Aplikované nanotechnologie
|
|
- Gabriela Vlčková
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci Nanotechnologie Prezentace k přednášce Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů Nanoelektronika MEMS, NEMS a molekulární stroje Aplikované nanotechnologie
2 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Aplikace základních nanostruktur rozšíření aplikací z mikrosvěta: nanočástice pro leštění ochranné povlaky z nanofilmů mnohdy jen marketingové triky nebo bez doložené účinnosti neřeší se dopady aplikací consumer/browse/ vybrané aplikace nanočástic: SiO 2 brání srážení vody na skle Ce nanočástice jako aditiva do benzínu Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 2
3 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Katalýza katalýza změna rychlosti chemické reakce způsobená katalyzátorem katalyzátor neúčastní se chemické reakce, ale ovlivňuje ji heterogenní katalýza katalyzátor je v jiném skupenství než reagující látky často pevná látka, záleží na ploše povrchu specifická plocha povrchu m 2 /g u nanočástic extrémně vysoká (až m 2 /g) závisí i na jiných parametrech, např. krystalové struktuře nanočástice mohou být zárodky pro další struktury detoxikace území, čištění vod (Fe 2 O 3 ) fotokatalýza TiO 2 Au objemové inertní, nanočástice pod 5 nm katalyzují CO Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 3
4 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Využití optických vlastností optické vlastnosti se mění s velikostí částic (posuv absorpčních křivek) ochranné UV filtry z nanočástic TiO 2 barvení skla nejstarší aplikace nanotechnologií rtěnky (Fe 2 O 3 ) 1D řetízky částic lze použít jako vlnovody kovové částice zvyšují intenzitu Ramanova záření (obecně el. pole) solární články např. amorfní Fe 2 O 3 Au nanočástice pro plazmonovou rezonanci (optické zobrazování, TERS) Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 4
5 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Senzory senzory plynů tělísko pokryté vrstvou s nanočásticemi reaguje na množství par daných látek většinou není citlivý jen na jednu látku dojde ke změně odporu aplikace Fe 2 O 3 pro detekci etanolu Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 5
6 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Využití magnetických vlastností magnetické separace látek magnetická částice se pokryje vhodnou vrstvou dojde k chemické vazbě mezi vrstvou a odstraňovanou látkou magnetem se odstraní částice i s látkou např. systémy pro čištění krve magnetická záznamová média vhodný tvar a velikost plynové senzory využití k chlazení magnetokalorický jev (až mk) detekce přítomnosti molekul Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 6
7 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Lékařství a bioaplikace MRI hypertermie doručování a uvolňování léčiv zachycování virů antibakteriální účinky stříbra i makroskopické příprava čisté vody textil antibakteriální obvazy obvazy na zapáchající rány oblečení (ponožky) Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 7
8 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Fluorescenční značky větší fluorescenční kvantový zisk nedochází k vyblednutí větší posuv frekvence užší emisní spektrum vícebarevné zobrazování jsou o řád větší větší deformace drahší než organická barviva Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 8
9 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Nanofluidy systém nanočástic v kapalině (nutná stabilizace) využití např. chlazení zvýšení tepelné vodivosti, ovlivnění viskozity ferofluidy koloidní systém z magnetických nanočástic 10 nm surfaktanty zabraňují aglomeraci bez vnějšího magnetického pole nulový moment vnější DC mag. pole částice orientuje (podobnost s kapalnými krystaly) vytváří se řetízky částic paralelně s polem čím větší pole, tím více částic v řetízcích pro pole kolmé k filmu vytvářejí konce řetízků hexagonální uspořádání vzdálenost řetízků d závisí na velikosti pole může dojít až k zamrznutí pevná látka mag. ježek nad prahovou intenzitou, minimalizuje mag. energii Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 9
10 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Nanofluidy systém nanočástic v kapalině (nutná stabilizace) využití např. chlazení zvýšení tepelné vodivosti, ovlivnění viskozity ferofluidy koloidní systém z magnetických nanočástic 10 nm surfaktanty zabraňují aglomeraci bez vnějšího magnetického pole nulový moment vnější DC mag. pole částice orientuje (podobnost s kapalnými krystaly) vytváří se řetízky částic paralelně s polem čím větší pole, tím více částic v řetízcích pro pole kolmé k filmu vytvářejí konce řetízků hexagonální uspořádání vzdálenost řetízků d závisí na velikosti pole může dojít až k zamrznutí pevná látka mag. ježek nad prahovou intenzitou, minimalizuje mag. energii Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 9
11 Aplikace ferofluidů Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky ferofluidy vykazují optickou aktivitu pohybové prvky posun s mag. polem uzavírání magnetických obvodů (složité tvary) absorbéry mechanických šoků těsnění proti nečistotám uvěznění mag. polem reproduktory centrování cívky, chlazení, tlumení magnetickým polem laditelné difrakční mřížky změna d materiály absorbující radarové záření tepelné chlazení při vyšších teplotách méně magnetické, vzniká tok částic vizualizace magnetických domén přesné obrábění Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 10
12 Koloidní krystaly Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky monodisperzní koloidy mají tendenci vytvářet 3D uspořádané struktury tvorba krystalu sedimentací na podložce, vlivem externího pole apod. po vysušení jsou křehké, ve vodě se rozpustí lze je považovat za nanoporézní materiály (matrice) fotonické krystaly roviny difraktují světlo: barvy (opál), filtry v RS, opt. senzory složitější (foto)katalýza barevný inkoust 620 nm Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 11
13 Aplikace fulerenů Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky doprava léčiv uvnitř fulerenů nelineární optická absorpce ochranné filtry lubrikanty (C 60 F n ) ale drahé a nestabilní ochrana kovových iontů před agresivním bioprostředím při vyšetřeních FIB s využitím ionizovaných C + 60, v porovnání s Ga+ : je účinnější při nižší energii vytváří menší zvrásnění povrchu působí jako antioxidanty (kosmetika) Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 12
14 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Aplikace nanodrátů vodiče neplatí G = σs/l balistický režim pro L svd < l jednoduchý model kvantového vodiče: nanodrát spojuje dva rezervoáry s T 1, µ 1 a T 2, µ 2, zde µ 1 µ 2 = eu udržuje se koherentní fáze pro dokonalý balistický režim s jedním obsazeným stavem I = 2e h [f 1 (E) f 2 (E)] d E pro T = 0 K je vodivost G = G 0 = 2e 2 /h = 0,77 ms Au Ni nanodrát jako termočlánek s rychlou odezvou Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 13
15 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Aplikace nanotrubiček vodiče z kovových nanotrubiček spojení dvou NT s rozdílnou chiralitou vytváří diodu FET tranzistory s nanotrubičkou hroty pro SPM ochrana proti elektrickým výbojům (polymerní matrice) brání hromadění náboje na izolačních polymerech elektromagnetické stínění tepelné chlazení na čipech mechanické zpevnění (náhrada uhlíkových vláken) problém s přenosem namáhání netečné tlumení vibrací Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 14
16 FE zdroj elektronů jsou chemicky odolné proti znečištění pevná vazba brání odprášení lze dosáhnout vysokých proudů (odolají až 10 9 A/cm 2 ) emise je stabilní, dlouhá životnost aplikace monitory, žárovky superkondenzátory vzdálenost desek je 1 nm velká plocha povrchu NT až 200 F/g pohybové prvky ovládací napětí 1 V (např. PZT 100 V) senzory velká plocha povrchu, ovlivnění transportu elektronů baterie Li + ionty se vkládají do grafitových vrstev, B-dopované NT jako nejefektivnější uchování vodíku/plynů uvnitř trubiček syntéza nanodrátů realizace černého Aplikované tělesa nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 15 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Aplikace nanotrubiček
17 Nanočástice Nanodráty a nanotrubičky Nanovlákna shluk vláken ve formě (netkané) textilie, průměry pod nm příprava Nanospider elektrostatické zvlákňování aplikace velká plocha povrchu funkcionalizace (fotovoltaika) tlumení hluku obvazy nepropustné pro bakterie (obecně filtry) inteligentní oblečení Aplikované nanotechnologie Aplikace základních nanosystémů 16
18 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Omezení současné elektroniky CMOS elektronika založená na využití polovodičů převážně CMOS technologie planární technologie ztrátový tepelný výkon dotování polovodičů spínací doby délka a počet vodičů prodlení, větší odpor (průřez) Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 17
19 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Škálování CMOS tranzistoru CMOS elektronika MOS tranzistor průchod proudu ovlivnitelný polem (napětím) důležitým parametrem je délka hradla L G CMOS použití PMOS a NMOS zmenšení rozměrů vede ke snížení L G vliv na I on, I off přiblížení vyprázdněných oblastí snížení potenciálové bariéry vliv tloušťky oxidové vrstvy e redukce rozměrů problémy s propojením Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 18
20 NanoMOS Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů CMOS elektronika rozměry až L G = 16 nm problémy s vrstvou oxidu získání homogenních vlastností na čipu vznik slabých míst omezení nepříznivého vlivu drsnosti průchod dopantů z jedné oblasti do druhé tunelování proudu jiné technologie než CMOS HEMT supravodiče molekulární elektronika jiné architektury (optické, kapacitní) Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 19
21 Nanotrioda Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů CMOS elektronika princip vakuové triody v pevné látce (mikrovakuová elektronika MVE) využívá polní emise z W sloupků Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 20
22 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Adaptace pro nanosystémy Paralelní architektury Softcomputing velký počet velmi malých prvků problém s propojováním vodiči (adresace, programování apod.) vhodná lokální struktura prvek interaguje jen se svým okolím opakování stejného motivu velká chybovost mnoho prvků bude vadných i klasické polovodiče mají velký rozptyl parametrů jediný vadný prvek v CMOS způsobí nefunkčnost, redundance je drahá nutná robustnost citlivost na okolní podmínky projevy kvantového světa samokonfigurování, samooptimalizování, samoléčení tolerance k defektům schopnost pracovat i bez fyzické opravy klasické počítače/procesory velká různorodost jednotek limity technologie špatné zmenšování architektur s dlouhými vzdálenostmi Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 21
23 Paralelizace Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Paralelní architektury Softcomputing zvýšení výkonnosti pomocí současných výpočtů současné systémy: jeden či několik procesorů/jader fyzické oddělení paměti (dat a programu) a procesoru jednoduchá architektura a realizace většina obvodů je v daném čase neaktivní a generuje ztrátové teplo paralelní uspořádání náročné na harmonizaci F účinnost závisí na definici F F kritérium čas: stačí paralelní uspořádání η η 0 0 kritérium frekvence/plocha čipu: F 1 F 1 F 2 paralelní suboperace F 2 η 0 =Nη 0 η 0 =Nη 0 Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 22
24 Rekonfigurace Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Paralelní architektury Softcomputing rekonfigurovatelné počítače složen z opakující se architektury každý element obsahuje lokální instrukční jednotku a paměť dat logická funkce jednotky lze programovat přes rekonfigurovatelné logické bloky možnost rekonfigurace převádí hardware na software např. adresovatelné spínače look-up tabulky místo výpočtů lze výsledek vyhledat kombinace vstupních hodnot slouží jako adresa aritmetická jednotka je nahrazena pamětí + když máme paměť, můžeme i počítat + čas výpočtu nezávisí na operátoru, ale na technologii a struktuře paměti + lze-li měnit obsah paměti, lze funkci přizpůsobovat složité/přesné operace vyžadují velkou kapacitu paměti složitost adresovacího obvodu Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 23
25 Teramac Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Paralelní architektury Softcomputing zkušební realizace počítače tolerantního k chybám 10 6 logických jednotek, 1 MHz, top-down přístup záměrně vadné součástky, defektů rekonfigurovatelné schéma, použití tlustého stromu konstrukce výpočty pomocí LUT (6 vstupů) 16 LUT spojeno přes X-bar hexant 16 hexantů přes 4 X-bary tvoří logický čip (LC) 8 LC komunikuje přes FPGA ve funkci směrovacích čipů (RC) a tvoří multičip (MCM) deska tištěných spojů (PCB) má 4 MCM 8 PCB tvoří Teramac závěry popis funguje při dostatečné komunikační kapacitě najít zdravé jednotky struktura nemusí být regulární, ale musí být velký stupeň propojení nejpočetnějším prvkem jsou dráty Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 24
26 Softcomputing Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Paralelní architektury Softcomputing využití fuzzy systémů, genetických algoritmů a umělých neuronových sítí důraz na autonomní systémy (obtížné programování) fuzzy systémy strukturování a programování pomocí lingvistických dat zpracování je odolné vzhledem ke změnám absolutních hodnot veličin zpravidla stačí do 5 pravidel evoluční algoritmy vhodná volba cílové funkce mutace a křížení dat connectionistic systémy jednotlivé procesory jsou přímo spojeny síla vazeb určuje chování sítě speciálním případem jsou neuronové sítě Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 25
27 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Rozložené a odolné úložiště Paralelní architektury Softcomputing asociativní paměť nevyužívá adresu asociativní matice váha buď jedna nebo nula ve fázi učení se nastaví jedna v uzlu, kde x = 1 a y = 1 při vybavování se vstup X pronásobí s každým sloupcem vah, výsledky se sečtou a prahují volba prahu určuje věrohodnost snížení prahu toleruje chyby každá informace je uložena v celém objemu matice funguje jen pro řídké matice Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 26
28 Speciální hradla Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Paralelní architektury Softcomputing vícehodnotová logika (např. i ukládání do pamětí) Fredkinova hradla běžná hradla vedou ke ztrátě informace spojení s entropií a disipací energie ohřev E = k B T ln 2 H tři vstupy (u, x 1, x 2 ) a výstupy (v = u, y 1 = ux 1 + ux 2, y 2 = ux 1 + ux 2 ) použije se jen jeden žádoucí výstup, ostatní jdou do odpadu k ohřevu dojde až mimo hradlo ohřev významný u molekulárních procesů (obtížné chlazení) využití např. u = a, x 1 = b, x 2 = 0 získáme AND y 1 = ab většinová hradla výstup je roven převažující hodnotě na vstupu např. x 1 = 0, x 2 = 0, x 3 = 1 dává y = 0 zároveň univerzální hradlo: 1 1 je-li řídící signál 0, realizuje AND 0 0 je-li řidící signál 1, realizuje OR důležité pro chybující nanosystémy AND OR potřeba rozhraní s konvenční Boolovou algebrou Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 27
29 DNA počítače Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Biologické koncepty probíhají chemické reakce s DNA, které řeší nějaký problém masivní paralelizace, velká kapacita paměti data jsou zakódována do posloupnosti A, C, T, G v DNA biochemické laboratorní techniky imitují aritmetické operace hustota informace (4 stavy) je 1 bit/nm 3, 1 litr asi bází DNA výpočty nejsou bezchybné je třeba vybrat správné řešení DNA musí být redundantní, přírodní většinou není aplikace: různé vyhledávací problémy, hledáme jeden řetězec v konkurenci se zrychlujícími PC nemusí uspět aplikace funkce f na neznámý fragment DNA použití PC by vyžadovalo sekvencování a digitalizaci Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 28
30 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Problém obchodního cestujícího Biologické koncepty klasický případ hledání hamiltonovské cesty známé algoritmy pro rozhodnutí, zda hamiltonovská cesta existuje nebo ne exponeciální náročnost v nejhorším případě neexistuje polynomiální algoritmus nedeterministický přístup vytvořit náhodné cesty skrz graf ponechat pouze ty cesty, které začínají v počátečním a končí v koncovém bodě má-li graf n bodů, ponechat pouze cesty s délkou n ponechat pouze ty cesty, které každým uzlem projdou alespoň (jen) jednou zůstala-li alespoň jedna cesta, problém má řešení lze potvrdit existenci cesty, ale nelze vyvrátit Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 29
31 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Realizace DNA počítače Biologické koncepty realizace: 10 merů pro kód vrcholu O i, 20-mer pro hranu O i j, syntéza řetězců, smíchání s O i a O i j, dojde ke sloučení a vytvoření DNA náhodných cest PCR s využitím O in a O out, jen tyto cesty se zesílí průchod gelem, vyříznutí pásu 140 bp ( 7 vrcholů), získá se DNA, zesílí se PCR a vyčistí vyčištění pomocí mag. separace převede se dsdna ssdna inkubuje se s O 1 s navázanými mag. kuličkami magneticky se odseparuje opakuje se postupně s O 2,... nejnáročnější část PCR zesílení a identifikace Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 30
32 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Zhodnocení DNA počítače Biologické koncepty Adleman 1994: 6 vrcholů/měst výpočet asi 7 dnů (1 den mag. separace), operací hmotnostní problém pro 200 měst množství DNA převýší hmotnost Země využití dalších algoritmů, např. neuronových sítí, genetických algoritmů atd. z 1 J lze získat operací termodynamický limit , konvenční počítač Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 31
33 Bioelektronika Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Biologické koncepty inspirace biologickými systémy, wet electronics molekulární procesory: zpracování informace pomocí enzymů receptory převedou vstup na molekuly pokud se molekuly vážou s enzymy, lze aktivovat daný výstup program závisí na receptorech a read-out enzymech jako nosiče dat slouží molekuly pohybují se tepelně, velmi pomalu, rozumná rychlost paralelizace Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 32
34 DNA biočipy Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Biologické koncepty pro analýzu biologických vzorků testování nemocí nebo kvality potravin microarray pole Au plošek, pokrytých různými ssdna vpustí se analyzovaný roztok (označený) analyzované molekuly se navážou jen v místě s komplementární ssdna propláchnutí a detekce navázání (např. elektrická, optická fluorescence) obdobně pro proteiny atd sond Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 33
35 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Přehled nanoelektroniky Biologické koncepty Buňková pole Tolerantní k chybám Inspirovaná biologií Kvantové počítání Architektura RSFQ 1D struktury Rezonanční tunelování Jednoelektronová zařízení Molekulární QCA Spinové tranzistory Logika Fázová změna Floating body DRAM Nano FG Jednoelektronová Insulator resistance change Molekulární Paměti Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 34
36 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Požadavky na technologii Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení vztah k současné technologii krátkodobý horizont: nejde o nahrazení CMOS, ale o integraci nových technologií dlouhodobý horizont: kompletně nová technologie požadavky na vhodnou technologii schopnost masové produkce dobré odstínění vstupů a výstupů funkce obvodu nezávisí na stavu obvodů připojených k jeho výstupu možnost rozvětvení výstupu dobrá průchodnost signálu přes tisíce a více modulů velký zisk odolnost vůči malým odchylkám v prostředí či výrobě Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 35
37 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení realizace zařízení z jednoho nebo několika objektů o velikosti molekuly funkci mohou vykonávat: molekuly připravené chemií ve velkých množstvích, reprodukovatelně, mají definované diskrétní spektrum, mohou být bistabilní, self-assembly biomolekuly nanočástice kvantované úrovně vlivem prostorového omezení, robustnější a méně citlivé než molekuly nanotrubičky a nanodráty ideálně celou funkci vykoná jedna molekula obecně problém kontaktu mezi obvody Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 36
38 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Elektrody a kontakty Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení technika zlomu STM hrot planární nanomezera pospojované nanočástice Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 37
39 Vlastnosti molekul Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení diskrétní energetické spektrum vazbou se rozšíří na Γ hladiny se mohou posunout předpoklad, že se příliš nezmění procházející proud dán polohou LUMO a HOMO Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 38
40 Molekulární drát Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení v alifatických řetězcích jsou saturované vazby izolátory π oligomery mohou být vodivé vodivost souvisí s délkou G = G 0 e βl Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 39
41 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární dioda a RD logika Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení nesymetrická molekula má nesymetrické spektrum nejlepší výsledky C 16 H 33 Q 3CNQ bez řetízku C 16 H 33 nefunguje realizace diody a odporu stačí k logickým funkcím Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 40
42 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární tranzistor Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení tranzistor typu FET molekula benzen-1,4-dithiolat hradlo posouvá energetické úrovně Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 41
43 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Bistabilní molekuly Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení konfigurace molekul závisí na podmínkách může být více stavů zpravidla přepínání světlem aplikace v pamětích Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 42
44 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Elektromechanické zesilovače Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení využití C 60 a STM aplikace 20 mv modulace na piezo vede k modulaci 100 mv na zátěžovém rezistoru Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 43
45 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární hradla Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení invertor: derivát pyrazolu, vstup koncentrace H +, výstup intenzita optické emise. Změna koncentrace H + z nízké na vysokou způsobí, že intenzita emise klesne z vysoké na nízkou hodnotu. Aplikujeme-li pozitivní logiku na oba signály, získáme funkci NOT. OR: derivát antracenu, chemické vstupy (koncentrace Na + a K + ), optický výstup (intenzita emise) ekvivalentů Na + /K + dává 0,053/0,14, současně dávají 0,14. Změny v koncentraci Na + a/nebo K + z nízké na vysokou změní intenzitu emise z nízké na vysokou. Použije-li se na všechny signály pozitivní logika, dostáváme hradlo typu OR. AND: derivát antracenu, chemické vstupy (koncentrace H + a Na + ), optický výstup, pozitivní logika Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 44
46 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární systémy Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení současný stav pro každou funkci nová molekula teoretický návrh s pomocí modelů chemická syntéza ověření vlastností potřeba vhodné (a náhodné) volby vstupů do budoucna modulární koncepce: bloky AND, OR, NOT potřeba digitálního rozhraní mezi nimi zjednodušení návrhu Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 45
47 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Přenos informace mezi bloky Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení v běžné elektronice pomocí vodičů chemická komunikace optické schéma komunikace pomocí procházejícího svazku 563 nm realizace třívstupého hradla NOR 3 kyvety s třístavovými přepínači, každý nezávislý UV vstup jedna přepnutá kyveta sníží intenzitu na 4 %, dvě na 0 zapnutí UV přepne do 7, po zhasnutí UV návrat na 5 Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 46
48 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Rozdělení nanozařízení Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Kvantová nanoelektronická zařízení Pevnolátková Molekulární Kvantové tečky Rezonanční tunelovací Jednoelektronové Hybridní mikro nano Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 47
49 Kvantové prvky Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení založené na zmenšování klasických prvků jednoelektronové tranzistory pn přechod nahrazen tunelovacím přechodem nové realizace např. QCA, kvantová interference bohatší I-V charakteristiky, např. záporný odpor nové problémy vytváříme součástku s vrstvou QD díky vzájemné vazbě QD se chovají jako kvantový drát electron-wave tranzistor kolmo ke kanálu, protékanému elektrony, je zářez efektivní délku zářezu l lze řídit napětím je-li l = Nλ/2 zkrat, elektrony dále neprojdou je-li l = (2N + 1)λ/4 volně prochází dva sériově zapojené tranzistory mohou být AND hradlo electron-spin tranzistor Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 48
50 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Split-gate tranzistor Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení hradlo rozdělené na dvě oblasti mezi nimi kanál kvantová jáma změna napětí mění tvar jámy změna vodivosti s růstem hloubky skokově roste vodivost velikost skoku z relací neurčitosti E t h energie úměrná U a 2e každý stav pod E F dva elektrony čas transportu náboje je e/i pak G = I U = 2e2 h jiná varianta využívá interference D G S G G G G D G S U g D G S Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 49
51 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Rezonanční tunelovací dioda (RTD) heterostruktury s dvojitou tunelovou bariérou vytvoří záporný dif. odpor podobně jako Gunnova dioda princip větší mezní frekvence (THz)/krátké sp. časy vliv tunelovacího času a efektivní kapacity kontaktní odpor, časové zpoždění v A kontaktu velmi malý výstupní výkon µw technologicky velmi malé parabolická struktura ekvidistantní aplikace: frekv. násobiče, oscilátory, směšovače, spínače lze i jako molekulární Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 50
52 Technologie RTD Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení konstrukce RTD teoreticky stačí 3 vrstvy, okolní vrstvy pro stabilitu jiná konstrukce 3 vrstvy VACH závisí na vzdálenosti QW Slovo 0 1 aplikace paměť pomocí 2 RTD Paměťový logická hradla uzel invertor, OR RTD díky velkému zisku dodává Bit rychlost spínání InGaAs AlAs InGaAs InAs InGaAs AlAs InGaAs Invertor OR U in U out U in1 U out U in2 dynamická logická hradla MOBILE stabilita zaručena vlastní bistabilitou necitlivost na únik náboje necitlivost na fluktuace parametrů jednotlivých prvků Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 51
53 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Další aplikace RTD Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení lineární prahová hradla y(χ) = sign(χ θ), χ = N i=1 w ix i 6 RTD, 4 FET práh se zadá úpravou anody poslední RTD vícehodnotová logika diody mají různé polohy píků x 1 x 2 CLK y U U out RTD 1 x 3 x 4 Práh θ RTD 2 Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 52
54 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Problémy RT zařízení Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení nevhodné materiály většinou polovodiče III V, dobře definovaná rozhraní multivrstev lepší je Si technika (Si/SiGe/Si) zvláště výhodné vlastnosti SiO 2 pro izolaci integrace s CMOS rok 2003 proudy v minimech jen snížení proudu na I v 0, architektura to musí tolerovat vliv hlavně pro nízké f, u vysokých nabíjení/vybíjení par. kapacit citlivost na fluktuace vstupních proudů a napětí klasický FET citlivý není teplotní rozmezí většinou nízké teploty, ale i pokojové extrémní citlivost na šířku bariéry problém homogenní přípravy Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 53
55 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Laser s kvantovou jámou (QWL) Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení princip stejný jako u objemových laserů v kvantové jámě rekombinují díry a elektrony snížení dimenzí vede k vylepšení některých charakteristik nízký prahový proud, úzké spektrum, vysoká char. teplota DOS má v QW stejnou hodnotu pro všechny energie, což vede k vyšší emisi a snížení teplotní závislosti E F struktura: materiál s malou šířkou zakázaného pásu (např. GaAs, 10 nm) je obklopen dvěma vrstvami s větší šířkou (Ga x Al 1 x As) šířka zak. pásma souvisí s indexem lomu, rozdíl asi 10 % omezení vln, Fabry-Perotův rezonátor problémy: A B C B C B C B C B A nedokonalé omezení záření mají také lepší využití elektronů vícenásobné kvantové jámy faktor omezení je vynásoben n 2 Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 54
56 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Laser s kvantovou kaskádou (QCL) unipolární lasery, elektronický vodopád srovnání: běžný polovodičový laser: k emisi dochází při rekombinaci elektron díra, tj. při přechodu mezi vodivostním a valenčním pásem QCL: uvnitř jednoho pásu se vytvoří podpásová struktura struktura: Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 55
57 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Laser s kvantovou kaskádou (QCL) unipolární lasery, elektronický vodopád srovnání: běžný polovodičový laser: k emisi dochází při rekombinaci elektron díra, tj. při přechodu mezi vodivostním a valenčním pásem QCL: uvnitř jednoho pásu se vytvoří podpásová struktura struktura: prokládání materiálů vytvoří periodickou strukturu (kvantové jámy) vznikne periodické elektrické pole vznik podpásů (K-P model) modulace pravděpodobnosti obsazení elektronem vhodný návrh inverze populace mezi dvěma sousedními podpásy nutnost depopulační hladiny vlnová délka závisí na rozdílu energií v jámě nezávisí na materiálu, lze více λ z jednoho v každém kroku emituje jeden foton větší výkon Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 55
58 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Detektory infrazáření s kvantovou jámou (QWID) detektory pro IR důležité v řadě aplikaci QW jako alternativa k HgCdTe technologii princip: taková šířka a složení, aby dvě energetické úrovně byly vzdáleny o energii detekovaného fotonu horní energie je buď v oblasti kontinua, nebo přímo pod bariérovou hladinou po přiložení napětí po ozáření přejdou elektrony na vyšší hladinu a pak buď volně odejdou, nebo protunelují vnějším polem účinnost závisí na absorpci záření, proudu vytvořeném nosiči, temném proudu a šumu. Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 56
59 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Jednofotonová dioda Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení rozšíření LED technologie pomocí nanoteček základem PIN dioda v neprůhledné vrstvě je malý otvor, který odkrývá jen jednu tečku po vybuzení energetických hladin dojde k vyzáření jediného fotonu ostatní zdroje vytvářejí spíše shluky fotonů sled proudových pulzů vede na sled fotonů při malých proudech emise na 1,394 ev, při vyšších proudech druhá čára 1,399 ev (biexcitony) Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 57
60 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Jednofotonový detektor Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení založen na tranzistoru vrstva QD pár nm od vodivého kanálu vlastnosti kanálu jsou citlivé na změnu obsazení QD jediným elektronem foton vytvoří pár elektron díra elektron je zachycen tečkou změní se odpor kanálu a tím i proud výhody oproti: fotonásobičům: jednoduchá konstrukce, snadná výroba, robustní, nízké napětí, bez chlazení, vyšší účinnost lavinovým detektorům: menší vliv šumu počítání fotonů odstraní amplitudový šum Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 58
61 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Celulární automaty Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení soustava velmi jednoduchých buněk uspořádané do pravidelné struktury každá buňka je popsána stavem S i stav se vyvíjí podle daných pravidel jednotlivé buňky se řídí stejným pravidlem nový stav S i+1 závisí na: předchozím stavu buňky předchozích stavech okolních buněk i jednoduchá pravidla vedou k zajímavému chování např. generátor náhodných čísel CNESW Si ***** 0 interakce jen s okolím vede na využití krátkodosahových interakcí vyžadují synchronizaci/časování citlivé na počáteční stav (přístup ke všem buňkám) Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 59
62 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Kvantové celulární automaty (QCA) základní princip (Notre Dame) výpočty nevyužívají proud elektronů, ale polohu čtyři (5) kvantové tečky, režim coulombovské blokády dva elektrony, vzájemně se odpuzují dva vzájemně odlišné stavy logické stavy základní prvky: drát, invertor, rozvětvení pokročilé obvody: RS klopný obvod vyžaduje složité časování 1 0 drát invertor rozvětvení S 1 Q R 0 majoritní Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 60
63 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Programování QCA Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení programování vstupů QCA pomocí snížení bariéry snížením napětí + původní stav + snížení napětí odebrání původního vstupu + + přiložení nového vstupu zvýšení napětí problémy chyba 10 nm u buňky velké 100 nm znemožní činnost omezení teploty slabost dipolové interakce Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 61
64 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Základy SE zařízení Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení využití Coulombovy blokády průchod/udržení po jednom elektronu jednoelektronový tranzistor struktura velmi podobná MOSFETu proud protéká jen tehdy, je-li počet elektronů v ostrůvku polovinový proud osciluje v závislosti na U g Source U g Gate Island SET U g Gate Drain U d U d Source Channel Drain MOSFET příprava šikmá depozice Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 62
65 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Logické aplikace SET Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení invertor dva sériově zapojené SET vícehradlé SET jeden ostrůvek ovliňuje několik hradel I D může být v nízkém nebo vysokém stavu např. pro realizaci XOR sudý počet hradel v log. 1 I D nízké Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 63
66 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Vícehodnotové aplikace SET Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení paměťový prvek uchovává počet elektronů výstupní napětí je multistabilní jednoelektronový kvantizátor Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 64
67 Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů AD převodník se SET Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 65
68 Další SE zařízení Omezení současné elektroniky Elektronické nanosystémy Bioinspirace Technologie nanosystémů Molekulární elektronika Kvantová elektronika Jednoelektronová zařízení jednoelektronový oscilátor Ostrůvek R f SE = I e, R s R R Q obtížná praktická realizace (rezistor) standard stejnosměrného proudu Tunelový přechod (C,R) využití fázového závěsu mezi SE oscilátorem a přesným rf zdrojem při průchodu m elektronů za jednu periodu je I = mef velmi malý proud (pa) možnost realizace standardů odporu a teploty problém realizace SED požadavek E > 100k B T vyžaduje velmi malé rozměry (sub-nm pro RT) vliv náhodného náboje na pozadí Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika 66
69 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Úvod Materiály a technologie MEMS senzory Mikroelektromechanické systémy definice MEMS/MST miniaturní rozměry většina zařízení do stovek µm, tloušťky do desítek integrovaná konstrukce přeměna jednoho typu energie na druhý obecněji: alespoň část cesty musí být neelektrická většinou vyžadována mechanická energie pohybové členy, mikrosenzory volnost definice mech. pohybu: rms senzory technologie tvorba malých rozměrů s velkou přesností, volnost návrhu (složitější než IO) rozhraní s mikroelektronikou velká výtěžnost, nízká cena, spolehlivost Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 67
70 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Úvod Materiály a technologie MEMS senzory Mikroelektromechanické systémy definice MEMS/MST miniaturní rozměry MEMS je hromadně vyrobený integrovaný mikroskopický systém, který: většina zařízení do stovek µm, tloušťky do desítek převádí integrovaná fyzikální konstrukce podněty, události a parametry na elektrické, optické přeměna a mechanické jednoho signály typu energie a opačně; na druhý vytváří obecněji: pohyb, snímá alespoň nebo část vykonává cesty musí jinou býtfunkci; neelektrická většinou zahrnuje vyžadována řízení, diagnostiku, mechanická zpracování energie signálů a sběr dat a zároveň pohybové jsou mikroskopické členy, mikrosenzory vlastnosti elektromechanických, elektronických, optických volnost definice a biologických mech. složek, pohybu: architektur rms senzory a operačních principů základem funkce, návrhu, analýzy a výroby MEMS. technologie tvorba malých rozměrů s velkou přesností, volnost návrhu (složitější než IO) rozhraní s mikroelektronikou velká výtěžnost, nízká cena, spolehlivost Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 67
71 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Integrace s elektronikou Úvod Materiály a technologie MEMS senzory dvě možné cesty MEMS je na samostatném čipu snadná a levná výměna MEMS je integrován s elektronikou vyžaduje CMOS kompatibilní proces spojená technologie CMOS první CMOS poslední: vytvoření ostrůvků, MEMS, ochranná pasivace, vytvoření roviny, CMOS vzájemné propojení, odleptání pasivace vyšší počáteční náklady jediná možnost při náročných požadavcích zapouzdření složitější než u IO, každý MEMS vyžaduje něco jiného potřebujeme interakci s okolním světem pouzdro zvyšuje rozměry a může zhoršit výkonnost CMOS poslední Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 68
72 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Základní vlastnosti Úvod Materiály a technologie MEMS senzory MEMS pracují se signály 1 mechanickými (zahrnuje i gravitační působení) poloha, orientace, náklon, rychlost, topografie, deformace, mech. napětí, hustota, hmotnost lokalizované síly a momenty, setrvačné síly, rozložené síly (tlak) 2 elektrickými napětí, proud, výkon, kapacita, permitivita, odpor, frekvence, fázový posuv, spektrální složení 3 tepelnými teplota, entropie, tepelná kapacita, tepelný tok, tepelný odpor 4 magnetickými magnetická intenzita a indukce, magnetizace, permeabilita 5 radiačními (včetně částic) hustota a tok zářivé elektromagnetické energie, polarizace, koherence, spektrální složení, odrazivost 6 chemickými koncentrace, složení, ph, reakční rychlosti, rovnovážné konstanty Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 69
73 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Převodní principy mezi oblastmi Úvod Materiály a technologie MEMS senzory Mechanická Elektrická Tepelná Mechanická Elektrická Tepelná elastická a plastická pizeoelektřina kontaktní a termoelastické deformace, zlom tření elektrostatická síla, Ohmův zákon, odporová disipace tepla, piezoelektrické napětí, pn přechod, Peltierův jev, Lorentzova síla feroelektrické jevy, Thomsonův jev piezorezistance, tunelový jev, Hallův jev, magnetotranzistorový jev, fotovodivost, fototranzistorový jev tepelná roztažnost, volná konvekce celá matice má rozměr 6 6 mnohem více jevů Seebeckův jev, Nernstův jev tepelná vodivost, Thomsonův jev Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 70
74 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Úvod Materiály a technologie MEMS senzory Materiály dva typy materiálů objemové krystaly (bulk) dobře známé tabulkové parametry snadná charakterizace tenké vrstvy každá vrstva je unikát různé vlastnosti podle způsobu a podmínek přípravy obtížné zjišťování vlastností např. Youngův modul velmi tenká vrstva je ovlivněna podložkou odebrání od podložky ovlivní rozložení napětí Si (mono, poly, porézní), SiO 2, Ni 3 Si 4 Ge, SiGe, SiC kovy Al, Au, i magnetické NiFe feroelektrika, polymery Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 71
75 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Technologie přípravy MEMS Úvod Materiály a technologie MEMS senzory tvorba volných struktur využití obětované vrstvy vytvoření upevňovacího otvoru nanesení materiálu odleptání obětované vrstvy při velkých plochách pomocné otvory objemové zpracování proleptání ze spodní části Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 72
76 LIGA Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Úvod Materiály a technologie MEMS senzory Lithografie Galvanik Abformung rtg fotolitografie větší hloubka ostrosti anizotropní lepání galvanický růst výška 50 µm, průměr 380 µm formování vlastnosti: výška až cm laterální rozlišení až 200 nm poměr výšky k šířce až 500 drsnost stěn pod 20 nm Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 73
77 MEMS senzory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS základní myšlenka: některý parametr okolí je schopen změnit mechanické charakteristiky převodníku tak, že je lze detekovat elektronicky, opticky nebo jinak měření: ohnutí rezonanční frekvence tlumení Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 74
78 Tlakové senzory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS využívají mechanizmy piezoelektrické, piezorezistivní, kapacitní a rezonanční piezorezistivní senzor čtyři piezorezistory na stranách membrány membrána jako mechanický zesilovač rozsahy Pa jednoduché na výrobu závislost na teplotě spotřeba energie omezení rozlišení: dlouhodobý drift tepelný šum rezistoru Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 75
79 Tlakové senzory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS kapacitní senzory nemají nevýhody předchozích Si membrána se prohýbá vlivem tlaku nelineární charakteristika omezený dynamický rozsah lze omezit použitím zpětné vazby (další elektroda nad membránou) kapacitní senzor s dotykem nad určitou mezí je lineární Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 76
80 Tlakové senzory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS kapacitní senzory nemají nevýhody předchozích Si membrána se prohýbá vlivem tlaku nelineární charakteristika omezený dynamický rozsah lze omezit použitím zpětné vazby (další elektroda nad membránou) kapacitní senzor s dotykem nad určitou mezí je lineární Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 76
81 Akcelerometry Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS měří zrychlení hromadná aplikace automobilový průmysl další aplikace řízení stability, navigace základní princip hmotné těleso na pružném závěsu detekuje se jeho pohyb vzhledem k pevnému rámu různé možnosti detekce piezorezistivní detekce vzniklého napětí kapacitní detekce pohybu Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 77
82 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Kapacitní akcelerometr Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS vertikální kapacitní akcelerometr těleso tvoří jednu elektrodu druhá je pod ním detekuje zrychlení kolmo k podložce otvory pro usnadnění leptání problémy s Brownovým pohybem Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 78
83 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Kapacitní akcelerometr Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS laterální kapacitní akcelerometr hřebenová struktura elektrod jedna skupina je pevná druhá se pohybuje podél podložky Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 79
84 Gyroskopy Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Materiály a technologie MEMS senzory Aplikace MEMS měří úhlové zrychlení aplikace pro měření natáčení, stabilitu, virtuální realitu apod. využívají Coriolisovo zrychlení při úhlové rychlosti Ω je F C = Ω v vyžaduje dva kolmé pohyby kmitání v jednom horizontálním směru s konstantní amplitudou (elektrostatické buzení) otočení podél vertikální osy způsobí C. sílu a dojde k pohybu struktury v kolmém směru max. rychlost kmitání max. síla: rezonanční buzení posuv se projeví změnou kapacity detekce s ohledem na rezonanční frekvenci v druhém směru Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 80
85 Optické MEMS Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník současné optické systémy velké, objemové materiály drahá výroba (kusová, přesnost) vysoká spotřeba výhody z použití MEMS Digital Micromirror Device (DMD) uvedl Texas Instruments pro využití v projektorech i jiné aplikace např. 11b optický zeslabovač lepší rozlišení, jas, kontrast než klasická obrazovka pole malých zrcadel každé zrcadlo se může nezávisle natáčet Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 81
86 DMD Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník pod zrcadlem jsou dvě elektrody a paměťová buňka vlivem el. síly se zrcadlo natáčí o ±10 světlo z on zrcadel prochází projekční čočkou světlo z off zrcadel je odchýleno a absorbováno poměr dob on/off určuje stupně šedi barevné filtry dodávají barvu konstrukce vrchní Al zrcadlo (3 vrstvy) ostatní prvky ukryty (difrakce) CMOS kompatibilní nevýhody zrcadlo se může přilepit energetické ztráty u off zrcadel Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 82
87 Optické platformy Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník pro aplikace je třeba optoelektronických prvků nutnost precizního zarovnání (centrování) možnost přesného hýbání s prvky Mikroreflektor odrazné zrcadlo je táhly připojeno na dva lineární motory současný pohyb obou táhel zrcadlo zvedá rozdílný pohyb jej natáčí umožňuje směrování dopadajícího svazku navázání laseru do vlákna aplikace externích dutin Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 83
88 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Spínání optických dat MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník komunikace přes optická vlákna vyžaduje možnost přepínání většinou pomocí opticko-elektronicko-optických přepínačů převedou světlo na elektrický signál, ten se přepíná a pak převádí zpět na optický mezikrok zavádí zpoždění, energetickou náročnost a složitost je žádoucí spínání bez přerušení optické cesty MEMS umožňuje spínání polem zrcadel vstupní svazek lze aktivací příslušného zrcadla přesměrovat do výstupního vlákna realizace až matice pohyb zrcadla je omezen dvěma zarážkami řízen digitálně není třeba přesného řízení Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 84
89 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Spínání optických dat MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník realizace 2 2 vertikální torzní zrcadlo poly-si s Au vrstvou torzně uchyceno ve vertikální rámu vertikální zadní elektroda přiložení napětí přitáhne zrcadlo, světlo prochází magnetické zrcadlo změna polohy magnetickým polem spíše globální změna Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 85
90 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Radiofrekvenční MEMS MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník aplikace pro bezdrátovou komunikaci přijímače, vysílače, opakovače současné konstrukce využívají mnoho neintegrovaných prvků MEMS umožní integraci na jediném čipu Proměnné kondenzátory proměnné kapacity pomocí PN přechodů a MOS nízké Q, omezený ladicí rozsah, nelineární MEMS kapacitory změna pomocí změny: vzdálenosti desek Al deska µm 3, mezera 1,5 µm Al má nízké ρ, proto lze dosáhnout vysoké Q na vf přiložení napětí přiblíží desku k podložce překrytí desek překrytí dielektrika Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 86
91 Mikroinduktory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník běžné spirály na ploše desky mají nízké Q při vf vliv ztrát v podložce a rezistivity kovů při vf MEMS realizace: 3D induktor měděné pásky na izolujícím tělísku z Al 2 O 3 minimalizuje se plocha, která je blízko podložky 14 nh a Q = 16 při 1 GHz levitující induktor vytvořen z Cu, podpírán sloupky 14 nh, Q = 38 při 1,8 GHz svinutý induktor sbalí se sám vrstva pásků má vnitřní pnutí pásky se vzájemně protknou vrstva Cu pro lepší vodivost Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 87
92 MEMS spínače Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník kapacitní vodivá membrána podepřená sloupkem na spodní elektrodě izolační vrstva ve výchozím stavu je kapacita malá slabá vazba mezi elektrodami po přiložení velkého DC napětí se membrána přitáhne kapacita je velká (malá tloušťka dielektrika) silná vazba mezi elektrodami velmi malá spotřeba energie vyhovuje pro RF, nevhodné pro DC kovové jednostranně upevněný nosník s kontaktem na vnitřní části pomocná elektroda po přiložení pomocného napětí dojde k sepnutí doba odezvy 20 µs Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 88
93 MEMS rezonátory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy MEMS senzory Aplikace MEMS Mikronosník hřebenové rezonátory elektricky je lze uvést do mechanické rezonance to se projeví změnou kapacity výstupní proud má frekvenci mech. rezonance páskový filtr dva rezonující pásky spojené pružinou prostřední elektroda indukuje vibrace diskový rezonátor poly-si disk podepřený ve středu elektrody kruhově obklopují disk přivede se DC napětí a AC signál proměnné pole vyvolá radiálně působící sílu při shodě frekvencí periodická změna průměru výstupní střídavý proud Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 89
94 Mikronosník Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Aplikace MEMS Mikronosník MEMS pohybové členy nejjednodušší MEMS/NEMS tvořen jednostranně/oboustranně upnutým páskem obdélníkový průřez charakteristické vlastnosti závisí na geometrii (L, w, d) a materiálech (E) pro dynamické aplikace rezonanční frekvence f 0 činitel jakosti Q pro statické aplikace tuhost k široký rozsah velikostí senzor nebo pohybový člen základ mnoha měřicích metod (AFM) způsob přípravy vliv pnutí analýza vibračního stavu pomocí Euler-Bernoulliho rovnice L w Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 90
95 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Snímání pohybu nosníku Aplikace MEMS Mikronosník MEMS pohybové členy optická detekce vyžaduje vysokou odrazivost pokovení může vést k parazitním jevům rozliší až m nevyžaduje kontakty, jednoduché, lineární problém s narušením optické dráhy (průhlednost, víry, index lomu) piezorezistivní detekce Si s vhodně tvarovanou dopovanou vrstvou nebo ZnO nevhodné pro pomalé změny vyžaduje přívody kapacitní detekce parazitní vliv změny ε výhodná integrace s CMOS tunelování elektronů princip STM Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 91
96 Aktuátory Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy vyvozují mechanický pohyb z nemechanického podnětu lineární vs. rotační pohyb různé konstrukce a principy nejjednodušší prvky používají nosník Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 92
97 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Nosník jako aktuátor Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy tepelný princip relativně velké síly, energeticky náročné, pomalé jeden pásek u = L = αl T působení proti zátěži vede k u = αl T FL ES existuje kritická síla F c = ESα T spojené pásky T tak malé, aby nedošlo k ohybu při dokonalé symetrii pohyb v jednom směru více pásku pro větší sílu dvoupáskový dva pevně spojené pásky, delší je zahříván dochází k ohnutí Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 93
98 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Elektrostatický princip Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy podélný nebo příčný pohyb omezení pohybu symetrickým návrhem zpravidla více nosníků hřebeny Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 94
99 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Elektrostatický princip Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy podélný nebo příčný pohyb omezení pohybu symetrickým návrhem zpravidla více nosníků hřebeny fyzikální princip příčného pohybu ( elektrostatická energie W e = ) εsu 2 2z mechanická energie W m = 1 2 k(g 0 z) 2 výsledná síla F = (We+Wm) z = k(g 0 z) + εsu2 2z 2 pro rovnováhu musí platit k(g 0 z) = εsu2 2z 2 podmínka stability (kladná druhá derivace) omezuje pohyb na z 2 3 g 0 potřeba zarážky pro pohyb z roviny složitější není rovnoměrná mezera obdobné odvození pro podélný pohyb Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 94
100 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Další možnosti pohybu nosníku Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy elektromagnetický princip vytváří větší síly při větších vzdálenostech než elektrostatický nosníkem prochází proud ve smyčce (příp. oboustranně upevněný) externí (silné) magnetické pole vytváří se moment, který nosník natáčí magnetický princip magnet upevněný na nosníku v externím mag. poli místo magnetu feromagnetická vrstva piezoelektrický s tvarovou pamětí slitiny, které po zahřátí při fázovém přechodu obnoví původní tvar TiNi, AuCd bimorfy dva pásky s odlišnými vlastnostmi tepelné, piezo, tvarové ohřev laserem zvláště u bimorfních pásků, vhodné pro kmitání Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 95
101 Krokové posuvy Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy scratch inchworm piezoelektrický Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 96
102 Další principy Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy membrána zahřátí zvýší tlak plynu hydrogely dosahují velkých objemových změn při různých podnětech změn ph, koncentrace, osvětlení, teploty nevyžadují externí napájení mohou být zároveň senzory prostředí elektroaktivní polymery elektrostrikční materiály reverzibilní změna tvaru s el. polem vibrační motor vibrace motorků způsobují nárazy postupný pohyb táhla dva páry pro obousměrný pohyb Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 97
103 Rotační pohyb Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy kruhové vibrace pomocí elektrostatického pohybu kruhové elektrody změna plochy překryvu desek neumožní plnou otáčku motory všechny mají problémy se třením první motory fungovaly jen pár minut buzení pomocí pólů Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 98
104 Mikrofluidika Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy věda o chování tekutin na mikroúrovni a technika návrhu, simulace a výroby zařízení pro transport, doručení a práci s tekutinami aplikace: tiskové hlavy, analýza krve, biochemická detekce, chemické syntézy, sekvencování DNA malá množství rychle zreagují chemicky odolné materiály kanálky pro dopravu tekutin krystalický Si možnost anizotropního/izotropního leptání sklo pouze izotropní (není krystalické) povrchové mechanické napětí vede k anizotropii polymery pomocí formování hodně kopírují makroskopické systémy Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 99
105 Ventily Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy pneumatické externí řízení vzduchem velmi rychlé, velké síly termopneumatické zahřívání tekutiny v dutině pomalé, ale velmi velká síla elektrostatické jednoduchá struktura, snadná výroba pr. membrána s přechodem typu S může mít velkou vzdálenost elektrod piezoelektrické nejrychlejší, ale malé pohyby obtížná integrace elektromagnetické elektroreologické změna viskozity s elektrickým polem jen vhodné kapaliny Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 100
106 Pasivní ventily Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy funkce některých může být omezena na několik cyklů povrchové napětí dokud rozhraní neprojde přes ventil Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 101
107 Čerpadla Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy většina pracuje na tlakování a nuceném toku membránové čerpadlo se zpětnými ventily deformace membrány zvětšuje čerpací prostor difuzerové čerpadlo geometricky definovaný směr toku mezi dvěma difuzery měnitelný čerpací prostor elektroosmotické čerpadlo dvojvrstva na rozhraní kapalina/kanál vytváří se ionty podélné elektrické pole způsobí jejich pohyb ionty strhávají ostatní tekutiny netradiční profil rychlosti téměr kolmý efektivní jen u velmi tenkých kanálků pasivní čerpadla bez externího napájení osmotické ohebná polopropustná membrána, pomalé povrchové napětí malá a velká kapka na dvou koncích kanálku Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 102
108 Další zařízení Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy mixery makromixery používají turbulentní toky v mikrokanálech jsou toky laminární důležitá je difúze klikaté cesty pro zvýšení velikosti difúze nízké toky µl/min dávkovače periodické naplňování přesného objemu dva ventily první otevřený, druhý zavřený po naplnění se vzduchem rozdělí kapalina měřicí kanál umožní změření objemu kapaliny pomocí měřítka optofluidní zařízení např. laditelná čočka 2 nemísitelné kapaliny, hydrofobní stěny bez napětí sférický tvar napětí přitáhne ionty soli změna menisku Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 103
109 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Mikronosník MEMS pohybové členy Mikrofluidní systémy Srovnání pasivních a aktivních systémů pasivní prvky jsou řízeny tokem tekutiny nevyžadují externí napájení energie z tekutiny povrchové efekty snáze se realizují, levné nevyžadují řízení spolehlivější, pokud nemají pohyblivé části jsou specifické pro daný systém aktivní prvky vhodnější pro široký rozsah médií méně závisí na variacích výrobního procesu Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 104
110 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy NEMS srovnání NEMS a MEMS principy konvenčních zařízení a MEMS jsou stejné MEMS není třeba studovat na molekulární úrovni MEMS popisuje Newtonova mechanika a Maxwellova teorie NEMS popisuje kvantová fyzika MEMS jsou škálovatelné bottom up NEMS přechod k NEMS opět zvýrazňuje vliv povrchových efektů narušení zpracováním (plazma, mechanické napětí) využití nanotrubiček, fulerenů atd. Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 105
111 Nanonosník Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy výjimka je škálovatelný mohou se uplatňovat jiné mechanizmy ztrát velký poměr plochy povrchu k objemu nanometrové rozměry GHz rezonanční frekvence složitější detekce pohybu vysoká frekvence pohybu s malých rozsahem slabý kapacitní signál utopení v šumu výroba z Si dobře krystalicky definovaný oboustranně upevněné SiC nosníky Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 106
112 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy NEMS a SE tranzistory elektromechanický jednoelektronový nanotranzistor ostrůvek je na ohebném sloupku s polohou se mění pravděpodobnost tunelování na drain a source jiný způsob elektrostatický pohyb Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 107
113 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy NEMS zařízení s nanotrubičkami CNT jako nosník náhrada klasického nosníku velká mechanická odolnost bistabilní zařízení vlivem napětí se ohne do rovnováhy je-li napětí velké U pull in, dojde k přískoku od 1 nm tunelovací proud snižuje úbytkem na R napětí stabilizace po poklesu pod U pull out odskočí senzor síly nanotrubička upevněná na dvou elektrodách síla působí přes nosník kolmo k rovině elektrod mechanická deformace změna odporu senzor tlaku NT na membráně změna odporu hradlo pro naladění trubičky Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 108
114 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Pohybová NEMS zařízení s nanotrubičkami lineární pohyb jednotlivých stěn MWNT realizace oscilátorů pohyb skoro bez tření Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 109
115 Mikroelektromechanické systémy Nanoelektromechanické systémy Další NEMS zařízení which-path electron interferometer Aharonov-Bohmův kroužek s integrovanou QD nad QD kmitá nosník elektrické pole mezi QD a nosníkem přítomnost elektronu ovlivní vibrace dochází k modulaci interferenčních proužků Casimirův oscilátor demonstruje vliv Casimirovy síly možnost získat energii z kvantového vakua? Aplikované nanotechnologie MEMS, NEMS a molekulární stroje 110
Nanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika
Úvod Nanoelektronika plynulý přechod z mikroelektroniky snaha o vyšší výpočetní výkon zmenšování + větší počet tranzistorů zvyšování frekvence nové zdroje energie nové směry: nositelná elektronika integrace
VíceNanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.
Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění
Víceλ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda
Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceÚvod do laserové techniky KFE FJFI ČVUT Praha Michal Němec, 2014. Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny.
Polovodičové lasery Energie elektronů v atomech nabývá diskrétních hodnot energetické hladiny. Energetické hladiny tvoří pásy Nejvyšší zaplněný pás je valenční, nejbližší vyšší energetický pás dovolených
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VícePaměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš
Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy
VíceAplikované nanotechnologie II
Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci Aplikovaná fyzika Prezentace k přednášce Aplikované nanotechnologie Nanoelektronika MEMS, NEMS a molekulární stroje Nanoměření II Aplikované
Více2. kapitola: Přenosová cesta optická (rozšířená osnova)
Punčochář, J: AEO; 2. kapitola 1 2. kapitola: Přenosová cesta optická (rozšířená osnova) Čas ke studiu: 4 hodiny Cíl: Po prostudování této kapitoly budete umět identifikovat prvky optického přenosového
VíceZDROJE MĚŘÍCÍHO SIGNÁLU MĚŘÍCÍ GENERÁTORY
INOVACE ODBORNÉHO VZDĚLÁVÁNÍ NA STŘEDNÍCH ŠKOLÁCH ZAMĚŘENÉ NA VYUŽÍVÁNÍ ENERGETICKÝCH ZDROJŮ PRO 21. STOLETÍ A NA JEJICH DOPAD NA ŽIVOTNÍ PROSTŘEDÍ CZ.1.07/1.1.00/08.0010 ZDROJE MĚŘÍCÍHO SIGNÁLU MĚŘÍCÍ
VíceZkouškové otázky z A7B31ELI
Zkouškové otázky z A7B31ELI 1 V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí - uveďte název a značku jednotky 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud - uveďte název a značku jednotky 3 V jakých jednotkách se
VíceLasery optické rezonátory
Lasery optické rezonátory Optické rezonátory Optickým rezonátorem se rozumí dutina obklopená odrazovými plochami, v níž je pasivní dielektrické prostředí. Rezonátor je nezbytnou součástí laseru, protože
VíceZpůsoby realizace paměťových prvků
Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická
VíceElektrické vlastnosti pevných látek
Elektrické vlastnosti pevných látek elektrická vodivost gradient vnějšího elektrického pole vyvolá přenos náboje volnými nositeli (elektrony, díry, ionty) měrná vodivost = e n n e p p [ -1 m -1 ] Kovy
VíceSignálové a mezisystémové převodníky
Signálové a mezisystémové převodníky Tyto převodníky slouží pro generování jednotného nebo unifikovaného signálu z přirozených signálů vznikajících v čidlech. Často jsou nazývány vysílači příslušné fyzikální
VíceKroužek elektroniky 2010-2011
Dům dětí a mládeže Bílina Havířská 529/10 418 01 Bílina tel. 417 821 527 http://www.ddmbilina.cz e-mail: ddmbilina@seznam.cz Kroužek elektroniky 2010-2011 Dům dětí a mládeže Bílina 2010-2011 1 (pouze pro
VíceVýukové texty. pro předmět. Měřící technika (KKS/MT) na téma. Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin
Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin Autor: Doc. Ing. Josef Formánek, Ph.D. Základní charakteristika a
Víceλ, (20.1) 3.10-6 infračervené záření ultrafialové γ a kosmické mikrovlny
Elektromagnetické vlny Optika, část fyziky zabývající se světlem, patří spolu s mechanikou k nejstarším fyzikálním oborům. Podle jedné ze starověkých teorií je světlo vyzařováno z oka a oko si jím ohmatává
VíceNANOMATERIÁLY, NANOTECHNOLOGIE, NANOMEDICÍNA
NANOMATERIÁLY, NANOTECHNOLOGIE, NANOMEDICÍNA Nano je z řečtiny = trpaslík. 10-9, 1 nm = cca deset tisícin průměru lidského vlasu Nanotechnologie věda a technologie na atomární a molekulární úrovni Mnoho
Vícenano.tul.cz Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL
Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL nano.tul.cz Tyto materiály byly vytvořeny v rámci projektu ESF OP VK: Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na Technické univerzitě v Liberci Zdravotní rizika
VíceFotovoltaika - přehled
- přehled přednáška Výkonová elektronika Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Fotovoltaika Fotovoltaika výroba elektrické energie ze energie
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceNávod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě
Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě Náplní laboratorní úlohy je proměření základních parametrů plynových vodivostních senzorů: i) el. odpor a ii)
Více1. Snímací část. Náčrtek CCD čipu.
CCD 1. Snímací část Na začátku snímacího řetězce je vždy kamera. Před kamerou je vložen objektiv, který bývá možno měnit. Objektiv opticky zobrazí obraz snímaného obrazu (děje) na snímací součástku. Dříve
VícePaměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)
Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat
Více3. D/A a A/D převodníky
3. D/A a A/D převodníky 3.1 D/A převodníky Digitálně/analogové (D/A) převodníky slouží k převodu číslicově vyjádřené hodnoty (např. v úrovních TTL) ve dvojkové soustavě na hodnotu nějaké analogové veličiny.
VíceR10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A. R10.1 Fotovoltaika
Fyzika pro střední školy II 84 R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A R10.1 Fotovoltaika Sluneční záření je spojeno s přenosem značné energie na povrch Země. Její velikost je dána sluneční neboli solární
VíceNeuropočítače. podnět. vnímání (senzory)
Neuropočítače Princip inteligentního systému vnímání (senzory) podnět akce (efektory) poznání plánování usuzování komunikace Typické vlastnosti inteligentního systému: schopnost vnímat podněty z okolního
VíceNávod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování
Návod pro laboratorní úlohu: Komerční senzory plynů a jejich testování Úkol měření: 1) Proměřte závislost citlivosti senzoru TGS na koncentraci vodíku 2) Porovnejte vaši citlivostní charakteristiku s charakteristikou
VíceSNÍMÁNÍ OBRAZU. KAMEROVÉ SYSTÉMY pro 3. ročníky tříletých učebních oborů ELEKTRIKÁŘ. Petr Schmid listopad 2011
KAMEROVÉ SYSTÉMY pro 3. ročníky tříletých učebních oborů ELEKTRIKÁŘ SNÍMÁNÍ OBRAZU Petr Schmid listopad 2011 Projekt Využití e-learningu k rozvoji klíčových kompetencí reg. č.: CZ.1.07/1.1.10/03.0021 je
VíceÚVOD DO PROBLEMATIKY PIV
ÚVOD DO PROBLEMATIKY PIV Jiří Nožička, Jan Novotný ČVUT v Praze, Fakulta strojní, Ú 207.1, Technická 4, 166 07, Praha 6, ČR 1. Základní princip PIV Particle image velocity PIV je měřící technologie, která
VíceInovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie. Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/15.0247
Inovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/15.0247 APLIKACE POČÍTAČŮ V MĚŘÍCÍCH SYSTÉMECH PRO CHEMIKY s využitím LabView 2. Číslicové počítače a jejich využití pro
VíceMĚŘENÍ TEPLOTY. Přehled technických teploměrů. Teploměry kapalinové. Teploměry tenzní. Rozdělení snímačů teploty: Ukázky aplikace termochromních barev
MĚŘENÍ TEPLOTY teplota je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě při měření teploty se měří obecně jiná veličina A, která je na teplotě závislá podle určitého
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceDvoukanálový monitor absolutního chvění MMS 6120
Dvoukanálový monitor absolutního chvění MMS 6120 Součást systému MMS 6000 Vyměnitelný za provozu, redundantní napájení Určen pro provoz s elektrodynamickými snímači absolutního chvění epro PR 9266, PR
VíceOBSAH. Elektronika... 2. Elektrotechnika 1... 4. Technologická praktika 6... 6. Technická matematika 1... 8. Základy elektrotechniky...
OBSAH Elektronika... 2 Elektrotechnika 1... 4 Technologická praktika 6... 6 Technická matematika 1... 8 Základy elektrotechniky...10 ELEKTRONIKA Zkratka předmětu: KPV/ELNIK Vymezení předmětu: povinný Hod.
VíceNedestruktivní defektoskopie
Nedestruktivní defektoskopie Technologie údržeb a oprav strojů Obsah Vizuální prohlídky Kapilární metody Magnetické práškové metody Ultrazvukové metody Radiodefektoskopické metody Infračervené metody Optická
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceSvětlo vyzařující dioda, též elektroluminiscenční dioda či LED, je elektronická polovodičová součástka obsahující přechod P-N.
Světlo vyzařující dioda, též elektroluminiscenční dioda či LED, je elektronická polovodičová součástka obsahující přechod P-N. Prochází-li přechodem elektrický proud v propustném směru, přechod vyzařuje
Více1 Elektronika pro zpracování optického signálu
1 Elektronika pro zpracování optického signálu Výběr elektroniky a detektorů pro měření optického signálu je odvislé od toho, jaký signál budeme detekovat. V první řadě je potřeba vědět, jakých intenzit
Více1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 1.2 1.3 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14
Obsah 1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU...11 1.1 Cíl učebnice...11 1.2 Přehled a rozdělení elektroniky...11 1.3 Vstupní test...12 2 ZÁKLADNÍ OBVODY...14 2.1 Základní pojmy z elektroniky...14 2.1.1 Pracovní bod...16 2.2
VíceIntegrované obvody. Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody
Integrované obvody Obvody malé, střední a velké integrace Programovatelné obvody Integrovaný obvod zkratka: IO anglický termín: integrated circuit = IC Co to je? elekrotechnická součástka na malé ploše
VíceSTAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech
STAVEBNÍ NÁVODY 1 pro činnost v elektro a radio kroužcích a klubech Nejjednodušší stavební návody Verze V.4, stav k 5. prosinci 2014. Byl upraven Stavební návod na Cvrčka. Víte o dalších zajímavých návodech?
VíceMaturitní okruhy Fyzika 2015-2016
Maturitní okruhy Fyzika 2015-2016 Mgr. Ladislav Zemánek 1. Fyzikální veličiny a jejich jednotky. Měření fyzikálních veličin. Zpracování výsledků měření. - fyzikální veličiny a jejich jednotky - mezinárodní
VíceZavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích
Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově 07_3_Elektrický proud v polovodičích Ing. Jakub Ulmann 3 Polovodiče Př. 1: Co je to? Př. 2: Co je to? Mikroprocesor
VíceSNÍMAČE. - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení).
SNÍMAČE - čidla, senzory snímají měří skutečnou hodnotu regulované veličiny (dávají informace o stavu technického zařízení). Rozdělení snímačů přímé- snímaná veličina je i na výstupu snímače nepřímé -
Více7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru
7. Kondenzátory Kondenzátor (někdy nazývaný kapacitor) je součástka se zvýrazněnou funkční elektrickou kapacitou. Je vytvořen dvěma vodivými plochami - elektrodami, vzájemně oddělenými nevodivým dielektrikem.
VíceTECHNICKÁ DOKUMENTACE... 3 POČÍTAČOVÉ NAVRHOVÁNÍ (ECAD)... 4 ELEKTROTECHNIKA A ELEKTRONIKA I... 5 ELEKTROTECHNIKA A ELEKTRONIKA II...
0 Obsah TECHNICKÁ DOKUMENTACE... 3 POČÍTAČOVÉ NAVRHOVÁNÍ (ECAD)... 4 ELEKTROTECHNIKA A ELEKTRONIKA I.... 5 ELEKTROTECHNIKA A ELEKTRONIKA II.... 6 ELEKTROTECHNIKA A ELEKTRONIKA III.... 7 ELEKTROTECHNIKA
VíceZákladní pojmy. T = ϑ + 273,15 [K], [ C] Definice teploty:
Definice teploty: Základní pojmy Fyzikální veličina vyjadřující míru tepelného stavu tělesa Teplotní stupnice Termodynamická (Kelvinova) stupnice je určena dvěma pevnými body: absolutní nula (ustává termický
VíceZáklady nanotechnologií 1
Katedra experimentální fyziky Univerzita Palackého v Olomouci Nanotechnologie Prezentace k přednášce Základy nanotechnologií Základní nanoprvky Uhlíkové nanostruktury Nanolitografie Samouspořádání Skenovací
VíceELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_3S3_D14_Z_OPAK_E_Elektricky_proud_v_kapalinach _plynech_a_polovodicich_t Člověk a příroda
Více4. Zpracování signálu ze snímačů
4. Zpracování signálu ze snímačů Snímače technologických veličin, pasivní i aktivní, zpravidla potřebují převodník, který transformuje jejich výstupní signál na vhodnější formu pro další zpracování. Tak
VíceDaniel Tokar tokardan@fel.cvut.cz
České vysoké učení technické v Praze Fakulta elektrotechnická Katedra fyziky A6M02FPT Fyzika pro terapii Fyzikální principy, využití v medicíně a terapii Daniel Tokar tokardan@fel.cvut.cz Obsah O čem bude
VíceSNÍMAČE PRO MĚŘENÍ VZDÁLENOSTI A POSUVU
SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ VZDÁLENOSTI A POSUVU 7.1. Odporové snímače 7.2. Indukční snímače 7.3. Magnetostrikční snímače 7.4. Kapacitní snímače 7.5. Optické snímače 7.6. Číslicové snímače 7.1. ODPOROVÉ SNÍMAČE
VíceTeorie měření a regulace
Ústav technologie, mechanizace a řízení staveb Teorie měření a regulace měření teploty - 2 17.SP-t.2. ZS 2015/2016 2015 - Ing. Václav Rada, CSc. Další pokračování o měření teploty a tepla Termistory (krystalické)
VíceRadioterapie. X31LET Lékařská technika Jan Havlík Katedra teorie obvodů xhavlikj@fel.cvut.cz
Radioterapie X31LET Lékařská technika Jan Havlík Katedra teorie obvodů xhavlikj@fel.cvut.cz Radioterapie je klinický obor využívající účinků ionizujícího záření v léčbě jak zhoubných, tak nezhoubných nádorů
VíceNe vždy je sběrnice obousměrná
PAMĚTI Ne vždy je sběrnice obousměrná Paměti ROM (Read Only Memory) určeny pouze pro čtení informací. Informace jsou do těchto pamětí pevně zapsány při jejich výrobě a potom již není možné žádným způsobem
VíceOddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur
Oddělení fyziky vrstev a povrchů makromolekulárních struktur Témata diplomových prací 2014/2015 Studium změn elektrické vodivosti emeraldinových solí vystavených pokojovým a mírně zvýšeným teplotám klíčová
VíceReferát z Fyziky. Detektory ionizujícího záření. Vypracoval: Valenčík Dušan. MVT-bak.
Referát z Fyziky Detektory ionizujícího záření Vypracoval: Valenčík Dušan MVT-bak. 2 hlavní skupiny detektorů používaných v jaderné a subjaderné fyzice 1) počítače interakce nabitých částic je převedena
VíceElektrická impedanční tomografie
Biofyzikální ústav LF MU Projekt FRVŠ 911/2013 Je neinvazivní lékařská technika využívající nízkofrekvenční elektrické proudy pro zobrazení elektrických vlastností tkaní a vnitřních struktur těla. Různé
VíceStřední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_17_Číslicový obvod Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast
Více2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače
. Pasivní snímače Pasivní snímače při působení měřené veličiny mění svoji charakteristickou vlastnost, která potom ovlivní tok elektrické energie. Její změna je pak mírou hodnoty měřené veličiny. Pasivní
VíceInfračervená spektroskopie
Infračervená spektroskopie 1 Teoretické základy Podstatou infračervené spektroskopie je interakce infračerveného záření se studovanou hmotou, kdy v případě pohlcení fotonu studovanou hmotou mluvíme o absorpční
VíceObsah. Zobrazovací a ovládací prvky na čelním panelu. Účel použití. Elektrické zapojení. Obr. 5.2-1: Analogový vstupní modul 07 AI 91
5. Analogový vstupní modul 07 AI 91 8 vstupů, konfigurovatelných pro teplotní senzory nebo jako proudové nebo napěťové vstupy, napájení 4 V DC, CS31 - linie 1 1 3 4 Obr. 5.-1: Analogový vstupní modul 07
VíceII. VNITŘNÍ ENERGIE, PRÁCE A TEPLO
II. VNITŘNÍ ENERGIE, PRÁCE A TEPLO 2.1 Vnitřní energie tělesa a) celková energie (termodynamické) soustavy E tvořena kinetickou energií E k jejího makroskopického pohybu jako celku potenciální energií
VíceÚloha č. 8 Vlastnosti optických vláken a optické senzory
Úloha č. 8 Vlastnosti optických vláken a optické senzory Optické vlákna patří k nejmodernějším přenosovým médiím. Jejich vysoká přenosová kapacita a nízký útlum jsou hlavní výhody, které je staví před
VíceAutonomní hlásiče kouře
Autonomní hlásiče kouře Povinnost obstarat, instalovat a udržovat v provozuschopném stavu požárně bezpečnostní zařízení vyplývá právnickým a podnikajícím fyzickým osobám zejména z ustanovení 5 odst. 1
VíceZemní ochrana rotoru generátoru ve spojení proudové injektážní jednotky PIZ 50V a ochrany REJ 521
Zemní ochrana rotoru generátoru ve spojení proudové injektážní jednotky PIZ 50V a ochrany REJ 521 Číslo dokumentu: 1MCZ300045 CZ Datum vydání: Září 2005 Revize: Copyright Petr Dohnálek, 2005 ISO 9001:2000
VíceOsnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod 555 3. Oscilátory
K620ZENT Základy elektroniky Přednáška ř č. 6 Osnova: 1. Klopné obvody 2. Univerzálníobvod 555 3. Oscilátory Bistabilní klopný obvod Po připojení ke zdroji napájecího napětí se obvod ustálí tak, že jeden
VíceGlass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VícePrincip magnetického záznamuznamu
Princip magnetického záznamuznamu Obrázky: IBM, Hitachi 1 Magnetické materiály (1) n I H = l B = μ H B l μ μ = μ μ 0 0 μ = 4π 10 r 7 2 [ N A ] n I Diamagnetické materiály: µ r < 1 (Au, Cu) Paramagnetické
VíceINTELIGENTNÍ SNÍMAČE
INTELIGENTNÍ SNÍMAČE Petr Beneš Vysoké učení technické v Brně, FEKT, Ústav automatizace a měřicí techniky Kolejní 4, 612 00 Brno, benesp@feec.vutbr.cz Abstrakt: Příspěvek se věnuje problematice inteligentních
VíceMETODY CHARAKTERIZACE POLOVODIVÝCH TERMOELEKTRICKÝCH MATERIÁLŮ
METODY CHARAKTERIZACE POLOVODIVÝCH TERMOELEKTRICKÝCH MATERIÁLŮ J. KAŠPAROVÁ, Č. DRAŠAR Fakulta chemicko - technologická, Univerzita Pardubice, Studentská 573, 532 10 Pardubice, CZ, e-mail:jana.kasparova@upce.cz
VíceStudium kladného sloupce doutnavého výboje pomocí elektrostatických sond: jednoduchá sonda
1 Úvod Studium kladného sloupce doutnavého výboje pomocí elektrostatických sond: jednoduchá sonda V této úloze se zaměříme na měření parametrů kladného sloupce doutnavého výboje, proto je vhodné se na
VíceKvantová informatika pro komunikace v budoucnosti
Kvantová informatika pro komunikace v budoucnosti Antonín Černoch Regionální centrum pokročilých technologií a materiálů Společná laboratoř optiky University Palackého a Fyzikálního ústavu Akademie věd
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: Lasery - druhy
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 Lasery - druhy Laser je tvořen aktivním prostředím, rezonátorem a zdrojem energie. Zdrojem energie, který může
VíceObrázek č. 7.0 a/ regulační smyčka s regulátorem, ovladačem, regulovaným systémem a měřicím členem b/ zjednodušené schéma regulace
Automatizace 4 Ing. Jiří Vlček Soubory At1 až At4 budou od příštího vydání (podzim 2008) součástí publikace Moderní elektronika. Slouží pro výuku předmětu automatizace na SPŠE. 7. Regulace Úkolem regulace
VícePracovní třídy zesilovačů
Pracovní třídy zesilovačů Tzv. pracovní třída zesilovače je určená polohou pracovního bodu P na převodní charakteristice dobou, po kterou zesilovacím prvkem protéká proud, vzhledem ke vstupnímu zesilovanému
Více5. Zobrazovací jednotky
5. Zobrazovací jednotky CRT, LCD, Plazma, OLED E-papír, diaprojektory Zobrazovací jednotky Pro připojení zobrazovacích jednotek se používá grafická karta nebo také video adaptér. Úkolem grafické karty
VíceOptická vlákna. Laboratoř optických vláken. Ústav fotoniky a elektroniky, AVČR, v.v.i. www.ufe.cz/dpt240
Optická vlákna Laboratoř optických vláken Ústav fotoniky a elektroniky, AVČR, v.v.i. www.ufe.cz/dpt240 Ústav fotoniky a elektroniky AVČR ZÁKLADNÍ VÝZKUM Optické biosensory (SPR Homola) Vláknové lasery
VícePolohovací zařízení. Počítačová myš
Polohovací zařízení Polohovací zařízení jsou vstupní periferie, jejichž úkolem je umožnit snadnější ovládání programů a programových součástí operačního systému. Jedná se především o pohyb kurzoru po pracovní
VíceKapitoly z fyzikální chemie KFC/KFCH. VII. Spektroskopie a fotochemie
Kapitoly z fyzikální chemie KFC/KFCH VII. Spektroskopie a fotochemie Karel Berka Univerzita Palackého v Olomouci Katedra Fyzikální chemie karel.berka@upol.cz Spektroskopie Analýza světla Excitované Absorbované
VíceTISKOVÁ ZPRÁVA. TUL nabízí nový studijní program Nanotechnologie
1 TISKOVÁ ZPRÁVA TUL nabízí nový studijní program Nanotechnologie Více informací na webové stránce: http://nano.tul.cz/ ÚVOD Akreditační komise MŠMT ČR udělila v listopadu 2008 Technické univerzitě v Liberci
Více1 VZNIK, VÝVOJ A DEFINICE MECHATRONIKY
1 VZNIK, VÝVOJ A DEFINICE MECHATRONIKY 1.1 VÝVOJ MECHATRONIKY Ve vývoji mechatroniky lze vysledovat tři období: 1. etapa polovina 70. let, Japonsko, založení nového oboru shrnuje poznatky z mechaniky,
VíceAplikovaná optika. Optika. Vlnová optika. Geometrická optika. Kvantová optika. - pracuje s čistě geometrickými představami
Aplikovaná optika Optika Geometrická optika Vlnová optika Kvantová optika - pracuje s čistě geometrickými představami - zanedbává vlnovou a kvantovou povahu světla - elektromagnetická teorie světla -světlo
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 NAPÁJECÍ ZDROJE Použitá literatura: Kesl, J.: Elektronika I - analogová technika, nakladatelství BEN - technická
Více4.2 Paměti PROM - 87 - NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n
Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího
VíceTZB - VZDUCHOTECHNIKA
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA STAVEBNÍ JIŘÍ HIRŠ, GÜNTER GEBAUER TZB - VZDUCHOTECHNIKA MODUL BT02-11 HLUK A CHVĚNÍ VE VZDUCHOTECHNICE STUDIJNÍ OPORY PRO STUDIJNÍ PROGRAMY S KOMBINOVANOU FORMOU
Víceevodníky Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Přednáška č. 14 Milan Adámek adamek@fai.utb.cz U5 A711 +420576035251
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření A/D a D/A převodnp evodníky Přednáška č. 14 Milan Adámek adamek@fai.utb.cz U5 A711 +420576035251 A/D a D/A převodníky 1 Důvody převodu signálů
VíceIDENTIFIKACE LÉČIVA V TABLETÁCH POMOCÍ RAMANOVY SPEKTROMETRIE
IDENTIFIKACE LÉČIVA V TABLETÁCH POMOCÍ RAMANOVY SPEKTROMETRIE Úvod Ramanova spektrometrie je metodou vibrační molekulové spektrometrie. Za zakladatele této metody je považován indický fyzik Čandrašékhara
VíceGRAFICKÉ ROZHRANÍ V MATLABU PRO ŘÍZENÍ DIGITÁLNÍHO DETEKTORU PROSTŘEDNICTVÍM RS232 LINKY
GRAFICKÉ ROZHRANÍ V MATLABU PRO ŘÍZENÍ DIGITÁLNÍHO DETEKTORU PROSTŘEDNICTVÍM RS232 LINKY Jiří Šebesta Ústav radioelektroniky, Fakulta elektroniky a komunikačních technologií Vysoké učení technické v Brně
Vícezpůsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu
Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou
Více2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače
. Pasivní snímače Pasivní snímače mění při působení měřené některou svoji charakteristickou vlastnost. Její změna je pak mírou hodnoty měřené veličiny a ta potom ovlivní tok elektrické energie ve vyhodnocovacím
VíceKONTROLA PŘESNOSTI VÝROBY S VYUŽITÍM MATLABU
KONTROLA PŘESNOSTI VÝROBY S VYUŽITÍM MATLABU Ing. Vladislav Matějka, Ing. Jiří Tichý, Ing. Radovan Hájovský Katedra měřicí a řídicí techniky, VŠB-TU Ostrava Abstrakt: Příspěvek se zabývá možností využít
VíceIdeální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu. pásová struktura polovodiče
Cvičení 3 Ideální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu Aplikace kvantové mechaniky pásová struktura polovodiče Nosiče náboje v polovodiči hustota stavů obsazovací funkce, Fermiho hladina koncentrace
Více