vytváří v krystalové mřížce místa s neúplnými vazbami, neboť počet valenčních elektronů je menší než potřebný počet vazeb mezi atomy. Vodivost polovodiče P je děrová a při výkladu vlastností polovodiče se vychází ze zjednodušené představy, že elektrický proud v polovodiči vzniká pohybem kladných nábojů, tj. děr (obr. 3). V energetických pásových modelech se nacházejí úrovně příměsí v zakázaném pásu polovodiče. Proto ionizační energie potřebná k uvolnění nosičů z donorových nebo akceptorových hladin je velmi malá, asi 0,1 ev (0, J). Počet příměsových atomů v nevlastním polovodiči se volí v širokých mezích v závislosti na požadovaných vlastnostech polovodičového materiálu, ale je vždy podstatně menší než počet atomů vlastního polovodiče. Přidáním příměsí do čistého polovodiče ovlivňujeme výrazně jeho vodivost, ale základní charakter krystalu se nemění. Ve vlastním polovodiči (intrinzitním) vzniká současně volný elektron a díra, takže koncentrace obou nosičů proudů je stejná. Přidáním příměsi, např. akceptoru, se zvětší v dotovaném krystalu (extrinzitním) výrazně koncentrace děr. Nahradíme-li např. každý miliontý atom křemíku atomem india, vzroste koncentrace děr na cm 3, ale koncentrace elektronů zůstane stejná jako u vlastního polovodiče, tj cm 3. Proto rozlišujeme u nevlastních polovodičů majoritní (většinové) nosiče od minoritnich (menšinových). U polovodiče P jsou majoritními nosiči díry a minoritními elektrony. U polovodiče N jsou naopak majoritními nosiči elektrony a minoritními nosiči díry. Uvnitř polovodiče se nosiče pohybují buď vlivem difúze, nebo účinkem elektrického pole. Nejsou-li nosiče v polovodiči rovnoměrně rozloženy, způsobuje jejich přechod do oblasti s menší koncentrací difúzní proud. Je-li polovodič připojen ke zdroji napětí, vzniká driftový proud, který je vyvolán pohybem děr ve směru intenzity elektrického pole a elektronů v opačném směru. Výsledný proud v polovodiči se skládá z proudu driftového a difúzního.

3 Polovodičové diody Přiložíme-li dva nevlastní polovodiče odlišných vodivostí k sobě tak, že krystalová mřížka jednoho polovodiče navazuje na mřížku druhého polovodiče, začnou vlivem difúze přecházet majoritní elektrony z polovodiče N do polovodiče P, kde rekombinují s dírami. V rekombinačním pásmu kolem rozhraní ubývají následkem tohoto jevu pohyblivé nosiče proudu a současně v něm vznikají pevné ionty z atomů krystalové mřížky (obr. 4). Při stejném dotování obou polovodičů zasahuje rekombinační pásmo stejně hluboko do obou polovodičů a má za následek vznik potenciální přehrady, která je polarizována v polovodiči P zápornými ionty a v polovodiči N kladnými ionty. S postupující rekombinací se potenciální přehrada zvětšuje, až dosáhne takové velikosti, že vzniklé elektrické pole zabrání postupu dalších majoritních nosičů přes přechod. Obr. 4 Potenciální přehrada Kromě majoritních nosičů mají oba polovodiče též minoritní nosiče proudu, pro které je přechod polarizován v propustném směru. Rozložení i šířku potenciální přehrady ovlivňuje koncentrace nosičů v polovodičích. Jsou-li polovodiče silně dotovány, vytvářejí potenciální přehradu pouze nosiče z nejbližšího okolí styku obou polovodičů a rekombinační pásmo se zužuje. Při odlišné koncentraci příměsí pronikají nosiče hlouběji do méně dotovaného polovodiče, takže rekombinační pásmo je rozloženo nesymetricky kolem přechodu. Je-li na polovodič P připojen vnější zdroj záporným pólem, sčítá se napětí zdroje s napětím na přechodu a potenciální přehrada vzrůstá. Majoritní nosiče jsou v obou polovodičích od přechodu odpuzovány a obvodem prochází pouze malý závěrný proud I R způsobeny minoritními nosiči (obr. 5). Obr. 5 Voltampérová charakteristika polovodičové diody

4 Je-li přechod PN polarizován v propustném směru, tj. polovodičem P připojen na kladnou svorku zdroje, působí vnější elektrické pole proti poli potenciální přehrady. Majoritní nosiče jsou v obou polovodičích urychlovány směrem k přehradě, kde zaplňují chybějící vazby mezi atomy krystalové mřížky a tím odstraňují pevné ionty v rekombinačním pásmu. Potenciální přehrada mizí a obvodem se uzavírá propustný proud I F. Přechodem přes rozhraní mezi polovodiči se majoritní nosiče, např. díry v polovodiči P, dostávají do polovodiče N s opačným typem vodivosti, a stávají se proto nosiči minoritními. Obdobně minoritní nosiče, které projdou potenciální přehradou, se stávají nosiči majoritními. Plošná dioda Plošná dioda je tvořena jedním přechodem PN. Charakteristika plošné výkonové křemíkové diody, která je zakreslena na obr. 6, se skládá z propustné a závěrné větve. Průběh propustné větve je charakterizován prahovým napětím U (TO ) a diferenciálním odporem R F. Prahové napěti určuje úsek na ose napětí, který vytíná prodloužený průběh lineární části charakteristiky. Diferenciální odpor udává strmost charakteristiky v propustném směru. R F = U I F F Propustná část charakteristiky je omezena dovoleným proudovým přetížením diody. Průběh závěrné části diodové charakteristiky značně závisí na teplotě přechodu. Při vyšších teplotách vzniká tepelná ionizace, která výrazně zvětšuje závěrný proud. Obr. 6 Charakteristika plošné výkonové křemíkové diody V závěrné části charakteristiky je nejvyšší přípustné napětí určeno amplitudou opakovatelného závěrného napětí U RRM. Jde o napětí, které se může periodicky opakovat a kterým lze zatížit diodu v celém rozsahu provozních teplot. Ochrany proti přepětí se dimenzují na amplitudu neopakovatelného závěrného napětí U RSM. Zlom diodové charakteristiky v závěrném směru vzniká při zkušebním napětí U (R)R Náhlý vzrůst proudu je způsoben závěrným proudem minoritních nosičů přes přechod, které při průletu potenciální přehradou se srážejí s atomy krystalové mřížky a vytrhávají elektrony z meziatomových vazeb. Po uvolněném elektronu zbude díra, takže nárazovou ionizací vzniká dvojice nosičů nábojů, která se v silném elektrickém poli rychle rozletí opačnými směry. Dosáhne-li napětí na přechodu takové velikosti, že nově vzniklé nosiče vyvolávají další nárazovou ionizaci, nastane lavinový průraz. Velkým proudovým zatížením se dioda značně zahřívá, vzniká současně tepelná ionizace a průraz

5 se stane destruktivním. U diody polarizované v závěrné směru vzniká na přechodu vrstva vázaných iontů. Tato vrstva ochuzená o volné nosiče elektrických nábojů se chová jako polarizované dielektrikum kondenzátoru, jehož kapacita' závisí na tloušťce vrstvy a ploše přechodu. Plošné diody mají poměrně značnou kapacitu, řádově 10 2 pf, která omezuje jejich použití na vyšších kmitočtech. Hrotová dioda Hrotová dioda je tvořena destičkou z polovodičového materiálu, např. z germania typu N, na kterou je přitisknut wolframový drátek. Oblast doteku se zlepšuje formováním, při kterém se dioda zatíží několika proudovými impulsy asi jednoho ampéru. Vlivem vysoké teploty, která vznikne pod hrotem drátku, se změní struktura polovodičového materiálu a v oblasti doteku se vytvoří germanium s vodivostí P (obr.7). Hrotové diody využívají vlastností přechodu PN, ale vzhledem k nepatrné ploše přechodu mají malou kapacitu, a jsou proto použitelné až do kmitočtů řádově 10 9 Hz. Na rozdíl od plošných diod, u kterých velká plocha přechodu dovoluje velké proudové zatížení, jsou jmenovité proudy hrotových diod poměrně malé, asi kolem jednotek miliampérů. Obr. 7. Hrotová dioda Kapacitní dioda Kapacitní dioda, též varikap, využívá kapacity, která vzniká na přechodu PN při polarizaci diody v závěrném směru. Protože kapacita plošné diody závisí na šířce rekombinačního pásma, zvětšuje se její velikost při snižování závěrného napětí (obr. 8). Je-li na přechod připojeno napětí v propustném směru, zvětšuje se kapacita asi do napětí 0,2 V, načež je vodivým přechodem spojena téměř nakrátko. Obr. 8. Kapacitní dioda Kapacitní diody se vyrábějí zpravidla jako plošné, křemíkové, o kapacitě asi od F až do

6 Stabilizační Zenerova dioda Při značné koncentraci příměsí je rekombinační pásmo diody velmi tenké, a na přechodu proto vzniká při závěrné polarizaci silné elektrické pole. Vlivem veliké intenzity jsou elektrony vytrhávány z meziatomových vazeb, přecházejí do polovodiče N a vzniklé díry do polovodiče P. Závěrný proud se zvětšuje a je podporován zvyšováním teploty přechodu. Takto vzniklý průraz přechodu PN se nazývá Zenerův průraz a napětí, při kterém vzniká, Zenerovo napětí.. Při Zenerově průrazu nenastává lavinová ionizace, protože oblast přechodu je velmi úzká a minoritní nosiče nezískávají při průletu potenciální přehradou energii potřebnou k uvolnění dalších elektronů z meziatomových vazeb. Velikost průrazného napětí se nastavuje koncentrací příměsí v polovodičích. Vhodnou konstrukcí diod se dosahuje nedestruktivního průrazu v poměrně širokém rozsahu závěrných napětí. Po překročení Zenerova napětí U Z (obr. 9) se závěrný proud diody rychle zvětšuje, ale napětí přivedené na diodu přes ochranný odpor zůstává téměř konstantní. Obr. 9. Zenerova dioda ipolární tranzistory Plošný bipolární tranzistor je tvořen polovodičovou destičkou krystalu germania nebo křemíku, ve které dva přechody D E a D C oddělují tři oblasti s vodivostmi PNP nebo NPN (obr. 10). Krajní oblasti se stejným typem vodivosti se nazývají emitor E a kolektor C. Střední oblast s odlišnou vodivostí, tzv. báze, je velmi tenká a koncentrace příměsí je v ní mnohem menší než v emitoru, takže rekombinační pásmo na přechodu DE zabírá celou oblast báze. Je-li emitorový přechod D E polarizován vnějším zdrojem U 0l v propustném směru a kolektorový rozpojen, vstřikuje emitor do báze minoritní nosiče; a ty procházejí ochuzenou oblastí báze jako proud I E (obr. 11). Při opačné polarizaci zdroje vykazuje emitorový přechod vlastnosti diody zapojené v závěrném směru. Je-li kolektorový přechod D C polarizován vnějším zdrojem U 02 v závěrném směru a emitorový rozpojen, zvětšuje napětí U C potenciální přehradu mezi kolektorem a bází a obvodem se uzavírá pouze závěrný, tzv. zbytkový proud I C0 tvořený minoritními nosiči (obr. 12). Při polarizaci kolektorového přechodu v propustném směru se uzavírá obvodem kolektor báze značný proud, který odpovídá diodě zapojené v propustném směru. Obr. 10. Schematická značka bipolárního tranzistoru

7 Obr. 11. Emitorový přechod tranzistoru Obr. 12. Kolektorový přechod tranzistoru. Vliv teploty na velikost zbytkového proudu u germaniového tranzistoru Zapojení tranzistoru Z hlediska obvodových veličin je tranzistor součástkou, která má tři elektrody, emitor E, kolektor C a bázi. Podle volby elektrody společné pro vstupní a výstupní obvod rozeznáváme tři základní zapojení tranzistoru: se společnou bází - S (obr. 13), se společným emitorem - SE (obr. 14), se společným kolektorem - SC (obr. 15). Ve všech třech zapojeních se při tzv. aktivním stavu tranzistoru polarizuje emitorový přechod v propustném a kolektorový přechod v závěrném směru. Obr. 13. Tranzistor v zapojení se společnou bází U tranzistoru NPN je v zapojení se společnou bází proto emitor připojen podle obr. 13 na zápornou svorku zdroje U 0l a kolektor na kladnou svorku zdroje U 02. Záporné předpětí emitoru potlačuje potenciální přehradu na emitorovém přechodu a umožňuje elektronům, aby přecházely z emitoru do tenké báze, kde mají pouze nepatrnou možnost rekombinace s dírami. Proto většina z nich proniká difúzí již jako minoritní nosiče k závěrně polarizovanému kolektrovému přechodu, kterým jsou urychlovány do oblasti kolektoru. Energie, kterou získaly na kolektorovém přechodu, jim umožňuje ionizovat atomy polovodiče v kolektoru, a vytvářet tak další přídavné nosiče nábojů. Uvedený jev, zvaný tranzistorový efekt, se projevuje tím, že proud v kolektorovém obvodu I C dosahuje skoro velikosti proudu I E v emitoru.

8 Vstupním obvodem tranzistoru se sice uzavírá současně tok děr z báze do emitoru, ale vzhledem k malé koncentraci příměsí v bázi je proud vzniklý tokem děr přes přechod nepatrný. Výsledný kolektorový proud I C závisí na emitorovém proudu složkou α a na zbytkovém proudu I C0, I = α I + I C E C0 I E Protože převážná část elektronů proniká z emitoru přes bázi na kolektor, je zesilovací činitel nakrátko v zapojení S, jen o málo menší než jedna. α, tzv. stejnosměrný proudový I C α = při U C = konst. I E Vzhledem k tomu, že množství elektronů, které přecházejí na kolektor, závisí pouze na proudu emitoru, lze zvětšením závěrného napětí U C zvětšit odpor kolektorového obvodu řádově až na 10 6 Ω. To umožňuje zařadit do výstupního obvodu veliký zatěžovací odpor, aniž by se podstatně zmenšila velikost kolektorového proudu. Přitom emitorový přechod, který je polarizován v propustném směru, má malý odpor, řádově 10 Ω. Ze zatěžovacího odporu R C se odebírá veliké napětí při malém napětí vstupním, což odpovídá značnému napěťovému zesílení tranzistoru. U tranzistoru v zapojení se společným emitorem závisí velikost proudu, který se uzavírá z emitoru přes bázi na kolektor, na předpětí báze proti emitoru (obr. 14). Protože proud báze I je v tomto zapojení vstupním proudem, udává se výstupní proud I C v závislosti na proudovém zesilovacím činiteli h 21E podle vztahu I = h I + I C 21E CE0 kde I h E = I C 21 při U CE = konst. I = h I + I C 21E CE0 Obr. 14. Tranzistor v zapojeni se společným emitorem Zesilovací činitel h 21E i zbytkový proud I CE0 jsou v zapojení se společným emitorem mnohem větší než v zapojení se společnou bází. Srovnáním vztahů odpovídajících velikosti kolektorového proudu v obou zapojeních dostaneme: h α = 1 21 E CE 0 C α 0 1 α Například tranzistor C má α 99 a I C0 = 100 na. I = = 0, 1 I

9 Obr. 15. Tranzistor v zapojeni se společným kolektorem U tranzistoru v zapojení se společným kolektorem je vstupní obvod tvořen závěrně polarizovaným kolektorovým přechodem (obr. 15). Vstupní odpor je proto v tomto zapojení mnohem větší než odpor výstupní. Proud výstupního obvodu se opět vyjadřuje v závislosti na vstupním proudu báze pomocí stejnosměrného zesilovacího činitele α. C I = α I + I E C CE 0 E kde α při U CE = konst. C I = I Proudový zesilovací činitel je přibližně stejně velký jako v zapojení se společným emitorem a vypočítá se ze vztahu: α C 1 = 1 α Obr. 16. Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru NPN v zapojeni se společnou bází odvozené ze čtyřpólových rovnic s parametry h.

10 Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru se zakreslují v závislosti na zvoleném tvaru čtyřpólových rovnic a na zapojení tranzistoru. Např. pro tranzistor typu NPN v zapojení se společnou bází vychází soustava čtyřpólových rovnic s parametry h ve tvaru: U E = h 1 (I E, U C ) Ic = h 2 (I E, U C ) Grafickému zobrazení charakteristických rovnic odpovídá soustava charakteristik vyznačená na obr.16 Charakteristiky tranzistoru NPN v zapojení se společným emitorem odvozené z charakteristických rovnic s parametry h jsou vyneseny na obr.17. Obr. 17. Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru NPN v zapojeni se společným emitorem odvozené ze čtyřpólových rovnic s parametry h (U CE = 5V). U výstupních charakteristik je v obou zapojeních výrazná jejich lineárnost, a průběh téměr rovnoběžný s osou napětí. V zapojení se společnou bází probíhají výstupní charakterisitiky až do záporných hodnot napětí U C. Protože vliv kolektorového napětí téměř neovlivňuje průběh převodních a vstupních charakteristik, bývají v katalozích uváděny nejvýše dvě, a to pro nulovou velikost napětí a pro napětí, které odpovídá doporučené klidové poloze pracovního bodu.

11 Nastavení klidové polohy pracovního bodu tranzistoru Vztah mezi čtyřmi obvodovými veličinami tranzistoru je vyjádřen soustavou dvou čtyřpólových rovnic. Proto pro jednoznačné určeni klidové polohy pracovního bodu P o dostačuje znalost charakteristik a dvě z obvodových veličin. Jejich velikost se určí buď z katalogu, kde je uváděna doporučená poloha pracovního bodu, nebo se volí s ohledem na požadované vlastnosti zapojení. U tranzistoru v zapojení se společnou bází (obr. ) vychází bod P o pro napětí U C = 4,5 V, napětí zdrojů U 01 = 2 V, U 02 = 10V a odpor R C = 1,9 kω, na zatěžovací charakteristice v poloze, která odpovídá zadanému napětí U C. Z polohy bodu P o se zjistí proud I C = 2,9 ma a proud I E = 3 ma. V soustavě vstupních charakteristik je poloha bodu P 0 dána již známými hodnotami U C a I E. Zjištěné hodnotě U E = 0,18 V a zdroji U 01 = 2 V vyhovuje odpor R E = 600 Ω. Obdobným způsobem je odvozena klidová poloha bodu P 0 pro tranzistor v zapojení se společným emitorem (obr. 48). Zadané hodnoty U 01 = 1 V, U 02 = 12 V, U CE = 5 V, R C = 3,2 kω, R E = 800 Ω, určují polohu zatěžovacích charakteristik a velikost odporu R = 25 kω. U tranzistoru zapojeného podle obr. 48 je klidová poloha pracovního bodu nastavena dvěma zdroji U 01, U 02. Pomocí Théveninovy poučky lze obvod přepočítat na obvykle užívané zapojení s jedním zdrojem U 0 a děličem napětí v bázi tranzistoru (obr. 18). R R2 R 1 R = R1 + 2 U 01 = U 0 R2 R + R 1 2 Obr. 18. Tranzistor v zapojeni se společným emitorem napájený zdrojem napětí pomocí děliče napětí v bází (U CE = 5V). Odpory děliče se vypočítají ze vztahů U 02 U 0 3 R1 = R = R = 12 V Ω = 300kΩ U U R R1 R Ω = = = 27, 2kΩ 3 R R 10 Ω 1 ( )

12 Unipolární tranzistory Unipolární tranzistory, kterým dnes častěji říkáme tranzistory řízené elektrickým polem a označujeme je zkratkou FET (field-effect-transistor) dělíme na: tranzistory řízené elektrickým polem s izolační vrstvou typu MIS (popř. MOS) s indukovaným kanálem s vodivým kanálem tranzistory řízené elektrickým polem s přechodem PN Tranzistory řízené elektrickým polem s přechodem PN Obr. 19. Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodem PN, struktura tranzistoru s kanálem N Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodem PN (struktura tranzistoru s kanálem N) je tvořen podle obr. 19 polovodičovou destičkou s vodivostí N, na jejíž horní a dolní stěně je vytvořena polovodičová vrstvička s opačnou vodivostí P. Tranzistor řízený elektrickým polem má tři elektrody: kolektor C a emitor E jsou umístěny na protilehlých koncích základní destičky; hradlo G je vyvedeno z polovodičové vrstvy P. Na emitorovém přechodu PN, který je polarizován v závěrném směru předpětím hradla U GE, vzniká potenciální přehrada tvořená pevnými kladnými ionty krystalové mřížky. Kolektorové napětí U CE, které protlačuje základní destičkou proud I C, se připojuje u tranzistoru řízeného elektrickým polem s kanálem typu N vždy kladnou svorkou na kolektor. Tím se dosáhne odlišného polarizačního napětí na přechodu PN ze strany kolektoru a emitoru. Záporný potenciál emitoru potlačuje potenciální přehradu vzniklou předpětím U GE, kdežto kladný potenciál kolektoru ji posiluje. Společným účinkem obou napětí U GE a U CE vznikne vodivý kanál, který se ve směru od emitoru ke kolektoru zužuje. Při tzv. kritickém napětí U CEK se kanál ze strany kolektoru uzavře, takže další zvyšování kolektorového napětí se již neprojeví zvětšením kolektorového proudu I C. U tranzistoru řízeného elektrickým polem v zapojení se společným emitorem je přechod PN ve vstupním obvodu vždy polarizován v závěrném směru. Proud vstupního obvodu je následkem toho zanedbatelně malý a vztahy mezi stejnosměrnými hodnotami čtyřpólových obvodových veličin vycházejí ve zjednodušeném tvaru: I G =0 I C = Y (U GE, U CE )

13 V grafickém zobrazení určují rovnice soustavu výstupních a převodních charakteristik, které jsou zobrazeny na obr. 20. Jejich průběh připomíná charakteristiky pentody, u které katoda odpovídá emitoru, anoda kolektoru a řídicí mřížka hradlu. Obr. 20 Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru, řízeného elektrickým polem s přechodem PN kanál N. Tranzistory řízené elektrickým polem s izolační vrstvou typu MOS s indukovaným nebo vodivým kanálem Tranzistor MOS s indukovaným kanálem je tvořen základní polovodičovou destičkou slabě dotovanou příměsí, tj. o velkém odporu. Na destičce, (např. s vodivostí P) jsou zhotoveny dvě oblasti s opačným typem vodivosti N, ze kterých jsou vyvedeny kolektor a emitor. Kovové hradlo G je od základní destičky odděleno izolační vrstvičkou kysličníku křemičitého (obr. 21). Obr. 21. Tranzistor řízený elektrickým polem typu MOS s indukovaným kanálem

14 Izolační vrstvička tvoří dielektrikum kondenzátoru, jehož elektrodami jsou hradlo a polovodičová destička. Po připojení napětí U GE kladnou svorkou na hradlo a zápornou na emitor, se kondenzátor nabije a na základní destičce se indukuje vrstva záporných nábojů, která mění v příslušné oblasti vodivost destičky z typu P na N. Mezi kolektorem a emitorem, které byly před připojením zdroje odděleny polovodičem P o velkém odporu, vzniká indukcí vodivý kanál. Po připojení napětí U CE kladnou svorkou na kolektor, prochází kanálem kolektorový proud I C. Protože kolektor i hradlo mají vzhledem k emitoru kladný potenciál, snižuje se vlivem procházejícího proudu napětí mezi hradlem a kanálem. Menšímu napětí odpovídá i menší velikost indukovaného náboje, a vodivý kanál se proto v závislosti na proudu I C, tj. v závislosti na napětí U CE, zužuje směrem ke kolektoru. Charakteristiky tranzistoru MOS se odvozují z admitančního tvaru čtyřpólových rovnic (obr. 21). I G = Y 1 (U GE, U CE ) = 0 I C = Y 2 (U GE, U CE ) Se zvyšujícím se napětím U CE se kolektorový proud nejdříve prudce zvětšuje, což se projeví snížením napětí mezi hradlem a kolektorem. Důsledkem snížení napětí je zúžení kanálu, který se při U CER uzavírá. Kolektorový proud dosahuje maxima a výstupní charakteristiky přecházejí při dalším zvyšování U CE do mírně stoupajícího průběhu. Vstupní odpor tranzistoru MOS je dán svodovým odporem izolační vrstvy mezi hradlem a emitorem a dosahuje velikosti řádově až Ω. Vstupní charakteristika má zpočátku průběh téměř lineární, načež při vyšších napětích, kdy se začíná uplatňovat tunelový jev, se proud náhle zvětšuje. Tranzistory MOS s vodivým kanálem mají pod vrstvičkou izolantu vodivý kanál, který spojuje emitor s kolektorem (obr. 22). Vodivé spojení obou elektrod umožňuje, aby kanálem procházel proud I C i při nulovém a záporném napětí U GE. Obr. 22. Tranzistor řízený elektrickým polem typu MOS s vodivým kanálem Tyristory Tyristor je obecné označení pro bistabilní polovodičovou součástku, která má tři nebo více přechodů a může se přepínat z blokovacího do propustného směru a obráceně. Podle počtu vyvedených elektrod se tyristory dělí na: 1. Diodové tyristory, u kterých je z krajních vrstev čtyřvrstvé struktury PNPN, vytvořené na monokrystalu křemíku, vyvedena anoda A a katoda K (obr. 23). Zapínání se uskutečňuje zvyšováním napětí nad hodnotu blokovacího spínacího napětí nebo světelným signálem. Mají význam pouze jako nevýkonové součástky a používají se v pomocných a ovládacích obvodech bezkontaktních spínačů.

15 Obr. 23. Diodový tyristor (čtyřvrstvá dioda) 2. Triodové tyristory, které mají kromě hlavních elektrod, tj. anody a katody, vyvedenu jednu řídicí elektrodu G (obr. 24). Zapínání se provádí proudovým signálem přivedeným na řídicí elektrodu. Triodové tyristory jsou nejdůležitějším typem tyristorů a používají se jako nevýkonové i výkonové součástky. 3.Tetrodové tyristory, které mají vyvedeny dvě hlavní elektrody a dvě pomocné. Pomocné elektrody slouží k zapínání vypínání tyristoru řídicím proudem obou polarit. Tetrodové tyristory se používají jako nevýkonové součástky pro pomocné a ovládací obvody triodových tyristorů. Závislost mezi hlavním napětím, tj. napětím připojeným mezi anodu a katodu a proudem, který prochází tyristorem, se v grafickém vyznačení nazývá hlavní charakteristika tyristoru. Podle jejího průběhu se dělí tyristory do tří skupin: a) závěrně blokující, které mohou spínat pouze při jedné polaritě hlavního napětí. Při opačné polaritě vykazují vlastnosti jako usměrňovací dioda polarizovaná v závěrném směru (obr. 24); b) obousměrné, které mohou spínat při obou polaritách hlavního napětí (obr. 29); c) závěrné vodivé, které spínají jen při jedné polaritě hlavního napětí a při opačné polaritě mají stejné vlastnosti jako usměrňovací dioda polarizovaná v propustném směru. Diodový tyristor Diodový tyristor (čtyřvrstvá dioda) je tvořen čtyřmi vrstvami polovodiče se střídající se vodivostí (obr.23). Jednotlivé vrstvy jsou odděleny přechody PN, které blokují napětí obou polarit připojené na hlavní elektrody A, K. Je-li kladný pól vnějšího zdroje propojen na katodu, jsou přechody JI a J3 polarizovány v závěrném směru a diodovým tyristorem prochází velmi malý proud, který je téměř nezávislý na napětí. Zvýší-li se však závěrné napětí až na velikost tzv. průrazného napětí U (R ), závěrný proud rychle vzrůstá a součástka se zničí (obr. 24). Připojíme-li kladný pól zdroje na anodu, má průběh charakteristiky tři odlišné oblasti: - blokovací oblast, ve které se vlivem závěrně polarizovaného přechodu J 2 prodlužuje závěrná část charakteristiky až,do napětí U (0 ), - oblast záporného diferenciálního odporu, na které při napětí větším než U (0 ) vzroste proud vlivem nedestruktivního průrazu přechodu J 2, z velikosti spínacího proudu I (0) na hodnotu vratného proudu I H, - propustnou oblast, která odpovídá průběhu propustné větve plošné diody.

16 Obr. 24. Charakteristika diodového tyristoru Zapnutí diodového tyristoru, tzv. tyristorový jev, závisí na velikosti napětí U F mezi anodou a katodou. Je-li kladný pól zdroje připojen na anodu, přenáší se skoro celé napětí na závěrně polarizovaný přechod J 2 (obr. 23). Minoritní nosiče nábojů vstřikované z krajních vrstev P 1, N 2 na vnitřní vrstvy P 2, N 1 jsou tímto napětím urychlovány, přecházejí přes přechod, kde narážejí na atomy krystalové mřížky a rekombinují s pevnými ionty potenciální přehrady. Některé z nich získají mezi dvěma po sobě následujícími srážkami energii dostačující k nárazové ionizaci. Takto vznikají další nosiče nábojů, dvojice elektron a díra, které se ihned rozletí směrem na přechody J 1, J 3. Jejich působením se snižuji potenciální přehrady na těchto přechodech, což se projeví zvětšením počtu nosičů nábojů opačné polarity, které se pohybují z okrajových vrstev do středních a dále přes přechod J2. Při napětí vyšším než blokovací napětí U (0) nastává nedestruktivní průraz. Jakmile proud dosáhne velikosti spínacího proudu I (0 ), nestačí již značné množství nosičů, které se pohybují od středního přechodu J 2, rekombinovat a po obou stranách přechodu vzniknou náboje, které změní polarizaci přechodu J 2 ze závěrného stavu do propustného, a proud od hodnoty vratného proudu I H se rychle zvětšuje. Při pozvolném zvyšování napětí na tyristoru vznikne průraz nejdříve na malé plošce přechodu a na celou plochu se rozšíří difúzí menšinových nosičů. Pokud by se průraz nerozšířil na celou plochu přechodu, měl by destruktivní účinek a tyristor by se zničil tepelným přetížením. V zapojeních, která zajistí rychlé rozšíření průrazu, snášejí tyristory vrcholové proudy až pětkrát vyšší. Z této skutečnosti plyne závěr, že zvýšená spolehlivost obvodů s tyristory je podmíněna vznikem rovnoměrného průrazu na přechodu J 2, tj. zapínáním tyristoru strmými impulsy. Triodový tyristor Závěrně blokující triodový tyristor je nejdůležitějším typem tyristoru. V praxi se označuje zkráceně pouze jako tyristor. Tyristor je tvořen čtyřvrstvou strukturou, ze které je kromě hlavních elektrod vyvedena z jedné vnitřní vrstvy, obvykle P 2, řídicí elektroda G (obr. 25).

17 Obr. 25. Triodový tyristor Tyristor lze převést do vodivého stavu dvěma způsoby: a) zvýšením anodového napětí až na hodnotu U (0 ), kdy skokem vzroste proud na velikost I H. Tohoto způsobu se nepoužívá, vzniká však při nežádoucích překmitech; b) zavedením řídicího proudu I G přes řídicí elektrodu G do vnitřní vrstvy P 2 tak, aby přechod J 3 byl polarizován v propustném směru. Tento způsob je pro zapínání tyristoru obvyklý. Řídicí proud I G se podle obr. 25 uzavírá při kladném anodovém napětí přes přechod J 3 na katodu. Elektrony vstřikované z vrstvy N 2 přes přechod J 3 do P 2, se dostávají difúzním pohybem do oblasti závěrně polarizovaného přechodu J 2 a jako minoritní nosiče jsou silným elektrickým polem přechodu urychlovány do N 1, kde posilují počet majoritních nosičů a tím zvětšují polarizaci přechodu J 1 v propustném směru. Následkem toho vzrůstá množství děr, které jsou v opačném směru urychlovány přechodem J 2 do vrstvy P 2 a zvětšují polarizaci přechodu J 3 v propustném směru. Proud elektronů podporuje nárůst děrového proudu a obdobně děrový proud zvětšuje proud elektronů, takže popisovaný děj vede k rychlému zvětšování počtu minoritních nosičů, které přecházejí přes přechod J 2. Zvětšování počtu minoritních nosičů pokračuje tak dlouho, až množství minoritních nosičů ve vrstvách N 1, P 2 dostačuje k rekombinaci pevných iontů potenciální přehrady J 2 a tím i k jejímu přepolarizování. Tyristor přejde do propustného stavu, při kterém napětí mezi anodou a katodou poklesne asi na velikost 1 V. Zpět do blokovacího stavu přechází tyristor při poklesu propustného proudu na hodnotu vratného proudu I H (obr. 26). Obr. 26 Voltampérová charakteristika tyristoru

18 Na charakteristice tyristoru se kromě vratného proudu vyznačuje též přídržný proud I L. Má-li se tyristor udržet v zapnutém stavu, musí se proud při zapínání zvětšit na hodnotu přídržného proudu dříve, než klesne na nulu řídicí proud I G. V opačném případě se tyristor vrací do blokovacího stavu bezprostředně po skončení řídicího proudu. Funkci tyristoru lze vysvětlit na náhradním zapojení dvou komplementárních tranzistorů PNP a NPN (obr. 27). Po zavedení řídicího proudu I G se otevírá tranzistor T 2 a jeho kolektorový proud I 1 budí bázi 1. Přes otevírající se tranzistor T 1 se zvětšuje proud I 2 do báze 1 a celý děj se multiplikuje, až oba tranzistory přejdou do vodivého stavu. Obr. 27. Náhradní zapojení tyristoru pomocí dvou komplementárních tranzistorů Triak Triak je obousměrný triodový tyristor se dvěma anodami A 1, A 2 a řídicí elektrodou G. Je tvořen pětivrstvou strukturou NPNPN, kterou spíná řídicí elektroda kladným i záporným řídicím proudem při obou polaritách napětí mezi anodami (obr. 28). Kombinacím polarity anodového a řídicího napětí odpovídají čtyři možnosti zapínání triaku (obr. 29). Řídicí obvod má největší citlivost v případech I(+) a III(-). Zapojení III(+) se nedoporučuje, protože vyžaduje velké zapínací proudy. Používá se pouze v těch případech, kdy je výrobcem přímo předepsáno. Činnost triaku lze vysvětlit na náhradním obvodu sestaveném ze dvou antiparalelně zapojených závěrně blokujících tyristorů (obr.29). Obr. 28 Náhradní schéma triaku

19 Obr. 29 Voltampérová charakteristika triaku

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1 Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice Číslo úlohy : 1 Název úlohy : Vypracoval : ročník : 3 skupina : F-Zt Vnější podmínky měření : měřeno dne : 3.. 004 teplota : C tlak

Více

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N

Obrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně

Více

Dioda jako usměrňovač

Dioda jako usměrňovač Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

11. Polovodičové diody

11. Polovodičové diody 11. Polovodičové diody Polovodičové diody jsou součástky, které využívají fyzikálních vlastností přechodu PN nebo přechodu kov - polovodič (MS). Nelinearita VA charakteristiky, zjednodušeně chápaná jako

Více

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY

PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í PODPORA ELEKTRONICKÝCH FOREM VÝUKY CZ.1.07/1.1.06/01.0043 Tento projekt je financován z prostředků ESF a státního rozpočtu ČR. SOŠ informatiky a

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní

Více

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky

Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky Pedagogická fakulta Masarykovy univerzity Katedra technické a informační výchovy Základní poznatky o vedení elektrického proudu, základy elektroniky PaedDr. Ing. Josef Pecina, CSc. Mgr. Pavel Pecina, Ph.D.

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič.

3. Polovodiče. Obr.3.1. Vlastní polovodič. 3. Polovodiče. Teorii vedení elektřiny v polovodičích lze podat v zásadě dvěma způsoby. První vychází z klasických představ vedení elektrického proudu jako záporně a kladně nabitých bodových nábojů (elektronů

Více

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče 4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si

Více

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Název: Téma: Autor: Číslo: Prosinec 2013. Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud střídavý Elektronický oscilátor

Více

Základy polovodičové techniky

Základy polovodičové techniky rčeno pro posluchače bakalářských studijních programů FS Obsah 1. Úvod str. 2 2. olovodičové prvky str. 2 2.1. olovodičové diody str. 3 2.2. Tyristory str. 7 2.3. Triaky str. 8 2.4. Tranzistory str. 9

Více

200W ATX PC POWER SUPPLY

200W ATX PC POWER SUPPLY 200W ATX PC POWER SUPPLY Obecné informace Zde vám přináším schéma PC zdroje firmy DTK. Tento zdroj je v ATX provedení o výkonu 200W. Schéma jsem nakreslil, když jsem zdroj opravoval. Když už jsem měl při

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické

Více

17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek

17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek 17. Elektrický proud v polovodiích, užití polovodiových souástek Polovodie se od kov liší pedevším tím, že mají vtší rezistivitu (10-2.m až 10 9.m) (kovy 10-8.m až 10-6.m). Tato rezistivita u polovodi

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ

STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ STŘEDNÍ ŠKOLA ELEKTROTECHNICKÁ, OSTRAVA, NA JÍZDÁRNĚ 30, p. o. ELEKTRONIKA Ing. Pavel VYLEGALA 006 - - Obsah Elektrické obvody...4 Základní pojmy...4 Polovodičové součástky...6 Polovodič typu P,typu N,přechod

Více

Polovodičové usměrňovače a zdroje

Polovodičové usměrňovače a zdroje Polovodičové usměrňovače a zdroje Druhy diod Zapojení a charakteristiky diod Druhy usměrňovačů Filtrace výstupního napětí Stabilizace výstupního napětí Zapojení zdroje napětí Závěr Polovodičová dioda Dioda

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

2. Diody a usmrovae. 2.1. P N pechod

2. Diody a usmrovae. 2.1. P N pechod 2. Diody a usmrovae schématická znaka A K Dioda = pasivní souástka k P N je charakteristická ventilovým úinkem pro jednu polaritu piloženého naptí propouští, pro druhou polaritu nepropouští lze ho dosáhnout

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc. Doc. Ing. Arnošt

Více

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro: Mistrovství České republiky soutěže dětí a mládeže v radioelektronice, Vyškov 2011 Test Kategorie M START. ČÍSLO BODŮ/OPRAVIL U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422

Více

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové

Obr. 9.1: Elektrické pole ve vodiči je nulové Stejnosměrný proud I Dosud jsme se při studiu elektrického pole zabývali elektrostatikou, která studuje elektrické náboje v klidu. V dalších kapitolách budeme studovat pohybující se náboje elektrický proud.

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ CZ.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_INOVACE_EM_1.08_měření VA charakteristiky usměrňovací diody Střední odborná škola a Střední

Více

Elektronické součástky

Elektronické součástky FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Elektronické součástky Garant předmětu: Ing. Jaroslav Boušek, CSc. Autoři textu: Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc. Prof.

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (Bl) (И) ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ REPUBLIKA ( 1S ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 262470 (И) (Bl) (22) přihláženo 25 04 87 (21) PV 2926-87.V (SI) Int Cl* G 21 G 4/08 ÚFTAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY (40)

Více

Pracovní list žáka (ZŠ)

Pracovní list žáka (ZŠ) Pracovní list žáka (ZŠ) Účinky elektrického proudu Jméno Třída.. Datum.. 1. Teoretický úvod Elektrický proud jako jev je tvořen uspořádaným pohybem volných částic s elektrickým nábojem. Elektrický proud

Více

Title: IX 8 7:40 (1 of 7)

Title: IX 8 7:40 (1 of 7) P N (PN) PŘECHOD P N přechod lze realizovat pouze z POLOVODIČŮ. Jedná se o materiál, který musí mít dokonalý krystal bez příměsí a nečistot (čistota musí být lepší než 99,9999 %). Czochralského metoda

Více

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007

Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 Plán doučování z fyziky kvarta Učebnice: Fyzika 9 učebnice pro základní školy a víceletá gymnázia Nakladatelství Fraus 2007 1. pololetí Elektrodynamika - magnetická a elektromagnetická indukce - generátory

Více

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu Elektrický proud v kovech Elektrický proud = usměrněný pohyb

Více

Zdroj světla pro biologické aplikace

Zdroj světla pro biologické aplikace Gymnázium Jana Blahoslava Ivančice Zdroj světla pro biologické aplikace Závěrečná práce Adam Halbich Vedoucí práce: Mgr. Vítězslav Světlík Konzultant: doc. Ing. Miroslav Steinbauer, Ph.D. 2011 Prohlašuji,

Více

Proudové zrcadlo. Milan Horkel

Proudové zrcadlo. Milan Horkel roudové zrcadlo MLA roudové zrcadlo Milan Horkel Zdroje proudu jsou při konstrukci integrovaných obvodů asi stejně důležité, jako obyčejný rezistor pro běžné tranzistorové obvody. Zdroje proudu se často

Více

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ

44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ 592 44 FYZIKÁLNÍ PRINCIP MODERNÍCH ELEKTRONICKÝCH A ELEKTROTECHNICKÝCH PRVKŮ PN přechod Polovodičové diody a tranzistory MOS struktury Speciální diody Měniče tepelné a světelné energie na elektrickou Tradiční

Více

Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava

Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - TU Ostrava atedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - T Ostrava 9. TRASFORMÁTORY. Princip činnosti ideálního transformátoru. Princip činnosti skutečného transformátoru 3. Pracovní

Více

3. Elektrický náboj Q [C]

3. Elektrický náboj Q [C] 3. Elektrický náboj Q [C] Atom se skládá z neutronů, protonů a elektronů. Elektrony mají záporný náboj, protony mají kladný náboj a neutrony jsou bez náboje. Protony jsou společně s neutrony v jádře atomu

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník

ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH. Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník ELEKTRICKÝ PROUD V KOVECH Mgr. Jan Ptáčník - GJVJ - Fyzika - Elektřina a magnetismus - 3. ročník Elektrický proud Uspořádaný pohyb volných částic s nábojem Směr: od + k ( dle dohody - ve směru kladných

Více

Maturitní témata fyzika

Maturitní témata fyzika Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený

Více

1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN.

1. Vlastní a nevlastní vodivost 2. Pohyblivost volných nábojů 3.Přechod PN v monokrystalickém polovodiči přechod PN. 1. Vlastní a nevlastní vodivost vlastní vodivost - vzniká fononovou generací (pár elektron - díra) nevlastní vodivost - způsobená atomovými poruchami krystalové mříže, zejména substitučními poruchami nevlastní

Více

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.

PRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická

Více

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský

VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE. 2012 Jakub Vyškovský VYŠŠÍ ODBORNÁ ŠKOLA, STŘEDNÍ ŠKOLA CENTRUM ODBORNÉ PŘÍPRAVY SEZIMOVO ÚSTÍ ABSOLVENTSKÁ PRÁCE 2012 Jakub Vyškovský i Anotace Tato absolventská práce se zabývá souhrnem a měřením aktivních elektronických

Více

Experiment P-10 OHMŮV ZÁKON. Sledování vztahu mezi napětím a proudem procházejícím obvodem s rezistorem známého odporu.

Experiment P-10 OHMŮV ZÁKON. Sledování vztahu mezi napětím a proudem procházejícím obvodem s rezistorem známého odporu. Experiment P-10 OHMŮV ZÁKON CÍL EXPERIMENTU Sledování vztahu mezi napětím a proudem procházejícím obvodem s rezistorem známého odporu. MODULY A SENZORY PC + program NeuLog TM USB modul USB 200 senzor napětí

Více

Chemická vazba. Příčinou nestability atomů a jejich ochoty tvořit vazbu je jejich elektronový obal.

Chemická vazba. Příčinou nestability atomů a jejich ochoty tvořit vazbu je jejich elektronový obal. Chemická vazba Volné atomy v přírodě jen zcela výjimečně (vzácné plyny). Atomy prvků mají snahu se navzájem slučovat a vytvářet molekuly prvků nebo sloučenin. Atomy jsou v molekulách k sobě poutány chemickou

Více

VODIVOST x REZISTIVITA

VODIVOST x REZISTIVITA VODIVOST x REZISTIVITA Ohmův v zákon: z U = I.R = ρ.l.i / S napětí je přímo úměrné proudu, který vodičem prochází drát délky l a průřezu S, mezi jehož konci je napětí U ρ převrácená hodnota měrné ele.

Více

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika

Stabiliz atory napˇet ı v nap ajec ıch zdroj ıch - mˇeˇren ı z akladn ıch parametr u Ondˇrej ˇ Sika - měření základních parametrů Obsah 1 Zadání 4 2 Teoretický úvod 4 2.1 Stabilizátor................................ 4 2.2 Druhy stabilizátorů............................ 4 2.2.1 Parametrické stabilizátory....................

Více

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky

Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a

Více

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny.

2. Jaké jsou druhy napětí? Vyberte libovolný počet možných odpovědí. Správná nemusí být žádná, ale také mohou být správné všechny. Psaní testu Pokyny k vypracování testu: Za nesprávné odpovědi se poměrově odečítají body. Pro splnění testu je možné využít možnosti neodpovědět maximálně u šesti o tázek. Doba trvání je 90 minut. Způsob

Více

STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA SDĚLOVACÍ TECHNIKY

STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA SDĚLOVACÍ TECHNIKY STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA SDĚLOVACÍ TECHNIKY 110 00 Praha 1, Panská 856/3 URL: www.panska.cz 221 002 111, 221 002 666 e-mail: sekretariat@panska.cz Studijní obor: MATURITNÍ ZKOUŠKA PRAKTICKÁ ZKOUŠKA Z ODBORNÝCH

Více

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0996

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0996 Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0996 Šablona: III/2 č. materiálu: VY_32_INOVACE_FYZ60 Jméno autora: Třída/ročník: Mgr. Alena Krejčíková

Více

Elektřina a magnetizmus

Elektřina a magnetizmus Elektřina a magnetizmus Elektrický náboj Všechny věci kolem nás se skládají z atomů. Atom obsahuje jádro (tvořené protony a neutrony) a obal tvořený elektrony. Protony a elektrony jsou částice elektricky

Více

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka.

PSK1-14. Optické zdroje a detektory. Bohrův model atomu. Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka. PSK1-14 Název školy: Autor: Anotace: Vyšší odborná škola a Střední průmyslová škola, Božetěchova 3 Ing. Marek Nožka Optické zdroje a detektory Vzdělávací oblast: Informační a komunikační technologie Předmět:

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více

Testové otázky za 2 body

Testové otázky za 2 body Přijímací zkoušky z fyziky pro obor PTA K vypracování písemné zkoušky máte k dispozici 90 minut. Kromě psacích potřeb je povoleno používání kalkulaček. Pro úspěšné zvládnutí zkoušky je třeba získat nejméně

Více

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA Obor vzdělání: 2-1-M/01 Elektrotechnika (slaboproud) Forma vzdělávání: denní studium Ročník kde se předmět vyučuje: druhý, třetí Počet týdenních vyučovacích hodin ve

Více

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry 18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry Digitální voltmetry Základním obvodem digitálních voltmetrů je A/D

Více

Vladimír Straka ELEKTRONIKA

Vladimír Straka ELEKTRONIKA STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Vladimír Straka ELEKTRONIKA SOUBOR PŘÍPRAV PRO 2. R. OBORU 26-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika

Více

Parametry a aplikace diod

Parametry a aplikace diod Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření

Více

elektrický náboj elektrické pole

elektrický náboj elektrické pole elektrický náboj a elektrické pole Charles-Augustin de Coulomb elektrický náboj a jeho vlastnosti Elektrický náboj je fyzikální veličina, která vyjadřuje velikost schopnosti působit elektrickou silou.

Více

musí být odolný vůči krátkodobým zkratům při zkratovém přenosu kovu obloukem,

musí být odolný vůči krátkodobým zkratům při zkratovém přenosu kovu obloukem, 1 SVAŘOVACÍ ZDROJE PRO OBLOUKOVÉ SVAŘOVÁNÍ Svařovací zdroj pro obloukové svařování musí splňovat tyto požadavky : bezpečnost konstrukce dle platných norem a předpisů, napětí naprázdno musí odpovídat druhu

Více

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK POLOVODIČOVÝCH DIOD ypracoval: Petr avroš (vav4) Datum Měření:.. 9 Laboratorní úloha č. 4 MĚŘENÍ A CHARAKTERISTIK POLOODIČOÝCH DIOD I. KŘEMÍKOÁ USMĚRŇOACÍ dioda propustný směr Obr. A multimetr M39 multimetr M39 omezovací

Více

Pracovní list číslo 01

Pracovní list číslo 01 Pracovní list číslo 01 Měření délky Jak se nazývá základní jednotka délky? Jaká délková měřidla používáme k měření rozměrů a) knihy b) okenní tabule c) třídy.. d) obvodu svého pasu.. Jaké díly a násobky

Více

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry Cvičení 5 Charakteristiky diod V- charakteristika diody a její mezní parametry Simulace V- charakteristiky (PSpice) a její analýza (Excel) Modely diody Pracovní bod P o, náhladní lineární obvod (NLO) pro

Více

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH, DUKELSKÁ 13 PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE Provedl: Tomáš PRŮCHA Datum: 23. 1. 2009 Číslo: Kontroloval: Datum: 4 Pořadové číslo žáka: 24

Více

Zdroj předpětí (triode board OK1GTH) Ing. Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz

Zdroj předpětí (triode board OK1GTH) Ing. Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Zdroj předpětí (triode board OK1GTH) Ing. Tomáš Kavalír, OK1GTH kavalir.t@seznam.cz, http://ok1gth.nagano.cz Úkolem desky zdroje předpětí je především zajistit stálý pracovní bod elektronky, v našem případě

Více

c-3 gsso&s Č C S ľ. OLi LOV ú! IS K A SOCIALISTICKÁ R j P U D U K ň 1X3) (51) Ili»t. Cl.» G 01 T 5/12 (22) Přihlášeno ÍL J.U 70 12J) (PV 0552-76)

c-3 gsso&s Č C S ľ. OLi LOV ú! IS K A SOCIALISTICKÁ R j P U D U K ň 1X3) (51) Ili»t. Cl.» G 01 T 5/12 (22) Přihlášeno ÍL J.U 70 12J) (PV 0552-76) c-3 gsso&s Č C S ľ. OLi LOV ú! IS K A SOCIALISTICKÁ R j P U D U K ň 1X3) POPÍŠ VYNÁLEZU 186037 Ul) (BI) (51) Ili»t. Cl.» G 01 T 5/12 (22) Přihlášeno ÍL J.U 70 12J) (PV 0552-76) ÚŘAD PRO VYNÁLEZY A OBJEVY

Více

Využití PN přechodů pro měření průtoku tekutin

Využití PN přechodů pro měření průtoku tekutin Využití PN přechodů pro měření průtoku tekutin Usage of PN junctions for measurement of flow liquid Pavel Vrána Bakalářská práce 2007 ABSTRAKT Bakalářská práce se zabývá vyhodnocováním okamžitých hodnot

Více

VedenÌ elekt iny v pevn ch l tk ch

VedenÌ elekt iny v pevn ch l tk ch 42 VedenÌ elekt iny v pevn ch l tk ch Skupina pracovnìk tov rny v Rio Rancho v NovÈm Mexiku. Tov rna p edstavuje investici ve v öi 2,5 miliardy US dolar a m rozlohu jako dva tucty fotbalov ch h iöù. Podle

Více

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE

PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA V ČESKÝCH BUDĚJOVICÍCH, DUKELSKÁ 13 PROTOKOL O LABORATORNÍM CVIČENÍ - AUTOMATIZACE Provedl: Tomáš PRŮCHA Datum: 17. 4. 2009 Číslo: Kontroloval: Datum: 5 Pořadové číslo žáka: 24

Více

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

Otázky z ELI 1/10. 15. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí) Otázky z ELI 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí Volt 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud Amper 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor Ohm 4. V jakých jednotkách se vyjadřuje kapacita Farad

Více

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor.

Fázorové diagramy pro ideální rezistor, skutečná cívka, ideální cívka, skutečný kondenzátor, ideální kondenzátor. FREKVENČNĚ ZÁVISLÉ OBVODY Základní pojmy: IMPEDANCE Z (Ω)- charakterizuje vlastnosti prvku pro střídavý proud. Impedance je základní vlastností, kterou potřebujeme znát pro analýzu střídavých elektrických

Více

Chemická vazba Něco málo opakování Něco málo opakování Co je to atom? Něco málo opakování Co je to atom? Atom je nejmenší částice hmoty, chemicky dále nedělitelná. Skládá se z atomového jádra obsahujícího

Více

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ].

1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje náboj - uveďte název a značku jednotky Náboj Q se vyjadřuje v coulombech [ C ]. 2. Jaký je vztah mezi napětím a proudem na rezistoru - vzorec Jsou si přímo úměrné dle

Více

Transformátor trojfázový

Transformátor trojfázový Transformátor trojfázový distribuční transformátory přenášejí elektricky výkon ve všech 3 fázích v praxi lze použít: a) 3 jednofázové transformátory větší spotřeba materiálu v záloze stačí jeden transformátor

Více

Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita

Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita Křemíkovým okem do nitra hmoty, radioaktivita BaBar SLAC Zbyněk Drásal 1 Historie diodového jevu v polovodičích Objev tzv. Halbleiteru (polovodiče) bodový kontakt kovu a krystalu (PbS) usměrňuje proud

Více