Nanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika



Podobné dokumenty
Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Měření na unipolárním tranzistoru

Zvyšování kvality výuky technických oborů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Aplikované nanotechnologie II

Aplikované nanotechnologie

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Elektronické a optoelektronické součástky

OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ

5. Optické počítače. 5.1 Optická propojení

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

Bipolární tranzistory

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Unipolární tranzistory

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

Součástky s více PN přechody

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Skenovací tunelová mikroskopie a mikroskopie atomárních sil

Neřízené polovodičové prvky

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Principy počítačů I Perspektivní technologie, měření výkonnosti a spolehlivost

Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

Aplikované nanotechnologie

7. Elektrický proud v polovodičích

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Přednášky o výpočetní technice. Hardware teoreticky. Adam Dominec 2010

Elektřina a magnetizmus závěrečný test

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

Nanoelektronika aneb Co by nás nemělo překvapit ve světě malých rozměrů

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

11. Polovodičové diody

Polovodiče, dioda. Richard Růžička

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Elektrický proud v polovodičích

Kvantová informatika pro komunikace v budoucnosti

Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

7. Elektrický proud v polovodičích

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

FYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/

Základy elektrotechniky

4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy

λ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ

Zkouškové otázky z A7B31ELI

2.3 Elektrický proud v polovodičích

Číselné vyjádření hodnoty. Kolik váží hrouda zlata?

Úloha 9. Stavové automaty: grafická a textová forma stavového diagramu, příklad: detektory posloupností bitů.

Polovodičové diody Definice

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Učební osnova předmětu ELEKTRONIKA

Číslicové obvody základní pojmy

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

Sylabus kurzu Elektronika

PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

18A - PRINCIPY ČÍSLICOVÝCH MĚŘICÍCH PŘÍSTROJŮ Voltmetry, A/D převodníky - principy, vlastnosti, Kmitoměry, čítače, fázoměry, Q- metry

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Obsah DÍL 1. Předmluva 11

Elektrický proud v kovech Odpor vodiče, Ohmův zákon Kirchhoffovy zákony, Spojování rezistorů Práce a výkon elektrického proudu

Elektřina a magnetizmus polovodiče

9/12/2012. Budicí obvody VPS - drivers. Budicí obvody VPS - drivers obsah prezentace. Požadavky na budicí obvody VPS. Budicí obvod

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Hlídač světel automobilu

Zvyšování kvality výuky technických oborů

4.1.7 Rozložení náboje na vodiči

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Elektronkový zesilovač

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Transkript:

Úvod Nanoelektronika plynulý přechod z mikroelektroniky snaha o vyšší výpočetní výkon zmenšování + větší počet tranzistorů zvyšování frekvence nové zdroje energie nové směry: nositelná elektronika integrace s člověkem tisknutelná elektronika

Úvod Vlastnosti a omezení současné elektroniky generace: vakuová, diskrétní polovodičová, integrovaná polovodičová založená na využití polovodičů základem křemík(ová destička) dotování: typ P a N základem PN přechod izolační vrstvy z SiO 2 další druhy polovodičů návrat Ge ve formě SiGe planární technologie možné zdroje problémů ztrátový tepelný výkon dotování polovodičů spínací doby délka a počet vodičů prodlení, větší odpor (protože menší průřez) R = ρ l S

Úvod Základy výpočetní elektroniky Unipolární tranzistor základ současné CMOS technologie prochází jen jeden typ nosičů náboje proud mezi elektrodami S a D se ovládá napětím na elektrodě G často ve spínacím režimu: proud teče/neteče U g U s U d Gate Source Drain MOSFET

Úvod Základy výpočetní elektroniky Logické obvody pracují se dvěma logickými úrovněmi 0 a 1 základem Boolova algebra hradlo NOT logický invertor x převrací hodnotu hradlo AND logický součin x y výstup 1 pouze tehdy, jsou-li oba vstupy 1 hradlo OR logický součet x + y výstup 0 pouze tehdy, jsou-li oba vstupy 0 pozor na 1+1=1 různé technické realizace v elektronice poskládány z tranzistorů

Úvod Zajímavosti Mikrovakuová elektronika princip vakuových elektronek přenesený do pevné látky využívá polní emise z W sloupků klasické elektronky využívaly termoemisi ukázka triody

Úvod Zajímavosti Molekulové kaskády mechanické molekulové zařízení uspořádání molekul CO pomocí STM za nízkých teplot molekula tuneluje mezi sousedními vazebnými místy pohyb jedné molekuly CO na Cu(111) vyvolá pohyb druhé, atd. (jako kostky domina) molekulová kaskáda trimery mají tři uspořádání bent-line (chevron) přechází na symetrické (v minutách) princip operace molekuly se vhodně rozmístí spouštěcí molekula se přemístí STM první chevron chevron se rozpadne a vytvoří druhý atd. dopředný směr je doprovázen poklesem energie okrajové molekuly zvyšují rychlost možnost realizace logických operací rozpadlý stav je log. 0 AND: oba vstupy log. 1, jinak se nevytvoří chevron ve spoji i složité obvody (545 molekul)

Úvod Zajímavosti DNA počítače probíhají chemické reakce s DNA, které řeší nějaký problém masivní paralelizace, velká kapacita paměti data zakódována do posloupnosti Adenin, Thymin, Cytosin, Guanin biochemické laboratorní techniky imitují aritmetické operace hustota informace (4 stavy) je 1 bit/nm 3, 1 litr asi 10 23 bází DNA výpočty nejsou bezchybné je třeba vybrat správné řešení DNA musí být redundantní, přírodní většinou není aplikace: různé vyhledávací problémy, hledáme jeden řetězec v konkurenci se zrychlujícími PC nemusí uspět aplikace funkce f na neznámý fragment DNA použití PC by vyžadovalo sekvencování a digitalizaci vysoká energetická účinnost

Nanoelektronické výpočetní technologie Problémy s nano Adaptace pro nanosystémy velký počet velmi malých prvků problém s propojováním vodiči (adresace, programování apod.) vhodná lokální struktura prvek interaguje jen se svým okolím opakování stejného motivu velká chybovost mnoho prvků bude vadných nutná robustnost citlivost na okolní podmínky projevy kvantového světa např. tunelování žádoucí: PN přechod nahradí tunelovací nežádoucí: elektrony tečou kam nemají

Nanoelektronické výpočetní technologie Problémy s nano Speciální hradla vícehodnotová logika (viz DNA počítače) Fredkinova hradla běžná hradla vedou ke ztrátě informace spojení s entropií a disipací energie ohřev E = k B T log 2 I tři vstupy (u, x 1, x 2 ) a výstupy (v = u, y 1 = ux 1 + ux 2, y 2 = ux 1 + ux 2 ) použije se jen jeden žádoucí výstup, ostatní jdou do odpadu k ohřevu dojde až mimo hradlo ohřev významný u molekulárních procesů (obtížné chlazení) využití např. u = a, x 1 = b, x 2 = 0 získáme AND y 1 = ab většinová hradla výstup je roven převažující hodnotě na vstupu např. x 1 = 0, x 2 = 0, x 3 = 1 dává y = 0 zároveň univerzální hradlo: je-li řídící signál 0, realizuje AND je-li řidící signál 1, realizuje OR důležité pro chybující nanosystémy

Nanoelektronické výpočetní technologie Vybrané technologie Molekulární elektronika cíl realizace zařízení jedinou molekulou vodivé mohou být násobné vazby prokládané jednoduchými, π oligomery vodivost souvisí s délkou G = G 0 e βl základem je tunelování nesymetrická molekula nesymetrická charakteristika dioda

Nanoelektronické výpočetní technologie Vybrané technologie Rezonanční tunelovací zařízení heterostruktury s dvojitou tunelovou bariérou záporný diferenciální odpor velice rychlé (THz/ps) InGaAs AlAs InGaAs InAs InGaAs AlAs InGaAs aplikace např. paměť Slovo 0 1 Paměťový uzel Bit

Nanoelektronické výpočetní technologie Vybrané technologie Jednoelektronová zařízení využití Coulombovy blokády průchod/udržení po jednom elektronu jednoelektronový tranzistor struktura velmi podobná MOSFETu proud protéká jen tehdy, je-li počet elektronů v ostrůvku polovinový proud osciluje v závislosti na U g Source Source U g Gate Island SET U g Gate Channel Drain Drain U d U d MOSFET

Nanoelektronické výpočetní technologie Vybrané technologie Kvantové celulární automaty (QCA) základní princip (Notre Dame) výpočty nevyužívají proud elektronů, ale polohu čtyři (5) kvantové tečky, režim coulombovské blokády dva elektrony, vzájemně se odpuzují dva vzájemně odlišné stavy logické stavy základní prvky: drát, invertor, rozvětvení pokročilé obvody: RS klopný obvod vyžaduje složité časování 1 0 drát invertor rozvětvení S 1 Q R 0 majoritní

Další aplikace nanoelektroniky Nanooptoelektronika Výstupní zařízení displej s nanotrubičkami (Motorola) i obyčejný zdroj světla také reproduktory

Další aplikace nanoelektroniky Nanooptoelektronika Optické zdroje a detektory jednofotonová dioda jednofotonový detektor

Další aplikace nanoelektroniky Energetika Generátory nanogenerátor z piezoelektrických materiálů poněkud makroskopický buzený AFM obecně získávání energie z prostředí

Mikroelektromechanické systémy Mikroelektromechanické systémy rozšíření polovodičové elektroniky o mechanický rozměr

Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy z mikro- do nano-, ale opět změna vlastností