Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.



Podobné dokumenty
2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Měření na unipolárním tranzistoru

Studium tranzistorového zesilovače

Měření základních vlastností logických IO TTL

Grafické řešení: obvod s fotodiodou

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-485 se používá pro:

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Jednostupňové zesilovače

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

Elektronika pro informační technologie (IEL)

- + C 2 A B V 1 V 2 - U cc

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah

Fotodioda ve fotovodivostním a fotovoltaickém režimu OPTRON

Charakteristiky tranzistoru MOSFET

Test. Kategorie M. 1 Na obrázku je průběh napětí, sledovaný osciloskopem. Jaké je efektivní napětí signálu?

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

popsat činnost základních zapojení operačních usměrňovačů samostatně změřit zadanou úlohu

Bipolární tranzistory

Elektrotechnická zapojení

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

TEORIE ELEKTRICKÝCH OBVODŮ

Elektronické praktikum EPR1

Základní zapojení s OZ. Vlastnosti a parametry operačních zesilovačů

Číslicové obvody základní pojmy

1.1 Usměrňovací dioda

Elektronika pro informační technologie (IEL)

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů operačních zesilovačů část Teoretický rozbor

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7

Unipolární tranzistor aplikace

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Elektrická měření pro I. ročník (Laboratorní cvičení)

Operační zesilovač, jeho vlastnosti a využití:

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Dioda jako usměrňovač

BJT jako zesilovač malého signálu. BJT jako odporový dvojbran. Linearizace charakteristik pro okolí P 0. zapojení SE!! U CE

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Příloha č.: 1 ze dne: je nedílnou součástí osvědčení o akreditaci č.: 456/2012 ze dne: List 1 z 6

Maturitní témata. 1. Elektronické obvody napájecích zdrojů. konstrukce transformátoru. konstrukce usměrňovačů. konstrukce filtrů v napájecích zdrojích

1.1 Pokyny pro měření

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

Sylabus kurzu Elektronika

Praktické výpočty s komplexními čísly (především absolutní hodnota a fázový úhel) viz např. vstupní test ve skriptech.

Číselné vyjádření hodnoty. Kolik váží hrouda zlata?

Usměrňovače, filtrace zvlněného napětí, zdvojovač a násobič napětí

List 1 z 6. Akreditovaný subjekt podle ČSN EN ISO/IEC 17025:2005: FORTE a.s. Metrologická laboratoř Mostkovice 529

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Měření vlastností stejnosměrných tranzistorových zesilovačů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

(3 body) a) Vlnovou délku této vlny. b) Fázovou rychlost této vlny. c) Vlnovou impedanci prostředí. (4 body)

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

MATURITNÍ ZKOUŠKA Z ELEKTROTECHNICKÝCH MĚŘENÍ

2. NELINEÁRNÍ APLIKACE OPERAČNÍCH ZESILOVAČŮ

ZÁKLADY ELEKTROTECHNIKY pro OPT

Charakteristiky diod. Cvičení 5. Elektronické prvky A2B34ELP. V-A charakteristika diody a její mezní parametry

Měření vlastností lineárních stabilizátorů. Návod k přípravku pro laboratorní cvičení v předmětu EOS.

(s výjimkou komparátoru v zapojení č. 5) se vyhněte saturaci výstupního napětí. Volte tedy

2. ZÁKLADNÍ METODY ANALÝZY ELEKTRICKÝCH OBVODŮ

Laboratorní cvičení č.15. Název: Měření na optoelektronických prvcích. Zadání: Popis měřeného předmětu: Teoretický rozbor:

Strana 1 (celkem 11)

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?

Oddělovací moduly VariTrans

1. Navrhněte a prakticky realizujte pomocí odporových a kapacitních dekáda derivační obvod se zadanou časovou konstantu: τ 2 = 320µs

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Tematická oblast ELEKTRONIKA

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hustopeče, Masarykovo nám. 1

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

1 Elektrotechnika 1. 9:00 hod. G 0, 25

Nízkofrekvenční předzesilovač

1 Zdroj napětí náhradní obvod

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Osnova přednášky. Univerzita Jana Evangelisty Purkyně Základy automatizace Vlastnosti regulátorů

Měření na bipolárním tranzistoru.

Laboratorní zdroj - 3. část

Kategorie M. Test. U všech výpočtů uvádějte použité vztahy včetně dosazení! 1 Sběrnice RS-422 se používá pro:

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. R. R = = = Metodou postupného zjednodušování vypočtěte proudy všech větví uvedeného obvodu. U = 60 V. Řešení.

Pedagogická fakulta v Ústí nad Labem Fyzikální praktikum k elektronice 2 Číslo úlohy : 1

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Transkript:

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán rovnicí U A +R*I A 0. Řešení: P 0 leží na průsečíku charakteristiky fotodiody o vrstevnici φ 5mW/cm 2 a grafu rovnice U A +R*I A 0 (označeno R). Průsečík leží ve 4.kvadrantu. P 0 [-6,5 μa, 0,65 V, 5 mw/cm 2 ]

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovodivostním režimu. Zadáno U CC 5V, R 00 kω, φ 5mW/cm 2. U cc Fotovodivostní režim: fotodioda pracuje jako pasivní součástka (ve smyčce je v sérii zapojen odpor R a zdroj U CC ). Obvod je popsán rovnicí zatěžovací přímky U CC U A +R*I A Zatěžovací přímka prochází bodem napětí naprázdno [U 0 U CC, I A 0] a proud nakrátko [I k -50μA, U A 0], který leží mimo graf. Nahradíme jej bodem [-0μA, -4V], který dostaneme pro ΔI 0μA, ΔU R ΔI 0 5 0-5 V. P 0 [-0 μa, -4 V, 5mW/cm 2 ].

Nastavení pracovního bodu tranzistoru JFET Nastavení pracovního bodu pro U GS 0 tranzistor BF245B I GSS 5nA, I DSS 0mA Pro zapojení vlevo U GS 0 neboť I GSS 5nA vyvolá zanedbatelný úbytek na odporu R G. Zapojení odporu R G umožňuje přivedení signálu do hradla tranzistoru.

Tranzistoru JFET jako zdroj proudu tranzistor BF245B I GSS 5nA, I DSS 0mA V daném zapojení U GS 0. Zapojení vlevo. Pokud U DD >U DS sat,, tak je tranzistor v saturaci a chová se jako zdroj proudu, jehož hodnota je rovna I DSS 0mA (I DSS I D @U GS 0V). Zapojení vpravo. Pokud platí U DD >U DS sat +U RD, tak tranzistor zůstává v saturaci a chová se jako zdroj proudu, jehož hodnota je rovna I DSS 0mA (I DSS I D @U GS 0V).

Nastavení pracovního bodu tranzistoru JFET Nastavení pracovního bodu zesilovače ve třídě A. Proud I D vyvolává na odporu R S úbytek U RS I D.R S Vzhledem k tomu, že U G 0, je napětí U GS -I D R S. Vzniká záporné napětí U GS, kterým se přiškrtí kanál tranzistoru. Například požadujeme při U DD 20V, U DS U DD /20V a I D 4mA, což dle charakteristiky vyžaduje U GS,5V. Návrh R S U RS /I D U GS /I D,5/4.0 3 375Ω. Návrh R D (U DD U DS U RS )/I D (20-0-,5)/4.0 3 2,2kΩ

Tranzistor JFET odečet hodnoty strmosti (y 2S g m ) v pracovním bodě z výstupní charakteristiky z převodní charakteristiky y ΔUds 0-3 ΔID (5,9-2,4).0 2 S ΔUGS -- (-2) Po 3,5 (ma/v). y ΔUds 0-3 ΔID (9-0).0 2 S ΔUGS 0- (-2,6) Po 3,5 (ma/v).

Zesilovač třídy A s tranzistorem JFET. Zadáno U DD 20V, R D 2,2kΩ, R S 375Ω, R G MΩ, u ef 0mV, f20hz..20khz, R z 00 kω. Určete hodnoty C V, C V2, C B tak, aby zesílení zesilovače v daném frekvenčním pásmu nezáviselo na kmitočtu. Určete hodntoty u 22ef, R vst a R výst. 3 3,5 0 2200 0 0 3 22 2 u ef AU u ef y S RD u ef 7 6 y22 S 40 0 R vst Δu Δu22 RG (MΩ) Rvyst RD 2200 2022 ( Ω). 6 Δi Δi y 40 0 2 22 (mv). X << Rvst CV >> (nf) C 00 6 V ω C f R 20.0 8 CV V vst (nf) X CV << R >> 2 2 3 ω 20 00.0 80 Z CV C f R (nf) V 2 V 2 Z X CB << RS CB >> ω C f R 20 375 2 B B S C ( μf) C 00 ( μf) ( μf)

Stanovení mezních parametrů tyristoru a) U CC 400V, R Z 00Ω. Jedná se o stejnosměrný obvod, tyristor může pracovat pouze v blokovacím a propustném režimu, U RRM tedy nehraje roli. U DRM > U CC 400 (V), I T(AV) > (U CC U T ) / R Z (400,7)/004 (A) b) U a 230V/50Hz, R Z 00Ω. Tyristor může pracovat v propustném, závěrném a blokovacím režimu. U DRM U RRM >U a. 2230.,44 325 (V), I T(AV) > ½ (U a U T )/R Z ½ (230,7)/00,5(A)

Nakreslete příklady vnitřního zapojení logických hradel v technologii CMOS, realizujících funkce NOT, dvouvstupový NAND a dvouvstupový NOR, a odvoďte jejich pravdivostní tabulky. Uvažujte soustavu pracující s pozitivní logikou a s kladným napájecím napětím. Invertor NOT A X 0 0 NOR A B X 0 0 0 0 0 0 0 NAND A B X 0 0 0 0 0 Je-li signál A v úrovni log 0, vede tranzistor Q2, tranzistor Q nevede a výstup X je v úrovni +U DD, čili Xlog. Je-li Alog, je vodivý tranzistor Q, Q2 nevede a výstup je Xlog 0. Je-li Alog nebo Blog, je vodivý tranzistor Q2 nebo Q a současně je nevodivý buď tranzistor Q3 nebo Q4, takže v obou případech je výstup ve stavu Xlog 0. Pouze pokud jsou oba vstupy současně ABlog 0, jsou tranzistory Q i Q2 současně nevodivé a zároveň tranzistory Q3 i Q4 současně vodivé, takže výstup Xlog. Agresivní vstupní hodnotou je tedy log, což odpovídá logickému součtu, a výstup je zároveň negován. Hradlo tedy pracuje jako negovaný součet neboli NOR. Je-li Alog 0 nebo Blog 0, je tranzistor Q2 nebo Q nevodivý a zároveň tranzistor Q4 nebo Q3 vodivý, takže výstup je ve stavu Xlog. Pouze pokud je současně ABlog, jsou Q i Q2 současně vodivé a Q3 i Q4 nevodivé, takže výstup Xlog 0. Agresivní vstupní hodnotou je tedy log 0, což odpovídá logickému součinu, a výstup je zároveň negován. Hradlo tedy pracuje jako negovaný součin neboli NAND.