ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Počítačové systémy Vnitřní paměti Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-1/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti ělení vnitřních pamětí ělení pamětí podle různých kritérií: výrobní technologie (bipolární unipolární tranzistory) provozní režim (SRAM, RAM) způsob práce s daty (pouze čtení zápis/čtení, náhodný sekvenční) závislost na napájecím napětí volatilní - ztrácejí obsah při odpojení napájení nevolatilní - uchovávají obsah i bez napájení Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-2/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Zapisovatelné paměti Zapisovatelné paměti se obvykle označují jako RAM (Random Access Memory). Je možné se setkat s označením RWM (Read Write Memory). Obsah lze libovolně měnit. Po vypnutí napájení se obsah ztrácí SRAM (Static RAM) - statická pamět hlavní předností je rychlost nevýhodou je složitá pamět ová buňka (4 6 tranzistorů) vysoká cena realizovány jako bistabilní klopný obvod RAM pomalejší než SRAM a nižší spotřeba vybíjení kondenzátorů způsobuje zapomínání uložená informace se musí obnovovat! pamět ová buňka tvořena tranzistorem a kondenzátorem Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-3/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Pamět SRAM Realizace jedné buňky paměti SRAM informace uložena stav klopného obvodu používány pro malé, rychlé paměti (vyrovnávací paměti, registry) pamět ové buňky uspořádány do matice řádková a sloupcová adresa buňky poskytnuta současně Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-4/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Pamět SRAM Příklad 4 x 3bitové paměti ata in I2 I 1 I 0 Write gate Word 0 Word 0 select line Word 1 A 1 A0 Word 1 select line Word 2 Word 2 select line Word 3 CS R CS R O 1 O2 O 3 OE Output enable = CS R OE Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-5/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Pamět RAM Logická struktura RAM paměti Address bus ata bus CAS Column Address Latch Column Address ecoder Row Addr. Latch Row Addr. ecdr. RAS Sense and Refresh Amplififiers Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-6/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti počet adresních vodičů redukován dekompozicí na adresu řádku a sloupce v pamět ové matici (čtených po sobě) adresace kontrolována signály RAS (Row addess strobe) a CAS (Column address strobe) dvě různé metody refreshe RAS refresh - postupné adresování řádku (aktivní jen signál RAS) CAS-Before-RAS refresh - signál CAS vyvolán před RAS, je určena adresa řádku pomocí vnitřního čítače Skrytý refresh- obnovovací cyklus je skryt za cyklus čtení Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-7/11- Západočeská univerzita v Plzni Pamět RAM Realizace jedné buňky paměti RAM Word line Bit line
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Typy RAM pamětí FPM RAM (Fast page mode dynamic random access memory) - původní forma RAM EO RAM (Extended data-out dynamic random access memory) - nová adresace před dokončením přenosu dat SRAM (Synchronous dynamic random access memory) - využívá předpokladu sekvenčního čtení dat a interleaving R SRAM (ouble data rate synchronous dynamic RAM) - přenesení dvou bitů v jednom hodinovém taktu RRAM (Rambus dynamic random access memory) - použití speciální sběrnice a paralelní práce RRAM čipů VRAM (VideoRAM), SGRAM (synchronous graphics RAM) - dva nezávislé vstupní porty Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-8/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Pamět ROM Obsah paměti je určen již před výrobou - paměti se vyrábějí naprogramované ve velkých sériích programování se provádí až v poslední fázi výroby pomocí masky Realizace paměti ROM Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-9/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Pamět PROM obsah paměti lze naprogramovat jen jednou programování se provádí průchodem vhodným napětím po určitou dobu v potřebné pamět ové buňce sestává a matice tavitelných propojek Realizace paměti PROM 0 1 Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-10/11- Západočeská univerzita v Plzni
ělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti Princip pamětí EPROM, EEPROM, Flash EPROM - pamět lze programovat vícekrát podobně jako PROM před programováním je nutné vymazat UV zářením informace uchována nábojem na izolovaném hradlu tranzistoru EEPROM - elektricky programovatelná a mazatelná pamět ; mazání probíhá pulsem opačnou polaritou pulsu než programování Flash pamět - čtení po jednotlivých bitech zápis a mazání po blocích Miroslav Flídr Počítačové systémy LS 2006-11/11- Západočeská univerzita v Plzni