IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové



Podobné dokumenty
Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

Bezkontaktní spínací přístroje

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Inovace výuky předmětu Robotika v lékařství

Základy elektrotechniky

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

Součástky s více PN přechody

SpÄnacÄ polovodičovç několikavrstvovç součñstky

Polovodiče Polovodičové měniče

Mìnièe výkonové elektroniky a jejich použití v technických aplikacích

Tyristor. Tyristor. Tyristor. 1956: Bell Labs Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1958: General Electric Thyristor. Výkonové polovodičové součástky

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ. Katedra elektromechaniky a výkonové elektroniky. Regulace jednofázového napěťového střídače

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor

Unipolární Tranzistory

Stopař pro začátečníky

1. Obecná struktura pohonu s napěťovým střídačem

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/ NAPÁJECÍ ZDROJE

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

Polovodiče, polovodičové měniče

Obsah. Obsah. Profil společnosti 2

Osnova: 1. Speciální diody 2. Tranzistory 3. Operační zesilovače 4. Řízené usměrňovače

Neřízené polovodičové prvky

Fyzika vedení proudu ve vakuu a v pevné fázi, pásový diagram, polovodiče

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY

Tranzistory bipolární

Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1

VÝKONOVÉ POLOVODIČOVÉ PRVKY

Zvyšování kvality výuky technických oborů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Teoretický rozbor

Výkonová elektronika. Příklad. U o. sin

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR

Ing. Milan Nechanický. Cvičení. SOUBOR PŘÍPRAV PRO 3. R. OBORU M/01 Elektrotechnika - Mechatronika. Monitorovací indikátor

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů tyristoru část Test

Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích

ROZD LENÍ ZESILOVA Hlavní hledisko : Další hlediska : A) Podle kmito zesilovaných signál B) Podle rozsahu zpracovávaného kmito tového pásma

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

ELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky První a druhý průraz bipolárního

Integrovaná střední škola, Sokolnice 496

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Bipolární tranzistory

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ

Kap. 3 Vodiče a spojovací součásti. Odd. 1 - Spojení. Odd. 2 Spojení, svorky (vývody) a odbočení. Odd. 3 - Spojovací součásti

Kroužek elektroniky

3. Diody, tranzistory, tyristory, triaky, diaky. Použitá literatura: Jan Kesl: Elektronika I. a II. Internet

ELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH

Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Jednofázové a třífázové polovodičové spínací přístroje

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Výkonová elektronika KE

Unipolární tranzistory

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

Sada 1 - Elektrotechnika

ZÁKLADY POLOVODIČOVÉ TECHNIKY. Doc.Ing.Václav Vrána,CSc. 03/2008

VY_32_INOVACE_ENI_2.MA_04_Zesilovače a Oscilátory

1.1 Usměrňovací dioda

3. Zesilovače Elektrický signál

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření VA-charakteristik bipolárního tranzistoru, část

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

Integrovaná střední škola, Kumburská 846, Nová Paka Elektronika - Zdroje SPÍNANÉ ZDROJE

Zvyšování kvality výuky technických oborů

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTROMECHANIKY A VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY BAKALÁŘSKÁ PRÁCE

1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze.

7. VÍCEVRSTVÉ SPÍNACÍ SOUČÁSTKY

Způsoby realizace paměťových prvků

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

Statické měniče v elektrických pohonech Pulsní měniče Jsou to stejnosměrné měniče, mění stejnosměrné napětí. Účel: změna velikosti střední hodnoty

4.2 Paměti PROM NiCr. NiCr. Obr.140 Proudy v naprogramovaném stavu buňky. Obr.141 Princip PROM. ADRESOVÝ DEKODÉR n / 1 z 2 n

TRENDY V OBLASTI VÝKONOVÉ ELEKTRONIKY

9/10/2012. Výkonové polovodičové součástky. Výkonové polovodičové součástky obsah prezentace. Výkonové polovodičové součástky přehled

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH

Číslicový multimetr AX-572. Návod k obsluze

Výstaviště v Brně, Kongresové centrum, sál B, 14. září 2010

VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),

ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ KATEDRA ELEKTRONIKY A TELEKOMUNIKACÍ DIPLOMOVÁ PRÁCE

1 ÚVOD DO PŘEDMĚTU ZÁKLADNÍ OBVODY...14

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Transkript:

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor speciální polovodičová struktura IGBT se používá jako spínací tranzistor nejdůležitější součástka výkonové elektroniky chová se jako bipolární tranzistor řízený unipolárním tranzistorem, tedy napětím po sepnutí pracuje výstupní výkonový obvod v saturaci hlavní výhody: velké závěrné napětí, malý úbytek napětí (a ztráty) ve vodivém stavu mezní parametry: jednotky ka, jednotky kv, spínací f desítky khz v jedné struktuře (vlevo značka) se skrývá unipolární tranzistor s indukovaným kanálem N, bipolární tranzistor PNP a (bohužel) také parazitní tranzistor NPN (červeně) a nežádoucí odpor R S (modře)

bipolární tranzistor PNP se spíná záporným proudem báze B, tedy vlastně tekoucím z B tento proud teče z B do E po otevření unipolárního tranzistoru kladným napětím na G na obrázku je označen proud elektronů (hnědé šipky) a proud děr (černé) přechodový odpor R S (kontakt) mezi S a C musí být co nejmenší jinak by sepnul parazitní tranzistor NPN a IGBT by nešel vypnout kolektor C tranzistoru PNP je vlastně emitorem E IGBT a emitor E PNP kolektorem C proto se někdy C IGBT označuje jako A (anoda) a E jako K (katoda)

Zapojení IGBT typický je modul v trojfázovém můstkovém spojení každý IGBT je opatřen zpětnou diodou, která se otevírá vždy, když je z různých důvodů třeba, aby proud opačným směrem používá se např. v elektrických pohonech jako aktivní usměrňovač nebo střídač Výstupní charakteristiky podobají se bipolárním tranzistorům společným rysem se posunutí počátku o 0,7 V (offset) úbytek napětí v sepnutém stavu (při saturaci) závisí na I C i U GS a bývá několik V

Tyristor - čtyřvrstvá spínací součástka; je několik druhů. Zpětně závěrný tyristor (klasický) struktura: obvykle PNPN, 3 přechody J1, J2, J3 vývody A (anoda), K (katoda), G (gate) tři pracovní režimy blokovací: U AK = U T > 0, přechod J2 uzavřen, I A = I T 0 závěrný: U AK = U R < 0, přechody J1, J3 uzavřeny, I R 0 propustný: U AK > 0, U GK > 0, I G > 0 přivedením kladného napětí na G proti K se otevře přechod J3 a vznikne proud I G elektrony proudí z K do G a zaplaví i přechod J2 tam na ně působí také kladnější napětí od A elektrony překonají J2 a postupují přes otevřený J1 k A tento proud elektronů vyvolá proud děr v opačném směru v důsledku toho se dále zesílí proud elektronů vznikne tak kladná zpětná vazba a teče proud I A = I T I T teče i po odebrání řídicího proudu I G I T je omezen prakticky jen odporem vnějšího obvodu úbytek napětí v propustném směru je 1,5 2,5 V

voltampérové charakteristiky blokovací a závěrná část je podobná, připomíná diodu zapnutí - z blokovací na propustnou část se přejde po přivedení I G dostatečné velikosti postačuje jen impuls I G, tyristor pak zůstává sepnutý, pokud vznikne v anodovém obvodu proud alespoň I L přídržný (latching) pracovní bod se dostane na propustnou větev do bodu, který odpovídá parametrům obvodu vypnutí - při poklesu I A pod I H - vratný (holding) přejde tyristor do blokovacího režimu I H je nepatrně menší než I L, často se v katalozích uvádí jediný údaj ostatní hodnoty (I TM, U RM, U RSM...) mají stejný význam jako u diod

poznámky k činnosti zapínání překročením blokovacího napětí U B0 je teoreticky možné, ale nežádoucí snížení anodového proudu I A pod hodnotu I H při vypínání tyristoru (prakticky k nule) ve střídavém obvodu ho zajistí síť- síťová komutace ve stejnosměrném obvodu se musí vyvolat protiproud - vlastní komutace fázové řízení je to řízení střední hodnoty napětí na zátěži U dav ve střídavém obvodu změnou řídicího úhlu α větší α pozdější sepnutí menší U dav průběhy napětí a proudu při odporové zátěži U dav plochy pod U dav a pod u d se rovnají

vlastní komutace vypínání ve stejnosměrném obvodu musí zajistit vlastní komutační obvody obvykle se vyvolá protiproud vybíjením kondenzátoru na schématu je příklad komutačního obvodu KO pro vypínání tyristoru V1, kdy se nabitý kondenzátor C vybíjí proudem I p po sepnutí tyristoru V2 na obr. vpravo je průběh napětí na zátěži 1 zapnutí V1, 2 vypnutí V1 prostřednictvím zapnutí V2 komutační obvody jsou složité, často rozměrné je výhodnější používat jiné spínací prvky (GTO, IGCT tyristory, IGBT tranzistory)

Další druhy tyristorů vypínací tyristor GTO (gate turn off) principiálně podobný, ale má jiné rozměry zapíná se stejně impulsem na G lze ho vypnout záporným impulsem na G přitom se z přechodu J3 odsají nosiče nábojů, ty pak nemohou překročit J2 tím se obnoví blokovací schopnost tyristor IGCT (integrated gate commutated thyristor) je podobný GTO má extrémně rychlé vypínací a zapínací časy používá se ve výkonové elektronice, kde konkuruje IGBT Použití tyristorů řízené usměrňovače, stejnosměrné pulsní měniče Obrázek vpravo: diskrétní součástka s vývody tyristor v kotoučovém, tzv. pastilkovém pouzdře

Triak - vícevrstvá spínací součástka; lze ho chápat jako obousměrný tyristor. Triac Triode Alternating Current Switch základní strukturu tvoří dva antiparalelně zapojené tyristory (na obr. Ty1 a Ty2) se společnou řídicí elektrodou elektrody se označují A1, A2 a G při obou polaritách U A1A2 je vždy jeden z dílčích tyristorů v blokovacím a druhý v propustném režimu struktura triaku umožňuje zapínání kladným i záporným impulsem na G proti A1 při obou polaritách napětí U A1A2 voltampérové charakteristiky jsou v 1. a 3. kvadrantu symetrické

Voltampérové charakteristiky podobají se tyristoru, mají blokovací a propustnou část jsou v 1. a 3. kvadrantu symetrické

Fázové řízení provádí se podobně jako u tyristoru, avšak při obou polaritách napětí zdroje triak se užívá pouze ve střídavých obvodech, komutace je tedy síťová s rostoucím řídicím úhlem α se zmenšuje efektivní hodnota střídavého napětí pozor střední hodnota napětí je nulová na obr. jsou průběhy napětí a proudu při fázovém řízení a odporové zátěži u napětí střídavého zdroje u d napětí na zátěži u A1A2 napětí na triaku i A proud triaku Použití triaků řízení efektivní hodnoty napětí ve střídavých obvodech, ale pouze pro menší výkony triakové regulátory jsou velmi rozšířené (regulace tepelných spotřebičů, komutátorových střídavých motorů apod.)