Elektronová mikroskopie (jemný úvod do SEM, TEM) Rostislav Medlín NTC, ZČU

Transkript

1 Elektronová mikroskopie (jemný úvod do SEM, TEM) Rostislav Medlín NTC, ZČU

2 Motivace Dynamická difrakce v TEM Kinematická a dynamická difrakce dvousvazková aproximace v ideálním krystalu intenzity přímého a difraktovaného svazku kontrast anomální absorpce kvantově mechanické řešení schrodingerova rovnice v periodickém potenciálu aproximace volných elektronů symetrie Blochových fcí anomální absorpce ve dvousvazkové aproximaci - co je TEM & SEM, FE-SEM, STEM - zdroje el. - W, LaB6, FE - čočky, chyby - interakce el.-vzorek, rozlišení, SE, BSE, r-filtr, ESEM, Gentle Beam, detektory, EDS+SDD, EBSD - TEM BF, ADF, HAADF, Omega-filtr, EELS, HAADF, difrakční mód, přenosová fce, atomové rozlišení TEM Jeol JEM- 2200FS SEM FEI Quanta 200 SEM JEOL JSM-7600F

3 Outline Stručný úvod do elektronové mikroskopie - historie - elektronové zdroje, čočky a jejich vady - interakce elektronu se vzorkem - princip transmisní i skenovací mikroskopie Skenovací mikroskopie podrobněji - SE, BSE, r-filtr - ESEM, Gentle Beam - EDS, SDD - EBSD - Skenovací mikroskopy v NTC

4 Fotony Viditelné světlo nm Stručný úvod Seeing is believing Objekty menší než 100µm musíme promítnout na retinu dostatečně velké. K tomu účelu používáme lupy a mikroskopy. Ernst Abbe ( ) Abbeho limit (d = laterální rozlišení) 1,22 d 2 n sin 0,61 n sin - vlnová délka světla n index lomu - polovina vstupního úhlu čočky Existuje fyzikální limit Vlnová délka světla užívaného optickými přístroji nedovoluje rozlišit detaily menší než polovina jeho vlnové délky nm pro bílé světlo nm pro UV světlo

5 e - Fotony Stručný úvod Elektrony Hydrothermal worm Louis Victor Pierre Raymond 7. vévoda de Broglie Povrch CD Ebola Nanočástice 1924 Ph.D. za teorii elektronové vlny Nobelova cena h p Pohybující se elektron má vlastnosti podobné vlnění (platí pro jakoukoli částici) 100kV - 1,6 x 10 8 m/s 1 A ~ e - 1 e - na 0,16mm = 1000x vzorek (100nm) h ee m0ee(1 2m c relativistická vlnová délka elektronu )

6 1897 J.J. Thomson oznamuje existenci negativně nabité částice, později nazvané elektron 1924 L. de Broglie předpokládá, že pohybující se elektron má vlastnosti podobné vlnění 1926 H. Busch dokazuje fokusaci elektronů cylindrickou magnetickou čočkou základ elektronové optiky 1931 E. Ruska se spolupracovníky staví první elektronový mikroskop (Nobelova cena 1986) 1935 M. Knoll demonstruje možnost konstrukce rastrovacího elektronového mikroskopu, o tři roky později staví M. von Ardenne jeho prototyp 1939 Siemens představuje první komerční elektronový mikroskop 1965 Cambridge Instruments staví první komerční skenovací elektronový mikroskop Ernst Ruska Ernst Ruska: Knoll and I simply hoped for extremely low dimensions of the electrons. As engineers we did not know yet the thesis of the material wave of the French physicist de Broglie that had been put forward several years earlier (1925). Even physicists only reluctantly accepted this new thesis. When I first heard of it in summer 1931, I was very much disappointed that now even at the electron microscope the resolution should be limited again by a wavelength (of the electron). I was immediately heartened though, when, with the aid of the de Broglie equation I became satisfied that these waves must be around five orders of magnitude shorter in length than light waves. Thus, there was no reason to abandon the aim of electron microscopy surpassing the resolution of light microscopy... THE DEVELOPMENT OF THE ELECTRON MICROSCOPE AND OF THE ELECTRON MICROSCOPY Nobel lecture, December 8, 1986 První TEM se zv x Replika od Ernsta Ruska 1980, Deutsches Museum, Mnichov

7 1 Elektronové zdroje W LaB 6 FE-W Schottky

8 Elektronové čočky - Elektrostatické (větší vady) - Magnetické (menší vady) levně pouze spojky Lze spojitě měnit ohniskovou vzdálenost F e( v B) B r - radiální složka indukce B z - axiální složka indukce B B v v F r z - stáčení e - - fokusace e - z F r Korekční čočky Cs korektor

9 Vady elektronových čoček O. Scherzer - Rotačně souměrná pole mají vždy kladný koeficient otvorové (kulové) vady 3. řádu a barevné vady 1. řádu D. Gabor návrh holografie jako metody korekce otvorové vady Otvorová vada Cs podostření přeostření Obraz bodového zdroje - Cs Cs + Barevná vada Cc Svazek elektronů může být téměř monochromatický, největší změna energie nastává ve vzorku. S -filtrem se lze chromatické vady zcela zbavit. Cs korektor - funkce Cs korektor Holografický záznam

10 Interakce elektronu se vzorkem - Elastický rozptyl - Neelastický rozptyl - Průchod elektronů - Odražení elektronů - Absorpce elektronů - Emise elektronů - Emise el.mag. záření - Emise pozitivně nabitých iontů

11 Hloubka ostrosti v TEM ~ 5 mrad ~ 0,3 TEM rozlišení 2nm D ~ 800nm - tloušťka vzorku ~ nm SEM

12 Princip TEM

13 Princip SEM

14 Domácí SEM Ben Krasnow - Do It Yourself Scanning Electron Microscope

15 - SE, BSE, r-filtr - ESEM, Gentle Beam - EDS, SDD - EBSD Skenovací mikroskopie podrobněji

16 Interakce elektronu se vzorkem II Odleptání polymetylmetakrylátu Elektronová emise Z RTG emise E Al Si SE

17 Interakce elektronu se vzorkem III SE povrchová morfologie BSE materiálový kontrast

18 Everhart-Thornley detector SEM podrobněji

19 r-filtr The energy filter (r-filter) for observation of surface morphology, composition contrast, and mixture of these information.

20 EDS redukovaná energie Gentle Beam

21 ESEM EDS téměř plná energie

22 EDS, SDD C N O Si(Li) SDD Silicon Drift Detector

23 Kikuchiho linie EBSD

24 FEI Quanta 200 Termoemisní SEM Quanta 200 od FEI s EDS detektorem (mikrosonda) od firmy EDAX Rozlišení Vysoké-vakuum nm at 30 kv (SE) nm at 30 kv (BSE) - 10 nm at 3 kv (SE) Environmentální mód (ESEM) pro nevodivé vzorky bez nutnosti pokovování nm at 30 kv (SE) Urychlovací napětí: 200 V 30 kv Proud svazkem: do 2 μa kontinuálně nastavitelný SEM JEOL JSM-7600F Ultravysokorozlišovací Field Emission SEM (Schottky) Rozlišení 1nm při 15kV, 1.5nm při 1kV v GentleBeam módu Detektory prvků EDS, WDS Detektor elektronové mikrodifrakce EBSD Zabudovaný energetický filtr (r-filtr) energie snímaných elektronů Nenabíjící mód (Gentle Beam) pro redukci poškození citlivých vzorků a nabíjení nevodivých vzorků. Zvětšení x Urychlující napětí: 100 V 30 kv

25 Děkuji za pozornost