VLASTNOSTI PLOŠNÝCH SPOJÙ

Podobné dokumenty

11 Elektrické specifikace Mezní parametry* Okolní teplota pøi zapojeném napájení 40 C až +125 C Skladovací teplota 65 C až +150 C Napájecí napìtí na V





1.2 Realizace èekání pomocí jednoduché programové smyèky Pøíklad 3: Chceme-li, aby dítì blikalo baterkou v co nejpøesnìjším intervalu, øekneme mu: Roz

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů

12 15 Instalace mikroturbíny v blokové plynové výtopnì " ZADÁNO: Instalace mikroturbíny v blokové plynové výtopnì Zjistìte: 1 Zda je ekonomicky výhodn

:5$ =islv GDW V DOWHUQDFt QHMY\ããtKRELWX

Spínaèe jsou elektrické pøístroje, které slouží k zapínání, pøepínání a vypínání elektrických obvodù a spotøebièù. Podle funkce, kterou vykonávají, je

3.1 Útlum atmosférickými plyny Rezonance molekul nekondenzovaných plynù obsažených v atmosféøe zpùsobuje útlum šíøících se elektromagnetických vln. Ab


3/ %,1'(& 83'1 &( &3 )XQNFH. + ; ; ; ; / ; ; + ; EH]H]PuQ\

Izolaèní zesilovaèe s IL300 Zapojení izolaèních zesilovaèù s IL300 se liší pøedevším režimem v nichž pracují interní fotodiody Podle toho zda interní


nažhavováním elektronek, takže nedochází k neúmìrnému pøetìžování filtraèních kondenzátorù pøi nábìhu anodového proudu. Polovodièový usmìròovaè vytvoø


než je cca 5 [cm] od obvodu LT1070, doporučuje se blokovat napětí U IN

PDWHULiO FS>-NJ ±. FS>NFDONJ ± ƒ& VW teur åhoh]r FtQ KOLQtN N HPtN. OHG DONRKRO ROHM FFD FFD SHWUROHM UWX YRGD Y]GXFK YRGQtSiUD KHOLXP



CTR pro optoèlen s LED a tranzistorem:,& &75 = [%] U, CE = const ) Obvykle CTR urèíme pøi I F = 10 ma a U CE = 5 V. Hodnoty zjistíme z tabulky.,& &75


8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ



červená LED 1 10k LED 2

Vytváøení sí ového diagramu z databáze: pøíklad

Kapitola 3 UNIPOLÁRNÍ TRNZISTORY 3.1 Obecný popis Unipolární tranzistory s pøechodovým hradlem (JFET) MOSFET MOSFET zvláštní k



2.4 Cykly 2. ZÁKLADY JAZYKA C



NULOROVÉ MODELY Spokojíme-li se pouze se základní analýzou elektronického obvodu s ideálními prvky, osvìdèuje se èasto užití nulorových modelù aktivní


M R 8 P % 8 P5 8 P& & %

Skládaèka Obr 48 G15 VBP Co to dìlá: Naète vybraný obrázek (vybraný pomocí CommonDialog1), vytvoøí MxN komponent PictureBox obsahujících odpovídající





Základní pasivní a aktivní obvodové prvky





D DE = = + [ + D[ [ D = - - XY = = + -


Odrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy


2kapitola 2 ŠÍØENÍ VLN V ZÁSTAVBÌ PRO MOBILNÍ BUÒKOVÉ SYSTÉMY 2.1 Šíøení vln v pásmu UHF Mobilní spoj Šíøení v poloprostoru








8,1 [9] [9] ± ± ± ± ± ± ± ± ±



4.8 Jak jsme na tom v porovnání s jinými přístupy

6. Typy GPS přijímačů



Teoretická elektrotechnika - vybrané statě

kap..2 Plochy (Surfaces) Plochy jsou rozšíøením NURBS køivek. Zatímco køivka NURBS používala jednorozmìrnou interpolaci (U), u ploch je navíc pøidán d

[ 2] [ 1] Stanovení znaménka (2.10)

NOtþRYiQt. YêE U ign



Katalogový list Návrh a konstrukce desek plošných spojů. Obj. číslo: Popis. Ing. Vít Záhlava, CSc.

/2*,.$ 5(6(7 Ë=(1Ë +$/7 *(1(5È ',129é & 6./ $/8. ' /,ý. ýë7$ý 5(*,675 5(*, é. 6e5,29é 5(*,675 * $.808/È725 5:0. %8',ý(/ 45(*,675 5(*



( &. t S D Q 1 % 32/( þdv. 6 $ ý 3528' f V. f U L P. 8 d7 7 8 W , P W W



Konstrukční třídy přesnosti

OHGHQ ~QRU E H]HQ GXEHQ NY WHQ þhuyhq. SROROHWt

Základy ultrazvuku. Tab. 6.1

]PHQãLWIRQW ]Y WãLWIRQW QDVWDYLWIRQW XORåLWVRXERU Y\WLVNQRXWVRXERU Y\WYR LWQRYêVRXERU

9. Kompenzace účiníku u spínaných zdrojů malých výkonů


P P P ) Mw Mj = = + ,P H,P H H,P H H. ww j ww j ww = + , P H j




2 Deset jednoduchých zkušebních a indikaèních zapojení Na následujících stranách je vidìt, že i velmi jednoduchá zapojení se svìtelnými diodami mohou



TEPELNÌ VODIVÉ FÓLIE KERAFOL - ISO 9001

([FHQWULFLWD 6WUPRVW




4.2 Paměti PROM NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n


Transkript:

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby ètenáø vidìl, jakým zpùsobem je titul zpracován a mohl se také podle tohoto, jako jednoho z parametrù, rozhodnout, zda titul koupí èi ne). Z toho vyplývá, že není dovoleno tuto ukázku jakýmkoliv zpùsobem dále šíøit, veøejnì èi neveøejnì napø. umis ováním na datová média, na jiné internetové stránky (ani prostøednictvím odkazù) apod. redakce nakladatelství BEN technická literatura redakce@ben.cz

VLASTNOSTI PLOŠNÝCH SPOJÙ

kap. Desky plošných spojù Desky plošných spojù pro osazení souèástkami s fotocitlivou vrstvou tlouš ky pouhých 5µm. www.abetec.cz 52 Vít Záhlava: NÁVRH A KONSTRUKCE DESEK PLOŠNÝCH SPOJÙ A

V této kapitole budou uvedeny nìkteré dùležité vlastnosti plošných spojù, potøebné pro správný návrh layoutu. Jedná se pøedevším o odpor, kapacitu, indukènost a impedanci rùzných geometrických konfigurací vodièù a plošných spojù. Znalosti tìchto vlastností jsou vstupní podmínkou pro úvahy o nìkterých parazitních jevech na deskách plošných spojù a jejich eliminaci pøi návrhu (zpoždìní prùchodu signálu, odrazy na vedení, pøeslechy ). Veškeré vztahy uvedené v následujících kapitolách jsou èerpány z literatury [5], [6], [7], [8]. Vztahy jsou ve vìtšinì pøípadù zjednodušené, což pro potøeby tohoto textu postaèuje, nebo cílem je ukázat, na jakých parametrech tyto vlastnosti závisí a ne vypoèítat jejich pøesnou hodnotu. Pøesné výpoèty pøenechejme poèítaèovým simulaèním programùm. kap..1 Odpor Pro odpor vodièe platí základní vztah: O O 5 = ρ = ρ [ Ω] 6 W Z kde ρ je mìrný elektrický odpor [Ω.m], l je délka vodièe [m] a S jeho prùøez [m 2 ]. Symboly t a w odpovídají kótování z obr..1a. (.1) Obr..1 Znázornìní odporu a) vodièe, b) vodivé plochy Odpor vodivé plochy mezi dvìma vodièi o prùmìru 2.r [m] vzdálených od sebe d [m] je potom (obr..1b): ρ G 5 = OQ Ω π W U [ ] (.2) Mìrný elektrický odpor ρ je pro mìï ρ Cu = 17,8 10 9 Ω.m, pro cín ρ Sn = 170 10 9 Ω.m, pro støíbro ρ Ag = 16 10 9 Ω.m a pro zlato ρ Au = 2 10 9 Ω.m. Pøíklad: Odpor 10 cm dlouhého mìdìného spoje o šíøce w = 0,3 mm (. tøída pøesnosti) a tlouš ce t = 5 µm bude R = 0,132 Ω. Naproti tomu odpor vodivé plochy stejné tlouš ky mezi vodièi o vzdálenosti d=10 cm pøi prùmìru 2 r = 1 mm bude R = 0,580 mω. (Tlouš ka 5 µm pøedstavuje základní plátování 18 µm a zhruba 26 µm zesílení, zpùsobené semiaditivní technologií výroby DPS obr. 2.3 nebo tabulka 2.1.) A Kapitola Vlastnosti plošných spojù 53

kap. POZOR vypoètený odpor vodivé dráhy odpovídá mìdìnému spoji zakrytými nepájivou maskou. Je tøeba si uvìdomit, že budou-li spoje povrchovì upraveny pocínováním, vznikne na zhruba 50% prùøezu spoje slitina Cu-Sn, která bude mít vysoký mìrný odpor. Odpor vodivé dráhy pocínovaného spoje bude dvojnásobný oproti odporu mìdìného spoje pokrytého pouze nepájivou maskou!!!.1.1 Skin efekt Pøi vysokých kmitoètech bude proudová hustota blíže ke støedu vodièe klesat skin efekt. Definuje se hloubka vnikání δ, která pøedstavuje vzdálenost od povrchu vodièe, ve které klesne proudová hustota na hodnotu 1/e ( 37 %). Platí zjednodušený vztah: ρ δ = =. π µ µ I I U [ P] (.3) kde µ 0 je permeabilita vakua (1,26 10 6 = π 10 7 H/m), µ r je relativní permeabilita (pro FR i mìï je µ r = 1), ρ je mìrný elektrický odpor [Ωm] a f je frekvence [Hz]. Dosazením do vztahu (.3) dostaneme pro mìï K = 0,067. Pro mìdìný plošný spoj o tlouš ce 5 µm se tak skin efekt zaène projevovat od frekvence 9 MHz. Vztah (.1) je tedy pro páskový vodiè pøi vysokých kmitoètech a pro hodnoty 2 δ t nutné korigovat na: O 5 = ρ [ Ω] δ + ( Z W) (.) Pro odpor vodivé plochy mùžeme pøi vysokých kmitoètech použít zjednodušený vztah ρ G 5 = OQ [ Ω] π δ U Pøedpokladem opìt je, že tlouš ka vodivé plochy t je vìtší než dvojnásobek ekvivalentní hloubky vnikání δ. Opìt pøipomínám, že výsledný odpor mùže být zdvojnásoben pocínováním povrchu mìdi..2 Kapacita Kapacitu dvou deskových elektrod mùžeme vypoèítat ze vztahu: 6 & = ε εu ) K [ ] kde ε 0 je permitivita vakua (8,8 10 12 F/m), ε r je relativní permitivita (pro nosné jádro plošných spojù typu FR je ε r =,7), S je plocha desek [m 2 ] a h jejich vzdálenost [m]. Velmi dùležité je znát kapacitu rùzných geometrických konfigurací vodièù, plošných spojù a vodivých ploch (obr..2,.3 a.). (.5) (.6) 5 Vít Záhlava: NÁVRH A KONSTRUKCE DESEK PLOŠNÝCH SPOJÙ A