TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE"

Transkript

1 TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE

2 Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a vypracováním elektrického schématu. S pomocí počítače je navržena morfologie obvodu ze známých tvarů integrovaných součástek a jejich propojů je navržena celá mechanická skladba IO. Z ní plynou potřebné tvary výrobních litografických desek, kterých bude potřeba celá sada (i několik desítek). Základem pro výrobu IO jsou křemíkové pláty wafery (salámky), které se řežou z ingotů monokrystalu křemíku. Povrch waferu musí být precizně zarovnán, aby technologie výroby jednotlivých prvků IO nebyla narušena. Úlohou litografie je zajistit přesný rozměr a přesnou polohu jednotlivých funkčních oblastí polovodiče pomocí masky (skutečné nebo v paměti počítače) a přenosu jejího obrazu fotografickou cestou nejprve do fotorezistu a po vyvolání záznamu ve fotorezistu dále leptáním do dielektrické vrstvy. Tímto litografickým postupem vzniká na povrchu polovodičové desky soustava zamaskovaných a odkrytých plošek, na nichž se v dalším kroku provede určitá operace (leptání, oxidace, lokální dotace apod.). Litografie se opakuje při výrobě obvodu tolikrát, kolik masek je v sadě.

3 Příprava waferu Wafery se připravují z vyrobeného ingotu monokrystalu křemíku jeho příčným rozřezáním obvykle kotoučovou pilou s diamantovými zrny: 1 monokrystal 2 kotoučová pila Obr.: Monokrystal křemíku Obr.: Princip řezání monokrystalu Nařezané desky mají tloušťku 0,5 až 1 mm. Strany poškozené řezáním se lapováním vyrovnají a pak se jedna z nich dále leští jemnými leštícími prášky a omývá vyčištěnou deionizovanou vodou a organickými rozpouštědly. Konečný povrch má vysoce zrcadlový lesk.

4 Výsledný zrcadlový povrch Na této vysoce lesklé ploše jsou pomocí masek litografickým procesem následně vytvořeny topologie velkého množství integrovaných obvodů. Masky Jsou to tenké kovové plochy, do kterých jsou vytvořeny drobné otvory. Přes tyto otvory jsou zářením vyznačena místa pro vytváření vrstev uvnitř či na povrchu waferu. Ostatní plochy překrývají místa, kde tyto procesy nemají probíhat. Obrázek znázorňuje čtyři masky jednoduššího obvodu. Masky jsou znázorněny bíle ohraničenými plochami, plochami vyšrafovanými, čárkovanými a černými.

5 Velmi složitá jedna maska mikropočítače Litografie Je to tisková technika kamenotisk (řecky lithos-kámen, grafo-píši), označuje techniku přenosu obrazu, nakresleného na hladké tiskové desce, na papír. V mikroelektronice se slovem litografie rozumí vyznačení a zpřístupnění oblastí na ploše polovodičové desky, které mají být podrobeny technologickému procesu v daném kroku technologie, zatímco zbývající plochy mají být před účinky procesu uchráněny. Mikroelektronická litografie používá tři nástroje: fotorezist (rezist), masku a leptání.

6 Rezist Je to polymerová látka, z níž vytvoříme na podložce povlak. Po vyschnutí dobře přilne na podložku a vyznačuje se tím, že zabraňuje účinkům technologických procesů, tedy i leptání. Rozlišujeme dva druhy rezistu: pozitivní a negativní. Pozitivní rezist snadno se dá odplavit v místech ozářených elektromagnetickými vlnami (světlo, rentgenové záření) nebo částicemi (elektrony, Ionty), po ozáření degraduje rozpadá se, zatímco na neozářených místech rezist zůstane. Negativní rezist je to opak - ozářením zpevní, neozářená místa se vyplaví. Obr.: Princip funkce pozitivního a negativního rezistu Tímto způsobem se pomocí vhodného záření vnese do rezistu obraz.

7 Negativní a pozitivní litografický proces:

8 Příklad vytvoření stejné topologické struktury negativním a pozitivním litografickým procesem při použití masky:

9 Oba uvedené postupy mají své výhody a nevýhody a jejich využití závisí na konkrétních potřebách technologie výroby příslušných elektronických součástek. Obecně lze říci, že pozitivní proces je díky lepším litografickým vlastnostem pozitivních rezistů výhodnější zejména z hlediska rozměrové přesnosti přenášených obrazců topologické struktury. Litografický proces vytvoření povlaku z rezistu přiložení masky s obrazci, které se mají překopírovat do vrstvy SiO2 ozáření rezistu ultrafialovým zářením přes masku odplavení degradovaného rezistu z nežádoucích míst odleptání SiO2 z nechráněných míst (bez rezistu) chemickými prostředky na odleptaných místech se provedou technologické operace, které vedou k vytváření polovodivých či vodivých struktur (iontová implantace, difúze, napařování, epitaxe apod.) před každou litografickou operací se provádí mezioperační kontrola po provedené kontrole se provede překrytí vrstvou SiO2 a může následovat další cyklus s novou maskou

10 Po dokončení všech technologických kroků je plátek pokryt čipy integrovaných obvodů: Ne všechny jsou však zdařilé. Vadné čipy se po testování označí a celý plátek se narýhuje v mezerách řádků a sloupců tak, aby se snadno rozlámal na jednotlivé čipy. Kvalitní čipy se zapouzdří. Obr.: Narýhovaný wafer

11 Zdroje: Ižo a kol, Elektrotechnické materiály Szántó L., Integrované obvody Szendiuch a kol., Výroba součástek a konstrukčních prvků Wikipedia Archiv autora Zpracoval ing. František Stoklasa

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší

Více

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky

Více

5 Monolitické integrované obvody

5 Monolitické integrované obvody Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde

Více

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto

Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Gymnázium Vysoké Mýto nám. Vaňorného 163, 566 01 Vysoké Mýto Registrační číslo projektu Šablona Autor Název materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0951 III/2 INOVACE A ZKVALITNĚNÍ VÝUKY PROSTŘEDNICTVÍM ICT Mgr. Petr

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Výchozí materiál pro výrobu polovodičových součástek.výroba čistého monokrystalického křemíku.

Výchozí materiál pro výrobu polovodičových součástek.výroba čistého monokrystalického křemíku. Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.E-19-MONOKRYSTAL KREMIKU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

TECHNOLOGIE OPTICKÝCH VLÁKEN A KABELŮ

TECHNOLOGIE OPTICKÝCH VLÁKEN A KABELŮ TECHNOLOGIE OPTICKÝCH VLÁKEN A KABELŮ Výhody optického přenosu signálu: Vysoká přenosová rychlost Velká kapacita a šířka přenosových pásem Nízká výkonová úroveň Odolnost proti rušivým vlivům necitlivost

Více

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D. Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

Více

Informační a komunikační technologie

Informační a komunikační technologie Informační a komunikační technologie 5. www.isspolygr.cz Vytvořil: Ing. David Adamovský Strana: 1 Škola Integrovaná střední škola polygrafická Ročník Název projektu 1. ročník SOŠ Interaktivní metody zdokonalující

Více

Základní typy článků:

Základní typy článků: Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,

Více

Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika

Lasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury

Více

Vítězslav Bártl. březen 2013

Vítězslav Bártl. březen 2013 VY_32_INOVACE_VB08_K Jméno autora výukového materiálu Datum (období), ve kterém byl VM vytvořen Ročník, pro který je VM určen Vzdělávací oblast, vzdělávací obor, tematický okruh, téma Anotace Vítězslav

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav

Více

Úvod polovodičové čipy

Úvod polovodičové čipy Polovodičové čipy Obecně o čipech úvod Výroba polovodičových čipů Provedení polovodičových čipů Holé čipy s vývody na horní straně (COB) Obrácené čipy (Flip Chip) Speciální čipy (např. TAB) WLP Závěr Úvod

Více

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen

Více

Polovodičové čipy a integrované obvody (4)

Polovodičové čipy a integrované obvody (4) Polovodičové čipy a integrované obvody (4) Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMEL e-mail: szend@feec.vutbr.cz OBSAH Úvod - obecně o polovodičových čipech

Více

Iradiace tenké vrstvy ionty

Iradiace tenké vrstvy ionty Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,

Více

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.

Přednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování

Více

PATENTOVÝ SPIS CO 00 N O. o CV1 A 61 M 36/14. (Věstník č: 08/2002) 14.04.2004. Způsob přípravy radioaktivní fólie pro aplikaci v nukleární medicíně

PATENTOVÝ SPIS CO 00 N O. o CV1 A 61 M 36/14. (Věstník č: 08/2002) 14.04.2004. Způsob přípravy radioaktivní fólie pro aplikaci v nukleární medicíně PATENTOVÝ SPIS (19) ČESKÁ REPUBLIKA (21) číslo přihlášky: 2000-4559 (22) Přihlášeno: 07.12.2000 (40) Zveřejněno: 14.08.2002 (Věstník č: 08/2002) (47) Uděleno: 27.02.04 (24) Oznámení o udělení ve Věstníku:

Více

Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování

Vakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev

Více

TECHNOLOGICKÁ CVIČENÍ

TECHNOLOGICKÁ CVIČENÍ TECHNOLOGICKÁ CVIČENÍ Střední škola Centrum odborné přípravy technickohospodářské Poděbradská 1, Praha 9 TECHNOLOGICKÁ CVIČENÍ Úvodem: Tento výukový text má sloužit pro interní potřebu školy k výuce Technologických

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

Fyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM. Praktikum z pevných látek (F6390)

Fyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM. Praktikum z pevných látek (F6390) Fyzikální sekce přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity v Brně FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Praktikum z pevných látek (F6390) Zpracoval: Michal Truhlář Naměřeno: 22. Května 2007 Obor: Fyzika Ročník: III Semestr:

Více

Výroba mikrostruktur metodou UV litografie a mechanickým obráběním

Výroba mikrostruktur metodou UV litografie a mechanickým obráběním Výroba mikrostruktur metodou UV litografie a mechanickým obráběním I. Úvod a. UV fotolitografie Fotolitografie je nejdůležitější částí výroby integrovaných obvodů, je také nejnákladnější. Roste totiž poptávka

Více

Integrovaná střední škola, Hlaváčkovo nám. 673, Slaný

Integrovaná střední škola, Hlaváčkovo nám. 673, Slaný Označení materiálu: VY_32_INOVACE_STEIV_FYZIKA2_12 Název materiálu: Elektrický proud v plynech. Tematická oblast: Fyzika 2.ročník Anotace: Prezentace slouží k výkladu elektrického proudu v plynech. Očekávaný

Více

6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití

6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími

Více

Úvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství.

Úvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. Laserové kalení Úvod Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. poslední době se začínají komerčně prosazovat

Více

má největší úběr z LAPI řady. Vhodný na odstraňování švů po lisovacích formách, hrubé práce v různých radiusech atp.

má největší úběr z LAPI řady. Vhodný na odstraňování švů po lisovacích formách, hrubé práce v různých radiusech atp. Kotouče nástroje se zabudovaným abrazivem Nástroje LAPI a POLI Nástroje jsou pojeny polyuretanovou pěnou Nástroje se chladí vodou (není nutné přimazávat brusivo) Minimalizují zápraskovou vrstvu, a tím

Více

Metodický návod: 5. Zvyšování vnějšího napětí na 3 V. Dochází k dalšímu zakřivování hladin a rozšiřování hradlové vrstvy.

Metodický návod: 5. Zvyšování vnějšího napětí na 3 V. Dochází k dalšímu zakřivování hladin a rozšiřování hradlové vrstvy. Metodický návod: 1. Spuštění souborem a.4.3_p-n.exe. Zobrazeny jsou oddělené polovodiče P a N, majoritní nositelé náboje (elektrony červené, díry modré), ionty příměsí (čtverečky) a Fermiho energetické

Více

1.1.1 Hodnocení plechů s povlaky [13, 23]

1.1.1 Hodnocení plechů s povlaky [13, 23] 1.1.1 Hodnocení plechů s povlaky [13, 23] Hodnocení povlakovaných plechů musí být komplexní a k určování vlastností základního materiálu přistupuje ještě hodnocení vlastností povlaku v závislosti na jeho

Více

Výroba plošných spojů

Výroba plošných spojů Výroba plošných spojů V současné době se používají tři druhy výrobních postupů: Subtraktivní, aditivní a semiaditivní. Jak vyplývá z názvu, subtraktivní postup spočívá v odstraňování přebytečné mědi (leptání),

Více

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se

Více

Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita

Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita PREDMET TECHNOLOGIE POLOVOD SOUCASTEK CI JAK SE JMENUJE Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT Praktikum

Více

Jak se vyrábí procesory Intel

Jak se vyrábí procesory Intel Jak se vyrábí procesory Intel autor: Václav Vlček, převzato z www.pctuning.cz Písek Křemík je hned po kyslíku druhý nejrozšířenější chemický prvek na zemi s přibližně 25% zastoupením. Písek a speciálně

Více

Speciální metody obrábění

Speciální metody obrábění Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: Základy výroby druhý M. Geistová 6. září 2012 Název zpracovaného celku: Speciální metody obrábění Speciální metody obrábění Použití: je to většinou výkonné beztřískové

Více

Technické kreslení v elektrotechnice

Technické kreslení v elektrotechnice Technické kreslení v elektrotechnice Elektrotechnická schémata naznačují symbolicky elektrické pochody součástky a přístroje kreslíme pomocí normalizovaných značek spoje mezi nimi kreslíme II nebo, v případě

Více

Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií

Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Tento dokument obsahuje popis technologických možností při výrobě potištěných keramických substrátů PS (Printed Substrates)

Více

akustika zvuk, zdroj zvuku šíření zvuku odraz zvuku tón, výška tónu kmitočet tónu hlasitost zvuku světlo, zdroj světla přímočaré šíření světla

akustika zvuk, zdroj zvuku šíření zvuku odraz zvuku tón, výška tónu kmitočet tónu hlasitost zvuku světlo, zdroj světla přímočaré šíření světla - určí, co je v jeho okolí zdrojem zvuku, pozná, že k šíření zvuku je nezbytnou podmínkou látkové prostředí - chápe odraz zvuku jako odraz zvukového vzruchu od překážky a dovede objasnit vznik ozvěny -

Více

K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ

K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A ( 19 ) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ (Ы) (23) Výstavní priorita (22) Přihlášeno 03 11 82 (21) pv 7798-82 229 332 ('i) (Bl) (51) Int. Cľ G 01 N 1/20,

Více

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první

Více

Konstrukční třídy přesnosti

Konstrukční třídy přesnosti Konstrukční třídy přesnosti Třída přesnosti 4 5 6 W min. 12 8 6 Isol min. 12 8 6 V min. 24 16 12 PAD min. V+24 V+16 V+12 SMask min. PAD+10 PAD+8 PAD+6 Další důležitý parametr: Aspect Ratio = poměr V :

Více

dodavatel vybavení provozoven firem Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing.

dodavatel vybavení provozoven firem  Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing. dodavatel vybavení provozoven firem www.abetec.cz Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: 105000446 Popis Ing. Martin Abel Publikace je určena pro konstruktéry desek plošných spojů s povrchově

Více

5. Vedení elektrického proudu v polovodičích

5. Vedení elektrického proudu v polovodičích 5. Vedení elektrického proudu v polovodičích - zápis výkladu - 26. až 27. hodina - A) Stavba látky a nosiče náboje Atom: základní stavební částice; skládá se z atomového jádra (protony a neutrony) a atomového

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Základní pojmy elektrotechniky Přednáška č. 1 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Základní pojmy elektrotechniky 1 Elektrotechnika:

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

ZKOUŠENÍ MATERIÁLU. Defektoskopie a technologické zkoušky

ZKOUŠENÍ MATERIÁLU. Defektoskopie a technologické zkoušky ZKOUŠENÍ MATERIÁLU Defektoskopie a technologické zkoušky Zkoušení materiálů bez porušení Nedestruktivní zkoušky (nezpůsobují trvalou změnu tvaru, rozměrů nebo struktury): metody zkoumání struktur (optická

Více

SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ

SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE TŘETÍ JANA ŠPUNDOVÁ 06.04.2014 Název zpracovaného celku: SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Používají se pro obrábění těžkoobrobitelných

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. Elektroerozivní obrábění řezání drátovou pilou

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. Elektroerozivní obrábění řezání drátovou pilou Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: Elektroerozivní obrábění řezání drátovou pilou Obor: Nástrojař, Obráběč kovů Ročník: 1. Zpracoval(a): Pavel Rožek Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Předmět: FYZIKA Ročník: 6.

Předmět: FYZIKA Ročník: 6. Ročník: 6. Látky a tělesa - uvede konkrétní příklady jevů dokazujících, že se částice látek neustále pohybují a vzájemně na sebe působí - na konkrétním příkladu rozezná těleso a látku, určí skupenství

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

Nanolitografie a nanometrologie

Nanolitografie a nanometrologie Nanolitografie a nanometrologie 1 Nanolitografie 2 Litografie svazkem 3 Softlitografie 4 Skenovací nanolitografie 5 Nanometrologie Nanolitografie Poznámky k tvorbě nanostruktur tvorba užitečných nanostruktur

Více

18 STRUKTURA SPOJŮ PÁJENÝCH PÁJKAMI BEZ OLOVA A JEJÍ VLIV NA VNĚJŠÍ VZHLED SPOJE

18 STRUKTURA SPOJŮ PÁJENÝCH PÁJKAMI BEZ OLOVA A JEJÍ VLIV NA VNĚJŠÍ VZHLED SPOJE 18 STRUKTURA SPOJŮ PÁJENÝCH PÁJKAMI BEZ OLOVA A JEJÍ VLIV NA VNĚJŠÍ VZHLED SPOJE Jiří Podzemský ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Elektrotechnická fakulta Katedra elektrotechnologie 1. Úvod Elektronika

Více

Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc., Ing. Jiří Stehlík, Ph.D. Výroba součástek a konstrukčních prvků

Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc., Ing. Jiří Stehlík, Ph.D. Výroba součástek a konstrukčních prvků Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc., Ing. Jiří Stehlík, Ph.D. Výroba součástek a konstrukčních prvků Vysoké učení technické v Brně 2011 Tento učební text byl vypracován v rámci

Více

Základy mikroelektronických technologií

Základy mikroelektronických technologií Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Základy mikroelektronických technologií Technologie tlustých vrstev Technologie tenkých vrstev Základy polovodičových technologií Mikroelektronické technologie

Více

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám Registrační číslo projektu: CZ.1.07/1.4.00/21.3665 Šablona: III/2 č. materiálu: VY_32_INOVACE_127 Jméno autora: Mgr. Eva Mohylová Třída/ročník:

Více

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták Izolant je látka, která nevede elektrický proud izolant neobsahuje volné částice s elektrický

Více

Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.2. Základní konstrukční součásti laserů. Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011

Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.2. Základní konstrukční součásti laserů. Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011 Laserové technologie v praxi I. Přednáška č.2 Základní konstrukční součásti laserů Hana Chmelíčková, SLO UP a FZÚ AVČR Olomouc, 2011 Konstrukce laseru 1 - Aktivní prostředí 2 - Čerpací zařízení 3 - Optický

Více

Elektrodynamika, elektrický proud v polovodičích, elektromagnetické záření, energie a její přeměny, astronomie, světelné jevy

Elektrodynamika, elektrický proud v polovodičích, elektromagnetické záření, energie a její přeměny, astronomie, světelné jevy Předmět: Náplň: Třída: Počet hodin: Pomůcky: Fyzika (FYZ) Elektrodynamika, elektrický proud v polovodičích, elektromagnetické záření, energie a její přeměny, astronomie, světelné jevy Kvarta 2 hodiny týdně

Více

DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS

DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS DOPORUČENÍ PRO KONSTRUKCI DPS Doporučení slouží jako pomůcka při návrhu desek plošných spojů a specifikuje podklady pro výrobu DPS. Podklady musí odpovídat potřebám výrobní technologie. Zákazník si odpovídá

Více

Seskupení zdících prvků uložených podle stanoveného uspořádání a spojených pojivem (maltou, zálivkou)

Seskupení zdících prvků uložených podle stanoveného uspořádání a spojených pojivem (maltou, zálivkou) Seskupení zdících prvků uložených podle stanoveného uspořádání a spojených pojivem (maltou, zálivkou) cihelné, tvárnicové, kamenné, smíšené Cihla plná (CP) rozměr: 290 140 65 mm tzv. velký formát (4:2:1)

Více

Evropský sociální fond "Praha a EU: Investujeme do vaší budoucnosti"

Evropský sociální fond Praha a EU: Investujeme do vaší budoucnosti Střední škola umělecká a řemeslná Projekt Evropský sociální fond "Praha a EU: Investujeme do vaší budoucnosti" IMPLEMENTACE ŠVP Evaluace a aktualizace metodiky předmětu Fyzika Obory nástavbového studia

Více

Hardware I. VY_32_INOVACE_IKT_668

Hardware I. VY_32_INOVACE_IKT_668 VY_32_INOVACE_IKT_668 Hardware I. Autor: Marta Koubová, Mgr. Použití: 5-6. třída Datum vypracování: 21.9.2012 Datum pilotáže: 1.10.2012 Anotace: Tato prezentace slouží k bližšímu seznámení s pojmem hardware.

Více

12. Broušení. Brusné nástroje

12. Broušení. Brusné nástroje 12. Broušení Broušení patří mezi operace třískového obrábění. Brusný nástroj je složen z velkého množství brusných zrn spojených pojivem. Brusná zrna nemají přesně definovaný geometrický tvar a na každém

Více

Elektrodynamika, elektrický proud v polovodičích, elektromagnetické záření, energie a její přeměny, astronomie

Elektrodynamika, elektrický proud v polovodičích, elektromagnetické záření, energie a její přeměny, astronomie Předmět: Náplň: Třída: Počet hodin: Pomůcky: Fyzika (FYZ) Elektrodynamika, elektrický proud v polovodičích, elektromagnetické záření, energie a její přeměny, astronomie Kvarta 2 hodiny týdně Pomůcky, které

Více

Technologie číslicových obvodů

Technologie číslicových obvodů Technologie číslicových obvodů Technologie výroby IO pouzdření Vyšší montážní celky 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 1 Diode logic DL: 30.1.2013 O. Novák, CIE 3 2 DL: nepoužívá se, nemožnost invertovat signál,

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření

Metody využívající rentgenové záření. Rentgenovo záření. Vznik rentgenova záření. Metody využívající RTG záření Metody využívající rentgenové záření Rentgenovo záření Rentgenografie, RTG prášková difrakce 1 2 Rentgenovo záření Vznik rentgenova záření X-Ray Elektromagnetické záření Ionizující záření 10 nm 1 pm Využívá

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEI Technologie jednoduchých montážních prací

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ. MEI Technologie jednoduchých montážních prací Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEI - 2.6 Technologie jednoduchých montážních prací Obor: Mechanik elektronik Ročník: 1. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010

Více

Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil

Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil M. Vůjtek Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem České republiky v rámci projektu Vzdělávání výzkumných

Více

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých

Více

Magnetická separace. permanentním magnetem elektromagnetem. Frantzův isodynamický separátor

Magnetická separace. permanentním magnetem elektromagnetem. Frantzův isodynamický separátor Magnetická separace permanentním magnetem elektromagnetem Frantzův isodynamický separátor Princip elektromagnetické separace Bubnové magnetické separátory K separaci velmi slabě od slabě magnetických minerálů

Více

POPIS VYNALEZU 155088

POPIS VYNALEZU 155088 ČESKOSLOVENSKA SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A POPIS VYNALEZU 155088 K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ MPT G 011 1/18 ( l É Š Přihlášeno 19. XII. 1972 (PV 8749-72] PT 21 g 18/01 Zveřejněno 17. IX. 1973 ÚRAD PRO VYNÁLEZY

Více

ODSTRANĚNÍ VLHKOSTI ZDIVA ČECHOVA ČP 183 HRANICE OBJEKT KATASTRÁLNÍ ÚŘAD

ODSTRANĚNÍ VLHKOSTI ZDIVA ČECHOVA ČP 183 HRANICE OBJEKT KATASTRÁLNÍ ÚŘAD ODSTRANĚNÍ VLHKOSTI ZDIVA ČECHOVA ČP 183 HRANICE OBJEKT KATASTRÁLNÍ ÚŘAD A. TECHNICKÁ ZPRÁVA PROJEKT BŘEZEN 2016 Technická zpráva : A identifikace stavby, jméno a příjmení, místo trvalého pobytu stavebníka,

Více

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu

Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu Úloha 1: Zapojení integrovaného obvodu MA 7805 jako zdroje napětí a zdroje proudu ELEKTRONICKÉ PRAKTIKUM FJFI ČVUT V PRAZE Číslo úlohy: 1 Autor: František Batysta Datum měření: 18. října 2011 Ročník a

Více

Sloupek Bekafix. Obr. 1

Sloupek Bekafix. Obr. 1 1 Popis je vyroben z oceli Sendzimir (1) metodou profilového válcování. Sloupek je následně potažen vrstvou polyesteru. Sloupky Bekafix lze použít v kombinaci s panely Nylofor 3D, Nylofor 3-M, Nylofor

Více

DIAMANTOVÉ KOTOUČE NA BROUŠENÍ PIL

DIAMANTOVÉ KOTOUČE NA BROUŠENÍ PIL Objednávky: VI GlassPartner s.r.o. U nádraží 197, 511 01 urnov Bezplatný poradenský servis: Eva Brunclíková M: +0 60 7 855 E-mail: info@vid-glasspartner.com www.vid-glasspartner.com IAMANOVÉ KOOUČE NA

Více

Nauka o materiálu. Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky

Nauka o materiálu. Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky Nauka o materiálu Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky Opakování z minula Materiál Degradační procesy Vnitřní stavba atomy, vazby Krystalické, amorfní, semikrystalické Vlastnosti materiálů chemické,

Více

STRUKTURA A VLASTNOSTI PEVNÝCH LÁTEK

STRUKTURA A VLASTNOSTI PEVNÝCH LÁTEK STRUKTURA A VLASTNOSTI PEVNÝCH LÁTEK Základními vlastnosti pevných látek jsou KRYSTALICKÉ A AMORFNÍ LÁTKY Jak vzniká pevná látka z kapaliny Krystalické látky se vyznačují uspořádáním Dělíme je na 2 základní

Více

Věra Keselicová. květen 2013

Věra Keselicová. květen 2013 VY_52_INOVACE_VK56 Jméno autora výukového materiálu Datum (období), ve kterém byl VM vytvořen Ročník, pro který je VM určen Vzdělávací oblast, obor, okruh, téma Anotace Věra Keselicová květen 2013 8. ročník

Více

METALOGRAFIE I. 1. Úvod

METALOGRAFIE I. 1. Úvod METALOGRAFIE I 1. Úvod Metalografie je nauka, která pojednává o vnitřní stavbě kovů a slitin. Jejím cílem je zviditelnění struktury materiálu a následné studium pomocí světelného či elektronového mikroskopu.

Více

Rozšíření datové základny pro řízení výroby

Rozšíření datové základny pro řízení výroby Rozšíření datové základny pro řízení výroby Pro rozšíření datové základny v rámci předmětu řízení výroby jsme připravili součástku z oblasti strojírenské výroby. Konkrétně se jedná o kryt pily na beton.

Více

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:

Více

Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud stejnosměrný

Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud stejnosměrný Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1 Šablona: Název: Téma: Autor: Číslo: Anotace: Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Elektrický proud stejnosměrný Rozdělení

Více

Optoelektronické senzory. Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém

Optoelektronické senzory. Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém Optoelektronické senzory Optron Optický senzor Detektor spektrální koherence Senzory se CCD prvky Foveon systém Optron obsahuje generátor světla (LED) a detektor optické prostředí změna prostředí změna

Více

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony

Více

Projekt realizovaný na SPŠ Nové Město nad Metují. s finanční podporou v Operačním programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Královéhradeckého kraje

Projekt realizovaný na SPŠ Nové Město nad Metují. s finanční podporou v Operačním programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Královéhradeckého kraje Projekt realizovaný na SPŠ Nové Město nad Metují s finanční podporou v Operačním programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Královéhradeckého kraje Modul 03 Technické předměty Lenka Havlova 1 Broušení

Více

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEIII METODY MONTÁŽE SMD SOUČÁSTEK

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEIII METODY MONTÁŽE SMD SOUČÁSTEK Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEIII - 3.2 METODY MONTÁŽE SMD SOUČÁSTEK Obor: Mechanik elektronik Ročník: 3. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Projekt

Více

POPIS VYNALEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ (19) (13) B1. (40) Zveřejněno 13 10 89 (45) Vydáno 12 02 91. (75) Autor vynálezu A.UTRATA RUDOLF Ing. CSo.

POPIS VYNALEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ (19) (13) B1. (40) Zveřejněno 13 10 89 (45) Vydáno 12 02 91. (75) Autor vynálezu A.UTRATA RUDOLF Ing. CSo. ČESKÁ A SLOVENSKA FEDERATÍVNI REPUBLIKA (19) POPIS VYNALEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 269 916 (ID (13) B1 (21) pv 6856-87.и (22) Přihlášeno zk 09 87 (51) Int. Cl." II 01 j 37/28 FEDERÄLNl ClňAD PRO VYNÁLEZY

Více

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N

POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07

Více

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak. Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle

Více

Základní škola Fr. Kupky, ul. Fr. Kupky 350, Dobruška 5.6 ČLOVĚK A PŘÍRODA FYZIKA - Fyzika 9. ročník. ŠVP Školní očekávané výstupy

Základní škola Fr. Kupky, ul. Fr. Kupky 350, Dobruška 5.6 ČLOVĚK A PŘÍRODA FYZIKA - Fyzika 9. ročník. ŠVP Školní očekávané výstupy 5.6 ČLOVĚK A PŘÍRODA 5.6.1 FYZIKA Fyzika 9. ročník RVP ZV Obsah RVP ZV Kód RVP ZV Očekávané výstupy ŠVP Školní očekávané výstupy ŠVP Učivo F9101 změří vhodně zvolenými měřidly některé důležité fyzikální

Více

Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic

Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic Emise vyvolaná působením fotonů nebo částic PES (fotoelektronová spektroskopie) XPS (rentgenová fotoelektronová spektroskopie), ESCA (elektronová spektroskopie pro chemickou analýzu) UPS (ultrafialová

Více

Title: IX 8 7:40 (1 of 7)

Title: IX 8 7:40 (1 of 7) P N (PN) PŘECHOD P N přechod lze realizovat pouze z POLOVODIČŮ. Jedná se o materiál, který musí mít dokonalý krystal bez příměsí a nečistot (čistota musí být lepší než 99,9999 %). Czochralského metoda

Více

MONTÁŽ SMT A THT - PÁJENÍ

MONTÁŽ SMT A THT - PÁJENÍ MONTÁŽ SMT A THT - PÁJENÍ 1. ÚVOD DO PROBLEMATIKY 1.1. Měkké pájení Měkké pájení (do 450 C) je jednou z metalurgických metod spojování. V montáži elektronických obvodů a zařízení je převažující technologií.

Více

Želatina, příprava FSCV. Černobílá fotografie. Želatina, příprava FSCV. Želatina, příprava FSCV. Želatina, příprava FSCV

Želatina, příprava FSCV. Černobílá fotografie. Želatina, příprava FSCV. Želatina, příprava FSCV. Želatina, příprava FSCV Černobílá fotografie e - redukce oxidace rozpuštění Kovové stříbro obrazové stříbro zpětné získávání bělení vyvolávání O 3 snadno rozp. srážení Cl, Br, I nerozpustné ustalování [(S 2 O 3 ) n ] (2n-1)-

Více

NULTÁ GENERACE reléové obvody 30. a 40. let minulého století Harvard Mark I Harvard Mark II Konráda Zuseho Z2 SAPO

NULTÁ GENERACE reléové obvody 30. a 40. let minulého století Harvard Mark I Harvard Mark II Konráda Zuseho Z2 SAPO HISTORIE NULTÁ GENERACE Základ - reléové obvody 30. a 40. let minulého století. Typičtí představitelé: Harvard Mark I, Harvard Mark II či stroje německého inženýra Konráda Zuseho Z2 a Z3. Čechy - první

Více

Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada

Plazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze

Více