Základní elektronické prvky a jejich modely
|
|
- Romana Sedláková
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce a převod do tištěné podoby je povolen pouze se souhlasem autora! 13. října 2009 c Jiří Hospodka 1
2 Modely dělíme: podle rychlosti změn signálu na: Statické Dynamické podle velikosti signálu na: Lineární Nelineární 1.1. Polovodičová dioda Dioda je jedna ze základních elektronických součástek. Polovodičová dioda je tvořena přechodem PN, tj. technologicky vytvořeným rozhraním polovodiče typu N a P. Na obě oblasti jsou pak napařeny kovové elektrody pro vlastní elektrody diody. Oblast typu P se nazývá anoda, oblast N katoda. anoda i D u D D katoda Obrázek 1.1: Schématická značka diody a jejícho odporového modelu. u D D i D 2
3 anoda 5e 03 u D D i D u D D i D 4e 03 propustný směr katoda i D [A] 3e 03 2e 03 1e 03 komprimované měřítko napětí u D zavěrný směr e 08 2e 08 3e 08 4e 08 5e 08 6e 08 expandované měřítko proudu id u D [V] Obrázek 1.2: Voltampérová chrakteristika diody 3
4 1 NU T = q NkT ( ) i D = I S e u D NU T 1, (1.1) 40 pro křemíkovou diodu při pokojové teplotě, (1.2) kde I s je tzv. saturační proud (cca až A), q je náboj elektronu ( C), T je teplota ve Ka N je emisní koeficient závislý na materiálu diody a technologii výroby (N =1až 2). Jak je patrné ze vztahu 1.1, saturační proud I S udává proud diodou v závěrném směru, který je přímo úměrný ploše přechodu. Zde je nutné upozornit na skutečnost, že reálné diody (zapouzdřené součástky) vykazují proudové svody, které nejsou oproti proudu I S nezanedbatelné a podílejí se tak na celkovém závěrném proudu diodou, který je obvykle v řádu 10 9 A. Dále je třeba uvést, že mimo uvedené teplotní závislosti napětí U T je teplotou výrazně ovlivňována i velikost saturačního proudu I S, který je mimo jiné úměrný třetí mocnině absolutní teploty, viz. např. [1]. 4
5 6 7 ln(i D ) u D [V] Obrázek 1.3: Voltampérová chrakteristika diody v logaritmických souřadnicích 5
6 5 i D [ma] T 1 >T 2 (T 1 T 2 =30 C) Δu D = 2 mv/k ΔT T 1 T u D [V] Obrázek 1.4: Voltampérová chrakteristika diody pro různé teploty 6
7 R u d i D u n i D D u D D u D U D U N (a) Obrázek 1.5: model002 (b) Symbolika značení jednotlivých obvodových veličin je následující napětí na diodě u D se superpozicí střídavé složky u d na stejnosměrnou složku U D, udávající statickou polohu pracovního bodu. Obdobně je značen i proud diodou i D,platí: u D = U D + u d, i D = I D + i d. (1.3) 7
8 2 i D [ma] směrnice = 1 r d směrnice = 1 R i D1 I D i D2 P 0 i d t u D2 u D U D U D0 ud u D [V] u N2 U N u N1 un t t Obrázek 1.6: Linearizace chrakteristiky diody v pracovním bodě 8
9 r d U D r d (a) (b) Obrázek 1.7: Linearizovaný statický model diody pro malé změny obvodových veličin: (a) pro pomalé a (b) pro rychlé změny 1 = g d = i d = i D r d u d u D P0:(u D=U D)= I S ( e u D NU T 1 u D ) = 1 P0 NU T ( I S e U D nu T ).=. = 1. I D =40ID (1.4) NU T 9
10 i D1 2 i D1 i d i D [ma] I D P 0 t i D2 i D2 i d u D2 U D u D u D [V] ud t Obrázek 1.8: Nelinearní chování diody při velkém buzení 10
11 i D D C B C D u D Obrázek 1.9: Nelineární model diody s akumulačními prvky C JO C B = ( ) m, u D < 0, (1.5) 1+ ud U J C D = τ T i D, NU T i D > 0, (1.6) kde C JO je kapacita přechodu při nulovém napětí u D, U J je tzv. difuzní potenciál (pro křemík U J 0.6, 0.8 ) m je koeficient (grading coefficient) závislý na technologii výroby přechodu koncentracích obou polovodičů, m =1/3 až 1/2 a τ T je efektivní doba života menšinových nosičů náboje (průměrná průletová doba), viz. [1]. 11
12 r s r d C d r d C d (a) (b) Obrázek 1.10: Linearizovaný model diody s akumulačními prvky, (a) základní, (b) včetně sériového odporu 12
13 1.2. Bipolární tranzistor I C C n I B B p U CE U BE n E I E Obrázek 1.11: Struktura bipolárního tranzistoru npn a jeho pólování v aktivním režimu 13
14 C E u CB i B B i C u CE u EB i B B i E u EC u BE E i E u BC C i C (a) (b) Obrázek 1.12: Schématický symbol tranzistoru typu (a) NPN a (b) PNP a označení kladných směrů obvodových veličin pro aktivní oblast 14
15 i B B u BE C E i C u CE i B i E u EB E u B EC C i E i C (a) (b) Obrázek 1.13: Zapojení pro polarizaci bipolárních tranzistorů (a) NPN a (b) PNP tranzistoru v aktivní oblasti 15
16 převodní charakteristiky výstupní charakteristiky 8V 6V 4V u CE saturační oblast i C [ma] 1.5 aktivní oblast i B =10μA 8μ A 6μ A 4μ A μ A 1e-05 8e-06 6e-06 4e-06 2e-06 i B [A] u CE [V] u BE [V] u CE =0V u CE > 0.5 V vstupní charakteristiky Obrázek 1.14: Charakteristiky bipolárního tranzistoru 16
17 u CE 5 V u CE =2V β F i C [ma] Obrázek 1.15: Proudový zesilovací činitel bipolárního tranzistoru v závislosti na kolektorovém proudu 17
18 i C C i E E B i B α F i E u CE B i B u EB u EC u BE i E α N i E E i C C (a) model NPN (b) model PNP Obrázek 1.16: Ebers-Mollův nelineární statický model bipolárního tranzistoru pro aktivní režim. 18
19 ( ) i C = I S e u BE N F U T 1, (1.7) i E = i C α F = I S α F ( i B = i E i C = ) N F U T 1, (1.8) ) i C = i C = I ) S (e u BE N F U T 1, (1.9) β F β e u BE ( 1 α F 1 kde I S /α F je zpětný saturační proud emitorového přechodu (cca až ), N F je emisní koeficient pro aktivní režim (forward) α F je proudový zesilovací činitel nakrátko pro zapojení se společnou bází opět v aktivním režimu 1 a činitel α F 1= 1 β F je převrácená hodnota tzv. proudového zesilovacího činitele β F pro zapojení se polečným emitorem, tj. i C = βi B. (1.10) Lze také jednoduše najít vztahy mezi tímto činitelem a činitelem α F. β F = α F, resp. α F = β F 1 α F 1+β F (1.11) Pozn.: Pro standardní nízkovýkonové typy bipolárních tranzistorů bývá činitel β F vrozsahu 100 až 400, tj. α F v rozsahu 0,99 až 0,997, pro výkonové typy mívá činitel β F velikost cca 30 až
20 B ( ) IS β F i B u BE i C β F i B C u CE E ( ) IS β F i B B u EB i E β F i B i C E u EC C (a) model NPN (b) model PNP Obrázek 1.17: Obecný nelineární statický model bipolárního tranzistoru pro aktivní režim. Rovnice (1.7) až (1.9) popisovaly vztahy mezi obvodovými veličinami NPN tranzistoru. Relace pro tranzistor PNP budou samozřejně stejné, je však nutné vzít v úvahu opačnou polarizaci mezielektrodových napětí, jak udává obrázek 1.12 (b). Pak např. rovnice (1.7) přejde na tvar (1.12) a podobně se upraví i zbývající. ( ) i C = I S e u EB N F U T 1. (1.12) 20
21 i C C B i B α F i F i R u BC u CE u BE i F α R i R Obrázek 1.18: Celkový Ebers-Mollův nelineární statický model bipolárního tranzistoru i E E 21
22 6 5 4 i C [ma] 3 i B 2 1 U A u CE [V] Obrázek 1.19: Demonstrace Earlyho jevu u bipolárního tranzistoru i C = I s ( e u BE n F U T 1) ( 1+ u CE U A i C = I s ( e u EB n F U T 1) ( 1+ u EC U A ) ) pro NPN tranzistor, (1.13) pro PNP tranzistor. (1.14) 22
23 B i B u BE α F i F i F i C i 0 R o i E C u CE E B i B u BE i C C β F i B R o u CE (a) (b) Obrázek 1.20: Nelineární statické modely bipolárního NPN tranzistoru pro aktivní režim s uvažováním výstupního odporu. E 23
24 Oblast saturace I C U BC U CE R C I B U BE U N Obrázek 1.21: Zapojení tranzistoru pro dosažení oblasti saturace. Je-li i B β F >i c, napětí u BC změní svoji polaritu (+0.5 V) saturace. 24
25 B I B I Csat C E 0, 7 V 0, 1 V 0, 7 V 0, 1 V E (a) tranzistor NPN B I B I Csat (b) tranzistor PNP C Obrázek 1.22: Zjednodušené modely bipolárních tranzistorů pro oblast saturace. 25
26 Linearizace Ebers-Mollova modelu i C i B u CE R C u be U BE u BE i E U N Obrázek 1.23: Zapojení NPN tranzistoru pro demonsraci linearizace jeho charakteristik v pracovním bodě. Symbolika značení je obdobná jako u diody, platí: u BE = U BE + u be, u CE = U CE + u ce, (1.15) i B = I B + i b, i C = I C + i c, atd. (1.16) 26
27 0 3.5 i B =10μ A u CE =6V směrnice = β i C [ma] 2 směrnice =1/R C 8μ A 6μ A i c t P I C P 0 4μ A 2μ A 1e-05 8e-06 6e-06 4e-06 2e-06 ib [A] I B u 0.1 CE [V] U CE U N t 0.2 uce ib 0.3 u BE [V] t t ube P 0 u CE =6V směrnice = g be =1/r π 0.6 U BE 0.7 Obrázek 1.24: Linearizace charakteristik bipolárního tranzistoru 27
28 u CE =6V směrnice = g m i C [ma] 2 i C1 1.5 I C 1 i C P u BE [V] ube i c U BE t t Obrázek 1.25: Linearizace převodní charakteristiky bipolárního tranzistoru g m = i c u be = i C u BE P0: (u BE=U BE) = i C u BE = I S e UBE N F U T. I C. = =40IC. P0 N F U T N F U T (1.17) 28
29 Pokud budeme dále předpokládat, že α F i β F jsou konstanty nezávislé na u BE, platí: 1 r π = g π = i b u be = i B u BE = ic βf P0 u BE = 1 P0 β což je vstupní vodivost tranzistoru pro střídavé veličiny. i C u BE = g m P0 β, (1.18) B i b i c C u be r π g m u be E Obrázek 1.26: Linearizovaný model tranzistoru PI model 29
30 i c C B i b αi e = g m u be u be r e Obrázek 1.27: Linearizovaný Ebers-Mollův model tranzistoru T model Využitím vztahu (1.8) a předpokladu nezávislosti parametru α F na napětí u BE, lze pro vodivost rezistoru r e odvodit: i e E 1 r e = g e = i e u be = i E u BE P0: (u BE=U BE)= I Sα e U BE n F U T n F U T. = I E n F U T. =40IE. (1.19) Jelikož pro střídavé veličiny platí i c = g m u be = αi e = βi b, (1.20) 30
31 můžeme v linearizovaných modelech na obrázcích 1.26 a 1.27 proudový zdroj řídit jak proudem i e,resp.i b, tak napětím u be, přičemž ic = βi b = αi e = g m u be ajejich chování se nezmění. přičemž platí g m = i C u BE = α F i E = α i E = α (1.21) P0 P0 P0 r e u BE u BE r π = β g m = βr e α = r e(1 + β) (1.22) β = α 1, resp. β +1= 1 α 1 α a α = β 1+β, (1.23) obdobně jako v (1.11). Linearizací jsme zároveň přešli od statických parametrů 1 α F a β F k paramerům střídavým, tj. diferenciálním α a β (pro malé změny obvodových veličin). 1 V pracovním bodě platí α F = I C IE,resp.β F = I C IB. 31
32 i e E r e u eb B i b i e E αi e = g m u eb i c C B u eb i b r pi g m u eb (a) (b) Obrázek 1.28: Linearizované odporové modely tranzistoru PNP, (a) T model, (b) Π model C 32
33 i c C α n i e B i b i b i c r 0 u ce B C u be r e i e u be r π g m u be r 0 u ce E E (a) (b) Obrázek 1.29: Linearizované odporové modely tranzistoru NPN včetně výstupního odporu Vyjdeme-li ze vztahu (1.13), lze pro r 0 psát: 1 = g 0 = i C r 0 = I C (1.24) P0 U A u CE 33
34 C B α n i E C CB C be = τ F g m. = g m 2πf t (1.25) i E C BE C cb = C P0 C 0C BC = (1 + (U C0 U B0 )/U 0C ) mc (1.26) E Obrázek 1.30: Nelineární model bipolárního tranzistoru s akumulačními prvky B R B B C π C μ r π g m u be r 0 C Obrázek 1.31: Linearizovaný model bipolárního tranzistoru pro vyšší kmitočty E 34
35 1.3. tranzistory řízené elektrickým polem JFET a MOSFET Funkce tranzistoru JFET D I D I G =0 G p n p G U DS U GS S I S = I D Obrázek 1.32: Struktura unipolárního přechodového tranzistoru JFET s kanálem typu N při malém napětí U GS 35
36 i D D I G =0 G p n p G u DS U GS S i S = i D Obrázek 1.33: Struktura unipolárního přechodového tranzistoru JFET s kanálem typu N 36
37 u DG i G G u GS D i D i S u DS i G u SG u GD i S u SD i G =0 S i G =0 D (a) (b) Obrázek 1.34: Schématické značky tranzistoru JFET a orientace obvodových veličin pro (a) N-kanál a (b) pro P-kanál. G S i D 37
38 i D u GS i G =0 G D S i S = i D u DS usd G S u SG i S i G =0 i D = i S D (a) kanál N (b) kanál P Obrázek 1.35: Polarizace tranzistorů JFET pomocí napěťových zdrojů. 38
39 12 12 u DS =2,4,10V I DSS 10 V 2V 8 6 i D [ma] 8 6 u DS = 5 V U TO u GS [V] 0 0 U TO u GS [V] = u SG [V] (a) kanál N (b) kanál P Obrázek 1.36: Převodní charakteristiky unipolarního tranzistoru typu JFET. 39
40 12 vodivostní oblast saturační oblast u GS =0V 10 u DS = u GS U TO V i D [ma] V V 2 V u DS [V] Obrázek 1.37: Výstupní charakteristiky unipolarního tranzistoru typu JFET 40
41 U tranzistoru řízeného polem rozlišujeme tři základní pracovní oblasti: { u GS U TO pro kanál N, 1. tranzistor uzavřený: i D =0pro u GS U TO pro kanál P, 2. vodivostní oblast, kde: { pro kanál N je U TO u GS 0 a 0 u DS u GS U TO, pro kanál P je U TO u GS 0 a 0 u DS u GS U TO a { pro kanál N je U TO u GS 0 a u DS u GS U TO, 3. saturační oblast, kde: pro kanál P je U TO u GS 0 a u DS u GS U TO. ( i D = I DSS 1 u ) 2 GS = I DSS U TO UTO 2 (U TO u GS ) 2 = K β (u GS U TO ) 2 (1.27) kde I DSS je proud drainu při nulovém řídícím napětí u GS =0, U TO je prahové napětí (u GS ), kdy se začíná otevírat, resp. zavírat kanál a K β = IDSS [A/V 2 ] je vodivostní (transkonduktanční) parametr tranzistoru. UTO 2 i D = K β (u GS U TO ) 2 (1 + λu DS ) (1.28) kde λ 1 = U A je analogická veličina k Earlyho napětí bipolárního tranzistoru. Naopak pro proud drainem ve vodivostní oblasti platí: i D = K β ( 2(uGS U TO )u DS u 2 DS). (1.29) 41
42 Funkce tranzistoru MOSFET W Source (S) kov Gate (G) SiO 2 Drain (D) n + L p n + Substrát (Body - B) Obrázek 1.38: Struktura unipolárního tranzistoru MOSFET s kanálem typu N 42
43 I G =0 i D S G D n + n + u DS =0 uds >UGS UTO U GS i S = i D u DS = U GS U TO p substrát B u DS Obrázek 1.39: Struktura unipolárního tranzistoru MOSFET s kanálem typu N 43
44 u DG i G G u GS i G =0 D S i D i S u DS G i G u SG u GD i G =0 S D i S u SD (a) (b) (c) (d) Obrázek 1.40: Schématické značky tranzistoru MOSFET a orientace obvodových veličin pro (a) indukovaný a (b) zabudovaný N-kanál, (c) a (d) pro P-kanál. i D 44
45 i D u GS i G =0 G D S i S = i D u DS usd G S u SG i S i G =0 i D = i S D (a) kanál N (b) kanál P Obrázek 1.41: Polarizace tranzistorů MOSFET pomocí napěťových zdrojů. 45
46 p-kalál obohacovaný p-kalál n-kalál ochuzovaný ochuzovaný n-kalál obohacovaný i D 0 UTOU n p+ U n+ u GS [V] TO TOU p TO Obrázek 1.42: Převodní charakteristiky tranzistorů MOSFET 46
47 převodní charakteristika výstupní charakteristiky 4 u DS =5V 3 i D [ma] 2 vodivostní oblast saturační oblast u GS =2.5 V 2.4 V 2.3 V V 2.1 V U TO u GS [V] u DS [V] Obrázek 1.43: Charakteristiky unipolarniho tranzistoru MOSFET 47
48 Pro proud drainem v saturační oblasti lze odvodit: i D = 1 2 K W P L (u GS U TO ) 2 (1.30) kde K P [A/V 2 ] je vodivostní (transkonduktanční) parametr tranzistoru, W je šířka a L je délka kanálu viz. obázek 1.38 a U TO je prahové napětí napětí u GS, kdy se začíná otevírat, resp. zavírat kanál. Vodivostní parametr je dán následující rovnicí K P = μc ox (1.31) kde μ [m 2 /V s] je pohyblivost volných nosičů náboje (elektronů pro N kanál μ n,děr pro P kanál μ p )a C ox [F/m 2 ] je měrná kapacita hradla (kapacita na jednotku plochy). Sklon výstupních charakteristik, resp. závislost proudu i D na napětí u DS lze modelovat stejně jako u tranzistoru JFET, platí i D = 1 2 K W P L (u GS U TO ) 2 (1 + λu DS ). (1.32) Lzeodvodit,žeparametrλ je nepřímo úměrný délce kanálu L. Pro proud drainem ve vodivostní oblasti lze odvodit následující vztah: i D = 1 2 K P W ( 2(uGS U TO )u DS u 2 ) DS. (1.33) L 48
49 1.4. Modelování tranzistorů FET G D S u GS i D = f(u GS ) u GS i D = f(u GS ) S G D (a) n-kanál (b) p-kanál Obrázek 1.44: Nelineární odporový model unipolárního tranzistoru pro jednoduché určení pracovního bodu. G D u GS i D R 0 u DS S i D = f(u GS ) Obrázek 1.45: Kompletní nelineární odporový model unipolárního tranzistoru 49
50 Linearizace i D u DS R D u gs U GS u GS U N Obrázek 1.46: Zapojení FET tranzistoru pro demonstraci linearizace jeho charakteristik v pracovním bodě 50
51 směrnice = g m 4 směrnice =1/R D u GS =2.5 V i d t u DS = U DS 3 P 0 i D [ma] 2 I C P V 2.3 V V U GS u GS [V] ugs u DS [V] U DS U N uds t t Obrázek 1.47: Linearizace charakteristik unipolarniho tranzistoru 51
52 G D S u gs g m u gs u sg g m u sg S G D (a) N-kanál (b) P-kanál Obrázek 1.48: Elementární linearizované modely Π unipolárního tranzistoru i d i g =0 G 1 g m D g m u gs u gs i s = i d 1 G g m i g =0 S u sg g m u sg i s = i d S i d D (a) N-kanál (b) P-kanál Obrázek 1.49: Elementární linearizované modely T unipolárního tranzistoru 52
53 V saturační oblasti platí pro proud i D vztah (1.30), resp. (1.27), převodní vodivost g m je pak dána: g m = i D u GS P0: (u GS=U GS)= W = K P L (U GS U TO )= 2 W KP I D pro MOSFET a (1.34) L =2K β (U GS U TO )=2 K β I D pro JFET. (1.35) V případě vodivostní oblasti vyjdeme ze vztahu (1.33), resp. (1.29). V tomto případě, kdy je hodnota napětí u DS malá (u DS <u GS U TO ) lze často zanedbat výraz u 2 DS oproti 2(u GS U TO )u DS,pakjeproud W i D K P L (u GS U TO )u DS, případně i D 2K β (u GS U TO )u DS (1.36) lineární funkcí napětí u DS či u GS, tj. tranzistor za těchto podmínek funguje jako odpor (mezi drainem a sourcem) řízený napětím (u GS ). Tento odpor pak určíme podle vztahu 1 r DS = g DS = i D u DS W = K P P0 L (U GS U TO ), případně 2K β (U GS U TO ) (1.37) 53
54 Pro saturační oblast odvodíme výstupní odpor podobně jako u bipolárního tranzistoru. Derivací vztahu (1.32), resp. (1.28) v pracovním bodě (u GS = U GS ) dostaneme 1 = g 0 = i D r 0 = I D λ (1.38) P0 u DS i g =0 G D G 1 u gs g m u gs r 0 S g m g m u gs u gs i d r 0 i s = i d D S (a) Π-model (b) T-model Obrázek 1.50: Linearizované odporové modely unipolárních tranzistorů včetně výstupního odporu 54
55 C gd G C gs u gs g m u gs r 0 D S Obrázek 1.51: Linearizovaný model unipolárního tranzistoru pro vyšší kmitočty 55
56 JFET obohacovaným n-kanál ochuzovaným obohacovaným p-kanál ochuzovaným JFET Symbol U TO <> K 2 μc ox W L otevření tranzistoru I DSS U 2 p 1 2 μc ox W L u GS > 0 u GS > 0 u DS <> 0 + I DSS U 2 p vodivostní oblast saturační oblast r 0 u DS <u GS U TO u DS >u GS U TO i D = K ( ) 2(u GS U TO )u DS u 2 DS u DS u GS U TO u DS u GS U TO i D = K(u GS U TO ) 2 (1 + λu DS ) I D λ 56
57 Literatura [1] Sedra, A. S., Smith, K. C.: Microelectronic Circuits, 5th edition, Oxford University Press, Inc., New York ISBN [2] Neamen, D. A.: Electronics Circuit Analysis and Design, Times Mirror Higher Education Group, Inc., Chicago: Irwin, ISBN [3] Boylestad, R. L., Nashelsky L.: Electronic Devices and Circuit Theory, 9th edition, Pearson Prentice Hall, New Jersey ISBN [4] Uhlíř,J., Neumann,P.:Elektronické obvody a funkční bloky 1 Vydavatelství ČVUT, Praha, 1998 [5] Uhlíř,J., Neumann,P.:Elektronické obvody a funkční bloky 2 Vydavatelství ČVUT, Praha,
FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceJednostupňové zesilovače
Kapitola 2 Jednostupňové zesilovače Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce a převod do tištěné
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VícePŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceDarlingtonovo zapojení
Tento dokument slouží pouze pro studijní účely studentům ČVUT FEL, zejména v předmětu X31ELO Dokument nemá konečnou podobu a může se časem upravovat a doplňovat Uživatel může dokument použít pouze pro
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VícePolovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
Více1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7
1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou
Víceteorie elektronických obvodů Jiří Petržela modelování
Jiří Petržela při tvorbě modelu je třeba uvážit fyzikální podstatu prvků požadovanou přesnost řešení stupeň obtížnosti modelu (jednoduché pro ruční výpočty, složitější pro počítač) účel řešení programové
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
VíceFakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017
Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Více4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude
Více4. NELINEÁRNÍ NESETRVAČNÉ OBVODY
4. NELINEÁRNÍ NESETRVAČNÉ OBVODY 4.1. Úvod V předchozích kapitolách jsme ukázali, že k řešení lineárních obvodů lze použít celé řady metod. Při správné aplikaci vedou všechny uvedené metody k jednoznačnému
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceInterakce ve výuce základů elektrotechniky
Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TRANZISTORY Číslo projektu
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.08 Integrovaná střední škola technická Mělník,
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceElektronické obvody analýza a simulace
Elektronické obvody analýza a simulace Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, 804/B3 ČVUT FEL 4. října 2006 Jiří Hospodka (ČVUT FEL) Elektronické obvody analýza a simulace 4. října 2006 1 / 7 Charakteristika
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
Více17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek
17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
VíceKlasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.
Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:
Více1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
VíceELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. Analogové spínače s tranzistory 2.1 Spínací vlastnosti tranzistorů bipolárních a unipolárních 2.2 Příklady použití spínačů 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY
VíceU01 = 30 V, U 02 = 15 V R 1 = R 4 = 5 Ω, R 2 = R 3 = 10 Ω
B 9:00 hod. Elektrotechnika a) Definujte stručně princip superpozice a uveďte, pro které obvody platí. b) Vypočítejte proudy větvemi uvedeného obvodu metodou superpozice. 0 = 30 V, 0 = 5 V R = R 4 = 5
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
Více+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2
Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního
VíceCharakteristiky tranzistoru MOSFET
Cvičení 7 Charakteristiky tranzistoru MOFET Výstupní V-A charakteristiky tranzistoru MOFET Úplný model tranzistoru MOFET (Ppice-Level 1) a jeho parametry tanovení stejnosměrného pracovního bodu tranzistoru
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceBipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení
Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt
VíceManuální, technická a elektrozručnost
Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních
VícePřednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal
Více1.3 Bipolární tranzistor
1.3 Bipolární tranzistor 1.3.1 Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku bipolárního tranzistoru 2. Změřte převodovou charakteristiku bipolárního tranzistoru 3. Změřte výstupní charakteristiku bipolárního
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VícePŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH. Přednáška 2 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 2 - OBSAH Přednáška 2 - Obsah i 1 Bipolární diferenciální stupeň 1 1.1 Dif. stupeň s nesymetrickým výstupem (R zátěž) napěťový zisk... 4 1.1.1 Parametr CMRR pro nesymetrický dif. stupeň (R zátěž)...
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 2
UML FK VU V RNĚ J.ošek / lektronické sočástky / P6 echnologie výroby bipolárního tranzistor echnologie výroby bipolárního tranzistor slitinová Diskrétní tranzistor Kolektor sbstrát difúzní PAXNÍ MSA ntegrovaný
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
VíceElektronické praktikum EPR1
Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí
VíceNalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.
Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceMějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?
TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název
VíceObrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N
POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IE Úvod do elektronických systémů 5.11.2014 Tranzistor MOFET charakteristiky, parametry, aplikace Tranzistor řízený polem - princip a základní aplikace Charakteristiky a mezní parametry tranzistoru
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceTyp UCE0 (V) IC (A) PCmax (W)
REDL 3.EB 11 1/13 1.ZADÁNÍ Změřte statické charakteristiky tranzistoru K605 v zapojení se společným emitorem a) Změřte výstupní charakteristiky naprázdno C =f( CE ) pro B =1, 2, 4, 6, 8, 10, 15mA do CE
Víceteorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech
Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
VíceNelineární obvody. V nelineárních obvodech však platí Kirchhoffovy zákony.
Nelineární obvody Dosud jsme se zabývali analýzou lineárních elektrických obvodů, pasivní lineární prvky měly zpravidla konstantní parametr, v těchto obvodech platil princip superpozice a pro analýzu harmonického
VíceZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008
ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 3/28 Obsah 1. Úvod 2. Polovodičové prvky 2.1. Polovodičové diody 2.2. Tyristory 2.3. Triaky 2.4. Tranzistory 3. Polovodičové měniče 3.1. Usměrňovače
VíceZadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání
Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10
VíceDioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)
Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
VíceMěření na bipolárním tranzistoru.
Měření na bipolárním tranzistoru Změřte a nakreslete čtyři výstupní charakteristiky I C = ( CE ) bipolárního tranzistoru PNP při vámi zvolených hodnotách I B Změřte a nakreslete dvě převodní charakteristiky
VíceElektřina a magnetizmus polovodiče
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...
VícePunčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1
Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1
VíceElektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
VíceZesilovače. Ing. M. Bešta
ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VíceKapacita, indukčnost; kapacitor-kondenzátor, induktor-cívka
Kapacita, indukčnost; kapacitor-kondenzátor, induktor-cívka Kondenzátor je schopen uchovat energii v podobě elektrického náboje Q. Kapacita C se udává ve Faradech [F]. Kapacita je úměrná ploše elektrod
VíceUnipolÄrnÅ tranzistory JFET. DělenÅ unipolärnåch tranzistorů. (Junction Field Effect Tranzistor)
UnipolÄrnÅ tranzistory Na rozdäl od bipolårnäch tranzistorů, u kteréch řäzené proud prochåzä dvěma polovodičovémi přechody a ovlådajä se båzovém proudem (čämž zatěžujä budäcä obvod näzkém vstupnäm odporem),
VícePolovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au
Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem
VíceŘízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika
Řízené polovodičové součástky Výkonová elektronika Polovodičové součástky s řízeným zapnutím řídící signál přivede spínač z blokovacího do propustného stavu do závěrného stavu jen vnější komutací (přerušením)
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Diody, usměrňovače, stabilizátory, střídače 1 VÝROBA POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, nejčastěji Si, - vysoká čistota (10-10 ), - bezchybná struktura
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace Metodický pokyn CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.10 Integrovaná střední škola technická Mělník,
VíceStudium tranzistorového zesilovače
Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VíceDioda jako usměrňovač
Dioda A K K A Dioda je polovodičová součástka s jedním P-N přechodem. Její vývody se nazývají anoda a katoda. Je-li na anodě kladný pól napětí a na katodě záporný, dioda vede (propustný směr), obráceně
Více