PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky optoelektronických součástek
|
|
- Marcela Horáčková
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III. Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Lukáš Vejmelka obor (kruh) FMUZV (73) dne Odevzdal dne: Připomínky opravujícího: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická část 0 1 Výsledky měření 0 8 Diskuse výsledků 0 4 Závěr 0 1 Seznam použité literatury 0 1 Celkem max. 20 Posuzoval: dne
2 1 Zadání úlohy 1. Změřte voltampérovou a světelnou charakteristiku připravené luminiscenční diody v propustném směru a určete, z jakého materiálu je dioda zhotovena. Naměřené charakteristiky zpracujte graficky. Nezapomeňte na graf ln(i F ) vs. U F. 2. Ze změřené V-A charakteristiky určete statický odpor R d, dynamický odpor R di, hodnotu konstanty n a prahové napětí U. 3. Změřte charakteristiky fototranzistoru při třech různých hladinách osvětlení. Určete zisk fototranzistoru. 2 Teoretický úvod měření V této úloze se budeme zabývat charakteristikami optoelektronických součástek luminiscenční diody a fototranzistoru. Určíme jejich VA a světelné charakteristiky a z nich pak některé z jejich parametrů. Polovodiče a PN přechod Dle elektrické vodivosti a její teplotní závislosti lze rozlišovat látky na vodiče, polovodiče a izolanty. Každý z těchto typů látky má charakteristické energetické pásové schéma. Šířka a pozice zakázaného pásu pak určuje, o jakou látku se jedná. Šířka zakázaného pásu u izolantů bývá 3 ev, zatímco u polovodiče pouze 1 ev. U vodičů je již za běžných podmínek určitá část elektronů ve vodivostním pásu. [1] V případě čistých polovodičů mluvíme o vlastní vodivosti, kdy dodáním energie může elektron překonat zakázaný pás a dostat se do pásu vodivostního. S roustoucí teplotou tak vodivost polovodičů roste. Přidáme-li např. do čistého křemíku, který je čtyřvazný, třívaznou příměs, vznikne polovodič typu P, ve kterém jsou majoritními nosiči kladné díry. Naopak znečištěním pětivaznou příměsí ziskáme polovodič typu N, ve kterém jsou majoritními nosiči záporné elektrony. [1] Zajistíme-li navázání oblastí typu N a P v rámci jednoho monokrystalu, hovoříme o PN přechodu. Na přechodu vznikne tenká vrstvička s prostorovým nábojem tak, aby nastala rovnováha mezi driftovým proudem elektronu a děr a proudem způsobeným koncentračním spádem. Tím vznikne potenciálový val o velikosti eu d, kde U d je difůzní napětí, jehož potenciál přibližně odpovídá šířce zakázaného pásu E g. [1] Luminiscenční dioda Luminiscenční dioda (LED) je optoelektronický zdroj světla založený na elektroluminiscenčním jevu, při kterém proud protékající PN přechod způsobí emisi fotonů. Napětí přiložené v propustném směru představuje vstřikování minoritních nosičů do vodivostních oblastí, přičemž dochází k zářivým rekombinacím elektronů z části typu P a děr z části typu N s majoritními nosiči. Energie emitovaných fotonů, a tedy i jejich frekvence a vlnová délka, závisí na šířce zakázaného pásu. Lze přibližně psát, že hν E g. [1] Při studiu luminiscenčních diod nás zajímá především VA charakteristika a charakteristika světelná, tj. závislost světelného toku (či úměrné veličiny) na napětí přiložené k diodě. Veličinou 2
3 úměrnou světelnému toku je například proud tekoucí fotodiodou, která může být detektorem emitovaného záření. [1] Nechť U F je napětí na diodě, I F proud tekoucí přechodem PN, R S sériový odpor diody. Pak jestliže eu F 4kT a současně U F I F R S, lze psát pro závislost I F = I F (U F ) I F = I 0 e eu F nkt, (1) kde T je teplota diody, k Boltzmannova konstanta a n konstanta zahranující geometrické, technologické a další vlastnosti přechodu. [1] Sériový statický odpor v daném pracovním bodě [U F0, I F0 ] je dán vztahem [1] Dynamický odpor pak určíme jako [1] R d = U F 0 I F0. (2) R di = du F di F. (3) IF0 Prahové napětí U určíme extrapolací lineární části VA charakteristiky. Hodnotu konstanty n lze určit buďto fitací exponenciály na exponenciální část charakteristiky (nízké teploty, tj. malé proudy), nebo ze směrnice linearizované exponenciální části VA charakteristiky. Konstantu n tedy určíme ze směrnice s lineární části závislosti ln I F = f(u F ) podle (1) jako Fotodioda n = e skt. (4) Fotodioda je optoelektronickým detektorem záření využívající inverzní děj k jevu elektroluminiscenčnímu. Dopadají-li na rozhraní PN fotony dostatečné energie, způsobí vznik elektromotorického napětí na vývodech součástky a hovoříme o fotovoltaickém jevu na přechodu PN. Fotoproud v hradlovém režimu (nulové napětí) závisí na světelném toku (až do nasycení) téměř lineárně, čehož využíváme například při určování světelných charakteristik luminiscenčních diod. [1] Fototranzistor Fototranzistor je tranzistor, kde kolektorový proud je suplován dopadem fotonů na přechod báze kolektor. Zkratujeme-li vývody báze a emitoru fototranzistoru, bude se chovat jako fotodioda a součástkou bude protékat primární fotoproud I Φ. Je-li kolektorový proud bez zkratování při daném osvětlení I CO, pak vztah I CO = GI Φ, (5) zavádí zisk fototranzistoru G. Zisk běžných fototranzistorů je 100. Ukazuje se, že proudový zesilovací činitel α 0 je se ziskem vázán vztahem G = 1 1 α 0. (6) U fototranzistoru nemusí být z principu vyvedena báze. K určení primárního fotoproudu a tedy zisku fototranzistoru je však vývod nutný. [1] 3
4 2.1 Použité přístroje, měřidla, pomůcky Luminiscenční dioda LQ1131, optočlen WK16414, multimetr MASTECH MY-65, ampérmetr RFT voltmeter G , měřící přístroj Keithley 6457 picometer/voltage source, duální stabilizovaný zdroj BS 525, vodiče a PC. 2.2 Důležité hodnoty, konstanty, vlastnosti Důležité hodnoty pro výpočet nebo látkové konstanty pro porovnání výsledků. ˆ Boltzmannova konstanta: k. = 1, J K 1 [2] ˆ Elementární elektrický náboj: e. = 1, C [3] 2.3 Popis postupu vlastního měření Měření charakteristik fotodiody Zapojíme obvod podle schématu na obrázku 1. Při různých napětích na diodě U F měříme proud I F jí protékající a proud tekoucí fotodiodou I Φ, která je spolu s LED diodou umístěna ve světelně izolované krabičce. Proud tekoucí diodou nesmí překročit hodnotu 30 ma. Obrázek 1: Měření voltampérové a světelné charakteristiky luminiscenční diody. (Zdroj [1]) Měření charakteristik fototranzistoru Jako prvek s chováním fototranzistoru budeme měřit optočlen. Zapojíme obvod podle schématu na obrázku 2. Nastavíme proud I ς osvětlovacím prvkem optočlenu (0,2 ma, 0,4 ma a 0,6 ma) a spustíme trigger. Přístroj Keithley sám nastavuje napětí U CE a měří proud I CO. Získaná data lze stáhnout do počítače. Při měření by neměla být kolektorová ztráta vyšší jak 0,5 mw. Charakteristiku proměříme nejprve při hrubším napěťovém kroku a dle potřeby můžeme proměřit některé části charakteristiky jemněji. Pro určení zisku je třeba navíc znát primární fotoproud I Φ. Ten naměříme tehdy, vyřadíme-li přechod báze-emitor propojením jejich vývodů. 4
5 Obrázek 2: Měření VA charakteristiky optočlenu při různých hladinách osvětlení. (Zdroj [1]) 3 Výsledky měření 3.1 Laboratorní podmínky Teplota v laboratoři: 23,4 C. Atmosférický tlak: 969,0 hpa. Vlhkost vzduchu: 28,8 %. 3.2 Způsob zpracování dat Určení prahového napětí luminiscenční diody V závislosti I F = I F (U F ) extrapolujeme lineární část charakteristiky. Průsečík s napěťovou osou pak představuje prahové napětí U. Chyba je dána chybou určení koeficientů extrapolace. Určení materiálu luminiscenční diody Na základě zjištěné hodnoty prahového napětí určíme materiál podle údajů z [1], které přířazují prahovým napětím materiály, z nichž je přechod zhotoven. Statický a dynamický odpor luminiscenční diody Oba odpory určíme dle definičních vztahů (2) a (3). Hodnoty budeme určovat v pracovním bodě, ve kterém je I F = 20 ma. Statický odpor určíme pomocí hodnot napětí a proudu získaných z regresního proložení lineární části charakteristiky. Dynamický odpor určíme fitací lineární přímky v dostatečně malé oblasti kolem dané hodnoty proudu (téměř tečna), ovšem s dostatkem experimentálních bodů. Chyby budou vypočítány z chyb regresních koeficientů fitovaných přímek. Konstanta n luminiscenční diody Vykreslíme závislost přirozeného logaritmu proudu I F na napětí U F. Hodnotu konstanty n určíme ze směrnice lineární části charakteristiky pomocí vztahu (4). Chyba bude určena chybou regresního koeficientu a nejistoty určení teploty přechodu. Hodnoty konstant e a k považujeme za přesné. Zisk fototranzistoru Zisk fototranzistoru při jednotlivých osvětlovacích proudech I ς určíme podle vztahu (5). 5
6 3.3 Naměřené hodnoty Naměřené a zpracované hodnoty udávají tabulky 1,2 a Zpracování dat, číselné a jiné výsledky Prahové napětí a materiál diody LQ 1131 Určení prahového napětí U je zaznamenáno v grafu 1. K extrapolaci byla vybrána lineární oblast VA charakteristiky (vymezena čárkovanými čárami). Parametry přímky extrapolace y = ax + b vypočítal program QtiPlot následovně a = (259 ± 16) ma V 1, b = ( 409 ± 27) ma, P 1. Prahové napětí je průsečík extrapolace s napěťovou osou. Užitím chyb pak dostáváme U = (1,58 ± 0,14) V, P 1. Na základě naměřeného napětí U a přehledu odpovídajících materiálů v [1] lze soudit, že dioda LQ 1131 je vyrobena z GaAsP. Statický a dynamický odpor Pracovní bod, ve kterém určujeme odpory (I F0 = 20mA) je zakreslen v grafu 2. Napětí U F0 příslušící proudu I F0 jsme určili z regresního proložení lineární části VA charakteristiky získaného při určování U. Dostáváme U F0 = (1,66 ± 0,10) V, P 1. Statický odpor ve zkoumaném pracovním bodě je tak R d = U F 0 I F0 = (83 ± 4) Ω, P 1. Dynamický odpor určíme přiložením tečny v daném bodě. Oblast přikládání tečné přímky (1,650 1,665) V je v grafu 2 vyznačena čárkovaně, pracovní bod čerchovaně. Parametry tečné přímky y = ax + b vypočítal program QtiPlot následovně a = (338 ± 36) ma V 1, b = ( 542 ± 57) ma, P 1. Hledaný dynamický odpor odpovídá reciproké hodnotě směrnice této přímky. Dostáváme R di = 1 a = (3,0 ± 0,3) Ω, P 1. Konstanta n diody LQ 1131 Graf 3 představuje závislost logaritmu proudu na napětí. Exponenciální část původní voltampérové charakteristiky je v tomto grafu lineární. Parametr n určíme se směrnice přímky fitované lineární oblasti. Program QtiPlot určil směrnici přímky y = sx + b takto s = (25,2 ± 0,3), P 1. 6
7 Tabulka 1: Měření char. diody LQ U F [V] I F [ma] I Φ [µa] I Φ /I Φ [%] 1,4273 0,103 0, ,4918 0,511 0, ,5184 1,008 0, ,5344 1,517 0, ,5445 1,99 0, ,5537 2,50 0, ,5613 3,00 0, ,5674 3,48 0, ,5734 4,00 0, ,5784 4,49 0, ,5834 5,04 0, ,5873 5,49 0, ,5914 6,00 0, ,5953 6,50 0, ,5989 7,01 0, ,6021 7,51 0, ,6051 7,99 0, ,6084 8,50 0, ,6112 8,99 0, ,6141 9,51 0, , ,01 0, , ,59 0, , ,04 0, , ,52 0, , ,02 1, , ,54 1, , ,07 1, , ,49 1, , ,01 1, , ,55 1, , ,01 1, , ,52 1, , ,05 1, , ,52 1, , ,06 1, , ,50 1, , ,05 1, , ,52 1, , ,01 1, , ,52 1, , ,0 1, , ,6 1, , ,0 1, , ,4 1, , ,0 1, , ,4 1, , ,0 1, , ,5 2, , ,0 2,
8 Tabulka 2: Měření VA charakteristik fototranzistoru při I ς. I ς = 0,2 ma I ς = 0,4 ma I ς = 0,6 ma U CE [V] I CO [µa] U CE [V] I CO [µa] U CE [V] I CO [µa] 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,02 0,02 0,02 0,09 0,02 0,23 0,04 0,07 0,04 0,30 0,04 0,74 0,06 0,17 0,06 0,74 0,06 1,80 0,08 0,35 0,08 1,58 0,08 3,86 0,10 0,68 0,10 3,13 0,10 7,75 0,12 1,23 0,12 5,77 0,12 14,43 0,14 1,98 0,14 9,51 0,14 24,07 0,16 2,83 0,16 13,90 0,16 35,56 0,18 3,61 0,18 18,05 0,18 46,52 0,20 4,21 0,20 21,27 0,20 55,04 0,22 4,60 0,22 23,41 0,22 60,72 0,24 4,84 0,24 24,72 0,24 64,17 0,26 4,97 0,26 25,47 0,26 66,15 0,28 5,05 0,28 25,88 0,28 67,35 0,30 5,08 0,30 26,11 0,30 67,74 0,50 5,17 0,30 25,99 0,35 68,43 1,00 5,24 0,70 26,61 0,40 68,72 1,50 5,30 1,10 26,91 0,45 68,84 2,00 5,36 1,50 27,23 0,50 68,97 2,50 5,41 1,90 27,42 0,55 69,02 3,00 5,44 2,30 27,61 0,60 69,24 3,50 5,49 2,70 27,82 0,80 69,70 4,00 5,53 3,10 28,04 1,00 70,10 4,50 5,58 3,50 28,18 1,20 70,45 5,00 5,62 3,90 28,37 1,40 70,87 5,50 5,68 4,30 28,57 1,60 71,19 6,00 5,68 4,70 28,70 1,80 71,49 6,50 5,72 5,10 28,85 2,00 71,80 7,00 5,75 5,50 29,01 2,20 72,09 5,90 29,15 2,40 72,36 6,30 29,28 2,60 72,61 6,70 29,37 2,80 72,86 7,00 29,49 3,00 73,11 3,20 73,38 3,40 73,62 3,60 73,86 3,80 74,06 4,00 74,32 4,20 74,54 Tabulka 3: Zisk fototranzistoru při různých I ς. I ς [ma] I CO [µa] I Φ [na] G[1] δ G [1] 0,2 5,4 30, ,4 27,5 106, ,6 71,8 224,
9 Ze vztahu (4) určíme hledanou konstantu. Předpokládáme-li teplotu (300 ± 15)K, pak n = e skt Světelná charakteristika diody LQ 1131 = (1,54 ± 0,08), P 1. Proud tekoucí detekční fotodiodou vztáhneme k proudu, který jí teče při prahovém napětí na luminiscenční diodě. Tento poměr proudů odpovídá relativní hladině osvětlení Φ/Φ 0. V grafu 4 světelné charakteristiky je tento poměr vynesen v procentech. Určení zisku fototranzistoru Naměřené proudy I CO a I Φ při 2V pro jednotlivé osvětlovací proudy I ς jsou v tabulce 3. Výpočtem podle vztahu (5) dostáváme hodnoty zisků pro jednotlivá osvětlení 3.5 Grafické výsledky měření G 0,2 = (178 ± 8), P 1, G 0,4 = (258 ± 12), P 1, G 0,6 = (319 ± 15), P 1. Grafy 1-4 se týkají diody LQ 1131, graf 5 optočlenu WK16414 jako fototranzistoru. 9
10 IF[mA] Experimentální body F1 F2 F3 Graf 1: F4VA charakteristika luminiscenční diody LQ 1131 NonLinearFit2 Dataset: Table1 Experimentální 2 body Function: a*x+b Extrapolace Chiˆ2/doF Oblast = 3, e-02 extrapolace Rˆ2 = 0, a = 3, e+02 +/- 1, e+01 b = -5, e+02 +/- 1, e+01 F1 F2 F3 F4 0 1,45 1,5 1,55 1,6 1,65 1,7 U F [V] 25 Graf 2: VA charakteristika luminiscenční diody LQ 1131 pro určení statického a dynamického odporu při 20 ma 20 IF[mA] Experimentální body Pracovní bod Oblast regrese Lineární regrese 5 0 1,45 1,5 1,55 1,6 1,65 U F [V] 10
11 5 Graf 3: Logaritmovaná VA charakteristika luminiscenční diody LQ 1131 pro určení parametru n z lineární části Experimentální body Lineární oblast pro regresi Lineární regrese ln{if}[1] 0 1,4 1,45 1,5 1,55 1,6 1,65 U F [V] 600 Graf 4: Světelná charakteristika lum. diody LQ 1131 Experimentální body Φ/Φ [%] ,45 1,5 1,55 1,6 1,65 1,7 U F [V] 11
12 Graf 5: VA charakteristiky fototranzistoru při různých hladinách osvětlení I CO při I ς = 0,2 ma I CO při I ς = 0,4 ma I CO při I ς = 0,6 ma Ztráty P C = I CO U CE Napětí k určení zisku 0,35 0,3 0,25 ICO[µA] 40 0,2 0,15 PC[mW] 20 0,1 0, Diskuze výsledků U CE [V] Voltampérová charakteristika luminiscenční diody v propustném směru je diodového typu při podmínkách měření je oblast do prahového napětí přibližně exponenciální, dále je závislost téměř lineární. Exponenciální část VA charakteristiky je lineární část závislosti v grafu 3. Prahové napětí diody LQ 1131 je 1, 6 V, což odpovídá materiálu GaAsP. Světelná charakteristika je v grafu 4, kde závisle proměnnou je poměr proudu fotodiodou ku proudu, který jí protéká při prahovém napětí na LED. Při zvětšování napětí od prahového hodnoty U dochází k prudkému nárůstu proudu (Graf 1) i vyzařovaného světelného toku (Graf 4). Naměřené hodnoty statického (1,7 Ω) a dynamický (83 Ω) odporu luminiscenční diody jsou v souladu s řádovým očekáváním z [1]. Zisk fototranzistoru závisí na osvětlovacím proudu. Zisk G fototranzistoru s proudem I ς roste. Lineární extrapolací na na hodnotu I ς = 1 ma, při kterém udává datasheet optočlenu zisk G 1 = 500 při 5 V, dostáváme zisk G 1 = (464 ± 40). Přestože námi určený zisk je při napětí 2 V, lze hodnoty orientačně porovnávat, neboť neočekáváme výrazné změny zisku v této části VA charakteristiky. Chyby měřených veličin jsou poměrně velké. Jsou dány velkou nejistotou regresních koeficientů fitovaných přímek. Z toho důvodu nebyly započítány chyby měřících přístrojů, neboť jsou 12
13 vůči regresním chybám zanedbatelné. Při měření optočlenu byl měřen tzv. temný proud, tj. závislost proudu na napětí při nulovém osvětlovacím proudu. Hodnota temného proudu byla řádově 0,1 na. Vzhledem k velikosti proudů I CO by se korekce na temný proud neprojevila. Přesnějších výsledků při měření VA charakteristiky luminiscenční diody by bylo možné dosáhnout měřením pomocí přístroje Keithley 6487, který byl užit pro měření fototranzistoru. 5 Závěr Prahové napětí luminiscenční červené diody LQ 1131 je U = (1,58 ± 0,14) V, P 1. Dioda je zhotovena z materiálu GaAsP. Statický odpor diody LQ 1131 při 20 ma je Dynamický odpor je R d = (83 ± 4) Ω, P 1. Konstanta n diody LQ 1131 byla určena R di = (3,0 ± 0,3) Ω, P 1. n = (1,54 ± 0,08), P 1. Zisky fototranzistoru (optočlen WK16414) při jednotlivých osvětlovacích proudech jsou G 0,2 = (178 ± 8), P 1, G 0,4 = (258 ± 12), P 1, G 0,6 = (319 ± 15), P 1. Voltampérová charakteristika měřené luminiscenční diody má v propustném směru typický diodový průběh. Kolektorový proud s napětím kolektor-emitor fototranzistoru nejprve strmě roste, dále dojde ke zlomu a proud roste střídmě. Seznam použité literatury [1] ZFP III MFF UK Praha: Fyzikální praktikum, studijní text. ( ). [2] Wikipedia, internetová encyklopedie: Boltzmannova konstanta. ( ). [3] Wikipedia, internetová encyklopedie: Elementární náboj. ( ). 13
Praktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK Praktikum III - Optika Úloha č. 5 Název: Charakteristiky optoelektronických součástek Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 2. 3. 28
VícePraktikum II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. XI Název: Charakteristiky diod Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17.10.2008 Odevzdal
VícePRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky termistoru. stud. skup.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II. Úloha č. IX Název: Charakteristiky termistoru Pracoval: Lukáš Vejmelka stud. skup. FMUZV (73) dne 17.10.2013 Odevzdal
VícePRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 0 5 Teoretická
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Měření indexu lomu Jaminovým interferometrem
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III. Úloha č. 19 Název: Měření indexu lomu Jaminovým interferometrem Pracoval: Lukáš Vejmelka obor (kruh) FMUZV (73) dne 17.3.2014
VícePraktikum II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. II Název: Měření odporů Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17.10.2008 Odevzdal dne:...
VíceÚloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek
Petra Suková, 2.ročník, F-14 1 Úloha 5: Charakteristiky optoelektronických součástek 1 Zadání 1. Změřte voltampérové a světelné charakteristiky připravených luminiscenčních diod v propustném směru a určete,
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: IX Název: Charakteristiky termistoru Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 31.10.2008
VíceMĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE
Úloha č. 3 MĚŘÍ TRAZISTOROVÉHO ZSILOVAČ ÚOL MĚŘÍ:. Změřte a) charakteristiku I = f (I ) při U = konst. tranzistoru se společným emitorem a nakreslete její graf; b) zesilovací činitel β tranzistoru se společným
Více1. Změřte voltampérovou charakteristiku vakuové diody (EZ 81) pomocí zapisovače 4106.
1 Pracovní úkol 1. Změřte voltampérovou charakteristiku vakuové diody (EZ 81) pomocí zapisovače 4106. 2. Změřte voltampérovou charakteristiku Zenerovy diody (KZ 703) pomocí převodníku UDAQ- 1408E. 3. Pro
VícePRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Elektrická vodivost elektrolytů. stud. skup.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II. Úloha č. 26 Název: Elektrická vodivost elektrolytů Pracoval: Lukáš Vejmelka stud. skup. FMUZV 73) dne 12.12.2013 Odevzdal
Více1. Změřte statickou charakteristiku termistoru pro proudy do 25 ma a graficky ji znázorněte.
1 Pracovní úkoly 1. Změřte statickou charakteristiku termistoru pro proudy do 25 ma a graficky ji znázorněte. 2. Změřte teplotní závislost odporu termistoru v teplotním intervalu přibližně 180 až 380 K.
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal
VícePRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM I. úlohač.8 Název: Kalibrace odporového teploměru a termočlánku- fázové přechody Pracoval: Lukáš Ledvina stud.skup.17 24.3.2009
VíceELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH
LKTRIKÝ ROUD V OLOVODIČÍH 1. olovodiče olovodiče mohou snadno měnit svůj odpor. Mohou tak mít vlastnosti jak vodičů tak izolantů, což záleží například na jejich teplotě, osvětlení, příměsích. Odpor mění
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VíceMěření Planckovy konstanty
Měření Planckovy konstanty Online: http://www.sclpx.eu/lab3r.php?exp=2 Pro stanovení přibližné hodnoty Planckovy konstanty jsme vyšli myšlenkově z experimentu s LED diodami, viz např. [8], [81], nicméně
VícePraktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum III - Optika Úloha č. 17 Název: Měření absorpce světla Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 17. 4. 008 Odevzdal dne:...
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: II Název: Měření odporů Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 28.11.2008 Odevzdal
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceCharakteristiky optoelektronických součástek
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Spolupracoval Jan Floryček Jméno a příjmení Jakub Dvořák Ročník 1 Měřeno dne Předn.sk.-Obor BIA 27.2.2007 Stud.skup. 13 Odevzdáno dne Příprava Opravy Učitel
VíceÚloha I.E... nabitá brambora
Fyzikální korespondenční seminář MFF K Úloha.E... nabitá brambora Řešení XXV..E 8 bodů; průměr 3,40; řešilo 63 studentů Změřte zátěžovou charakteristiku brambory jako zdroje elektrického napětí se zapojenými
VíceI Mechanika a molekulová fyzika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM I Mechanika a molekulová fyzika Úloha č.: XVII Název: Studium otáčení tuhého tělesa Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12
VíceMĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ
Úloha č. MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO SMĚRŇOVČE STBILIZCE NPĚTÍ ÚKOL MĚŘENÍ:. Změřte charakteristiku křemíkové diody v propustném směru. Měřenou závislost zpracujte graficky formou I d = f ( ). d. Změřte závěrnou
VícePRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. úloha č. 11 Název: Dynamická zkouška deformace látek v tlaku
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM I. úloha č. 11 Název: Dynamická zkouška deformace látek v tlaku Pracoval: Jakub Michálek stud. skup. 15 dne:. dubna 009 Odevzdal
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Úlohač.IV
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III Úlohač.IV Název: Měření fotometrického diagramu. Fotometrické veličiny a jejich jednotky Vypracoval: Petr Škoda Stud.
VíceJméno a příjmení. Ročník. Měřeno dne. 11.3.2013 Příprava Opravy Učitel Hodnocení. Charakteristiky optoelektronických součástek
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Ústav fyziky FEKT VUT BRNO Jméno a příjmení Petr Švaňa Ročník 1 Předmět IFY Kroužek 38 ID 155793 Spolupracoval Měřeno dne Odevzdáno dne Ladislav Šulák 25.2.2013 11.3.2013 Příprava Opravy
VícePRAKTIKUM I. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Studium harmonických kmitů mechanického oscilátoru
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM I. Úloha č. II Název: Studiu haronických kitů echanického oscilátoru Pracoval: Lukáš Vejelka stud. skup. FMUZV (73) dne 2.2.23
VíceLaboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody
Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 2. ročník šestiletého studia Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní vědy moderně a interaktivně
VíceVLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU
VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU Úvod: Čas ke studiu: Polovodičové součástky pro výkonovou elektroniku využívají stejné principy jako běžně používané polovodičové součástky
VíceTEPELNÉ ÚČINKY EL. PROUDU
Univerzita Pardubice Fakulta elektrotechniky a informatiky Materiály pro elektrotechniku Laboratorní cvičení č 1 EPELNÉ ÚČINKY EL POUDU Jméno(a): Jiří Paar, Zdeněk Nepraš Stanoviště: 6 Datum: 21 5 28 Úvod
VícePRAKTIKUM II. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Hallův jev. stud. skup. FMUZV (73) dne 5.12.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II. Úloha č. 10 Název: Hallův jev Pracoval: Lukáš Vejmelka stud. skup. FMUZV (73) dne 5.12.2013 Odevzdal dne: Možný počet
VíceIng. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor 06.43.
STŘEDNÍ PRŮMYSLOVÁ ŠKOLA STROJNICKÁ A STŘEDNÍ ODBORNÁ ŠKOLA PROFESORA ŠVEJCARA, PLZEŇ, KLATOVSKÁ 109 Ing. Milan Nechanický Měření a diagnostika Cvičení SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU 23-41-M/01 Elektrotechnika
VíceElektrotechnická měření - 2. ročník
Protokol SADA DUM Číslo sady DUM: Název sady DUM: VY_32_INOVACE_EL_7 Elektrotechnická měření pro 2. ročník Název a adresa školy: Střední průmyslová škola, Hronov, Hostovského 910, 549 31 Hronov Registrační
Víceλ hc Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda
Optoelektronické součástky Fotorezistor, Laserová dioda Úvod Optoelektronické součástky jsou založeny na interakci optického záření s elektricky nabitými částicemi v polovodičích. Vztah mezi energií fotonů
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: X Název: Hallův jev Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 19.12.2008 Odevzdal dne:
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
VíceELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_3S3_D14_Z_OPAK_E_Elektricky_proud_v_kapalinach _plynech_a_polovodicich_t Člověk a příroda
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Jan Polášek stud. skup. 11 dne 23.4.2009.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III Úloha č. XXVI Název: Vláknová optika Pracoval: Jan Polášek stud. skup. 11 dne 23.4.2009 Odevzdal dne: Možný počet bodů
VíceÚloha č.: XVII Název: Zeemanův jev Vypracoval: Michal Bareš dne 18.10.2007. Posuzoval:... dne... výsledek klasifikace...
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM IV Úloha č.: XVII Název: Zeemanův jev Vypracoval: Michal Bareš dne 18.10.2007 Odevzdal dne:... vráceno:... Odevzdal dne:...
VíceMěření výstupní práce elektronu při fotoelektrickém jevu
Měření výstupní práce elektronu při fotoelektrickém jevu Problém A. Změřit voltampérovou charakteristiku ozářené vakuové fotonky v závěrném směru. B. Změřit výstupní práci fotoelektronů na fotokatodě vakuové
VíceFyzikální praktikum...
Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum... Úloha č.... Název úlohy:... Jméno:...Datum měření:... Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při
Více2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače
. Pasivní snímače Pasivní snímače mění při působení měřené některou svoji charakteristickou vlastnost. Její změna je pak mírou hodnoty měřené veličiny a ta potom ovlivní tok elektrické energie ve vyhodnocovacím
VíceZavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích
Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově 07_3_Elektrický proud v polovodičích Ing. Jakub Ulmann 3 Polovodiče Př. 1: Co je to? Př. 2: Co je to? Mikroprocesor
Více1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703).
1 Pracovní úkoly 1. Stanovte a graficky znázorněte charakteristiky vakuové diody (EZ 81) a Zenerovy diody (KZ 703). 2. Určete dynamický vnitřní odpor Zenerovy diody v propustném směru při proudu 200 ma
VíceStudium kladného sloupce doutnavého výboje pomocí elektrostatických sond: jednoduchá sonda
1 Úvod Studium kladného sloupce doutnavého výboje pomocí elektrostatických sond: jednoduchá sonda V této úloze se zaměříme na měření parametrů kladného sloupce doutnavého výboje, proto je vhodné se na
VícePraktikum I Mechanika a molekulová fyzika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum I Mechanika a molekulová fyzika Úloha č. III Název: Proudění viskózní kapaliny Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 16 dne: 20.3.2008
VíceElektronické praktikum EPR1
Elektronické praktikum EPR1 Úloha číslo 2 název Vlastnosti polovodičových prvků Vypracoval Pavel Pokorný PINF Datum měření 11. 11. 2008 vypracování protokolu 23. 11. 2008 Zadání 1. Seznamte se s funkcí
VíceFyzikální praktikum...
Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum... Úloha č.... Název úlohy:... Jméno:...Datum měření:... Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při
Více3. Změřte závislost proudu a výkonu na velikosti kapacity zařazené do sériového RLC obvodu. P = 1 T
1 Pracovní úkol 1. Změřte účiník (a) rezistoru (b) kondenzátoru (C = 10 µf) (c) cívky Určete chybu měření. Diskutujte shodu výsledků s teoretickými hodnotami pro ideální prvky. Pro cívku vypočtěte indukčnost
VíceOddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Praktikum IV
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum IV Úloha č. A13 Určení měrného náboje elektronu z charakteristik magnetronu Název: Pracoval: Martin Dlask. stud. sk.: 11 dne:
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: VII Název: Měření indukčnosti a kapacity metodou přímou Pracoval: Pavel Brožek stud.
VícePRAKTIKUM... Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Odevzdal dne: Seznam použité literatury 0 1. Celkem max.
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky M UK PRAKTIKUM... Úloha č. Název: Pracoval: stud. skup. dne Odevzdal dne: Možný počet bodů Udělený počet bodů Práce při měření 5 Teoretická
VíceOddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM I Úloha číslo: X Název: Rychlost šíření zvuku Vypracoval: Ondřej Hlaváč stud. skup.: F dne: 7. 3. 00 Odevzdal dne:
VíceFyzikální praktikum II
Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum II Úloha č. 9 Název úlohy: Charakteristiky termistoru Jméno: Ondřej Skácel Obor: FOF Datum měření: 16.11.2015 Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího:
VíceNázev: Chování cívky v obvodu, vlastní indukce, indukčnost
Název: Chování cívky v obvodu, vlastní indukce, indukčnost Autor: Mgr. Lucia Klimková Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika (Matematika) Tematický
VíceMěření šířky zakázaného pásu polovodičů
Měření šířky zakázaného pásu polovodičů Úkol : 1. Určete šířku zakázaného pásu ze spektrální citlivosti fotorezistoru pro šterbinu 1,5 mm. Na monochromátoru nastavujte vlnovou délku od 200 nm po 50 nm
Více4. STANOVENÍ PLANCKOVY KONSTANTY
4. STANOVENÍ PLANCKOVY KONSTANTY Měřicí potřeby: 1) kompaktní zařízení firmy Leybold ) kondenzátor 3) spínač 4) elektrometrický zesilovač se zdrojem 5) voltmetr do V Obecná část: Při ozáření kovového tělesa
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XVIII Název: Přechodové jevy v RLC obvodu Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 24.10.2008
VíceOddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Pracoval: Jiří Kozlík dne: 17.10.2013
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Úloha č. 5 Název: Měření osciloskopem Pracoval: Jiří Kozlík dne: 17.10.2013 Odevzdal dne: 24.10.2013 Pracovní úkol 1. Pomocí
VícePraktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum III - Optika Úloha č. 1 Název: Studium rotační disperze křemene a Kerrova jevu v kapalině Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.:
VíceLaboratorní úloha č. 1 Základní elektrická měření
Laboratorní úloha č. 1 Základní elektrická měření Úkoly měření: 1. Zvládnutí obsluhy klasických multimetrů. 2. Jednoduchá elektrická měření měření napětí, proudu, odporu. 3. Měření volt-ampérových charakteristik
VíceLaboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody
Přírodní vědy moderně a interaktivně FYZIKA 5. ročník šestiletého a 3. ročník čtyřletého studia Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody G Gymnázium Hranice Přírodní
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B zahájení třetího ročníku
ETC Embedded Technology Club setkání 5, 3B 6.11. 2018 zahájení třetího ročníku Katedra měření, Katedra telekomunikací,, ČVUT- FEL, Praha doc. Ing. Jan Fischer, CSc. ETC club,5, 3B 30.10.2018, ČVUT- FEL,
VíceIdeální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu. pásová struktura polovodiče
Cvičení 3 Ideální krystalová mřížka periodický potenciál v krystalu Aplikace kvantové mechaniky pásová struktura polovodiče Nosiče náboje v polovodiči hustota stavů obsazovací funkce, Fermiho hladina koncentrace
Více6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU
6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU Měřicí potřeby 1) solární baterie 2) termoelektrická baterie 3) univerzální měřicí zesilovač 4) reostat 330 Ω, 1A 5) žárovka 220 V / 120 W s reflektorem 6) digitální multimetr
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Studium ohybových jevů v laserovém svazku
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III. Úloha č. 6 Název: Studium ohybových jevů v laserovém svazku Pracoval: Lukáš Vejmelka obor (kruh) FMUZV (73) dne 10.3.2014
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
VíceNezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka
Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Ve vašich mobilních zařízeních je polovodičů mraky. Jak ale fungují? Otestujte své znalosti po zhlédnutí dílu. Kontrolní otázky 1. Kde najdeme polovodičové součástky?
VíceFyzikální praktikum č.: 2
Datum: 3.3.2005 Fyzikální praktikum č.: 2 Vypracoval: Tomáš Henych Název: Studium termoelektronové emise Úkoly: 1. Změřte výstupní práci w wolframu pomocí Richardsonovy Dushmanovy přímky. 2. Vypočítejte
VíceOddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Posuzoval:... dne:...
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum 1 Úloha č. 10 Název: Rychlost šíření zvuku Pracoval: Jan Kotek stud.sk.: 17 dne: 2.3.2012 Odevzdal dne:... možný počet bodů
VíceMĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY
Úloha č. 14a MĚŘENÍ PLANCKOVY KONSTANTY ÚKOL MĚŘENÍ: 1. Změřte napětí U min, při kterém se právě rozsvítí červená, žlutá, zelená a modrá LED. Napětí na LED regulujte potenciometrem. 2. Nakreslete graf
VíceMĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření. Měření parametrů tyristoru, část 3-5-3
MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru, část Číslo projektu: Název projektu: Šablona: III/2 Inovace a zkvalitnění výuky prostřednictvím ICT Sada: 20 Číslo materiálu: VY_32_INOVACE_
VíceZesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů
Zesilovač Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu Princip zesilovače Zesilovač je dvojbran který může současně zesilovat napětí i proud nebo pouze napětí
Více8. Operaèní zesilovaèe
zl_e_new.qxd.4.005 0:34 StrÆnka 80 80 Elektronika souèástky a obvody, principy a pøíklady 8. Operaèní zesilovaèe Operaèní zesilovaèe jsou dnes nejvíce rozšíøenou skupinou analogových obvodù. Jedná se o
Více11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),
11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče
Více4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Dioda VA 1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude
VíceLABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika
VUT FSI BRNO ÚVSSaR, ODBOR ELEKTROTECHNIKY JMÉNO: ŠKOLNÍ ROK: 2010/2011 PŘEDNÁŠKOVÁ SKUPINA: 1E/95 LABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika ROČNÍK: 1. KROUŽEK: 2EL SEMESTR: LETNÍ UČITEL: Ing.
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VícePraktikum III - Optika
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum III - Optika Úloha č. 3 Název: Mřížkový spektrometr Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 10. 4. 2008 Odevzdal dne:...
VíceR10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A. R10.1 Fotovoltaika
Fyzika pro střední školy II 84 R10 F Y Z I K A M I K R O S V Ě T A R10.1 Fotovoltaika Sluneční záření je spojeno s přenosem značné energie na povrch Země. Její velikost je dána sluneční neboli solární
VíceFyzikální praktikum II
Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum II Úloha č. 18 Název úlohy: Přechodové jevy v RLC obvodu Jméno: Ondřej Skácel Obor: FOF Datum měření: 2.11.2015 Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího:
VíceAbstrakt. fotodioda a fototranzistor) a s jejich základními charakteristikami.
Název a číslo úlohy: 9 Detekce optického záření Datum měření: 4. května 2 Měření provedli: Vojtěch Horný, Jaroslav Zeman Vypracovali: Vojtěch Horný a Jaroslav Zeman společnými silami Datum: 4. května 2
VíceAutor: Mgr. Lucia Klimková Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy
Název: Dioda Autor: Mgr. Lucia Klimková Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika (Matematika) Tematický celek: Elektřina a magnetismus Ročník:
VícePraktikum II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK Praktikum II Elektřina a magnetismus Úloha č. IXX Název: Měření s torzním magnetometrem Pracoval: Matyáš Řehák stud.sk.: 13 dne: 31.10.2008
VíceLaboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:
Laboratorní cvičení č.15 Název: Měření na optoelektronických prvcích Zadání: Změřte voltampérovou charakteristiku fototranzistoru, fotodiody (fotovodivostní a fotovoltaický režim) a fotorezistoru pro pět
VíceFyzikální praktikum II
Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum II Úloha č. 8 Název úlohy: Měření malých odporů Jméno: Ondřej Skácel Obor: FOF Datum měření: 30.11.2015 Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího:
VíceVoltův článek, ampérmetr, voltmetr, ohmmetr
Úloha č. 1b Voltův článek, ampérmetr, voltmetr, ohmmetr Úkoly měření: 1. Sestrojte Voltův článek. 2. Seznamte se s multimetry a jejich zapojováním do obvodu. 3. Sestavte obvod pro určení vnitřního odporu
VíceTranzistor polopatě. Tranzistor jako spínač
Tranzistor polopatě Ing. Jiří Bezstarosti Úlohou toho článku není vysvětlit fyzikální činnost tranzistoru, ale spíše naznačit způsoby jeho použití. Zároveň se tento článek bude snažit vysvětlit problematiku
Více2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte stupnici monochromátoru SPM 2.
1 Pracovní úkoly 1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i 0. 2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte
Víced p o r o v t e p l o m ě r, t e r m o č l á n k
d p o r o v t e p l o m ě r, t e r m o č l á n k Ú k o l : a) Proveďte kalibraci odporového teploměru, termočlánku a termistoru b) Určete teplotní koeficienty odporového teploměru, konstanty charakterizující
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceVOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD
Universita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Elektronické součástky Laboratorní cvičení č.1 VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Jméno: Pavel Čapek, Aleš Doležal, Lukáš Kadlec, Luboš Rejfek Studijní
VíceMartin Lipinský A05450 3.6.2007. Fyzikální Praktikum Měření proudu a napětí v obvodech elektrického proudu
Martin Lipinský A05450 3.6.2007 Fyzikální Praktikum Měření proudu a napětí v obvodech elektrického proudu Obsah 1.Měřící potřeby a přístroje...3 2.Obecná část...3 3.Postup měření...3 3.1Seriové zapojení
VícePRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. obor (kruh) FMUZV (73) dne
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM III. Úloha č. 11 Název: Stáčení polarizační roviny Pracoval: Lukáš Vejmelka obor (kruh) FMUZV (73) dne 7.4.2014 Odevzdal dne:
Více5. ELEKTRICKÁ MĚŘENÍ
Katedra obecné elektrotechniky Fakulta elektrotechniky a informatiky, VŠB - T Ostrava 5. ELEKTCKÁ MĚŘENÍ rčeno pro posluchače všech bakalářských studijních programů FS 5.1 Úvod 5. Chyby měření 5.3 Elektrické
Více4. Z modové struktury emisního spektra laseru určete délku aktivní oblasti rezonátoru. Diskutujte,
1 Pracovní úkol 1. Změřte současně světelnou i voltampérovou charakteristiku polovodičového laseru. Naměřené závislosti zpracujte graficky. Stanovte prahový proud i 0. 2. Pomocí Hg výbojky okalibrujte
VíceNa kterých veličinách závisí elektrický výkon a elektrická práce?
Na kterých veličinách závisí elektrický výkon a elektrická práce? Hodnocení 1. Zadejte hodnotu pro napětí U a intenzitu proudu I, které byly naměřeny na začátku experimentu pro lampu L1 a zaznamenané v
VíceDatum tvorby 15.6.2012
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_01_Lineární prvky el_obvodů Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
Více