věda, výzkum, školství

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "věda, výzkum, školství"

Transkript

1 věda, výzkum, školství MEMS a mikrosystémové technologie Článek seznamuje s pojmem MEMS od obecných ke konkrétním definicím a se zařazením MEMS jako součásti pojmu mikrosystém. MEMS vzniká propojením oborů elektroniky a mechaniky s využitím mikrominiaturizace a podpory výroby technologiemi v rozměrech řádu mikrometrů. Pro realizaci MEMS se využívají různé technologické postupy. V tomto článku jsou ukázány některé typické technologie pro výrobu MEMS. Jde zejména o povrchové a objemové mikroobrábění, technologie HEXSIL, HARPSS, LIGA a další. Jsou uvedeny typické příklady realizovaných MEMS. The paper gives information about the MEMS concept. The information flow is shown from the common definition to the particular one. MEMS are described as a part of microsystems. MEMS represent the merger of electronics as with the mechanics. Microminiaturisation as well as a support of different microsystem technologies is used for MEMS production. The micron size is typical for MEMS. Different technology procedures are used for MEMS realisation. Some typical technologies are shown in the paper, like HEXSIL, HARPSS, LIGA etc. Typical MEMS examples are shown in the paper. 1. Úvod Objev polovodičového tranzistoru v roce 1947 položil základ k rozvoji polovodičové elektroniky a následně i dalších oborů. Elektronika prodělala snad nejrychlejší rozvoj ze známých technických oborů: za šedesát let se místo jednoho tranzistoru na čipu zača- vstupní snímané veličiny výstupní akční veličiny mikrosystém senzory aktuátory zpracování signálů v posledních třech desetiletích charakterizován třemi základními hledisky [4]: složitost mikroelektronických obvodů charakterizovaná počtem prvků na čipu roste čtyřikrát za tři roky, nejmenší rozměr struktury se zmenšuje faktorem 0,5 každé tři roky, plocha čipu se zvětšuje 1,5krát za tři roky. Uvedená kritéria jsou známa pod pojmem Moorův zákon. Jestliže by byl porovnán vývoj mikroelektroniky a automobilového průmyslu za posledních padesát let, dnešní automobil by měl sci-fi parametry: dosahoval by rychlosti km/h se spotřebou 0,2 l/100 km, nosností 106 lidí a cenou 3,60 Kč/auto [5]. Miroslav Husák ložena na pohybu nosičů elektrického náboje v elektrickém poli v polovodičových strukturách s nehomogenním rozložením koncentrace aktivních příměsí, nano je založena na spínacích efektech na molekulární úrovni. 2. Mikrosystém a MEMS 2.1 Uspořádání mikrosystémů S rozvojem elektroniky se začaly některé polovodičové struktury postupně uplatňovat v mezioborových aplikacích. Jednoduché senzory byly připojeny k elektronickým obvodům s analogovým zpracováním signálu. Vytvořené senzorové systémy umožnily monitorování a zpětnovazební regulaci fyzikálních a biochemických veličin. Rozvoj integrovaných obvodů a integrované elektroniky postupně umožnil vznik integrovaných systémů s integrovanými fyzikálními nebo bio chemickými převodníky a elektronickými vyhodnocovacími obvody (v současné době se stále více uplatňuje digitální zpracování signálu) na jednom čipu. Vznikající mezio- elektro Obr. 1. Typické součásti mikrosystému mechanické lo umísťovat více než tranzistorů (mikroprocesor Penryn založený na architektuře Core 2 Duo firmy Intel z roku 2007 s délkou hradla tranzistoru 45 nm [1]). Zmenšováním geometrických rozměrů struktur se technologie dostávají na práh realizovatelnosti elektronických obvodů. Vývoj stojí před branou nanoelektronických obvodů a systémů (nanosystémů), ke kterým typicky náležejí i nanosenzory a nanoaktuátory. Hranice mezi makro- a mikrosystémy je dána technologickými procesy, hranice mezi mikro- a nanosystémy je kvantově mechanická. Uvádí se, že 21. století bude obdobím mechatroniky, mikrosystémů a nanosystémů, robotiky, genetického inženýrství atd. [2]. Mikrotechnologie a nanotechnologie jsou významně ovlivněny vývojem nových materiálů, struktur součástek a systémů [3]. V důsledku rozvoje mikroelektronických technologií byl pokrok v mikroelektronice optoelektro elektrické magnetické signály reálného prostředí opto opto optika teplotní a) biochemické záření Obr. 2. Hlavní signálové (energetické) domény Se zmenšujícími se rozměry struktur integrovaných obvodů a mikrosystémů se realizované součásti mikrosystémů s rozměry řádově mikrometrů postupně přibližují k rozměrům desítek nanometrů [2]. Za hraniční rozměr se považuje přibližně 10 nm, kdy přestávají platit klasické fyzikální zákony a systémy musí být řešeny s využitím metod kvantové fyziky. Za reálnou hranici mezi mikroelektronikou a nanoelektronikou se ale považuje rozměr asi 100 nm. Mikro je za- elektro bio bioelektro bio biochemie b) Obr. 3. Mikrosystém jako disjunkce signálových domén: a) MOEMS, b) BIOMEMS

2 biomedicína manipulace s buňkami buněčná syntéza manipulace s biomolekulami inteligentní tablety podávání léků analýza krve mikrochemický reaktor výpočetní technika magnetická hlava tisková hlava laserový skener mikromechanická paměť tekutiny mikrochlopně inteligentní chlopně mikropumpa chromatografie plynů a kapalin kapalinový zesilovač kapalinové prvky biosnímání a stimulace detekce pulzu v mozku nebo nervu stimulace nervu distribuované snímání přes kůži Obr. 4. Nejčastější oblasti využití MEMS MEMS mikrooptika manipulace s optickými vlákny optické vyrovnání snímání modulace interferometr optická hlava zrcadlo s proměnným ohniskem optomechanické I/O výroba integrovaných obvodů manipulátor ve vakuu mikropolohovač regulátor hmotnostního průtoku mikrosondy pro mikroskopy STM, AFM pole tunelových sond roboty mikroroboty mikroteleoperátory pohyblivé senzory mikrotelemetrické roboty energie, monolitická nebo hybridní (multičipy) integrace, kvalitativně nové funkce systému, zvýšení spolehlivosti, výroba ve velkých sériích snižujících cenu a zvyšujících reprodukovatelnost, realizace distribuovaných systémů apod. Vstupy a výstupy mikrosystémů (senzory a aktuátory) jsou navrženy pro zpracování jedné nebo více neelektrických veličin. Vnitřní uspořádání mikrosystému z hlediska převodu veličin, způsobu zpracování signálu a jeho tvaru na výstupu systému odpovídá vzájemnému spojení bloků pracujících s různými signálovými doménami (uvnitř nejčastěji s elektrickými), např. elektro-mechanicko-optickými nebo elektro-mechanicko-biochemickými. Příklady disjunkce signálových domén podílejících se na vytvoření mikrosystémů jsou uvedeny na obr. 3. Pro nově vzniklé struktury mikrosystémů se používá označování podle disjunkce signálových domén. Mikrosystém může být tvořen i disjunkcí více signálových domén. Nejčastěji se vyskytující kombinace signálových domén bývají označovány zkratkami uvedenými v tab. 1. borové produkty sdružovaly různé typy veličin (mechanické, tepelné, optické, magnetické nebo chemické, ale i elektrické) v jeden celek. Mezioborové systémy začaly využívat moderní technologie zpracování polovodičových materiálů s podporou poznatků ze všech oborů. Vzniklý mezioborový systém se začal nazývat pojmem mikrosystém, popř. mikrosystémové technologie. Vnitřní uspořádání mikrosystému je obecně tvořeno různými bloky, zpravidla pracujícími alespoň v jedné bráně s elektrickým signálem. Jde zejména o vstupní snímací části (senzory), jednotky pro zpracování signálů (procesory) a akční členy (aktuátory) pro převod elektricky zpracovaného signálu do tvaru vhodného pro řízení fyzikálních nebo biochemických veličin. S rozvojem úrovně zpracování elektrických signálů, umělé inteligence a mikrosystémových technologií se začala v mikrosystémech uplatňovat inteligence. Typický mikrosystém je charakterizován propojením elektrických, mechanických, optických nebo dalších signálových (energetických) domén na jednom čipu, popř. multičipovém hybridu [6]. Vnitřní systém využívá vlastnosti dvou nebo více z šesti energetických domén: elektrické, mechanické, záření (optické), biochemické, magnetické a tepelné. Mikrosystémové struktury s rozměry řádově mikrometrů a jejich technické funkce jsou podmíněny i geometrickým tvarem mikrostruktury. Jde o živý a rozvíjející se systém se stále širším použitím ve všech oblastech našeho života. Obecně je mikrosystém charakterizován třemi hlavními systémy, a to senzory, procesory (jednotkami pro zpracování informací) a aktuátory (akčními členy) určenými pro řízení fyzikálních anebo biochemických veličin (obr. 1). Senzory i aktuátory jsou určeny pro komunikaci s reálným prostředím s fyzikálními a biochemickými veličinami. Všechny existující známé veličiny je možné rozdělit do šesti hlavních signálových domén (obr. 2). Do mechanické signálové domény lze zařadit např. tlak nebo zvuk, do tepelné domény teplotu apod. Mikrosystémy vykazují mnoho předností vtisknutých metodami uplatňovanými při vývoji moderních a kompatibilních elektronických integrovaných obvodů. Jsou to především miniaturizace, malý příkon napájecí objemové mikroobrábění HARPSS LIGA další technologické postupy mikrosystémové technologie povrchové mikroobrábění HEXSIL excimerový laser Obr. 5. Mikrosystémové technologie pro realizaci MEMS nosník nosník můstek kanál tryska membrána dutina Obr. 6. Geometrické motivy realizované objemovým mikroobráběním Tab. 1. Označování mikrosystémů podle disjunkce signálových domén MEMS mikroelektromechanický systém MOES mikrooptoelektrický systém MOMS mikrooptomechanický systém mikrooptoelektromechanický MOEMS systém BIOMEMS mikrobioelektromechanický systém Mikrosystémové struktury MEMS a MO- EMS vznikají kombinací elektrických, mechanických a optických komponent vyrobených mikrosystémovými technologiemi. Struktury MEMS a MOEMS se využívají např. ke konstrukci křemíkových mikromotorků, mikromanipulátorů, mikroaktuátorů, mikrooptických prvků (např. deformovatelná mikrozrcadla) a senzorů pro snímání fyzikálních parametrů v prostoru (tlak, akcelerace, záření, elektromagnetické pole, chemické veličiny apod.). BIOMEMS tvoří základ např. pro realizaci laboratoří na čipu (lab-on-chip) nebo biosenzorů. Integrované mikroelektronické, mikromechanické a mikrooptické komponenty na jednom čipu lze využít pro realizaci inteligentních struktur. Produkty kvalitativního i kvantitativního rozvoje mikrosystémových součástí lze nalézt téměř ve všech oblastech našeho života, přispěly k rychlému nástupu informačních technologií, vývoji nových konstrukcí automobilů a jejich vybavení, rozvoji letectví, konstrukce lodí nebo ponorek, techniky pro výzkum kosmického prostoru, pro medicínu nebo ochranu životního prostředí, ale i pro vybavení domácností apod. V praxi se nejčastěji vyskytují struktury MOEMS a MEMS, popř. jejich další kombinace.

3 Obr. 7. Hřebenový aktuátor realizovaný technologií SCREAM: a) hřebenový aktuátor, b) pružina, c) ukotvení pružiny, d) pohyblivá deska kondenzátoru, e) pevná deska kondenzátoru Obr. 8. Hřebenový aktuátor realizovaný technologií post-cmos 2.2 Struktury MOEMS K typickým příkladům použití MOEMS náležejí např. čtečky čárových kódů, optické snímací hlavy přehrávačů CD a DVD, speciální optická zařízení (např. dalekohledy), optické komunikační systémy, zobrazovací systémy, adaptivní optická zařízení a systémy. Mikrosystémové technologie, používané při výrobě mikrosenzorů společně s technologiemi mikroobrábění optických prvků, umožňují vyrábět mikrorozměrná optická zařízení (senzory i aktuátory), jako jsou např. mikrospektrometry [6]. 2.3 Struktury MEMS Aktuální potřeby použití mechatronických struktur v miniaturním až mikrominiaturním provedení vedly k rychlému rozvoji MEMS [6]. Mikromechanické součástky jsou menší, lehčí, rychlejší a většinou přesnější než jejich makroskopické vzory. Vývoj mikromechanických systémů byl podpořen rozvojem mikrosystémových technologií, které umožnily navrhování a realizaci přesných geometrických tvarů mikrosystémových struktur, dále návrhářskou přizpůsobivost, možnost spojení s řídicí elektronikou, opakovatelnost výrobního postupu, spolehlivost, vysokou výtěžnost a nízkou cenu. Ukázalo se, že miniaturizace mikromechanických struktur, stejně jako elektronických, vyžaduje nové technologie výroby integrovaných struktur. Jedním z hlavních důvodů rozšíření nových technologií výroby integrovaných struktur pro mikromechanické systémy byla právě velmi nízká cena při velkých sériích. Integrované technologie výroby MEMS mimo jiné eliminují potřebu montovat diskrétní komponenty. V MEMS lze nalézt pohyblivé mechanické mikrostruktury, mikrosenzory, mikroakční členy a řídicí elektroniku integrované do jednoho systému. 2.4 Rozvoj mikrotechnologií Rozvoj mikrotechnologií umožnil výrobu mikro- (nano)součástí a mikro- (nano)systémů využitelných v komerční sféře, zejména SiO 2 SiO 2 Obr. 9. Technologický postup vytváření mikronosníku povrchovým mikroobráběním: a) výchozí struktura, b) struktura po odleptání a) b) a) b) odleptaná vrstva odleptaná vrstva Obr. 10. Povrchového mikroobrábění realizace struktury komorového typu: a) výchozí struktura, b) struktura po odleptání a) b) c) d) e) f) v průmyslu, spotřební elektronice nebo biomedicíně. Pro realizaci koncových systémů, např. akcelerometrů, gyroskopů, mikromanipulátorů nebo optických přepínačů, jsou používány různé typy mikrostruktur a mikrokomponent. Uplatnění v průmyslu nalézají především jako tiskové hlavy, optické přepínače, křemíkové piezorezistivní senzory tlaku, kapacitní senzory tlaku používané např. pro průběžné měření tlaku v pneumatikách atd. K dalším způsobům použití mikrosystémových výrobků lze zařadit senzory chemických veličin, senzory přítomnosti a koncentrace plynů, IR senzory, různé systémy pro vesmírný výzkum, magnetická záznamová média pro vývoj kompaktních magnetických disků s velkou hustotou záznamu apod. Mikropřístroje a mikromanipulátory jsou používány pro posuv a přesné nastavování polohy objektů s mikrorozměry. Příkladem jsou stojany pro rastrovací tunelovací mikroskopy STM (Scanning Tunneling Microscope) nebo mikroskopy pracující s atomárními silami AFM (Atom Force Microscopy). Na obr. 4 jsou zobrazeny oblasti nejčastějšího využití struktur MEMS. Nejvíce využívané mikrosystémové produkty jsou uvedeny v tab Mikrosystémové technologie pro realizaci MEMS Mikrosystémové technologie umožňují realizaci prostorových (3D) struktur mikrosystémů s rozměry řádově v mikrometrech. Realizované mikrostruktury jsou využitelné pro mikrosenzory, mikroaktuátory nebo i jednotlivé mikrosoučástky jako např. mikrocívky, mikrorelé, mikrospínače apod. Kompatibilita s klasickými mikroelektronickými technologiemi dovoluje integrovat mikrostruktury senzorů a aktuátorů společně s mikroelektronickými obvody na jednom čipu. Nejčastěji používaným materiálem je křemík (Si), ale jsou využívány i další materiály jako GaAs, InGaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN, LiNbO 3, někdy v kombinaci se sklem, polymery nebo keramikou. Na obr. 5 jsou uvedeny typické mikrosystémové technologie používané pro realizaci MEMS. Existuje poměrně velké množství mikrosystémových technologických postupů pro realizaci prostorových struktur s rozměry řádově od jednotek do tisíců mikrometrů [6], [7], [8], [9]. Významné Obr. 11. Typické mikrostruktury realizované povrchovým mikroobráběním: a) uzavřená membrána např. pro senzory tlaku, b) mikronosník, c) membrána se seismickou hmotou, d) mikromůstek, e) zavěšená membrána, f) mikrokanálek, g) kryt g) 9

4 příklady technologických postupů jsou uvedeny v dalším textu. 3.1 Objemové mikroobrábění (bulk micromachining) Tab. 2. Nejvíce využívané mikrosystémové produkty senzory tlaku akcelerometry gyroskopy senzory průtoku infračervené senzory náklonoměry senzory pro chemickou analýzu biometrické senzory biomedicínská diagnostika kardiostimulátory naslouchadla čtecí a zapisovací hlavy inkoustové tryskové hlavy mikrodispleje dávkovače léčiv optické myši magneto-optické hlavy mikrospektrometry optické mikroaktuátory (MOEMS) mikrovlnné RF-MEMS mikromotory Obr. 12. Úhlový mikroaktuátor vyrobený technologií HEXSIL Originální název micromachining lze chápat v mikrosystémové technologii jako tvarování struktury z objemu základního materiálu. Nejde o obrábění nástrojem (např. na minisoustruhu). Objemovým mikroobráběním lze vyrobit např. senzory tlaku nebo inkoustové tryskové hlavy (ink-jet). Objemové mikroobrábění zahrnuje různé technologické operace a existuje mnoho různých modifikací, které selektivně odstraňují určené části substrátu (Si, GaAs, sklo atd.). Technologie umožňuje vytvářet různé komponenty MEMS (nosníky, membrány, destičky), které se používají pro výrobu různých typů senzorů nebo aktuátorů. Mezi typické technologické procesy, které jsou součástí technologie objemového mikroobrábění substrátu, lze zařadit např. izotropní a anizotropní mokré leptání nebo leptání se závislostí na koncentraci příměsí s využitím roztoku KOH a dále různé typy suchého leptání (RIE Reactive Ion Etching, DRIE Deep Reactive Ion Etching) [6]. Na obr. 6 jsou znázorněny typické geometrické motivy vytvořené objemovým mikroobráběním. Speciální technologie SCREAM (Single Crystal Reactive Etch and Metallization) pro objemové mikroobrábění suchým leptáním kombinuje izotropní a anizotropní suché leptání pro vytváření jednoduchých tvarovaných zavěšených struktur. Fotografie struktury hřebenového aktuátoru realizované technologií SCREAM je na obr. 7 [6]. Technologie post-cmos objemového mikroobrábění suchým leptáním, vhodná pro vytvoření zavěšených mikrostruktur ve spojení s integrovanými obvody CMOS, je založena na maskovací schopnosti vrstvy materiálu Al/SiO 2 [6]. Uvedenou technologii lze použít např. pro realizaci hřebenového uspořádání elektrod kondenzátorů u elektrostaticky řízených mikroaktuátorů [9] ve spojení s integrovanými elektronickými obvody na jednom čipu. Fotografie struktury hřebenového aktuátoru vytvořené technologií post- -CMOS je na obr. 8 [10]. 3.2 Povrchové mikroobrábění (surface micromachining) Obr. 13. Mikrogyroskop vyrobený technologií HARPSS Povrchové mikroobrábění náleží k další významné skupině procesů výroby MEMS, které umožňují vytvořit pohyblivé struktury na povrchu křemíkového (nebo jiného) substrátu [6]. Hlavními výhodami povrchového mikroobrábění je realizace struktury extrémně malých rozměrů a relativně jednoduchá integrace mikroobráběné struktury na čipu společně s elektronickými obvody. Povrchové mikroobrábění umožňuje vytvářet složité struktury mikrosenzorů a mikroaktuátorů, jako jsou např. akcelerometry, gyroskopy, mikrozrcátkové optické přepínače, radiofrekvenční spínače apod. Funkční struktury se zhotovují z tenkých vrstev nanesených na povrchu substrátu. Technologický proces se skládá z postupné depozice, suchého leptání a mokrého odleptání obětního materiálu pro uvolnění funkční struktury. Příklad vzniku mikronosníku technologií povrchového mikroobrábění je na obr. 9. Na obr. 10 je uveden příklad struktury komorového typu vyrobené povrchovým mikroobráběním. Povrchové mikroobrábění se využívá pro výrobu velmi složitých mikrostruktur, jako např. mikropinzet, comb-drive struktur, křemíkových mikromotorků apod. Povrchovým mikroobráběním lze realizovat mikrostruktury mnoha typů používané v mikrosenzorech, mikroaktuátorech a v mikrosystémech s nejrůznějším využitím. Jde především o membrány, mikronosníky, mikromůstky, kanálkové mikrostruktury, zavěšené membrány atd. Příklady typických struktur jsou uvedeny na obr. 11. Obr. 14. Mikropřevodový mechanismus vyrobený z niklu technologií LIGA Společná integrace MEMS s elektronickými obvody na jednom čipu zvyšuje funkčnost a spolehlivost systému, umožňuje použít jedno pouzdro, zmenšit rozměry a zvýšit celkovou využitelnost systému. Pro integrované systémy lze v technologickém procesu vyrobit MEMS buď před realizací integrovaných elektronických obvodů, nebo naopak po jejich realizaci na čipu. 3.3 Mikroobrábění struktur s velkým poměrem geometrických rozměrů Technologie objemového a povrchového mikroobrábění umožňuje realizovat mikrosystémové struktury velkého množství nejrůznějších geometrických tvarů. Tyto technologie však nedovolují plně realizovat struktury, které mají velký poměr horizontálních a vertikálních geometrických rozměrů. Pro tyto účely byly vyvinuty speciální technologické postupy označované např. HEXSIL, HARPSS nebo LIGA [6]. Lze využít též anizotropní suché leptání s polymerovou směrovou pasivací, kde se cyklicky opakuje proces pasivace stěn a leptání. Technologie se využívá zejména pro uvolňování struktur leptaných ze zadní strany substrátu a pro zhotovení prů- 10

5 chodek objemem substrátu. Velké uplatnění nalézá při výrobě tekutinových mikrosystémů, např. mikropump [6]. Technologií HEXSIL (HEXagonal honeycomb polysilicon) se vytvářejí struktury s velkým poměrem hloubka-šířka [6]. Jsou Obr. 15. Mikropřevodovka vyrobená z materiálů Ni-Fe a W technologií LIGA využívány známé technologické procesy, jako je např. DRIE, leptání fluorovodíkem apod. [6]. Příklad mikroaktuátoru vyrobeného mikrosystémovou technologií HEXSIL je uveden na obr. 12 [6]. Technologie HARPSS (High Aspect Ratio combined with Poly and Single-Crystal Silicon) umožňuje realizovat elektricky izolované polykrystalické a monokrystalické křemíkové (nebo i jiné) mikrostruktury s kapacitní vzduchovou mezerou s rozměry od submikrometrů do desítek mikrometrů [11]. Možnost vytvořit MEMS s malými vertikálními mezerami a tloušťkou struktur umožňuje výrobu inertních senzorů [12] nebo RF rezonátorů [13]. Technologické kroky pro výrobu monokrystalického rezonátoru jsou uvedeny v [6]. Mikrogyroskop vyrobený technologií HARPSS je na obr. 13 [6]. Technologie LIGA (Litographie Galvanoformung Abformung) umožňuje prostorové (3D) mikrotvarování kovů, plastů, keramiky a skla. Technologií LIGA lze vytvořit mikrostruktury velmi jemných tvarů [6]. Při výrobě mikrosystémů technologií LIGA se využívá litografie, elektrolytické (galvanické) pokovení a lisování a dále, jako speciální typ fotolitografie, rentgenová litografie (synchrotronové záření). Technologie dává možnost realizovat struktury s výškou až μm s velkým geometrickým rozlišením. Elektrolytické pokovení, použité v technologii LIGA, je možné kombinovat také s jinými technologickými laserové záření maska čočka excimerový laser obráběný materiál Obr. 16. Mikroobrábění excimerovým laserem procesy. Převodový mechanismus vyrobený z niklu technologií LIGA je na obr. 14. Na obr. 15 je mikropřevodovka vyrobená z Ni- -Fe a W také technologií LIGA [6]. Technologie mikroobrábění excimerovým laserem je založena na odstraňování materiálu laserovým paprskem pracujícím v impulzním režimu. Lze přesně řídit množství odstraněného materiálu, hloubku (až stovky mikrometrů) a geometrický tvar materiálu. Pro realizaci složitějších tvarů lze využít metodu zahrnující zaměřování laserového paprsku pomocí speciální optiky (obr. 16), která umožňuje realizaci 3D struktur se šikmými hranami. Technologii excimerového laseru je možné využívat např. pro mikroobrábění organických materiálů, plastů nebo polymerů. Literatura: [1] Intel: 45nm Next Generation Intel CoreT 2 Processor Family (Penryn) and Intel Streaming SIMD Extensions 4 (Intel SSE4). Firemní materiály. Dostupné na <http://software. intel.com/en-us/articles/45nm-next-generation- -intel-coret-2-processor-family-penryn-andintel-streaming-simd-extensions-4-intel-sse4>, cit [2] MUSIL,V.: Mikro a nano. Úvodní přednáška na konferenci Elektronické součástky, 2005, Rožnov p. Radhoštěm. [3] MADOU, M. J.: Fundamentals of Microfabrication, CRC Press, Boca Raton, USA, [4] GARGINI, P. A.: The Global Route to Future Semiconductor Technology. IEEE Devices Magazine, March 2002, p [5] MA, T. P.: The Moore s Law and Modern CMOS Technology. Záznam přednášky. České vysoké učení technické v Praze, [6] HUSÁK, M.: Mikrosenzory a mikroaktuátory. Academia, Praha, [7] GAD-EL-HAK, M. (Ed.): The MEMS Handbook. CRCPress, Boca Raton (USA), [8] HSU T. R.: MEMS and Microsystems Design and Manufacture. McGraw-Hill, New York (USA), [9] BHUSHAN, B.: Handbook of nanotechnology. Springer Verlag, [10] HUIKAI, X. ERDMANN, L. XU, Z. GA- BRIEL, K. J. FEDDER, G. K.: Post-CMOS processing for high-aspect-ratio integrated silicon microstructures. J. Microelectromech. Syst., 2002, 11, p [11] AYAZI, F. NAJAFI, K.: High aspect-ratio combined poly and single-crystal silicon (HARPSS) MEMS technology. J. Microelectromech. Syst., 2000, 9, p [12] AYAZI, F. NAJAFI, K.: A HARPSS polysilicon vibrating ring gyroscope. J. Microelectromech. Syst., 2001, 10, p [13] NO, Y. S. AYAZI, F: The HARPSS process for fabrication of nano-precision silicon electromechanical resonators. In: Proc. 1 st IEEE Conference on Nanotechnology, 2001, p prof. Ing. Miroslav Husák, CSc., ČVUT v Praze, Fakulta elektrotechnická, katedra mikroelektroniky Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc., nar. 1953, 1978 Ing. ČVUT FEL Praha v oboru sdělovací elektrotechnika, 1985 CSc. v oboru radio, 1997 docent oboru, 2000 profesor oboru a lékařská technika. Od roku 1997 vedoucí katedry mikroelektroniky ČVUT FEL Praha. Odborně je zaměřený na problematiku mikrosystémů, mikrosenzorů, mikroaktuátorů a integrovaných obvodů, zabývá se jejich návrhem a použitím. Intel uvádí architekturu Nehalem Společnost Intel uvádí na trh novou architekturu procesoru Nehalem, která vychází z úspěšné architektury Core. Při vývoji nové architektury bylo cílem zdokonalit jádro Core tak, aby zpracovávalo jedno i několik vláken (single- a multithreads). Dalším jeho znakem je značná škálovatelnost Nehalem bude vyhovovat jak pro notebooky, tak i pro servery. Architektura je charakteristická svou modularitou je navržena pro dvě až osm jader. První variantou je procesorová deska ze čtyřmi jádry. Oproti procesoru Core se změnil pouze přístup k pamětem. V architektuře Nehalem má každé jádro vlastní paměť cache a jedna paměť je sdílená. Nedochází tedy k přepínání mezi paměťmi. Velká pozornost byla věnována úspoře energie. V době nečinnosti je možné vypínat přívod napětí do každého jádra. Další novinkou je režim zvaný Turbomode, který dovoluje zvýšit taktovací frekvenci, jestliže je v provozu jen jedno nebo dvě ze čtyř jader. (ev) krátké zprávy 11

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra aplikované elektroniky a telekomunikací BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Využití mikroelektromechanických systémů v senzorech plynů. vedoucí práce: Ing.

Více

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II.

Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Ústav fyziky a měřicí techniky Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Využití technologie Ink-jet printing pro přípravu mikro a nanostruktur II. Výrobci, specializované technologie a aplikace Obsah

Více

1 SENZORY V MECHATRONICKÝCH SOUSTAVÁCH

1 SENZORY V MECHATRONICKÝCH SOUSTAVÁCH 1 V MECHATRONICKÝCH SOUSTAVÁCH Senzor - důležitá součást většiny moderních elektronických zařízení. Účel: Zjišťovat přítomnost různých fyzikálních, většinou neelektrických veličin, a umožnit další zpracování

Více

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY

9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen

Více

Výukové texty. pro předmět. Měřící technika (KKS/MT) na téma. Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin

Výukové texty. pro předmět. Měřící technika (KKS/MT) na téma. Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Základní charakteristika a demonstrování základních principů měření veličin Autor: Doc. Ing. Josef Formánek, Ph.D. Základní charakteristika a

Více

Mikroelektromechanické systémy

Mikroelektromechanické systémy Mikroelektromechanické systémy Microelectromechanical systems Petr Juřička Bakalářská práce 2010 UTB ve Zlíně, Fakulta aplikované informatiky, 2010 4 ABSTRAKT Cílem práce bylo seznámení s technologií

Více

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud

Více

Přenos signálů, výstupy snímačů

Přenos signálů, výstupy snímačů Přenos signálů, výstupy snímačů Topologie zařízení, typy průmyslových sběrnic, výstupní signály snímačů Přenosy signálů informací Topologie Dle rozmístění ŘS Distribuované řízení Většinou velká zařízení

Více

Architektura Intel Atom

Architektura Intel Atom Architektura Intel Atom Štěpán Sojka 5. prosince 2008 1 Úvod Hlavní rysem Atomu je podpora platformy x86, která umožňuje spouštět a běžně používat řadu let vyvíjené aplikace, na které jsou uživatelé zvyklí

Více

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka

Mikroskopie se vzorkovací sondou. Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou Pavel Matějka Mikroskopie se vzorkovací sondou 1. STM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití 2. AFM 1. Princip metody 2. Instrumentace a příklady využití

Více

digitální proudová smyčka - hodnoty log. 0 je vyjádří proudem 4mA a log. 1 proudem 20mA

digitální proudová smyčka - hodnoty log. 0 je vyjádří proudem 4mA a log. 1 proudem 20mA Měření a regulace připojení čidel Ing. Tomáš Mlčák, Ph.D. Fakulta elektrotechniky a informatiky VŠB TUO Katedra elektrotechniky www.fei.vsb.cz/kat420 Elektrická zařízení a rozvody v budovách Proudová smyčka

Více

5 Monolitické integrované obvody

5 Monolitické integrované obvody Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde

Více

Procesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál

Procesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál Procesor EU peníze středním školám Didaktický učební materiál Anotace Označení DUMU: VY_32_INOVACE_IT1.05 Předmět: Informatika a výpočetní technika Tematická oblast: Úvod do studia informatiky, konfigurace

Více

ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ

ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ ROZDĚLENÍ SNÍMAČŮ, POŽADAVKY KLADENÉ NA SNÍMAČE, VLASTNOSTI SNÍMAČŮ (1.1, 1.2 a 1.3) Ing. Pavel VYLEGALA 2014 Rozdělení snímačů Snímače se dají rozdělit podle mnoha hledisek. Základním rozdělení: Snímače

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů

Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská

Více

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.

Základní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak. Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle

Více

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska

3. Maturitní otázka PC komponenty 1. Počítačová skříň 2. Základní deska 3. Maturitní otázka Počítač, jeho komponenty a periferní zařízení (principy fungování, digitální záznam informací, propojení počítače s dalšími (digitálními) zařízeními) Počítač je elektronické zařízení,

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

OPS Paralelní systémy, seznam pojmů, klasifikace

OPS Paralelní systémy, seznam pojmů, klasifikace Moorův zákon (polovina 60. let) : Výpočetní výkon a počet tranzistorů na jeden CPU chip integrovaného obvodu mikroprocesoru se každý jeden až dva roky zdvojnásobí; cena se zmenší na polovinu. Paralelismus

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Osobní počítač. Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011

Osobní počítač. Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011 Osobní počítač Zpracoval: ict Aktualizace: 10. 11. 2011 Charakteristika PC Osobní počítač (personal computer - PC) je nástroj člověka pro zpracovávání informací Vyznačuje se schopností samostatně pracovat

Více

nano.tul.cz Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL

nano.tul.cz Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na TUL nano.tul.cz Tyto materiály byly vytvořeny v rámci projektu ESF OP VK: Inovace a rozvoj studia nanomateriálů na Technické univerzitě v Liberci Zdravotní rizika

Více

Nanotechnologie. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 29. 5. 2013. Ročník: devátý

Nanotechnologie. Autor: Mgr. Stanislava Bubíková. Datum (období) tvorby: 29. 5. 2013. Ročník: devátý Nanotechnologie Autor: Mgr. Stanislava Bubíková Datum (období) tvorby: 29. 5. 2013 Ročník: devátý Vzdělávací oblast: Člověk a příroda / Chemie / Chemie a společnost 1 Anotace: Žáci se seznámí s nanotechnologiemi.

Více

NANOMATERIÁLY, NANOTECHNOLOGIE, NANOMEDICÍNA

NANOMATERIÁLY, NANOTECHNOLOGIE, NANOMEDICÍNA NANOMATERIÁLY, NANOTECHNOLOGIE, NANOMEDICÍNA Nano je z řečtiny = trpaslík. 10-9, 1 nm = cca deset tisícin průměru lidského vlasu Nanotechnologie věda a technologie na atomární a molekulární úrovni Mnoho

Více

PARAMETRY MĚŘENÉ NA DVOUPROUDÉM MOTORU

PARAMETRY MĚŘENÉ NA DVOUPROUDÉM MOTORU PARAMETRY MĚŘENÉ NA DVOUPROUDÉM MOTORU EPR vstup NACT OLEJ OP,OT, OQ FF/ FU FP PALIVO EGT EPR výstup Obr.1 NK - nízkotlaký kompresor, VK - vysokotlaký kompresor, VT - vysokotlaká turbina, NT - nízkotlaká

Více

Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0290. III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT. Zdeněk Dostál Ročník: 1. Hardware.

Číslo projektu: CZ.1.07/1.5.00/34.0290. III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT. Zdeněk Dostál Ročník: 1. Hardware. Zlepšení podmínek pro vzdělávání na středních školách Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost Název a adresa školy: Integrovaná střední škola Cheb, Obrněné brigády 6, 350 11 Cheb Číslo projektu:

Více

Úvod, optické záření. Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014

Úvod, optické záření. Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Úvod, optické záření Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Materiál je pouze grafickým podkladem k přednášce a nenahrazuje výklad na vlastní

Více

11 Manipulace s drobnými objekty

11 Manipulace s drobnými objekty 11 Manipulace s drobnými objekty Zpracování rozměrově malých drobných objektů je zpravidla spojeno s manipulací s velkým počtem objektů, které jsou volně shromažďovány na různém stupni uspořádanosti souboru.

Více

5. Optické počítače. 5.1 Optická propojení

5. Optické počítače. 5.1 Optická propojení 5. Optické počítače Cíl kapitoly Cílem kapitoly je pochopit funkci optických počítačů. Proto tato kapitola doplňuje poznatky z předešlých kapitol k objasnění funkcí optických počítačů Klíčové pojmy Optické

Více

Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory

Procesor. Hardware - komponenty počítačů Procesory Procesor Jedna z nejdůležitějších součástek počítače = mozek počítače, bez něhož není počítač schopen vykonávat žádné operace. Procesor v počítači plní funkci centrální jednotky (CPU - Central Processing

Více

Studentská tvůrčí a odborná činnost STOČ 2012

Studentská tvůrčí a odborná činnost STOČ 2012 Studentská tvůrčí a odborná činnost STOČ 2012 MIKROVLNNÁ SKENOVACÍ MIKROSKOPIE Josef KUDĚLKA, Tomáš MARTÍNEK Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Fakulta aplikované informatiky Nad Stráněmi 4511 760 05 Zlín

Více

2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.8 Procesory. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Lasery optické rezonátory

Lasery optické rezonátory Lasery optické rezonátory Optické rezonátory Optickým rezonátorem se rozumí dutina obklopená odrazovými plochami, v níž je pasivní dielektrické prostředí. Rezonátor je nezbytnou součástí laseru, protože

Více

Zdroje optického záření

Zdroje optického záření Metody optické spektroskopie v biofyzice Zdroje optického záření / 1 Zdroje optického záření tepelné výbojky polovodičové lasery synchrotronové záření Obvykle se charakterizují zářivostí (zářivý výkon

Více

HUMISTAR ČERVENEC 2008 PŘEVODNÍKY RELATIVNÍ VLHKOSTI A TEPLOTY. řady HDKA 12 pro kanálovou montáž URČENÍ POPIS

HUMISTAR ČERVENEC 2008 PŘEVODNÍKY RELATIVNÍ VLHKOSTI A TEPLOTY. řady HDKA 12 pro kanálovou montáž URČENÍ POPIS HUMISTAR ČERVENEC 2008 URČENÍ PŘEVODNÍKY RELATIVNÍ VLHKOSTI A TEPLOTY řady HDKA 12 pro kanálovou montáž Převodníky vlhkosti a teploty řady HDKA 12 se používají ke kontinuálnímu měření vlhkosti a teploty

Více

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Integrovaná střední škola, Sokolnice 496 Název projektu: Moderní škola Registrační číslo: CZ.1.07/1.5.00/34.0467 Název klíčové aktivity: III/2 - Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Kód výstupu:

Více

1 VZNIK, VÝVOJ A DEFINICE MECHATRONIKY

1 VZNIK, VÝVOJ A DEFINICE MECHATRONIKY 1 VZNIK, VÝVOJ A DEFINICE MECHATRONIKY 1.1 VÝVOJ MECHATRONIKY Ve vývoji mechatroniky lze vysledovat tři období: 1. etapa polovina 70. let, Japonsko, založení nového oboru shrnuje poznatky z mechaniky,

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE

INFORMAČNÍ A KOMUNIKAČNÍ TECHNOLOGIE Název školy: Střední odborná škola stavební Karlovy Vary Sabinovo náměstí 16, 360 09 Karlovy Vary Autor: Ing. Hana Šmídová Název materiálu: VY_32_INOVACE_13_HARDWARE_S1 Číslo projektu: CZ 1.07/1.5.00/34.1077

Více

FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Spojujeme elektrotechniku a informatiku PRACUJ V OBORU. S OBRATEM VÍCE NEŽ MILIARD Kč

FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Spojujeme elektrotechniku a informatiku PRACUJ V OBORU. S OBRATEM VÍCE NEŽ MILIARD Kč FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Spojujeme elektrotechniku a informatiku PRACUJ V OBORU S OBRATEM VÍCE NEŽ MILIARD Kč (celosvětový roční výnos mobilních operátorů zdroj Strategy Analytics 2013) Studuj obory KOMUNIKAČNÍ

Více

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika

Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Osnova přípravného studia k jednotlivé zkoušce Předmět - Elektrotechnika Garant přípravného studia: Střední průmyslová škola elektrotechnická a ZDVPP, spol. s r. o. IČ: 25115138 Učební osnova: Základní

Více

Fotonické nanostruktury (nanofotonika)

Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Základy nanotechnologií KEF/ZANAN Fotonické nanostruktury (nanofotonika) Jan Soubusta 4.11. 2015 Obsah 1. ÚVOD 2. POHLED DO MIKROSVĚTA 3. OD ELEKTRONIKY K FOTONICE 4. FYZIKA PRO NANOFOTONIKU 5. PERIODICKÉ

Více

RF603 Měření vzdáleností triangulační technikou

RF603 Měření vzdáleností triangulační technikou Princip měření: Měření senzorů je založeno na principu optické triangulace. Paprsek laseru ze zdroje světla 1 je zaměřen přes optiku 2 na objekt 6. Po odrazu od objektu je paprsek fokusován přes objektiv

Více

10. Energie a její transformace

10. Energie a její transformace 10. Energie a její transformace Energie je nejdůležitější vlastností hmoty a záření. Je obsažena v každém kousku hmoty i ve světelném paprsku. Je ve vesmíru a všude kolem nás. S energií se setkáváme na

Více

Obrazové snímače a televizní kamery

Obrazové snímače a televizní kamery Obrazové snímače a televizní kamery Prof. Ing. Václav Říčný, CSc. Současná televizní technika a videotechnika kurz U3V Program semináře a cvičení Snímače obrazových signálů akumulační a neakumulační. Monolitické

Více

Obrazové snímače a televizní kamery

Obrazové snímače a televizní kamery Obrazové snímače a televizní kamery Prof. Ing. Václav Říčný, CSc. Současná televizní technika a videotechnika kurz U3V Program semináře a cvičení Snímače obrazových signálů akumulační a neakumulační. Monolitické

Více

HUMISTAR BŘEZEN 2009 PŘEVODNÍKY RELATIVNÍ VLHKOSTI A TEPLOTY. řady HWPA 12 pro nástěnnou montáž URČENÍ POPIS

HUMISTAR BŘEZEN 2009 PŘEVODNÍKY RELATIVNÍ VLHKOSTI A TEPLOTY. řady HWPA 12 pro nástěnnou montáž URČENÍ POPIS HUMISTAR BŘEZEN 2009 URČENÍ PŘEVODNÍKY RELATIVNÍ VLHKOSTI A TEPLOTY řady HWPA 12 pro nástěnnou montáž Převodníky vlhkosti a teploty řady HWPA 12 se používají ke kontinuálnímu měření vlhkosti a teploty

Více

Mechanika s Inventorem

Mechanika s Inventorem Mechanika s Inventorem 1. Úvodní pojednání CAD data FEM výpočty Petr SCHILLING, autor přednášky Ing. Kateřina VLČKOVÁ, obsahová korekce Optimalizace Tomáš MATOVIČ, publikace 1 Obsah přednášky: Cíl projektu

Více

ELEKTRICKÉ POLE V BUŇKÁCH A V ORGANISMU. Helena Uhrová

ELEKTRICKÉ POLE V BUŇKÁCH A V ORGANISMU. Helena Uhrová ELEKTRICKÉ POLE V BUŇKÁCH A V ORGANISMU Helena Uhrová Hierarichické uspořádání struktury z fyzikálního hlediska organismus člověk elektrodynamika Maxwellovy rovnice buňka akční potenciál fenomenologická

Více

2.10 Vnější paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu

2.10 Vnější paměti. Střední průmyslová škola strojnická Vsetín. Ing. Martin Baričák. Název šablony Název DUMu. Předmět Druh učebního materiálu Název školy Číslo projektu Autor Název šablony Název DUMu Tematická oblast Předmět Druh učebního materiálu Anotace Vybavení, pomůcky Ověřeno ve výuce dne, třída Střední průmyslová škola strojnická Vsetín

Více

Zdroje napětí - usměrňovače

Zdroje napětí - usměrňovače ZDROJE NAPĚTÍ Napájecí zdroje napětí slouží k přeměně AC napětí na napětí DC a následnému předání energie do zátěže, která tento druh napětí (proudu) vyžaduje ke správné činnosti. Blokové schéma síťového

Více

Princip rastrovacího konfokálního mikroskopu

Princip rastrovacího konfokálního mikroskopu Konfokální mikroskop Obsah: Konfokální mikroskop... 1 Princip rastrovacího konfokálního mikroskopu... 1 Rozlišovací schopnost... 2 Pozorování povrchů ve skutečných barvách... 2 Konfokální mikroskop Olympus

Více

Kapitola 1. Signály a systémy. 1.1 Klasifikace signálů

Kapitola 1. Signály a systémy. 1.1 Klasifikace signálů Kapitola 1 Signály a systémy 1.1 Klasifikace signálů Signál představuje fyzikální vyjádření informace, obvykle ve formě okamžitých hodnot určité fyzikální veličiny, která je funkcí jedné nebo více nezávisle

Více

Chemické senzory Principy senzorů Elektrochemické senzory Gravimetrické senzory Teplotní senzory Optické senzory Fluorescenční senzory Gravimetrické chemické senzory senzory - ovlivňov ování tuhosti pevného

Více

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje

Paměti. Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti Paměť je zařízení, které slouží k ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje Paměti počítače lze rozdělit do tří základních skupin: registry paměťová místa na čipu procesoru jsou používány

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc.

Nanotechnologie a jejich aplikace. doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Nanotechnologie a jejich aplikace doc. RNDr. Roman Kubínek, CSc. Předpona pochází z řeckého νανος což znamená trpaslík 10-9 m 380-780 nm rozsah λ viditelného světla Srovnání známých malých útvarů SPM Vyjasnění

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Optoelektronické. BGL Vidlicové optické závory. snímače

Optoelektronické. BGL Vidlicové optické závory. snímače Jednocestné optické závory jsou nepřekonatelné v jejich schopnosti rozlišovat malé díly a jemné detaily, stejně jako v provozní spolehlivosti. Nevýhody jsou pouze v jejich montáži a nastavení. A právě

Více

Základní části počítače. Skříň počítače ( desktop, minitower, tower) Monitor Klávesnice Myš

Základní části počítače. Skříň počítače ( desktop, minitower, tower) Monitor Klávesnice Myš Základní části počítače Skříň počítače ( desktop, minitower, tower) Monitor Klávesnice Myš 1. OBSAH SKŘÍNĚ POČÍTAČE 1.1 Základní deska anglicky mainboard či motherboard Hlavním účelem základní desky je

Více

Nanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika

Nanoelektronika a MEMS/NEMS Úvod. Nanoelektronika Úvod Nanoelektronika plynulý přechod z mikroelektroniky snaha o vyšší výpočetní výkon zmenšování + větší počet tranzistorů zvyšování frekvence nové zdroje energie nové směry: nositelná elektronika integrace

Více

Architektura počítačů

Architektura počítačů Architektura počítačů Studijní materiál pro předmět Architektury počítačů Ing. Petr Olivka katedra informatiky FEI VŠB-TU Ostrava email: petr.olivka@vsb.cz Ostrava, 2010 1 1 Architektura počítačů Pojem

Více

Historie výpočetní techniky. Autor: Ing. Jan Nožička SOŠ a SOU Česká Lípa VY_32_INOVACE_1121_Histrorie výpočetní techniky_pwp

Historie výpočetní techniky. Autor: Ing. Jan Nožička SOŠ a SOU Česká Lípa VY_32_INOVACE_1121_Histrorie výpočetní techniky_pwp Historie výpočetní techniky Autor: Ing. Jan Nožička SOŠ a SOU Česká Lípa VY_32_INOVACE_1121_Histrorie výpočetní techniky_pwp Název školy: Číslo a název projektu: Číslo a název šablony klíčové aktivity:

Více

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice

Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích. Institute of Technology And Business In České Budějovice 13. VYUŽITÍ NEKOVOVÝCH MATERIÁLŮ VE STROJÍRENSKÝCH APLIKACÍCH, TRENDY VÝVOJE NEKOVOVÝCH MATERIÁLŮ Vysoká škola technická a ekonomická v Českých Budějovicích Institute of Technology And Business In České

Více

Cíl kapitoly Cílem kapitoly je sezn{mit se s principy fotonických spínacích prvků

Cíl kapitoly Cílem kapitoly je sezn{mit se s principy fotonických spínacích prvků 4. Fotonické spínací prvky Cíl kapitoly Cílem kapitoly je sezn{mit se s principy fotonických spínacích prvků Klíčové pojmy Banyan spínač, Bistabilní prvky, disperzní KO, disipatvní KO, fotogetektor, index

Více

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM

Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Elektronová mikroskopie SEM, TEM, AFM Historie 1931 E. Ruska a M. Knoll sestrojili první elektronový prozařovací mikroskop 1939 první vyrobený elektronový mikroskop firma Siemens rozlišení 10 nm 1965 první

Více

Kapacitní senzory. ε r2. Změna kapacity důsledkem změny X. b) c) ε r1. a) aktivní plochy elektrod. b)vzdálenosti elektrod

Kapacitní senzory. ε r2. Změna kapacity důsledkem změny X. b) c) ε r1. a) aktivní plochy elektrod. b)vzdálenosti elektrod Kapacitní senzory a) b) c) ε r1 Změna kapacity důsledkem změny a) aktivní plochy elektrod d) ε r2 ε r1 e) ε r2 b)vzdálenosti elektrod c)plochy dvou dielektrik s různou permitivitou d) tloušťky dvou dielektrik

Více

2. Mechatronický výrobek 17

2. Mechatronický výrobek 17 Předmluva 1 Úvod 3 Ing. Gunnar Künzel 1. Úvod do mechatroniky 5 1.1 Vznik, vývoj a definice mechatroniky 5 1.2 Mechatronická soustava a její komponenty 9 1.3 Mechatronický systém a jeho struktura 11 1.4

Více

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Vysoké učení technické v Brně. www.feec.vutbr.cz

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Vysoké učení technické v Brně. www.feec.vutbr.cz Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Vysoké učení technické v Brně www.feec.vutbr.cz Historie Fakulty elektrotechnické Fakulta elektrotechnická byla založena v roce 1959 720 studentů, 18

Více

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.

zařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,

Více

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika)

Témata profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) ta profilové maturitní zkoušky z předmětu Souborná zkouška z odborných elektrotechnických předmětů (elektronická zařízení, elektronika) 1. Cívky - vlastnosti a provedení, řešení elektronických stejnosměrných

Více

Optická mikroskopie a spektroskopie nanoobjektů. Nanoindentace. Pavel Matějka

Optická mikroskopie a spektroskopie nanoobjektů. Nanoindentace. Pavel Matějka Optická mikroskopie a spektroskopie nanoobjektů Nanoindentace Pavel Matějka Optická mikroskopie a spektroskopie nanoobjektů 1. Optická mikroskopie blízkého pole 1. Princip metody 2. Instrumentace 2. Optická

Více

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.

PRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí. 1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A

Více

Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma

Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Podklady a tvorba grafické vizualizace k principu měření vzdálenosti u technických zařízení Autor: Doc. Ing. Josef Formánek, Ph.D. Podklady a

Více

Užití MEMS v průmyslu

Užití MEMS v průmyslu Užití MEMS v průmyslu věda, výzkum, školství Miroslav Husák Článek předkládá informaci o principech a parametrech vybraných příkladů použití MEMS. Příklady jsou zaměřeny na senzorové systémy, aktuátorové

Více

Zobrazovací metody v nanotechnologiích

Zobrazovací metody v nanotechnologiích Zobrazovací metody v nanotechnologiích Optická mikroskopie Z vlnové povahy světla plyne, že není možné detekovat menší podrobnosti než polovina vlnové délky světla. Viditelné světlo má asi 500 nm, nejmenší

Více

Principy počítačů I Perspektivní technologie, měření výkonnosti a spolehlivost

Principy počítačů I Perspektivní technologie, měření výkonnosti a spolehlivost Principy počítačů I Perspektivní technologie, měření výkonnosti a spolehlivost snímek 1 Principy počítačů Část XI Perspektivní technologie, měření výkonnosti a spolehlivost 1 snímek 2 1 cm 1 µm 50 nm 1

Více

SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA. www.uvee.feec.vutbr.cz www.ueen.feec.vutbr.cz

SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA. www.uvee.feec.vutbr.cz www.ueen.feec.vutbr.cz SILNOPROUDÁ ELEKTROTECHNIKA A ELEKTROENERGETIKA www.uvee.feec.vutbr.cz www.ueen.feec.vutbr.cz FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Bakalářský studijní program B-SEE Bakalářský studijní program

Více

1 Svařování Laser-Hybridem

1 Svařování Laser-Hybridem 1 Svařování Laser-Hybridem Laser-Hybrid je kombinace svařování nejčastěji pevnolátkovým Nd YAG laserem a jinou obloukovou technologií. V zásadě jsou známy tyto kombinace: laser TIG, laser MIG/MAG, laser

Více

4. SENZORY S INDUKČNOST NOSTÍ. μ dμ. L ds S. L l L N. dl + Typické použití a rozdělení senzorů

4. SENZORY S INDUKČNOST NOSTÍ. μ dμ. L ds S. L l L N. dl + Typické použití a rozdělení senzorů 4. SENZORY S INDUKČNOST NOSTÍ Přednášející: Prof. Ing. Miroslav Husák, CSc. husak@fel.cvut.cz, http://micro.feld.cvut.cz tel.: 2 2435 2267 Cvičící: Ing. Pavel Kulha Ing. Adam Bouřa 1 2 Princip činnosti

Více

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

VAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:

Více

Úvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství.

Úvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. Laserové kalení Úvod Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. poslední době se začínají komerčně prosazovat

Více

Elektrotechnická fakulta České vysoké učení technické v Praze. CCD vs CMOS. Prof. Ing. Miloš Klíma, CSc.

Elektrotechnická fakulta České vysoké učení technické v Praze. CCD vs CMOS. Prof. Ing. Miloš Klíma, CSc. Elektrotechnická fakulta České vysoké učení technické v Praze CCD vs CMOS Prof. Ing. Miloš Klíma, CSc. 0 Multimedia Technology Group, K13137, FEE CTU 0 Historie snímání obrazu 1884 Paul Nipkow mechanický

Více

Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Tvorba grafické vizualizace principu měření tlaku (podtlak, přetlak)

Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Tvorba grafické vizualizace principu měření tlaku (podtlak, přetlak) Výukové texty pro předmět Měřící technika (KKS/MT) na téma Tvorba grafické vizualizace principu měření tlaku (podtlak, přetlak) Autor: Doc. Ing. Josef Formánek, Ph.D. Tvorba grafické vizualizace principu

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.06 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01

Více

8. Senzory a převodníky pro měření otáček, rychlosti a zrychlení. Měření vibrací.

8. Senzory a převodníky pro měření otáček, rychlosti a zrychlení. Měření vibrací. 8. Senzory a převodníky pro měření otáček, rychlosti a zrychlení. Měření vibrací. přednášky A3B38SME Senzory a měření zdroje převzatých obrázků: pokud není uvedeno jinak, zdrojem je monografie Haasz, Sedláček:

Více

Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě

Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě Náplní laboratorní úlohy je proměření základních parametrů plynových vodivostních senzorů: i) el. odpor a ii)

Více

GYROSKOPY, AKCELEROMETRY A INFRAČERVENÉ SNÍMAČE

GYROSKOPY, AKCELEROMETRY A INFRAČERVENÉ SNÍMAČE GYROSKOPY, AKCELEROMETRY A INFRAČERVENÉ SNÍMAČE (2.8, 2.9 a 2.10) Ing. Pavel VYLEGALA 2014 Gyroskopy Gyroskop byl vyvinut vědci pro studium spinu a rotace Země. Studium pohybu gyroskopu vedlo k porozumění

Více

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)

Optoelektronika. elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD. Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA) Optoelektronika elektro-optické převodníky - LED, laserové diody, LCD Elektro-optické převodníky žárovka - nejzákladnější EO převodník nevhodné pro optiku široké spektrum vlnových délek vhodnost pro EO

Více

Lasery ve výpočetní technice

Lasery ve výpočetní technice Lasery ve výpočetní technice Laser je obdivuhodné a neobyčejně univerzální zařízení - je schopen měnit prakticky jakýkoli druh energie na energii koherentního elektromagnetického záření. Volbou vhodného

Více

Moderní metody rozpoznávání a zpracování obrazových informací 15

Moderní metody rozpoznávání a zpracování obrazových informací 15 Moderní metody rozpoznávání a zpracování obrazových informací 15 Hodnocení transparentních materiálů pomocí vizualizační techniky Vlastimil Hotař, Ondřej Matúšek Katedra sklářských strojů a robotiky Fakulta

Více

Pohled do nitra mikroprocesoru Josef Horálek

Pohled do nitra mikroprocesoru Josef Horálek Pohled do nitra mikroprocesoru Josef Horálek Z čeho vycházíme = Vycházíme z Von Neumannovy architektury = Celý počítač se tak skládá z pěti koncepčních bloků: = Operační paměť = Programový řadič = Aritmeticko-logická

Více

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Více

25 A Vypracoval : Zdeněk Žák Pyrometrie υ = -40 C.. +10000 C. Výhody termovize Senzory infračerveného záření Rozdělení tepelné senzory

25 A Vypracoval : Zdeněk Žák Pyrometrie υ = -40 C.. +10000 C. Výhody termovize Senzory infračerveného záření Rozdělení tepelné senzory 25 A Vypracoval : Zdeněk Žák Pyrometrie Bezdotykové měření Pyrometrie (obrázky viz. sešit) Bezdotykové měření teplot je měření povrchové teploty těles na základě elektromagnetického záření mezi tělesem

Více

Měřicí řetězec. měřicí zesilovač. převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku

Měřicí řetězec. měřicí zesilovač. převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku Měřicí řetězec fyzikální veličina snímač měřicí zesilovač A/D převodník počítač převod fyz. veličiny na elektrickou (odpor, proud, napětí, kmitočet...) převod na napětí a přizpůsobení rozsahu převodníku

Více