VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
|
|
- Kristina Kučerová
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF MICROELECTRONICS MĚŘENÍ TEPLOTNÍHO KOEFICIENTU ODPORU TLUSTÝCH VRSTEV THE TCR MEASUREMENT OF THICK-FILM LAYERS BAKALÁŘSKÁ PRÁCE BACHELOR S THESIS AUTOR PRÁCE DAVID POLÁŠEK AUTHOR VEDOUCÍ PRÁCE SUPERVISOR BRNO 2011 ING. MARTIN ADÁMEK PH.D.
2 2
3 Prohlášení Prohlašuji, že svoji bakalářskou práci na téma Měření teplotního koeficientu odporu tlustých vrstev jsem vypracoval samostatně pod vedením vedoucího bakalářské práce a s použitím odborné literatury a dalších informačních zdrojů, které jsou všechny citovány v práci a uvedeny v seznamu literatury na konci práce. Jako autor uvedené bakalářské práce dále prohlašuji, že v souvislosti s vytvořením této práce jsem neporušil autorská práva třetích osob, zejména jsem nezasáhl nedovoleným způsobem do cizích autorských práv osobnostních a jsem si plně vědom následků porušení ustanovení 11 a následujících autorského zákona č. 121/2000 Sb., včetně možných trestněprávních důsledků vyplývajících z ustanovení 152 trestního zákona č. 140/1961 Sb. V Brně dne 16. prosince podpis autora Poděkování Děkuji vedoucímu bakalářské práce Ing. Martinu Adámkovi, Ph.D. za účinnou metodickou, pedagogickou a odbornou pomoc a další cenné rady při zpracování projektu. V Brně dne 16. prosince podpis autora 3
4 Klíčová slova: Tenká vrtsva, tlustá vrstva, teplotní koeficient odporu TKR, čtyřbodová metoda měření Key words: Thin film, thick film, temperature coefficient of resistance TCR, four point measurement method Anotace: Práce se zabývá metodami měření teplotního koeficientu odporu tlustovrstvých past v technologii tlusté vrstvy, která je jednou ze základních mikroelektronických technologii. Vrstvové technologie jsou popsány v úvodní části práce, která je zaměřená na výrobu vlastních vrstev. Teplotní koeficient odporu, jeho výpočet, návrh vzorku pro měření, návrh metodiky pro měření a testování měření teplotního koeficientu odporu jsou uvedeny v další části práce. Annotation: The work focuses on measurement methods of temperature coefficient of resistance of thick-filmed paste in thick-film technology, which is one of basic mikroelectronic technologies. Layer technologies are described in the beginning of the essay, where I focus on production of my own layers. The temperature coefficient of resistance, its calculation, design of sample for measurement, procedure of measurement and testing of measuring temperature coefficient of resistance are mentioned in the following part of the essay. 4
5 Obsah Úvod Mikroelektronické technologie Tenké vrstvy... 9 a)vakuové napařování...10 b)katodové naprašování Tlusté vrstvy...12 a)pasty pro tvorby tlustých vrstev b)nanášení tlustovrstvých past c)vlastnosti a výroba sít d)navrhová doporučení pro vytvoření tusté vrstev Teplotní koeficient odporu TKR Výpočet teplotního koeficientu odporu Návrh odporového monitoru Návh metody měření teplotního koeficientu odporu Měření teplotního koeficientu odporu Závěr Seznam použité literatury
6 Seznam obrázků Obr. 1.1 Základní princip vakuového napařování...10 Obr. 1.2 Základní princip katodového naprašování...12 Obr. 1.3 Proces sitotisku Obr. 1.4 Zjednodušený pohled na tlstovrstvou struktůru...14 Obr. 1.5 Teplotní profil pro výpal tlustovrstvých past Obr. 1.6 Znázornění parametrů síta Obr. 1.7 Znázornění sitotiskových šablon Obr. 1.8 Základní navrhová pravidla Obr. 2.1 Tlustovrstvý odpor Obr. 2.2 Navrhovaný odporový monitor...24 Obr. 2.3 Foto natisklého a vypáleného odporového monitoru Obr. 2.4 Měřící hlava pro čtyřbodovou metodu Obr. 2.5 Měřící hlava s ramenem Obr. 2.6 Měřící stanoviště Obr. 2.7 Teplotních závislost odporu pasta R Obr. 2.8 Teplotních závislost odporu pasta R Obr. 2.9 Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr Teplotních závislost odporu pasta R Obr. 2.8 Teplotních závislost odporu pasta R
7 Seznam tabulek Tab.1 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.2 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.3 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.4 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.5 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.6 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.7 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.8 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.9 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.10 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R Tab.11 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pro pastu R Tab.12 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pro pastu R Tab.13 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pro pastu R Tab.14 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pro pastu R Tab.15 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pro pastu R
8 Úvod V posledních letech dochází k rozvoji elektroniky ve všech oblastech lidské tvorby a tudíž se i zvyššují nároky na elektronická zařízení. S rostoucími požadavky na spolehlivost elektronických obvodů a stálost parametrů elektronických součástek je třeba zlepšovat parametry výrobních technologií. Miniaturizace elektronických systémů vede rovněž k vylepšování stávajících výrobních technologií a k tvorbě zcela nových technologií. S nástupem integrovaných obvodů se do popředí dostaly vrstvové technologie a to tlustovrstvé a tenkovrsvé. Dále došlo k rozvoji hybridních integrovaných obvodu a s tím související miniaturizace některých elektronických součástek. Vysoké nároky jsou také kladeny na metody měření a proto i na návrh metod měření a na výrobu měřících vzorku. V neposlední řadě ovšem i na návrh a výrobu přípravku pro měření nebo zdokonalování stávajících přípravku pro měření. Mezi parametry měření taky patří dodržení stabilních definovaných parametrů po dobu měření. V práci se čtenář postupně seznámí s některými mikroelektronickými technologiemi a to hlavně s vrstvovými technologiemi, které jsou postupně rozebrány v první části práce. V další části práce je čtenář postupně seznámen s pojmem teplotní koeficinet odporu. Určitá část práce je zaměřena na měření teplotního koeficientu odporu a návrhu metody meření. Navržena metoda je posléze otestována na vybraných odporech, které se nacházejí na navrženém odporovém monitoru. V neposlední řadě se práce zabývá i návrhem vzorku pro měření teplotního koeficientu odporu a samozřejmě i jeho výpočtem. 8
9 1.Mikroelektronické technologie Průmyslové odvětví elektroniky se vyznačuje nespočetným množstvím nových vyvojových trendů, jež jsou založeny na řadě nových technologií, které určují to, že se výrobky stále přibližují požadavkům trhu. Zákazník se stáva prvním článkem určujícím trendy. Mikroelektronické technologie tvoří základní aplikační a realizační část elektronických systémů. Představitelem mikroelektronických technologii jsou polovodičové a vrstvové technologie které jsou charakteristické svojí strukturou, jenž se vyznačuje definovanou tloušťkou vrstvy. Tato tloušťka má zasadní význam pro konečné vlastnosti. Základním rysem je přitom postupné nanášení jednotlivých vrstev vodivých, odporových a dielekrických na povrch nosného izolačního materiálu požadovaného rozměru, nazývaného substrát, jenž tvoří zakladní nosnou část vytvářeného obvodu. Materiálem substrátu jsou převážně keramické hmoty, pro většinu aplikaci korund (Al2O3), případně AlN nebo také BeO. Používají se i ocelové substráty s glazurou na povrchu, které jsou levnější a pro některé aplikace flexibilnější.[3] Podle toho jak se vrstvy nanášeji, jakou mají výslednou strukturu a jakou mají hloubky vrstvy dělíme technologie na: Tenkovrstvá (styl nanášení vakuové napařování, katodové naprašování, hloubka vrstvy desetiny μm) Tlustovrstvá (styl nanášení sítotisk, šablonový tisk, hloubka vrstvy jednotky až desitky μm) 1.1.Tenké vrstvy Tenké vrstvy jsou amorfní, polykrystalické nebo monokrystalické struktury. Nejčastěji se vytvářejí řízeným nanášením ve vakuovém prostředí pomocí fyzikálních metod napařování nebo naprašování. V případě kdy je třeba nanášet materiál jen cíleně se používá k dané metodě ještě maskování pomocí fotorezistu. Tloušťka tenkých vrstev se pohybuje v rozmezí desetin až jednotek μm. 9
10 a) Vakuové napařování Vakuové napařování se provádí v uzavřeném prostoru nejčastěji zvonového nebo kabinového tvaru z něhož je odčerpán vzduch, aby došlo po zahřátí nanášeného materiálu k uvolnění molekul jak je znázorněno na obr Fyzikální podstatou vakuového napařování je uvolnění molekul napařovaného materiálu důsledkem jeho zahřívání v uzavřeném systému. V něm se ustanoví rovnovážný tlak nazývaný tenze nasycených par. Dojde-li k porušení rovnováhy systému v uzavřeném prostoru a v určitém místě je teplota nižší, dochází v tomto místě ke kondenzaci par. Tím se vytváří podmínky pro přenos materiálu z místa s nejvyžší teplotou, tedy z výparníku, na chladnější substrát (podložku). Na něm dochází ke kondenzaci par, a tím i k růstu zárodků odpařovaného materiálu, tvoření ostrůvků až do vytvoření souvislé vrstvy. Aby dráha vypařovaných částic byla přímočará a střední volná dráha molekul co nejdelší, probíhá celý proces ve vakuu (10-4 až 10-6 Pa). [3] Obr. 1.1 Základní princip vakuového napařování. Pravděpodobnost p, že se částice dostanou z výparníku na substrát [3]: d p[1 exp ] Kde: (1.1) d je vzdálenost (dráha), kterou musí urazit molekuly, λ je střední volná dráha molekul. 10
11 Odpařování materiálu z výparníku může probíhat pomocí energie získané např. odporovým ohřevem, ohřebem iontovým svazkem, vysokofrekvenčním ohřevem, molekulovým svazkem. Počet částic Nv odpařených za jednotku času z jednotkové plochy je roven [3]: 22 1 / 2 (1.2) N v 3,5 10 pn / M T Kde: pn je rovnovážný tlak, M je molekulární hmotnost, T je teplota. Nejčastěji napařované materiály jsou Al, Au, Cr, NiPt, Ti, Be, Ag. b) Katodové naprašování Princip katodového naprašování je založen na fyzikálním ději využívajícím uvolňování částic materiálu umístěného jako katoda, který se nachází v uzavřeném systému, v němž působí doutnavý výboj, za přítomnosti přívaděného inertního plynu a při sníženém tlaku v tomto prostoru. V doutnavém výboji není potenciál mezi elektrodami rozložen rovnoměrně, ale vytváří u katody strmou část tzv. katodový spád. V důsledku tohoto katodového spádu jsou přiváděné kladné ionty inertního plynu urychlovány tak, že dopadají na katodu a vyráží z ní částice naprašovaného materiálu, jež se šíří prostorem a usazují se na anodě na vhodně umístěných substrátech, na nichž vzniká tenká vrstva. Rychlost naprašování roste s rostoucí atomovou hmotností a je tedy růrná pro různé materiály. Princip je zobrazen na obr. 1.2.[3] Množství materiálu napášené za jednotku času [3]: Qk U i / p d Kde: (1.3) k je konstanta úměrnosti, Ui je pracovní napětí, p je tlak, d je vzdálenost mezi katodou a anodou. 11
12 Obr. 1.2 Základní princip katodového naprašování. 1.2.Tlusté vrstvy Tlusté vrstvy jsou tvořeny amorfní strukturou a používají se pro vytvoření vodivých, odporových a dielektrických vrtev. Vytvářejí se nejčastěji pomocí sitotisku a následným výpalem při teplotách kolem 850 C. Tloušťka vrstvy je po výpalu v desítkách Technologie tlusté vrstvy se μm. používá ve speciálních aplikacích a k výrobě hybridních integrovaných obvodů. a) Pasty pro tvorbu tlustých vrstev Tlustovrstvé pasty představují heterogenní systém, tj. systém s více složkami o různých chemických a fyzikálních vlastnostech s odděleným povrchovým rozhraním. Pasty se vyznačují řadou charakteristických vlastnosti, z nichž je důležitá především definovaná viskozita. S tím jsou spojeny dobré tixotropní vlastnosti, což znamená, že jejich viskozita se mění v závislosti na mechanickém tlaku. Nejnižší viskozity dosahují v okamžiku přenosu pasty ze síta na podložku v důsledku psobení tlaku stěrky. Viskozita je v procesu sítotisku nepřímo úměrná tlaku stěrky. To umožňuje protlačování pasty volnými oky síta, jež tvoří masku nanášeného obrazce, a po odtrhu síta vytvoří na keramickém substrátu požadovaný 12
13 motiv. [3] Pasty pro sítotisk jsou přípravovány mícháním a roztíráním. Velikost částic je <5μm tak abychom zaručili dobré tiskové vlastnosti a homogenitu struktury. Složky tlustovrstvých past: funkční, tavivová, pojivová. Funkční složka určuje charakter pasty zda to bude pasta vodivá, odporová či dielektrická. Je tvořena částicemi drahých kovů u past vodivých, v dielektrických pastách je tvořena skelnou fritou. Pro odporové pasty se používájí směsi drahých kovů (např. PdAg) nebo oxidy (např. Ru2O). Hodnota odporu se nastavuje poměrem funkční a tavivové složky. Částice mají velikost řádově μm. Tavivová složka se skládá ze skleněné frity a má za úkol vytvořit vazbu mezi funkční složkou a substrátem. Pro tvorbu tavivové složky se používájí nízkotavná skla s teplotou měknutí od 600 C. Při výpalu dochází k měknutí nikoli k roztavení a tím se vytvoří nosná matice pro funkční složku. Pojivová složka zajišťuje tiskové vlastnosti pasty viskozitu. Je tvořena organickými látkami např. terpioneol, butyldiglykolacetát. Pří výpalu se tato složka odpaří. b) Nanášení tlustovrstvých past Nejčastěji používaný způsob je sitotisk, technika známá již řadu let. Výhoda tohoto postupu je nevakový, nenáročný způsob nanašení definovaného množství pasty na substrát. Obr 1.3 Proces sitotisku: a) stav před tiskem b) tisk pohybem stěrky c) stav po tisku. 13
14 Šablonový tisk je velmi podobný sítotisku. Hlavní rozdíl je v tom, že se nepoužívá síto ale kovová šablona s vyleptaným motivem bez odtrhu. Šablonový tisk je používán pro tisk souvislých ploch ne pro tisk složitých čar. Nejčastější použití je tudiž pro tisk pájecí pasty. Nanášení pasty popisem je nejmeně rozšířen pro svou technickou a ekonomickou náročnost. Nanášení pasty se děje pomocí řízeného disperzního zařízení. Po nanesení materiálu na keramický substrát dochází k jeho výpalu. Během tohoto děje se vytváří vlastní struktura. Funkční složka se usadí na povrchu a částečně v pojivové složce. Obr 1.4 Zjednodušený pohled na tlustovrstvou strukturu. Teplotní profil průběžné pece pro výpal tlustých vrstev znázorněný na obr. 1.5 je regulován v několika zónách s vysokou přesností (±2 C), aby byla zajištěna reprodukovatelnost procesu. Důležitý je jak pozvolný nárust teploty, tak i pozvolné chlazení ( 50 C/min). Teplota žárového pásma odpovídá teplotě, kdy dochází k měknutí tavivové části pasty, ale přitom funkční složka je v pevné fázi, tedy bez výrazných změn. Vzhledem k tomu, že se stále rozšiřuje oblast tlustovrstvých past a některé vyžadují přesný teplotní profil, moderní konstrukce pecí mají více zón (šest až osm), což umožňuje nejen nastavit velmi přesný, definovaný teplotní profil, ale tento také kontrolovat a automaticky dostavovat.[3] 14
15 Obr. 1.5 Teplotní profil po výpal tlustovrstvých past. c) Vlastnosti a výroba sít Síta jsou tkána ze dvou zakladních materiálu a to z ocelových nebo umělých vláken. Vyznačují se pravidelnou osnovou s definovanými parametry. Hustota tkaniny n je počet ok na jednotku délky [3]: n 10 w d Kde: (1.4) w je rozměr strany volné plochy oka (mm), d je průměr vlákna (mm). Světlost A0 je otevřená plocha síta [3]: 2 A0 Kde: w d % w d (1.5) w je rozměr strany volné plochy oka (mm), d je průměr vlákna (mm). 15
16 Pokud chceme hustotu tkaniny na délkovou jednotku palec, udává se v jednotkách MESH a plati pro ní vztah [3]: n Kde: 25,4 w d (1.6) w je rozměr strany volné plochy oka (mm), d je průměr vlákna (mm). Obr. 1.6 Znázornění parametrů síta: a) poměr vlákno volná plocha b) světlost síta Z uvedených vstahů vyplývá, že pro hrubá síta (použivaná pro nanášení tlustších ale meně přesných vrstev) je např. n50ok/cm respektive 120 MESH, zatímco pro jemná síta používaná pro vysoké rozlišení (0,1mm a méně) mají n155ok/cm, respektive 400 MESH.[3] Na počtu ok je nepřímo závislý průměr vláken a tím i výška nanesené vrstvy. Síta jsou k dodání s lišicí se osnovou. Jako materiál osnovy se používá nerezová ocel nebo polyester. Síta z nerezové oceli se používají k nanášení velmi přesných struktur, kdy dosažena šířka čáry se pohybuje kolem μm. Vyznačují se vyžší životností než síta polyesterová. Polyesterová síta jsou levnější a používají se pro nanášení méně přesných struktur. Používají se dva základní typy sitotiskových šablon a to přímá šablona a nepřímá šablona. Přímá šablona (obr. 1.7a) je vytvořena nanesením fotocitlivé emulze na síto (do jehož ok je přímo vtlačena) a následnou expozicí přes masku s požadovaným motivem. Osvitem dochází k polymeraci (vytvrzení) emulze a po oplachu proudem vody zůstávají na sítu volná oka jen v místech, kde bude nanášena pasta.[3] 16
17 Nepřímé šablony (obr. 1.7b) mají motiv vytvořen na folii (plastové nebo kovové), jenž není na počátku přímo součástí síta, ale je s ním před sitotiskem pevně spojena. Nepříme masky mohou být jako světlocitlivé emulze na plastovém nosiči (jenž se po exponování a spojení se sítem sejme), nebo jako kovové folie, jenž se na síto lepí. V tomto případě je motiv do kovové folie buď vyleptán nebo vypálen s pomocí laseru.[3] Obr. 1.7 Znázornění sitotiskových šablon: a) přímá b)nepřímá. d) Navrhová doporučení pro vytvoření tlusté vrstvy Doporučené rozměry kontaktových plošek jsou 2x2 mm s rozestupem 2,5 mm. Rozměr je volen jak s ohledem na vyráběné rozteče vývodů, tak i na dosažení požadovaných mechanických vlastností. Šířka vodiče je optimálně volena 0,5 mm s tím že mezera mezi vodičí je také 0,5 mm. Vodiče jsou vedeny v pravoúhlém souřadnicovém systému. Oproti měděným vodičům mají vodiče vytvořené technologii tlusté vrstvy větší odpor 1 až 20 mω/. Pro odpory se nedoporučuje šířka odporu méně než 1 mm z důvodu rozptylu jmenovité hodnoty odporu v důsledku působení nahodných vlivů. Pro dodržení minimálního rozptylu jmenovité hodnoty je třeba dodržet následující vztah [3]: 1 l 3,5 3,5 w Kde: l je délka odporu, w je šířka odporu. (1.7) 17
18 velikost plochy odporu je [3]: S R Kde: P P0 (1.8) P je výkonové zatížení rezistoru [W], P0 je měrné výkonové zatížení pro daný typ pasty [W/mm2]. Po dosazení dostaneme pro šířku rezistoru [3]: P P P 0 l P 0 A w Kde: A (1.9) je počet čtverců. Nebo obdobně pro délku rezistoru [3]: l P A P0 (1.10) Počet čtverců v tlustovrstvém odporu se vypočte podle vztahu [3]: A l w (1.11) Pomocí tlustovrstvé technologie je pasivní síť vytvořena postupným nanášením vodivých, odporových a dielektrických vrstev s následným výpalem. 18
19 Obr. 1.8 Základní navrhová pravidla: a) kontaktní plošky b) vedení vodičů c) velikost odporu. 19
20 2.Teplotní koeficient odporu TKR Teplotní součinitel odporu rezistoru (TKR) umožňuje určit změnu odporu rezistoru způsobenou změnou jeho teploty. Udává největší poměrnou změnu odporu součástky odpovídající nárůstu oteplení o 1ºC, v rozsahu teplot, ve kterých je tato změna vratná. Teplotní součinitel odporu TKR je jedním z nejdůležitějších parametrů tištěných odporů. Vyjadřuje se v jednotkách %/ºC nebo v ppm/ºc. Velikost TKR je dána především materiálem, ze kterého je odporová pasta vytvořena. Volí se takový materiál, který má vhodný průběh závislosti odporu na teplotě a s tím související co nejnižší teplotní součinitel odporu TKR. Výsledný TKR tlustovrstvých tištěných odporů závisí kromě materiálů odporových past také na tvaru tištěných rezistorů, tj. na jejich tloušťce, délce, šířce a také na způsobu jejich vypalování. Čisté kovy mají obvykle pozitivní TKR, uhlíkové a grafitové rezistory s polymerními plnidly mají negativní TKR. 2.1.Výpočet teplotního koeficientu odporu Teplotní součinitel odporu je dán vztahem [3]: 1 dr TKR R dt Kde: (2.1) R je hodnota odporu rezistoru, dr je změna hodnoty odporu, dt je změna teploty. 20
21 U pozitivního TKR se s rostoucí teplotou zkracuje střední doba mezi srážkami a tím dochází k růstu rezistivity podle vztahu [3]: R R0 [1 T T 0 ] Kde: (2.2) R0 je hodnota odporu rezistoru na počátku (při teplotě 0ºC), T je teplota při které je hodnota odporu právě R, T0 je počáteční teplota při které je hodnota odporu právě R0, α je koeficient změny odporu TKR. Koeficient změny odporu se vypočíta podle vztahu [3]: Kde: R R0 R0 T T 0 (2.3) R0 je hodnota odporu rezistoru na počátku (při teplotě 0ºC), T je teplota při které je hodnota odporu právě R, T0 je počáteční teplota při které je hodnota odporu právě R0. Termistory s negativním koeficientem TKR jsou realizovány z polovodivých materiálů. Při zvyšování teploty dochází ke zvyšování koncentrace nosičů náboje a tudíž k snižování rezistivity. Teplotní závislost odporu pro negativní teplotní koeficient TKR je dána vztahem[3]: [ R R0 exp Kde: 1 1 ] T0 T (2.4) β je koeficient změny odporu TKR, R0 je hodnota odporu rezistoru na počátku (při teplotě 0ºC), T je teplota při které je hodnota odporu právě R, T0 je počáteční teplota při které je hodnota odporu právě R0. 21
22 Koeficient změny odporu se vypočítá podle vztahu [3]: R R0 1 1 T0 T ln Kde: (2.5) R0 je hodnota odporu rezistoru na počátku (při teplotě 0ºC), T je teplota při které je hodnota odporu právě R, T0 je počáteční teplota při které je hodnota odporu právě R Návrh odporového monitoru Při návrh odporového monitoru pro měření teplotního koeficientu je vycházeno ze základního rozměru keramického substrátu a to 50x50 mm. Při návrhu se nemusí počítat s vykonovým zatířením jelikož odporový monitor nebude výkonově namáhán, ale bude jen na testování teplotního koeficientu odporu. Úkolem při návrhu je to aby se na základním substrátu vyskytovaly různě velké odpory s různou orientací (svisle nebo vodorovně). Dále je snahou aby byly různé odpory zastoupeny ve všech částech základního keramického substrátu. Obr 2.1 Tlustovrstvý odpor. 22
23 Výpočet jednotlivých velikostí odporu: Je zvolena šířka odporu 0,5mm a podle počtu čtverců v něm obsažených se dopočítá délká odporu. Je zvoleno A5čtverců lw A0,5 52,5 mm Je zvoleno A8čtverců lw A0,5 84mm Dálší zvolenou šířkou odporu je 1mm Je zvolen počet čtverců A2,5 lw A1 2,52,5 mm Je zvolen počet čtverců A4 lw A1 44mm Třetí zvolenou šířkou odporu je 1,5mm Je zvolen počet čtverců A1,66 lw A1,5 1,662,5 mm Další zvolenou šířkou odporu je 2,5mm Je zvolen počet čtverců A1 lw A2,5 12,5 mm Další zvolenou šířkou odporu je 5mm Je zvolen počet čtverců A0,5 lw A0,5 52,5 mm 23
24 Obr 2.2 Navrhovaný odporový monitor. Obr 2.3 Foto natisklého a vypáleného odporového monitoru Návrh metody měření teplotního koeficientu odporu Jako nejvhodnější metoda měření teplotního koeficientu odporu byla zvolena čtyřbodová metoda. Měření je prováděno pomocí měřící hlavy se čtyřmi hroty. Dva krajní hroty se používají jako proudové a prostřední hroty se používají pro měření napětí. Ohřev probíhá pomocí plotýnky s regulací teploty. Pro uchycení měřící hlavy bylo navrženo a sestaveno i nosné rameno ze stavebnice MERKUR. Pomocí změřeného napětí a známeho proudu je vypočítán odpor podle vzorce
25 R Kde: U I (2.6) U změřené napětí, I dodáváný proud. Obr 2.4 Měřící hlava pro čtyřbodovou metodu. Obr 2.5 Měřící hlava s ramenem. 25
26 Navržený postup pro měření teplotního koeficientu odporu pomocí čtyřbodové metody: 1) Zapojíme do obvodu digitální multimetr Agilent. 2) Vnadstavení multimetru Agilent přepneme měření odporu čtyřvodičovou metodou 4W. 3) Destička je zahřátá na teplotu 25 C, měření provádíme muldimetrem METEX. 4) Po ustálení teploty se zapíše změřená hodnota napětí do tabulky. 5) Zvýší se teplota o 20 C a počkáme než dojde k jejímu ustálení. 6) Opakujeme body 4) a 5) dokud není dosaženo konečné teploty 260 C. 7) Z naměřených hodnot vyneseme závislost závislosti na teplotě. 8) Vypočteme hodnoty teplotního koeficientu odporu. Obr 2.6 Měřící stanoviště. 26
27 2.4. Měření teplotního koeficientu odporu Měření probíhalo na navrženém a vyrobeném odporovém monitoru. Nejprve se měřilo na odporech s velikostí 4x0,5mm na všech pastách. Tab.1 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R15 t[ C] Rohřev [Ω] Rochlazení[Ω] 116,98 114,67 114,02 111,33 111,16 113,56 115,05 113,83 114,56 113,08 113,73 113,13 110,83 111,77 117,46 117,35 117,56 117,83 117,39 116,92 116,48 117,34 114,58 116,3 114,81 114,75 113,15 112,35 Výpočet TKR pro pastu R15: TKR R280 R35 111,77 116, ppm/ºc R35 T 280 T , TKR R280 R35 112,35 117, ppm/ºc R35 T 280 T , teplotní závislost odporu pasty R15 4x0,5mm R[Ω] t[ C] Rohřev[Ω] Obr 2.7 Teplotní závislost odporu pasta R Rochlazení[Ω]
28 Tab.2 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R16 t[ C] Rohřev [kω] Rochlazení[kΩ] 2,42 2,41 2,4 2,39 2,39 2,38 2,38 2,37 2,37 2,36 2,36 2,35 2,35 2,35 2,42 2,42 2,4 2,4 2,39 2,39 2,38 2,37 2,37 2,36 2,36 2,35 2,35 2,35 Výpočet TKR pro pastu R16: TKR R280 R ppm/ºc R35 T 280 T TKR R280 R ppm/ºc R35 T 280 T Teplotní závislost odporu pasty R16 4x0,5mm 2,44 2,42 R[kΩ] 2,4 2,38 2,36 2,34 2,32 2, t[ C] Rohřev[Ω] Rochlazení[Ω] Obr 2.8 Teplotní závislost odporu pasta R
29 Tab.3 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R19 t[ C] Rohřev [MΩ] Rochlazení[MΩ] 35,11 34,92 34,84 34,78 34,75 34,71 34,64 34,61 34,59 34,58 34,61 34,58 34,48 34,43 35,1 35,01 34,91 34,85 34,79 34,74 34,7 34,68 34,64 34,31 34,56 34,51 34,49 34,46 Výpočet TKR pro pastu R19: TKR R280 R35 34,43 35,11 79 ppm/ºc R35 T 280 T 35 35, TKR R280 R35 34,46 35,1 74 ppm/ºc R35 T 280 T 35 35, Teplotní závislost odporu pasta R19 4x0,5mm 35, ,8 R[MΩ] 34,6 34,4 34, , t[ C] Rohřev[Ω] Obr 2.9 Teplotní závislost odporu pasta R Rochlazení[Ω]
30 Tab.4 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R1 Rohřev [Ω] t[ C] Rochlazení[Ω] 99,56 101,12 102,51 103,29 104,88 105,95 108,61 109,73 110,58 111,18 111,96 111,49 111,36 98,35 99,22 103,49 104,02 105,98 106,58 109,44 111,51 111,57 111,37 111,05 110,93 110,52 Výpočet TKR pro pastu R1: TKR R240 R35 111,49 99,56 58 ppm/ºc R35 T 240 T 35 99, TKR R220 R35 111,05 98,35 69 ppm/ºc R35 T 220 T 35 98, Teplotní závislost odporu R1 4x0,5mm R[Ω] t[ C] Rohřev[Ω] Rochlazení[Ω] Obr 2.10 Teplotní závislost odporu pasta R
31 Tab.5 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R35 t[ C] Rohřev [kω] Rochlazení[kΩ] 973,99 955,17 895,49 849,67 822,15 892,95 835,33 947,14 915,19 815,46 913,85 937,12 942,74 975,44 970,02 966,58 961,19 959,86 956,95 940,46 913,53 742,55 970,35 932,78 863,53 872,13 Výpočet TKR pro pastu R35: TKR R260 R35 942,74 973, ppm/ºc R35 T 260 T , TKR R260 R35 872,13 975, ppm/ºc R35 T 260 T , Teplotní závislost odporu pasta R35 4x0,5mm R[kΩ] t[ C] Rohřev[Ω] Obr 2.11 Teplotní závislost odporu pasta R Rochlazení[Ω]
32 Další měření čtyřbodovou metodou probíhalo na odporech velikosti 2,5x2,5mm naa každé pastě. Tab.6 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R15 t[ C] Rohřev [Ω] Rochlazení[Ω] 67,18 67,17 67,05 66,94 66,84 66,48 65,04 64,79 64,57 64,83 64,78 64,66 64,4 67,73 67,55 67,28 67,15 67,03 66,85 66,84 66,59 66,36 65,95 65,55 65,22 64,74 Výpočet TKR pro pastu R15: TKR R260 R35 64,4 67, ppm/ºc R35 T 260 T 35 67, TKR R260 R35 64,74 67, ppm/ºc R35 T 260 T 35 67, Teplotní závislost odporu pasty R15 2,5x2,5mm R[Ω] t[ C] Rohřev[Ω] Obr 2.12 Teplotní závislost odporu pasta R Rochlazení[Ω]
33 Tab.7 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R16 t[ C] Rohřev [kω] Rochlazení[kΩ] 465,92 464,21 462,56 461,55 460,34 459,13 458,32 457,48 456,39 455,68 455,68 454,09 453,95 466,23 464,72 463,07 461,72 460,55 459,68 458,61 457,64 456,77 456,29 455,73 455,03 454,88 Výpočet TKR pro pastu R16: TKR R260 R35 453,95 465, ppm/ºc R35 T 260 T , TKR R260 R35 454,88 466, ppm/ºc R35 T 260 T , Teplotní závislost odporu pasty R16 2,5x2,5mm R[kΩ] t[ C] Rohřev[Ω] Obr 2.13 Teplotní závislost odporu pasta R Rochlazení[Ω]
34 Tab.8 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R19 t[ C] Rohřev [MΩ] Rochlazení[Ω] 7,64 7,66 7,67 7,68 7,69 7,73 7,79 7,83 7,84 7,68 7,71 7,65 7,67 7,65 7,66 7,67 7,66 7,72 7,7 7,71 7,63 7,61 7,61 7,76 7,68 7,65 Výpočet TKR pro pastu R19: TKR R260 R35 7,67 7,64 17 ppm/ºc R35 T 260 T 35 7, TKR R220 R35 7,76 7,65 77 ppm/ºc R35 T 220 T 35 7, Teplotní závislost odporu pasta R19 2,5x2,5mm 7,9 7,85 7,8 R[MΩ] 7,75 7,7 7,65 7,6 7,55 7,5 7, t[ C] Rohřev[Ω] Rochlazení[Ω] Obr 2.14 Teplotní závislost odporu pasta R
35 Tab.9 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R1 t[ C] Rohřev [Ω] Rochlazení[Ω] 78,61 78,6 78,54 78,49 78,46 78,38 78,35 78,32 78,29 78,34 78,36 78,41 78,4 79,21 78,45 78,34 77,91 78,02 78,38 78,38 78,38 78,38 78,39 78,43 78,42 78,33 Výpočet TKR pro pastu R1: TKR R260 R35 78,4 78,61 12 ppm/ºc R35 T 260 T 35 78, TKR R260 R35 78,33 79,21 49 ppm/ºc R35 T 260 T 35 79, Teplotní závislost odporu R1 2,5x2,5mm 79,5 79 R[Ω] 78, , t[ C] Rohřev[Ω] Rochlazení[Ω] Obr 2.15 Teplotní závislost odporu pasta R
36 Tab.10 Naměřené hodnoty odporu vyrobené pastou R35 t[ C] Rohřev [kω] Rochlazení[kΩ] 572,2 567,3 550,2 534,8 512,2 515,8 511,1 519,4 526,4 485,2 445,1 508,3 482,7 437,8 477,9 477,8 480,6 480,4 480,4 480,5 481,7 479,5 479,1 477,8 475,7 445,7 Výpočet TKR pro pastu R35: TKR R260 R35 482,7 572,2 695 ppm/ºc R35 T 260 T , TKR R260 R50 445,7 477,9 320 ppm/ºc R50 T 260 T , Teplotní závislost odporu pasta R35 2,5x2,5mm R[kΩ] t[ C] Rohřev[Ω] Obr 2.16 Teplotní závislost odporu pasta R Rochlazení[Ω]
37 Další měření proběhlo při 25 C a bylo provedeno jen proto aby se porovnaly teoretické hodnoty odporu a skutečné hodnoty odporu po výrobě odporového monitoru. Tab.11 Naměřené hodnoty odporu pro pastu R15 Číslo rezistoru rozměry l/w 1 2,5/0,5 2 2,5/1 3 2,5/2,5 4 4,0/1,0 5 2,5/5 6 2,5/1,5 7 4/0,5 Teoreticka hodnota odporu 500Ω 250Ω Ω 400Ω 50Ω 166Ω 800Ω , , skutečná hodnota rezistoru [Ω] , ,8 84, ,5 173, , Průměrná hodnota ϕ ,13 154,33 543, , ,5 skutečná hodnota rezistoru [kω] 2 3 6,12 3,65 2,69 1,98 1,15 0,96 3,98 4,56 0,85 0,87 2,05 1,56 7,85 8,24 4 5,69 2,98 1,58 4,25 0,45 1,98 7,56 Průměrná hodnota ϕ 4,95 2,45 1,13 3,88 0,64 1,75 7,78 skutečná hodnota rezistoru [kω] ,2 72,3 20,6 29,4 9,2 12,5 36,7 50,9 4,39 6,84 15,5 16,1 89,4 74,9 4 46,1 30,5 9,4 45,1 5,36 17,2 85,1 Průměrná hodnota ϕ 56,28 28,03 11,18 47,38 5,78 17,85 85,68 skutečná hodnota rezistoru [Ω] ,1 327,6 82,6 98,4 352, ,6 43,7 129,4 208, , ,7 123,5 379,5 54,9 148,2 749,1 Průměrná hodnota ϕ 532,5 292,85 104,15 396,73 46,15 187,83 763,48 Tab.12 Naměřené hodnoty odporu pro pastu R16 Číslo rezistoru rozměry l/w 1 2,5/0,5 2 2,5/1 3 2,5/2,5 4 4,0/1,0 5 2,5/5 6 2,5/1,5 7 4/0,5 Teoreticka hodnota odporu 5kΩ 2,5kΩ 1kΩ 4kΩ 500Ω 1,66kΩ 8kΩ 1 4,32 2,14 0,82 2,72 0,39 1,39 7,48 Tab.13 Naměřené hodnoty odporu pro pastu R19 Číslo rezistoru rozměry l/w Teoreticka hodnota odporu 1 2,5/0,5 50kΩ 2 2,5/1 25kΩ 3 2,5/2,5 10kΩ 4 4,0/1,0 40kΩ 5 2,5/5 5kΩ 6 2,5/1,5 16,6kΩ 7 4/0,5 80kΩ 1 61,5 31,6 13,6 56,8 6,52 22,6 93,3 Tab.14 Naměřené hodnoty odporu pro pastu R1 Číslo rezistoru rozměry l/w 1 2,5/0,5 2 2,5/1 3 2,5/2,5 4 4,0/1,0 5 2,5/5 6 2,5/1,5 7 4/0,5 Teoreticka hodnota odporu 474,5Ω 237,25Ω 94,9Ω 379,6Ω 47,45Ω 157,53Ω 759,2Ω , ,
38 Tab.15 Naměřené hodnoty odporu pro pastu R35 Číslo rezistoru rozměry l/w 1 2,5/0,5 2 2,5/1 3 2,5/2,5 4 4,0/1,0 5 2,5/5 6 2,5/1,5 7 4/0,5 Teoreticka hodnota odporu 4,595MΩ 2,2975MΩ 919kΩ 3,676MΩ 459,5kΩ 1,5255MΩ 7,252MΩ 1 4,52 1,56 0,78 4,65 0,56 1,86 7,56 skutečná hodnota rezistoru [MΩ] 2 3 5,36 3,98 2,98 2,45 1,32 0,87 3,21 3,85 0,35 0,44 1,25 1,09 7,32 8,01 4 4,85 1,96 1,09 4,06 0,51 2,04 6,93 Průměrná hodnota ϕ 4,68 2,24 1,02 3,94 0,47 1,56 7,46 Hodnoty změřených odporu se liší od hodnot teoretických vypočtených se známe hodnoty počtu čtverců a odporu Ω/. Z důvodu tohoto malého rozdílu se hodnoty odporu po výpalu měří a dostavují. 38
39 3.Závěr V práci se čtenář seznámil s vrstvovými technologiemi a to jak s tenkovrstvými tak tlustovrsvými technologiemi. U tlostovrstvých technologii jsme se seznámili kromě principu výroby i s návrhem obvodu v této výrobní technologii. V další části se čtenář seznámil s pojmem teplotní koeficient odporu, jeho výpočtem a také s metodou jeho měření u tlustovrstvých odporů. Navržena metoda měření teplotního koeficientu odporu byla následně otestováná v praxi na několika odporech. Pro pastu R15 TT5021 s odporem Ω/ bylo měřením a výpočty zjíštěno teplotní koeficient -180ppm/ºC a výrobcem udáváná hodnota je až 150 ppm/ºc. Pro pastu R16 TT5031 s odporem 1kΩ/ bylo měřením a výpočty zjíštěno teplotní koeficient -110ppm/ºC a výrobcem udáváná hodnota je -53 až +38 ppm/ºc. Pro pastu R19 TT5021 s odporem 10kΩ/ bylo měřením a výpočty zjíštěno teplotní koeficient -75ppm/ºC pro dlouhé odpory a pro krátké odpory 50ppm/ºC a výrobcem udáváná hodnota je -34 až +19 ppm/ºc. Pro pastu R1 ESL2712 s odporem 94,9Ω/ bylo měřením a výpočty zjíštěno teplotní koeficient 62ppm/ºC pro dlouhé odpory a pro krátké odpory -30ppm/ºCa výrobcem udáváná hodnota je -30 až +62 ppm/ºc. Pro pastu R35 ESL3916 s odporem 919kΩ/ bylo měřením a výpočty zjíštěno teplotní koeficient -300ppm/ºC a výrobcem udáváná hodnota je -144 až -192 ppm/ºc. Při vypracování práce byla vyzkoušena v praxi i metoda návrhu tlustovrstvých obvodů s rezistory a vodivými cestami a k výrobě měřící hlavy s ramenem pro měření čtyřbodovou metodou. 39
40 Seznam použité literatury: [1] Szendiuch,I.:Mikroelektronické montážní technologie, Nakladatelství VUT v Brně, VUTIUM, 1997, ISBN [2] Szendiuch,I. A kol.: Technologie elektronických obvodů a systémů, Nakladatelství VUT v Brně, VUTIUM, 2002, [3] Szendiuch, I., Hejátková, E.,Řezníček, M., Buršík, M., Adámek, M., Prášek, J.: Mikroelektronika a technologie součástek, Nakladatelství NOVOPRESS s.r.o., 2009, ISBN
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
Více6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití
6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími
VíceTlustovrstvá technologie: -kompletní technologický proces pro výrobu HIO. -Návrh -Modelování a simulace -Technologický postup -Aplikace
TLUSTÉ VRSTVY Tlustovrstvá technologie: -kompletní technologický proces pro výrobu HIO -Návrh -Modelování a simulace -Technologický postup -Aplikace Tlustévrstvy - úvod Jsou vytvářeny na keramických substrátech
Vícezařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.
Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
Více1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě
FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Ústv mikroelektroniky 1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě Cíle kapitoly: Tlustovrstvá pasivní síť hybridních integrovaných
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceTLUSTÉ VRSTVY TISK, VYTVRZENÍ, MĚŘENÍ
TLUSTÉ VRSTVY TISK, VYTVRZENÍ, MĚŘENÍ 1. UVEDENÍ DO PROBLEMATIKY 1.1. Využití tlustovrstvé technologie S rostoucí integrací v elektronických obvodech se objevuje potřeba nahrazovat klasické součástky jinými
VícePRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.
1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A
VíceMikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Odporové senzory Obecné vlastnosti odporových senzorů Odporové senzory kontaktové Měřící potenciometry Odporové tenzometry Odporové senzory teploty Odporové
VíceZÁKLADNÍ METODY REFLEKTOMETRIE
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV RADIOELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
VíceStudijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby
Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Doc. Ing. Václav Kolář Ph.D. Předmět určen pro: Fakulta metalurgie a materiálového inženýrství, VŠB-TU Ostrava. Navazující magisterský studijní
Víced p o r o v t e p l o m ě r, t e r m o č l á n k
d p o r o v t e p l o m ě r, t e r m o č l á n k Ú k o l : a) Proveďte kalibraci odporového teploměru, termočlánku a termistoru b) Určete teplotní koeficienty odporového teploměru, konstanty charakterizující
VíceVYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ MĚŘENÍ VODIVOSTI KAPALIN BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV AUTOMATIZACE A MĚŘICÍ TECHNIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION
VíceEXPERIMENTÁLNÍ ZJIŠŤOVÁNÍ VLASTNOSTÍ INTEGROVANÝCH TLUSTÝCH VRSTEV
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
VíceVY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
VíceVyužití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
VíceVakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev
VíceTechnické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií
Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Tento dokument obsahuje popis technologických možností při výrobě potištěných keramických substrátů PS (Printed Substrates)
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceEU PENÍZE ŠKOLÁM NÁZEV PROJEKTU : MÁME RÁDI TECHNIKU REGISTRAČNÍ ČÍSLO PROJEKTU :CZ.1.07/1.4.00/21.0663
EU PENÍZE ŠKOLÁM NÁZEV PROJEKTU : MÁME RÁDI TECHNIKU REGISTRAČNÍ ČÍSLO PROJEKTU :CZ.1.07/1.4.00/21.0663 Speciální základní škola a Praktická škola Trmice Fűgnerova 22 400 04 1 Identifikátor materiálu:
VíceInteligentní koberec ( )
Inteligentní koberec (10.4.2007) Řešení projektu bylo rozděleno do dvou fází. V první fázi byly hledány vhodné principy konstrukce senzorového pole. Druhá fáze se zaměřuje na praktické ověření vlastností
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a
VíceFyzikální metody nanášení tenkých vrstev
Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické
Více4 Měření nelineárního odporu žárovky
4 4.1 Zadání úlohy a) Změřte proud I Ž procházející žárovkou při různých hodnotách napětí U, b) sestrojte voltampérovou charakteristiku dané žárovky, c) z naměřených hodnot dopočítejte hodnoty stejnosměrného
VíceAPLIKAČNÍ TECHNOLOGIE
APLIKAČNÍ TECHNOLOGIE nanášení pájecích past, lepidel, tavidel aj. sítotisk šablonový tisk dispenze pin transfer. Zařízení ruční poloautomatická automatická in line nebo off line PLATÍ ZÁSADA: dobře natisknuto
VíceVAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:
VíceLasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
VíceZákladní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.
Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle
VíceElektrostruskové svařování
Nekonvenční technologie svařování Elektrostruskové svařování doc. Ing. Ivo Hlavatý, Ph.D. ivo.hlavaty@vsb.cz http://fs1.vsb.cz/~hla80 1 Elektroda zasahuje do tavidla, které je v pevném skupenství nevodivé.
VíceVodivé plasty zajímavý materiál pro laboratorní práci
Vodivé plasty zajímavý materiál pro laboratorní práci JOSEF HUBEŇÁK Přírodovědecká fakulta, Univerzita Hradec Králové, Hradec Králové Abstrakt Plasty jsou výbornými izolanty a zdroji elektrostatických
Víceelektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech
Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se
VíceCo je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur) -přenesení dané struktury na povrch strukturovaného substrátu Princip - interakce
VíceFJFI ČVUT V PRAZE. Úloha 8: Závislost odporu termistoru na teplotě
ZÁKLADY FYZIKÁLNÍCH MĚŘENÍ FJFI ČVUT V PRAZE Datum měření: 29. 4. 2009 Pracovní skupina: 3, středa 5:30 Spolupracovali: Monika Donovalová, Štěpán Novotný Jméno: Jiří Slabý Ročník, kruh:. ročník, 2. kruh
VíceELEKTRICKÉ VLASTNOSTI TLUSTOVRSTVÝCH ODPOROVÝCH PAST ELECTRICAL PROPERTIES OF THICK-FILM RESISTIVE PASTES
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
VíceVY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták
VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták Izolant je látka, která nevede elektrický proud izolant neobsahuje volné částice s elektrický
Více1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD.
Kondenzátory Kondenzátory jsou pasivní elektronické součástky vyrobené s hodnotou kapacity udané výrobcem. Na součástce se udává kapacita [F] a jmenovité napětí [V], které udává maximální napětí, které
Více4. Stanovení teplotního součinitele odporu kovů
4. Stanovení teplotního součinitele odporu kovů 4.. Zadání úlohy. Změřte teplotní součinitel odporu mědi v rozmezí 20 80 C. 2. Změřte teplotní součinitel odporu platiny v rozmezí 20 80 C. 3. Vyneste graf
VíceTISKOVÉ TECHNIKY S Í T O T I S K. www.sshopct.cz/polygrafie
S Í T O T I S K ZÁKLADNÍ POJMY SÍTOTISKU TISKOVÉ TECHNIKY TISKOVÁ PŘEDLOHA (printon) Jedná se o vzor, text, který má být otisknut na potiskovaný materiál. Kvalita tiskové předlohy rozhodujícím způsobem
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceGlass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
VíceElektrický proud. Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů
Elektrický proud Elektrický proud : Usměrněný pohyb částic s elektrickým nábojem. Kovy: Usměrněný pohyb volných elektronů Vodivé kapaliny : Usměrněný pohyb iontů Ionizované plyny: Usměrněný pohyb iontů
VíceVEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH
VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to
VíceMěření charakteristik fotocitlivých prvků
Měření charakteristik fotocitlivých prvků Úkol : 1. Určete voltampérovou charakteristiku fotoodporu při denním osvětlení a při osvětlení E = 1000 lx. 2. Určete voltampérovou charakteristiku fotodiody při
VíceZáklady vakuové techniky
Základy vakuové techniky Střední rychlost plynů Rychlost molekuly v p = (2 k N A ) * (T/M 0 ), N A = 6. 10 23 molekul na mol (Avogadrova konstanta), k = 1,38. 10-23 J/K.. Boltzmannova konstanta, T.. absolutní
VíceAutokláv reaktor pro promíchávané vícefázové reakce
Vysoká škola chemicko technologická v Praze Ústav organické technologie (111) Autokláv reaktor pro promíchávané vícefázové reakce Vypracoval : Bc. Tomáš Sommer Předmět: Vícefázové reaktory (prof. Ing.
VíceDruh Jednosložková epoxidová pryskyřice s obsahem vytvrzovacího systému se zvýšenou lepivostí
Použití Epoxidová pryskyřice ve formě fólie určená pro patentovanou Letoxit Foil Technologii (LF Technology), což je technologie suché laminace, která je zvláště vhodná pro výrobu laminátových struktur
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VíceFotovoltaické systémy
Fotovoltaické systémy Prof. Ing. Vitězslav Benda, CSc ČVUT Praha, Fakulta elektrotechnická katedra elektrotechnologie 1000 W/m 2 Na zemský povrch dopadá část záření pod úhlem ϕ 1 6 MWh/m 2 W ( ϕ) = W0
VíceMikroelektronika a technologie součástek
FAKULTA ELEKTROTECHNKY A KOMUNKAČNÍCH TECHNOLOGÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNCKÉ V BRNĚ Mikroelektronika a technologie součástek laboratorní cvičení Garant předmětu: Doc. ng. van Szendiuch, CSc. Autoři textu: ng.
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
VíceStřední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace
Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace Registrační číslo projektu: Číslo DUM: Tematická oblast: Téma: Autor: CZ.1.07/1.5.00/34.0245 VY_32_INOVACE_08_A_07
VíceNauka o materiálu. Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky
Nauka o materiálu Přednáška č.2 Poruchy krystalické mřížky Opakování z minula Materiál Degradační procesy Vnitřní stavba atomy, vazby Krystalické, amorfní, semikrystalické Vlastnosti materiálů chemické,
VícePoužitý rezistor (jmenovitá hodnota): R1 = 270 kω je přesný metalizovaný rezistor s přesností ± 0,1%.
Laboratorní úloha Snímač teploty R je zapojený podle schema na Obr. 1. Snímač je termistor typ B57164K [] se jmenovitým odporem pro teplotu 5 C R 5 00 Ω ± 10 %. Závislost odporu termistoru na teplotě je
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceVLASTNOSTI VLÁKEN. 3. Tepelné vlastnosti vláken
VLASNOSI VLÁKEN 3. epelné vlastnosti vláken 3.. Úvod epelné vlastnosti vláken jsou velice důležité, neboť jsou rozhodující pro volbu vhodných parametrů zpracování i použití vláken. Závisí na chemickém
VíceMěření prostupu tepla
KATEDRA EXPERIMENTÁLNÍ FYZIKY PŘÍRODOVĚDECKÁ FAKULTA UNIVERZITY PALACKÉHO V OLOMOUCI FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM Z MOLEKULOVÉ FYZIKY A TERMODYNAMIKY Měření prostupu tepla Úvod Prostup tepla je kombinovaný případ
VíceINTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV. Černoleská 1997, Benešov. Elektrická měření. Tematický okruh. Měření elektrických veličin.
Číslo projektu CZ.107/1.5.00/34.0425 Název školy INTEGROVANÁ STŘEDNÍ ŠKOLA TECHNICKÁ BENEŠOV Černoleská 1997, 256 01 Benešov Předmět Elektrická měření Tematický okruh Měření elektrických veličin Téma Měření
VíceTECHNICKÁ DOKUMENTACE
Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace TECHNICKÁ DOKUMENTACE Rozmístění a instalace prvků a zařízení Ing. Pavel Chmiel, Ph.D. OBSAH VÝUKOVÉHO MODULU 1. Součástky v elektrotechnice
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody
VíceVzhled Pryskyřice má formu nažloutlé průhledné folie síly 0,1 0,7 mm (dle přání zákazníka), pružné a tvárné při pokojové či zvýšené teplotě.
Použití Epoxidová pryskyřice ve formě fólie určená pro patentovanou Letoxit Foil Technologii (LF Technology), což je technologie suché laminace, která je zvláště vhodná pro výrobu laminátových struktur
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Základy vakuové techniky Doc. Ing. Karel Daďourek 2006
Vybrané technologie povrchových úprav Základy vakuové techniky Doc. Ing. Karel Daďourek 2006 Střední rychlost plynů Rychlost molekuly v p = (2 k N A ) * (T/M 0 ), N A = 6. 10 23 molekul na mol (Avogadrova
Více7.3 Výkresová dokumentace Pro technologickou přípravu i pro výrobu se zpracovávají následující základní dokumenty:
7. 7.3 Výkresová dokumentace Pro technologickou přípravu i pro výrobu se zpracovávají následující základní dokumenty: Výkres vodivých obrazců obsahuje kresbu vodivého obrazce, značky pro kontrolní body,
VícePlazmové svařování a dělení materiálu. Jaromír Moravec
Plazmové svařování a dělení materiálu Jaromír Moravec 1 Definice plazmatu Definice plazmatu je následující: Plazma je kvazineutrální soubor částic s volnými nosiči nábojů, který vykazuje kolektivní chování.
VíceAPLIKACE SIMULAČNÍHO PROGRAMU ANSYS PRO VÝUKU MIKROELEKTROTECHNICKÝCH TECHNOLOGIÍ
APLIKACE SIMULAČNÍHO PROGRAMU ANSYS PRO VÝUKU MIKROELEKTROTECHNICKÝCH TECHNOLOGIÍ 1. ÚVOD Ing. Psota Boleslav, Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc. Ústav mikroelektroniky, FEKT VUT v Brně, Technická 10, 602
VíceIonizační manometry. Při ionizaci plynu o koncentraci n nejsou ionizovány všechny molekuly, ale jenom část z nich n i = γn ; γ < 1.
Ionizační manometry Princip: ionizace molekul a měření počtu nabitých částic Rozdělení podle způsobu ionizace: Manometry se žhavenou katodou Manometry se studenou katodou Manometry s radioaktivním zářičem
VíceFyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK
Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony
VíceMgr. Ladislav Blahuta
Mgr. Ladislav Blahuta Střední škola, Havířov-Šumbark, Sýkorova 1/613, příspěvková organizace Tento výukový materiál byl zpracován v rámci akce EU peníze středním školám - OP VK 1.5. Výuková sada ZÁKLADNÍ
VícePrincipy chemických snímačů
Principy chemických snímačů Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova Autor: Ing. Pavel Votrubec Název: VY_32_INOVACE_05_AUT_99_principy_chemickych_snimacu.pptx Téma: Principy chemických snímačů
VíceSNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY
SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ TEPLOTY 10.1. Kontaktní snímače teploty 10.2. Bezkontaktní snímače teploty 10.1. KONTAKTNÍ SNÍMAČE TEPLOTY Experimentální metody přednáška 10 snímač je připevněn na měřený objekt 10.1.1.
Více18 Teplotní závislost odporu polovodičového termistoru a kovového snímače teploty
18 Teplotní závislost odporu polovodičového termistoru a kovového snímače teploty ZADÁNÍ Změřte a porovnejte teplotní závislost odporu polovodičových termistorů a platinového snímače teploty v intervalu
VíceMol. fyz. a termodynamika
Molekulová fyzika pracuje na základě kinetické teorie látek a statistiky Termodynamika zkoumání tepelných jevů a strojů nezajímají nás jednotlivé částice Molekulová fyzika základem jsou: Látka kteréhokoli
VíceFyzikální praktikum II
Kabinet výuky obecné fyziky, UK MFF Fyzikální praktikum II Úloha č. 9 Název úlohy: Charakteristiky termistoru Jméno: Ondřej Skácel Obor: FOF Datum měření: 16.11.2015 Datum odevzdání:... Připomínky opravujícího:
VícePřenos pasivního dvojbranu RC
Střední průmyslová škola elektrotechnická Pardubice VIČENÍ Z ELEKTRONIKY Přenos pasivního dvojbranu R Příjmení : Česák Číslo úlohy : 1 Jméno : Petr Datum zadání : 7.1.97 Školní rok : 1997/98 Datum odevzdání
VícePrůběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur
Průběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur Úkol je možno rozdělit na teoretickou a praktickou část. V rámci praktické části bylo řešeno, 1)
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
Více12. Elektrochemie základní pojmy
Důležité veličiny Elektroda, článek Potenciometrie Evropský sociální fond Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti Důležité veličiny proud I (ampér - A) náboj Q (coulomb - C) Q t 0 I dt napětí, potenciál
VíceVzhled Pryskyřice má formu zelené průsvitné folie síly 0,1 0,7 mm (dle přání zákazníka), pružné a tvárné při pokojové či zvýšené teplotě.
Použití Epoxidová pryskyřice ve formě fólie určená pro patentovanou Letoxit Foil Technologii (LF Technology), což je technologie suché laminace, která je zvláště vhodná pro výrobu laminátových struktur
Více12. Struktura a vlastnosti pevných látek
12. Struktura a vlastnosti pevných látek Osnova: 1. Látky krystalické a amorfní 2. Krystalová mřížka, příklady krystalových mřížek 3. Poruchy krystalových mřížek 4. Druhy vazeb mezi atomy 5. Deformace
VíceIII. Stacionární elektrické pole, vedení el. proudu v látkách
III. Stacionární elektrické pole, vedení el. proudu v látkách Osnova: 1. Elektrický proud a jeho vlastnosti 2. Ohmův zákon 3. Kirhoffovy zákony 4. Vedení el. proudu ve vodičích 5. Vedení el. proudu v polovodičích
VíceÚvod. Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství.
Laserové kalení Úvod Povrchové vlastnosti jako jsou koroze, oxidace, tření, únava, abraze jsou často vylepšovány různými technologiemi povrchového inženýrství. poslední době se začínají komerčně prosazovat
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace
DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké
Více9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY
Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceProtokol o zkoušce AP_EZ/2017/043/01/CZ. Power-Energo, s.r.o. Pod Pekárnami 245/ , Praha 9
ETD TRANSFORMÁTORY a.s. ELEKTROTECHNICKÁ ZKUŠEBNA Zborovská 54/22, Doudlevce, 301 00 Plzeň, Česká republika tel.: +420 373 031 660, fax: +420 373 031 662, e-mail: info-ez@etd-bez.cz Počet listů: 8 Protokol
VícePřednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
VíceTermistor. Teorie: Termistor je polovodičová součástka, jejíž odpor závisí na teplotě přibližně podle vzorce
ermistor Pomůcky: Systém ISES, moduly: teploměr, ohmmetr, termistor, 2 spojovací vodiče, stojan s držáky, azbestová síťka, kádinka, voda, kahan, zápalky, soubor: termistor.imc. Úkoly: ) Proměřit závislost
VíceSNÍMAČE PRO MĚŘENÍ DEFORMACE
SNÍMAČE PRO MĚŘENÍ DEFORMACE 8.1. Odporové tenzometry 8.2. Optické tenzometry 8.3. Bezkontaktní optické metody 8.1. ODOPROVÉ TENZOMETRY 8.1.1. Princip měření deformace 8.1.2. Kovové tenzometry 8.1.3. Polovodičové
VíceSenzorika a senzorické soustavy
Senzorika a senzorické soustavy Snímače teploty Tato publikace vznikla jako součást projektu CZ.04.1.03/3.2.15.2/0285 Inovace VŠ oborů strojního zaměření, který je spolufinancován evropským sociálním fondem
VíceZávislost odporu kovového vodiče na teplotě
4.2.1 Závislost odporu kovového vodiče na teplotě Předpoklady: 428, délková a objemová roztažnost napětí [V] 1,72 3,43 5,18 6,86 8,57 1,28 proud [A],,47,69,86,11,115,127,14,12,1 Proud [A],8,6,4,2 2 4 6
Více- Stabilizátory se Zenerovou diodou - Integrované stabilizátory
1.2 Stabilizátory 1.2.1 Úkol: 1. Změřte VA charakteristiku Zenerovy diody 2. Změřte zatěžovací charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou diodou 3. Změřte převodní charakteristiku stabilizátoru se Zenerovou
VíceÚčinky elektrického proudu. vzorová úloha (SŠ)
Účinky elektrického proudu vzorová úloha (SŠ) Jméno Třída.. Datum.. 1. Teoretický úvod Elektrický proud jako jev je tvořen uspořádaným pohybem volných částic s elektrickým nábojem. Elektrický proud jako
VíceFYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM FJFI ČVUT V PRAZE. Úloha 11: Termická emise elektronů
FYZIKÁLNÍ PRAKTIKUM FJFI ČVUT V PRAZE Datum měření: 15.4.2011 Jméno: Jakub Kákona Pracovní skupina: 4 Ročník a kroužek: Pa 9:30 Spolupracovníci: Jana Navrátilová Hodnocení: Úloha 11: Termická emise elektronů
VíceNauka o materiálu. Přednáška č.12 Keramické materiály a anorganická nekovová skla
Nauka o materiálu Přednáška č.12 Keramické materiály a anorganická nekovová skla Úvod Keramika a nekovová skla jsou ve srovnání s kovy velmi křehké. Jejich pevnost v tahu je nízká a finálnímu lomu nepředchází
VícePlasty v automobilovém průmyslu
Plasty v automobilovém průmyslu Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Iveta Konvičná Dostupné z Metodického portálu www.rvp.cz; ISSN 1802-4785, financovaného z ESF a státního
VíceInterní norma č /01 Anizotropie rezistivity textilií.
Předmluva Text vnitřní normy byl vypracován v rámci Výzkumného centra Textil LN00B090 a schválen oponentním řízením dne 7.7. 2004 Předmět normy Tato norma popisuje měření anizotropie rezistivity textilií
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
Více