Charakteristiky tranzistoru MOSFET

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "Charakteristiky tranzistoru MOSFET"

Transkript

1 Cvičení 7 Charakteristiky tranzistoru MOFET Výstupní V-A charakteristiky tranzistoru MOFET Úplný model tranzistoru MOFET (Ppice-Level 1) a jeho parametry tanovení stejnosměrného pracovního bodu tranzistoru MOFET Převodní charakteristika invertoru s tranzistorem MOFET Měření převodních charakteristik invertoru s tranzistorem MOFET a jejich jejich analýza (Excel) Elektronické prvky A2B34ELP

2 Tranzistor MOFET s kanálem N W C ox = ε o ε r /t ox L B L délka kanálu W šířka kanálu C ox - kapacita oxidu na jednotku plochy ε 0 permitivita vakua ε r relativní permitivita oxidu t ox tloušťka oxidu

3 MOFET výstupní voltampérová charakteristika I [ma] = -U T -U T odporový režim (lineární, triodový) -U T saturace =U T +2.5 I = 0 I =U T +2.0 =U T +1.5 =U T +1.0 =U T

4 MOFET statický model Ppice Level 1 (chichman-hodges) I I [ma] -U T odporový režim = -U T -U T saturace Odporový režim I = μ n C n ox aturace I 1 = μ 2 C W L ox W L 2 ( U U ) U U T ( U U ) 2 T 2 1 0!!! neuvažuje se zkrácení délky kanálu s PARAMETRY MOELU μ n pohyblivost elektronů L délka kanálu W šířka kanálu C ox kapacita oxidu na jednotku plochy C ox = ε 0 ε r /t ox ε 0 permitivita vakua ε r relativní permitivita oxidu t ox tloušťka oxidu

5 MOFET statický model Ppice Level 1 (uvážení zkrácení L) I I [ma] I r o r o = λ 1 μ 2 n C ox W L ( U U ) T 2 1 = U A + U I P 0 P 0 směrnice 1/r 0 I = 1 μ 2 n C ox W L ( U U ) 2 Pro oblast saturace platí T -U A = -1/λ 1 W 2 I = μn Cox ( U UT ) ( 1+ λu ) = I + 2 L 0 U r 0 U A Earlyho napětí λ koeficient modulace délky kanálu

6 Excel listy NMO a PMO Tabulkový procesor umožňuje vypočítat výstupní charakteristiku tranzistoru NMO (PMO) na základě zadaných parametrů tranzistoru (t ox, W, L, UT, λ) a napětí U.

7 MOFET mezní parametry I [ma] Výstupní I max P tot = I I [na] Vstupní max 0 B max max rain-ource Voltage Maximum I Continuous rain Current I M Pulsed rain Current max ate-ource Voltage Maximum P tot Power issipiation B rain-ource Breakdown Voltage

8 MOFET katalogový list Maximální napětí rain-ource Maximální hodnota I trvale Maximální hodnota I pulzně Maximální napětí ate-ource Maximální ztrátový výkon Průrazné napětí rain-ource Prahové napětí tatický odpor - v sepnutém stavu Vstupní kapacita trmost pínací/vypínací zpoždění

9 Ppice MOFET V-A charakteristika 1) pustit Capture/esign Entry CI 2) File Open Project... 07_MOFET_VA.opj K dispozici jsou tři simulační profily: 1. Pracovní bod 2. tejnosměrná analýza VA teplota 3. tejnosměrná analýza převodní VA teplota Proveďte simulaci vlivu teploty na výstupní charakteristiku tranzistoru B170. Proveďte simulaci vlivu teploty na převodní charakteristiku tranzistoru B170 ( = ). Analyzujte vliv teploty.

10 Ppice MOFET VA charakteristika Výstupní charakteristiky tranzistoru B170 simulované pro teploty 25 a 125 o C Převodní charakteristiky tranzistoru B170 ( = ) simulované pro teploty -40, +25 a +125 o C 60mA 20mA 15mA 40mA 10mA 20mA 5mA 0A 0V 5V 10V 15V I(M1:d) V_Vdd 0A 1.0V 1.5V 2.0V 2.5V 3.0V I(M1:d) V_Vdd

11 Příklad 1: Nalezněte hodnotu napětí tranzistoru NMO, jehož parametry jsou definovány přiloženou výstupní VA charakteristikou. U = 15V R 1 =820k R = 680 R 2 =220k =? I [ma]

12 Řešení: U = 15V 1. Popsat obvod ve shodě s charakteristikou R 1 =820k I 1 I I =0 R = 680 R 2 =220k 25 I [ma]

13 Řešení: R 1 =820k R 2 =220k U = 15V R = 680 U = R I + (1) I I =0 1 Úpravou I 25 I [ma] 1. Popsat obvod ve shodě s charakteristikou 2. estavit obvodové rovnice 20 U = R 1 I 1 + R 2 I 1 (2) = R 2 I 1 (3) 3.6 I = (U - )/R (1) zatěžovací charakteristika zdroje U R = U (R 2 /(R 1 +R 2 )) (2)+(3) nezatížený napěťový dělič R 1 R 2 0 = 15V (220/( )) = 3.17V

14 Řešení: R 1 =820k R 2 =220k I =0 I U = 15V R = 680 I 1 I = (U -U )/R (1) vynést graf (1) Pracovní bod tranzistoru P 0 je dán průsečíkem grafu rovnice (1) s vrstevnicí výstupní charakteristiky pro 0 =3.2V. P 0 = [0, 0,I 0 ] P 0 = [3.2V, 9.75V,7.5mA] 25 I [ma] 1. Popsat obvod ve shodě s charakteristikou 2. estavit obvodové rovnice 3. rafické řešení I 0 = 7.5mA 0 = 3.17V U /R vybrat nejbližší vrstevnici charakteristiky pro 0 P 0 v charakteristice U = 9.75V

15 Excel list PoNMO Tabulkový procesor umožňuje určit pracovní bod tranzistoru NMO z výstupní charakteristiky získané na základě zadaných parametrů tranzistoru (t ox, W, L, UT, λ) a napětí a zatěžovací charakteristiky zdroje U -R.

16 Příklad 2: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I = 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). U = 3V I =80μA R U =?

17 Příklad 2: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I = 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). I =80μA U = 3V R Postup řešení: 1. právně popsat obvod

18 Příklad 2: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I = 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). I =80μA U = 3V R Postup řešení: 1. právně popsat obvod 2. Určit stav tranzistoru = ATURACE I = 1 2 μ n C ox W L ( U U ) 2 T

19 Příklad 2: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I = 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). U = 3V Postup řešení: I =80μA R 1. právně popsat obvod 2. Určit stav tranzistoru 3. Výpočet a R 1 ( ) 2 = I = μ 2 n C ox W L U U T U = UT + / k n 2I ( W/L) 2 80 = 0.6V + = 0.6V + 0.4V = 200 ( 4/0.8) U U 3 1 = Ω = I R = 6 25 kω 1V

20 Příklad 3a: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I= 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). U = 3V I=80μA R 1. právně popsat obvod B U= U = -

21 Příklad 3a: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I = 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). U = 3V I =80μA R 1. právně popsat obvod 2. Určit režim tranzistoru B U= U = - Mezi rain a ource je přiloženo záporné napětí. oučasně ource je propojen se substrátem (Bulk). Přechod -B (N + P) je zkratován a přechod B- (PN + ) je polarizován propustně. Tranzistor se chová tak, jako by mezi byla zapojena propustně polarizovaná dioda.

22 Příklad 3a: Navrhněte hodnotu odporu R tak, aby I= 80μA. Určete hodnotu napětí U. Parametry tranzistoru NMO jsou: U T =0.6V, k n =μ n C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). U = 3V I =80μA R U= 0.6V 1. právně popsat obvod 2. Určit režim tranzistoru 3. oplnění odpovídajících modelů a řešení Mezi a je propustně polarizovaná dioda (předpokládáme, že tranzistor je křemíkový) => U 0.6 V R = U U I 3V 0.6V 80μA = = 30kΩ

23 Příklad 3b: Určete hodnotu proudu I a napětí U. Parametry tranzistoru jsou: U T =0.6V, k p =μ p C ox = 200μA/V 2, L= 0.8μm, W = 4 μm. Zanedbejte vliv modulace kanálu (λ=0). U = 3V I =? R=25k U =?

24 Příklad 4: Navrhněte hodnoty odporů R 1 a R 2 tak, aby se napětí tranzistoru B170 rovnalo polovině nápájecího napětí U. U = 15V R 1 R = 1k B170 =U /2 R 2 Vybrané parametry z katalogového listu tranzistoru B170F (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m

25 Postup řešení: 1. Popsat obvod I 1 U = 15V R 1 R I I 2 R 2 I Vybrané parametry z katalogového listu tranzistoru B170F (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m

26 Postup řešení: 1. Popsat obvod 2. Odhadnout stav, ve kterém se tranzistor nachází A. I < 10 na => I 0, I 1 = I 2 I 1 U = 15V B. = U /2 = 7.5V => R 1 R I I = (U )/R = 7.5V/1kΩ = 7.5mA I 2 R 2 I Vybrané parametry z katalogového listu tranzistoru B170F (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m

27 Postup řešení: 1. Popsat obvod 2. Odhadnout stav, ve kterém se tranzistor nachází A. I < 10 na => I 0, I 1 = I 2 I 1 U = 15V B. = U /2 = 7.5V => R 1 R I I = (U )/R = 7.5V/1kΩ = 7.5mA I 2 R 2 I C. =?? (th) = 0.8 až 3 V => U T 1.9 V I ~ g m ( -U T ) => U T + I /g m mA/200mA/V=1.94V > -U T => ATURACE Vybrané parametry z katalogového listu tranzistoru B170F (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m

28 Postup řešení: 1. Popsat obvod 2. Odhadnout stav, ve kterém se tranzistor nachází 3. Náhrada tranzistoru jeho modelem pro saturační oblast I 1 U = 15V I 1 U = 15V R 1 R I R 1 R I 1 R 2 I 1 R 2 I = 1 k 2 / n W L ( U U ) 2 T Vybrané parametry z katalogového listu tranzistoru B170F (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m

29 Postup řešení: 1. Popsat obvod 2. Odhadnout stav, ve kterém se tranzistor nachází 3. Náhrada tranzistoru jeho modelem pro saturační oblast 4. tanovení parametrů modelu I 1 U = 15V g = g = fs m 2k / n W/L I R 1 I 1 R I = 1 k 2 / n W L ( U U ) 2 T / W k n = L 1 2 g I 2 m 200m 200mA R 2 / W k n = L ma V Vybrané parametry z katalogového listu tranzistoru B170F (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m

30 Postup řešení: I 1 R R 1 I 1 R 2 1. Popsat obvod 2. Odhadnout stav, ve kterém se tranzistor nachází 3. Náhrada tranzistoru jeho modelem pro saturační oblast 4. tanovení parametrů modelu 5. Výpočet a návrh odporového děliče R 1 R 2 U = 15V I 1 = k 2 / n / W k n = L W L ( U U ) 2 ma V T I = 1 2 k / n W L / n ( U U ) 2 I L U = 2 + U k W T T 2 7.5mA = + 1.9V = 0.38V + 1.9V = 100mA/V U V

31 I 1 Postup řešení: 1. Popsat obvod 2. Odhadnout stav, ve kterém se tranzistor nachází 3. Náhrada tranzistoru jeho modelem pro saturační oblast 4. tanovení parametrů modelu 5. Výpočet a návrh odporového děliče R 1 R 2 U = 15V R 1 R I 1 >> I = 10 na => R 2 ~ 100k až 1M I 1 R 2 I R 1 R2 U = + R V =2.28V U R = R2 1 = R V Volíme-li R 2 = 100k, pak je R 1 = 560k a I 1 = 23μA

32 Převodní charakteristika invertoru MOFET I [ma] = -U T E U /R Závislost = f( ) C B A I U R U A B C U trmost lineární části je úměrná napěťovému zisku A u ~ - g m R = E U <U T U T = -U T

33 Excel list Invertorimulace Tabulkový procesor umožňuje vypočítat převodní charakteristiku invertoru U=f(U) na základě zadaných parametrů tranzistoru (t ox, W, L, U T ) a vnějšího obvodu (U,R ).

34 Měření převodní charakteristiky invertoru Cíl: změřit převodní charakteristiky invertoru s tranzistorem MOFET B170F pro různé hodnoty zatěžovacího odporu R, vykreslit grafy jejich charakteristik v Excelu (list InvertorMěření) a určit parametry U T, R on, A u. Katalogový list tranzistoru B170F rain-ource Voltage 60 V I T amb = 25ºC Continuous rain Current 0.15 A I M Pulsed rain Current 3 A ate ource Voltage ±20 V P tot T amb = 25ºC Power issipation 330 mw B I =100μA, =0V rain-ource Breakdown Voltage V (th) I =1mA, = ate-ource Threshold Voltage V I =15V, =0V ate-body Leakage 10 na R (on) =10V, I =200mA tatic rain-ource On-tate Resistance 5 Ω g fs =10V, I =200mA Forward Transconductance 200 m C =10V, =0V, =1MHz Input Capacitance 60 pf t d(on) U =15V, I =600mA Turn-On elay Time 10 ns t d(off) U =15V, I =600mA Turn-Off elay Time 10 ns

35 Princip měření U I [ma] = -U T E U /R B170 R V V = C B A POZOR!! Charakteristika je nelineární. Je třeba změřit dostatek hodnot mezi body A-E. U A B C U trmost lineární části je úměrná napěťovému zisku A u ~ - g m R E U <U T U T = -U T

36 Přípravek pro měření převodní charakteristiky invertoru s tranzistorem MOFET regulace volba odporu R propojit B170F

37 Zapojení pro měření převodní charakteristiky U = 15V R 1 R V 100k 100k B170 V regulace R =1k U CC =15V V V

38 Zpracování výsledků list InvertorMěření Odhadnout prahové napětí tranzistoru B170 Pro vybrané R doplnit naměřené souřadnice a převodní charakteristiky Určit R on a A u

39 Zpracování výsledků list Invertorimulace Zjistit W/L tranzistoru B170 na základě porovnání simulace převodní charakteristiky invertoru s experimentem dosadit zjištěné U T, předpokládejte L=2μm, t ox = 50 nm

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B32IE Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 Tranzistor MOFET charakteristiky, parametry, aplikace Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru

Více

Zesilovač s tranzistorem MOSFET

Zesilovač s tranzistorem MOSFET Cvičení 8 Zesilovač s tranzistorem MOFET Nastavení klidového pracovního bodu a mezní parametry tranzistoru imulace vlivu teploty na polohu P, stabilizace Náhradní Lineární Obvod tranzistoru MOFET, odečet

Více

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry Cvičení 5 Charakteristiky diod V- charakteristika diody a její mezní parametry Simulace V- charakteristiky (PSpice) a její analýza (Excel) Modely diody Pracovní bod P o, náhladní lineární obvod (NLO) pro

Více

Parametry a aplikace diod

Parametry a aplikace diod Cvičení 6 Parametry a aplikace diod Teplotní závislost propustného úbytku a závěrného proudu diody (PSpice) Reálná charakteristika diody, model diody v PSpice Extrakce parametrů diody pro PSpice Měření

Více

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání

Více

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor Julius Edgar Lilienfeld, U.. Patent 1,745,175 (193) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor 196 ovládnutí povrchových stavů:. Kahng,

Více

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory 1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou

Více

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus

PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Cvičení 13 Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON Přenosová charakteristika optronu Dynamické vlastnosti optronu Elektronické prvky A2B34ELP cv.13/str.2 cv.13/str.3 Fotodioda fotovodivostní

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů operačních zesilovačů, část 3-7-5 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 21 Číslo materiálu:

Více

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

Grafické řešení: obvod s fotodiodou 1.11.2011 2E/95 Grafické řešení: obvod s fotodiodou Zadání: Graficky určete napětí zdroje ε a zatěžovací odpor R, potřebný k dosažení požadovaného efektu změnou osvětlení: a) získání velké proudové citlivosti

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Základní elektronické prvky a jejich modely

Základní elektronické prvky a jejich modely Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce

Více

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10

Více

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Měření vlastností lineárních stabilizátorů Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS. Cílem měření je seznámit se s funkcí a základními vlastnostmi jednoduchých lineárních stabilizátorů

Více

1.3 Bipolární tranzistor

1.3 Bipolární tranzistor 1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního

Více

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. : ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor: Laboratorní cvičení č.15 Název: Měření na optoelektronických prvcích Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku fototranzistoru, fotodiody (fotovodivostní a fotovoltaický režim) a fotorezistoru pro pět

Více

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úlohač.5 Název: Měření osciloskopem. Pracoval: Lukáš Ledvina

PRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úlohač.5 Název: Měření osciloskopem. Pracoval: Lukáš Ledvina Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II. úlohač.5 Název: Měření osciloskopem Pracoval: Lukáš Ledvina stud.skup.14 dne:23.10.2009 Odevzdaldne: Možný počet bodů

Více

Polovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au

Polovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem

Více

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření

Více

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně. Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:

Více

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu 4. Operační usměrňovače Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu Výklad Operační

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-7-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více

Zesilovač SE s tranzistorem MOSFET. Využití NLO pro harmonickou analýzu zesilovače

Zesilovač SE s tranzistorem MOSFET. Využití NLO pro harmonickou analýzu zesilovače MOFET Řešení haronického stáleného stav obvod s tranzistore MOFET (NLO) plikace tranzistor MOFET jako řízeného prodového zdroje esilovač s tranzistore - základní zapojení (,, ) Tranzistor MOFET jako spínač

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz

Více

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Více

7b. Tlakové senzory II piezoelektrické kapacitní pn přechod s Hallovým senzorem optické. 1. Piezoelektrické tlakové senzory. Tlakové senzory II

7b. Tlakové senzory II piezoelektrické kapacitní pn přechod s Hallovým senzorem optické. 1. Piezoelektrické tlakové senzory. Tlakové senzory II POLOVODIČOVÉ TLAKOVÉ SENZORY Přednášející: 7b. Tlakové senzory II piezoelektrické kapacitní pn přechod s Hallovým senzorem optické Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc. husak@fel.cvut.cz tel.: 2 2435 2267 http://micro.feld.cvut.cz

Více

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Praktikum II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. XI Název: Charakteristiky diod Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17.10.2008 Odevzdal

Více

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD

VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Universita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Elektronické součástky Laboratorní cvičení č.1 VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Jméno: Pavel Čapek, Aleš Doležal, Lukáš Kadlec, Luboš Rejfek Studijní

Více

Fotoelektrické snímače

Fotoelektrické snímače Fotoelektrické snímače Úloha je zaměřena na měření světelných charakteristik fotoelektrických prvků (součástek). Pro měření se využívají fotorezistor, fototranzistor a fotodioda. Zadání 1. Seznamte se

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete

Více

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův

Více

Zpětnovazební stabilizátor napětí

Zpětnovazební stabilizátor napětí SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z X31EOS Zpětnovazební stabilizátor napětí Daniel Tureček Po-11:00 1. Zadání Zapojení stabilizátoru je uvedeno na obrázku. Navrhněte velikosti všech rezistorů tak, aby výstupní napětí

Více

4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte,

4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte, 1 Pracovní úkol 1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i 0. 2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte

Více

Seznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice

Seznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice Cvičení Seznámení s přístroji, používanými při měření Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice eaktance kapacitoru Integrační článek C - přenos - měření a simulace Derivační

Více

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.

Abstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami. Název a číslo úlohy: 9 Detekce optického záření Datum měření: 4. května 2 Měření provedli: Vojtěch Horný, Jaroslav Zeman Vypracovali: Vojtěch Horný a Jaroslav Zeman společnými silami Datum: 4. května 2

Více

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Střední škola informatiky a spojů, Brno, Čichnova 23 Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení) Studentská verze Zpracoval: Ing. Jiří Dlapal B R N O 2011 Úvod Výuka předmětu Elektrická měření

Více

1.1 Usměrňovací dioda

1.1 Usměrňovací dioda 1.1 Usměrňovací dioda 1.1.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku usměrňovací diody a) pomocí osciloskopu b) pomocí soustavy RC 2000 2. Ověřte vlastnosti jednocestného usměrňovače a) bez filtračního kondenzátoru

Více

5. MĚŘENÍ TEPLOTY TERMOČLÁNKY

5. MĚŘENÍ TEPLOTY TERMOČLÁNKY . MĚŘENÍ TEPLOTY TEMOČLÁNKY Úkol měření Ověření funkce dvoudrátového převodníku XT pro měření teploty termoelektrickými články (termočlánky) a kompenzace studeného konce polovodičovým přechodem PN.. Ověřte

Více

7. MĚŘENÍ LINEÁRNÍHO POSUVU

7. MĚŘENÍ LINEÁRNÍHO POSUVU 7. MĚŘENÍ LINEÁRNÍHO POSUVU Seznamte se s fyzikálními principy a funkcí následujících senzorů polohy: o odporový o optický inkrementální o diferenciální indukční s pohyblivým jádrem LVDT 1. Odporový a

Více

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Elektronika pro informační technologie (IEL) Elektronika pro informační technologie (IEL) Druhé laboratorní cvičení Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Cvičící: Petr Veigend (iveigend@fit.vutbr.cz)

Více

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA

LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA LABORATORNÍ PROTOKOL Z PŘEDMĚTU SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA Transformátor Měření zatěžovací a převodní charakteristiky. Zadání. Změřte zatěžovací charakteristiku transformátoru a graficky znázorněte závislost

Více

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Praktikum II Elektřina a magnetismus Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF K Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. V Název: Měření osciloskopem Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 1.1.28 Odevzdal dne:...

Více

e, přičemž R Pro termistor, který máte k dispozici, platí rovnice

e, přičemž R Pro termistor, který máte k dispozici, platí rovnice Nakreslete schéma vyhodnocovacího obvodu pro kapacitní senzor. Základní hodnota kapacity senzoru pf se mění maximálně o pf. omu má odpovídat výstupní napěťový rozsah V až V. Pro základní (klidovou) hodnotu

Více

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek

Jméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy

Více

Obr. 1 Činnost omezovače amplitudy

Obr. 1 Činnost omezovače amplitudy . Omezovače Čas ke studiu: 5 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět definovat pojmy: jednostranný, oboustranný, symetrický, nesymetrický omezovač popsat činnost omezovače amplitudy a strmosti

Více

2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ

2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ 2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ 2.1 Úvod Na rozdíl od zapojení operačních zesilovačů (OZ), v nichž je závislost výstupního napětí na napětí vstupním reprezentována lineární funkcí (v mezích

Více

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7 1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

1 Zdroj napětí náhradní obvod

1 Zdroj napětí náhradní obvod 1 Zdroj napětí náhradní obvod Příklad 1. Zdroj napětí má na svorkách naprázdno napětí 6 V. Při zatížení odporem 30 Ω klesne napětí na 5,7 V. Co vše můžete o tomto zdroji říci za předpokladu, že je v celém

Více

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků

Měření vlastností a základních parametrů elektronických prvků Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Název Téma hodiny Předmět Ročník /y/ CZ.1.07/1.5.00/34.0394 VY_32_INOVACE_EM_1.08_měření VA charakteristiky usměrňovací diody Střední odborná škola a Střední

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část 3-5-1 Teoretický rozbor MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření část 3-5-1 Teoretický rozbor Výukový materiál Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0093 Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 1 Číslo materiálu:

Více

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-4 MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 20 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_

Více

Praktikum III - Optika

Praktikum III - Optika Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK Praktikum III - Optika Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 2. 3. 28

Více

Flyback converter (Blokující měnič)

Flyback converter (Blokující měnič) Flyback converter (Blokující měnič) 1 Blokující měnič patří do rodiny měničů se spínaným primárním vinutím, což znamená, že výstup je od vstupu galvanicky oddělen. Blokující měniče se používají pro napájení

Více

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ

SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Univerzita Pardubice FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A INFORMATIKY SEMESTRÁLNÍ PRÁCE Z PŘEDMĚTU NÁVRH A ANALÝZA ELEKTRONICKÝCH OBVODŮ Vypracoval: Ondřej Karas Ročník:. Skupina: STŘEDA 8:00 Zadání: Dopočítejte

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Polovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tyristory 1 Tyristor polovodičová součástka - čtyřvrstvá struktura PNPN - tři přechody při polarizaci na A, - na K je uzavřen přechod 2, při polarizaci - na A, na K jsou

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce: REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody

Více

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)

Dioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná

Více

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika

Základní pojmy z oboru výkonová elektronika Základní pojmy z oboru výkonová elektronika prezentace k přednášce 2013 Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. výkonová elektronika obor,

Více

Fotoelektrické snímače

Fotoelektrické snímače SB 272 VŠB TUO Ostrava Program 4. Fotoelektrické snímače Vypracoval: Crlík Zdeněk Spolupracoval: Jaroslav Datum měření: 6.04.2006 Zadání 1. Seznamte se s předloženými součástkami pro detekci světelného

Více

Elektronické praktikum EPR1

Elektronické praktikum EPR1 Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 4 název Záporná zpětná vazba v zapojení s operačním zesilovačem MAA741 Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 9. 12. 2008 vypracování protokolu 14. 12. 2008

Více

Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36

Fyzika I. Obvody. Petr Sadovský. ÚFYZ FEKT VUT v Brně. Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. p. 1/36 Fyzika I. Obvody Petr Sadovský petrsad@feec.vutbr.cz ÚFYZ FEKT VUT v Brně Zdroj napětí Fyzika I. p. 2/36 Zdroj proudu Fyzika I. p. 3/36 Fyzika I. p. 4/36 Zdrojová a spotřebičová orientace

Více

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů ysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. 6 Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů Datum měření:

Více

Měření na bipolárním tranzistoru.

Měření na bipolárním tranzistoru. Měření na bipolárním tranzistoru Změřte a nakreslete čtyři výstupní charakteristiky I C = ( CE ) bipolárního tranzistoru PNP při vámi zvolených hodnotách I B Změřte a nakreslete dvě převodní charakteristiky

Více

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro

Více

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU

MĚŘENÍ VA CHARAKTERISTIK BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU Vypracoval: Petr Vavroš (vav0040) Datum Měření: 29. 10. 2009 Laboratorní úloha č. 5 MĚŘENÍ VA HARAKTERISTIK IPOLÁRNÍHO TRANZISTORU ZADÁNÍ: I. Změřte výstupní charakteristiky I f(u E ) pro I konst. bipolárního

Více

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í

E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í Střední škola, Havířov Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace E L E K T R I C K Á M Ě Ř E N Í R O Č N Í K MĚŘENÍ ZÁKLDNÍCH ELEKTRICKÝCH ELIČIN Ing. Bouchala Petr Jméno a příjmení Třída Školní

Více

List 1 z 6. Akreditovaný subjekt podle ČSN EN ISO/IEC 17025:2005: FORTE a.s. Metrologická laboratoř Mostkovice 529

List 1 z 6. Akreditovaný subjekt podle ČSN EN ISO/IEC 17025:2005: FORTE a.s. Metrologická laboratoř Mostkovice 529 List 1 z 6 Obor měřené veličiny: elektrické veličiny Kalibrace: Nominální teplota pro kalibraci: (23 ± 2) ºC 1. Elektrický odpor KP 01/2001 0,0 0,5 1,0 mω 0,5 1,0 0,25 % 1,0 4,0 0,070% 4,0 1,0 M 0,035

Více

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače

Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Návrh a analýza jednostupňového zesilovače Zadání: U CC = 35 V I C = 10 ma R Z = 2 kω U IG = 2 mv R IG = 220 Ω Tolerance u napětí a proudů, kromě Id je ± 1 % ze zadaných hodnot. Frekvence oscilátoru u

Více

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Vodivost v pevných látkách způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu Pásový model atomu znázorňuje energetické stavy elektronů elektrony mohou

Více

Popis měřeného předmětu: Zde bude uvedeno - základní parametry diod - zapojení pouzdra diod - VA charakteristika diod z katalogového listu

Popis měřeného předmětu: Zde bude uvedeno - základní parametry diod - zapojení pouzdra diod - VA charakteristika diod z katalogového listu Laboratorní cvičení č.8 Název: Měření A charakteristiky diod Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku usměrňovací diody (v propustném a závěrném směru), zenerovy diody ( v závěrném směru)a led diody

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017

Fakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017 Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Měření vlastností střídavého zesilovače

Měření vlastností střídavého zesilovače Vysoká škola báňská Technická universita Ostrava Fakulta elektrotechniky a informatiky Základy elektroniky ZEL Laboratorní úloha č. Měření vlastností střídavého zesilovače Datum měření: 1. 11. 011 Datum

Více

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).

1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma

Více

POZNÁMKY K ZADÁNÍ PREZENTACÍ - 17BBEO - TÉMA 2

POZNÁMKY K ZADÁNÍ PREZENTACÍ - 17BBEO - TÉMA 2 POZNÁMKY K ZADÁNÍ PREZENTACÍ - 17BBEO - TÉMA 2 (zimní semestr 2012/2013, kompletní verze, 21. 11. 2012) Téma 2 / Úloha 1: (jednocestný usměrňovač s filtračním kondenzátorem) Simulace (např. v MicroCapu)

Více

Neřízené usměrňovače reálné vlastnosti

Neřízené usměrňovače reálné vlastnosti Počítačové cvičení BNEZ 1 Neřízené usměrňovače reálné vlastnosti Úkol 1: Úkol 2: Úkol 3: Úkol 4: Úkol 5: Pomocí programu OrCAD Capture zobrazte voltampérovou charakteristiku diody 1N4007 pro rozsah napětí

Více

Elektrický zdroj napětí

Elektrický zdroj napětí Pomůcky: Systém ISES, moduly: voltmetr, ampérmetr, velký monočlánek 1,5, držák monočlánku, fotodioda 1PP75, zdroj elektrického napětí 12, žárovka na 12, sada rezistorů, 9 spojovacích vodičů, soubory: zdroj1.icfg,

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela modelování

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela modelování Jiří Petržela při tvorbě modelu je třeba uvážit fyzikální podstatu prvků požadovanou přesnost řešení stupeň obtížnosti modelu (jednoduché pro ruční výpočty, složitější pro počítač) účel řešení programové

Více

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou

Více

Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly

Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr

Více

Fyzikální praktikum...

Fyzikální praktikum... Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum... Úloha č.... Název úlohy:... Jméno:...Datum měření:... Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při

Více

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce: RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky

Více

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více