Ideální struktura MIS Metal-Insulator-Semiconductor M I S P. Ideální struktura MIS. Ideální struktura MIS. Ochuzení. Akumulace U = 0 U > 0 U < 0 U = 0



Podobné dokumenty
Zesilovač SE s tranzistorem MOSFET. Využití NLO pro harmonickou analýzu zesilovače

Zesilovač s tranzistorem MOSFET

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?

2. Definice plazmatu, základní charakteristiky plazmatu

Unipolární tranzistory

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Seznámení s přístroji, používanými při měření. Nezatížený a zatížený odporový dělič napětí, měření a simulace PSpice

7. Kondenzátory. dielektrikum +Q U elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

Externí paměť pro elektroniku (a obory příbuzné)

8. Operaèní zesilovaèe

Měření na unipolárním tranzistoru

Měřící technika - MT úvod

Podívejte se na časový průběh harmonického napětí

ELEKTRICKÝ PROUD V POLOVODIČÍCH

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

z možností, jak tuto veličinu charakterizovat, je určit součet

KABELY. Pro drátové okruhy (za drát se považuje i světlovodné vlákno): metalické kabely optické kabely

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

TRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta

Úkol měření. Použité přístroje a pomůcky. Tabulky a výpočty

MĚŘENÍ TRANZISTOROVÉHO ZESILOVAČE

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Nezávislý zdroj napětí

Převodníky f/u, obvod NE555

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

L A B O R A T O R N Í C V I Č E N Í Z F Y Z I K Y

ELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA

2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače

Vytvořeno v rámci Operačního programu Vzdělávání pro konkurenceschopnost CZ.1.07/1.1.30/01,0038 Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a

MĚŘENÍ POLOVODIČOVÉHO USMĚRŇOVAČE STABILIZACE NAPĚTÍ

Manuální, technická a elektrozručnost

Operační zesilovač je integrovaný obvod se dvěma vstupy (invertujícím a neinvertujícím) a jedním výstupem.

Elektrické vlastnosti pevných látek

Základní vlastnosti polovodičů

Přechod PN. Přechod PN - pásový diagram. Přechod PN strmý, asymetrický. kontakt přechod PN kontakt. (dotace) Rozložení příměsí. N-typ.

Senzory teploty. Evropský sociální fond. Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti.

PRAKTIKUM III. Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK. Název: Charakteristiky optoelektronických součástek

Elektřina a magnetismus Elektrostatické pole

Princip magnetického záznamuznamu

VAROVÁNÍ Abyste zamezili úrazu elektrickým proudem, zranění nebo poškození přístroje, před použitím si prosím pečlivě přečtěte návod k použití.

Návod pro výpočet základních induktorů s jádrem na síťové frekvenci pro obvody výkonové elektroniky.

Unipolární Tranzistory

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Cvičení z termomechaniky Cvičení 5.

Odrušení plošných spoj Vlastnosti plošných spoj Odpor Kapacitu Induk nost mikropáskového vedení Vlivem vzájemné induk nosti a kapacity eslechy

LABORATORNÍ CVIČENÍ Elektrotechnika a elektronika

Kroužek elektroniky

Základní pojmy. T = ϑ + 273,15 [K], [ C] Definice teploty:

Praktikum II Elektřina a magnetismus

Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče

1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7


Číslicové filtry. Použití : Analogové x číslicové filtry : Analogové. Číslicové: Separace signálů Restaurace signálů

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol CZ.1.07/1.5.00/

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

NÍZKOFREKVENČNÍ ZESILOVAČ S OZ

elektrické filtry Jiří Petržela základní pojmy

Měření základních vlastností OZ

Řízené polovodičové součástky. Výkonová elektronika

2. Pasivní snímače. 2.1 Odporové snímače

Didaktika výpočtů v chemii

R w I ź G w ==> E. Přij.

5. Měření výstupní práce elektronu při fotoelektrickém jevu

Signál. Pojmem signál míníme většinou elektrickou reprezentaci informace. měřicí zesilovač. elektrický analogový signál, proud, nebo většinou napětí

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VLASTNOSTI POLOVODIČOVÝCH SOUČÁSTEK PRO VÝKONOVOU ELEKTRONIKU

1 Elektrotechnika 1. 11:00 hod. = + Δ= = 8

1. Energetická pásová struktura pevných látek; izolanty, polovodiče, kovy; typy vodivostí, drift a difúze.

Elektron v izolovaném atomu Vazebná energie elektronu v atomu vodíku: E = FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.

HC-UT 204. Digitální klešťový multimetr

Tepelně vlhkostní mikroklima. Vlhkost v budovách

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

podíl permeability daného materiálu a permeability vakua (4π10-7 )

ELEKTRICKÝ PROUD V KAPALINÁCH, PLYNECH A POLOVODIČÍCH

IV-1 Energie soustavy bodových nábojů... 2 IV-2 Energie elektrického pole pro náboj rozmístěný obecně na povrchu a uvnitř objemu tělesa...

napájecí zdroj I 1 zesilovač Obr. 1: Zesilovač jako čtyřpól

Funkční měniče. A. Na předloženém aproximačním funkčním měniči s operačním zesilovačem realizujícím funkci danou tabulkou:

AC/DC Digitální klešťový multimetr. Návod k obsluze. Výměna baterií

Charakteristiky tranzistoru MOSFET

AC/DC Digitální klešťový multimetr MS2108A. Návod k obsluze R168 R168

Zkouškové otázky z A7B31ELI

[ db ; - ] Obrázek č. 1: FPCH obecného zesilovače

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

V ZÁKON ELEKTRICKÝ ODPOR

Otázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.

3. Zesilovače Elektrický signál

Prozkoumejte chování kondenzátoru v obvodu s generátorem obdélníkového napětí a s generátorem harmonického napětí.

Elektřina a magnetizmus polovodiče

Teorie vzájemného převodu analogového a číslicového signálu

Test. Kategorie M. 1 Laboratorní měřicí přístroj univerzální čítač (např. Tesla BM641) využijeme například k:

Přehled trhu snímačů teploty do průmyslového prostředí

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS

Zemní ochrana rotoru generátoru ve spojení proudové injektážní jednotky PIZ 50V a ochrany REJ 521

TYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor

Transkript:

truktura M Akuulace, ochuzeí, slabá a silá iverze rahové apětí, způsob vziku iverzí vrstv Kapacitor M, proud dielektrickou vrstvou razistor MOF truktura, pricip čiosti deálí VA charakteristika odporová a saturačí oblast Vliv krátkého kaálu Reálá VA charakteristika, průraz trazistoru MOF harakteristik jedotlivých tpů trazistorů MOF Klidový pracoví bod Model trazistoru MOF: a A pro alý sigál Model trazistoru MOF v, paraetr deálí struktura M Metal-sulator-eicoductor MO Metal-Oxide-eicoductor A Al M i i- M ideálí A výstupí práce z kovu a polovodiče se rovají Φ Φ s eá povrchové stav a áboj v dielektriku je ulový Q ef rové pás v polovodiči řez A pásový diagra bez apětí eφ eφ s eφ F M c Fs v A deálí struktura M ez apětí Akuulace deálí struktura M ez apětí Ochuzeí klesá eφ eφ s < arůstá p e i i F k eφ eφ s > p e i i F k c eφ F c Fs v e eφ s eφ F c Fs v eφ F c Fs v e eφ s Fs v M M M M - elektro dír kladé iot kovu ioizovaé akceptor

deálí struktura M ez apětí verze - jsou vtvoře podík pro vzik vrstv eφ eφ s opačé vodivosti >> klesá p e roste e i i i F k F i k c odíka vziku iverzí vrstv (ideálí M-p k N ϕs( iv. ϕ F l q kocetrace elektroů a povrchu je rova kocetraci děr v objeu a i c eφ F c Fs e eφ s Fs v rahové apětí Q ϕ F e eφ s eφ F Fs v v M M elektro idukce áboje v zahutí pásů o φ F M kladé iot kovu ioizovaé akceptor Q qn a w ( ε en aϕ F / ε ( ϕ iv en a / Reálá struktura M výstupí práce z kovu a polovodiče se rovají Φ Φ s existují povrchové stav a áboj v dielektriku Q ef zabudovaý poteciál φ s rahové apětí Φ M Q ef rozdíl výstupích prací kov-polovodič kopezace áboje Q ef Q ϕ idukce áboje v F pásový diagra bez apětí zahutí pásů o φ F iverzí vrstva ůže vzikout i při M eφ Q ef eφ s eφ s c Fs v Způsob vziku iverzí vrstv ežádoucí a geerace ioritích elektroů spojeá s extrakcí b geerací elektroů přes povrchové stav e M b a c Fs v vužívaé c geerace elektroů ozářeí ( d ijekcí elektroů z vějšího zdroje, apř. přechode N (MOF Δ ħω e M c d c Fs v

Kapacitor M je tvoře sériový spojeí kapacitorů tvořeých dielektrike ( a ( -V charakteristik ideálí struktur M silá akuulace ochuzeí silá iverze akuulace iverze kvazi-statická iverze kvazi-statická akuulace slabá iverze slabá akuulace i i ochuzeí vf vf ochuzeí F polovodič tpu polovodič tpu N dq d dq dϕ ε t ε s w iverzí vrstva - elektro iverzí vrstva - dír roud izolačí vrstvou log J růzé echaiz vedeí proudu průraz J Fowler-Nordheiovo tuelováí J A FN exp eφ M ~pa/c veli teké teké tlusté - Fowler-Nordheiovo tuelováí -příé tuelováí - chottkho eise - Frekel-oolova eise -přeskoková vodivost příé tuelováí J J V Φ chottkho eise 4 Φ exp αβ 3 V V Φ 3 / M V -MV/c V/ * e J A exp e Φ / k 4πε eφ M

MOF Metal Oxide eicoductor Field ffect rasistor io io MOF Metal Oxide eicoductor Field ffect rasistor io io N kaál N N kaál N kaál N N kaál RÁ RÁ N RÁ RÁ N kaál N kaál idukovaý zabudovaý idukovaý zabudovaý kaál N kaál idukovaý zabudovaý idukovaý zabudovaý začeí vcházející z polarit substrátu N začeí vcházející ze sěru toku proudu 96 J.. iliefeld patetuje pricip pole řízeého trazistoru razistor MOF N-kaálový kovový kotakt ource ( ate kovový kotakt rai ( 99 awo Kahg a M. M. Attala kostruují prví pole řízeý trazistor izolace ource kaál rai hradlový id elektro eergetická bariéra dír

razistor MOF N-kaálový MOF posledí techologické uzl kovový kotakt ource ( >> ate kovový kotakt rai ( izolace ource kaál rai hradlový id elektro dír X x MOF pricip čiosti < V io RÁ N N R MO kapacitor je doplě oblasti opačého tpu vodivosti (ource/rai fce ijektoru/extraktoru Vzikají dvě atisériově zapojeé substrátové diod, které usí být evodivé. X x MOF pricip čiosti < V io RÁ N N R ro < eergetická bariéra bráí průchodu elektroů z do. řez X (ev - - -3-4 - -6 OR V - A V RAN 3 x (μ R V ubstrát usí být a ejižší poteciálu substrátových diod a kaálu izolují aktiví oblast MOFu (kaál od okolí. N N řez X (ev OR V - A V - - -3-4 - -6 x (μ R RAN 3 V Závěrě polarizovaý přechod substrát kolektor (drai je schope odsávat iorití ositele (elektro. ro < proud eprochází o uožňuje ejvšší hustotu itegrace.

MOF pricip čiosti > MOF pricip čiosti X x řez X > io RÁ N N OR V A - N - - -3-4 - -6 N x (μ R RAN R 3 V > říčé elektrické pole způsobí ohb pásů pod hradle eergetická bariéra již ebráí průchodu elektroů z do. verzí vrstva (vziklá v substrátu tvořeá elektro ze ijekovaýi z eitoru (source N vodivě propojí eitor a kolektor. ro > proud prochází > X x řez X > io RÁ N N OR V A - N - - -3-4 - -6 N x (μ R RAN R 3 V > razistorový jev : apětí ovládáe proud razistor se chová jako řízeý odpor resp. zdroj proudu. (trasistor trasiet resistor Mezi hradle (ate a kaále je dielektriku (io do vstupu téěř eteče proud! velký vstupí odpor (~MΩ > > razistor je říze apětí (pole. razistor MOF s kaále N Kov (hradlo ε o ε r /t ate t kapacita Oxid (io ource rchlost dt d(x dt áboj dq rai délka kaálu šířka kaálu - kapacita idu a jedotku ploch ε peritivita vakua ε r relativí peritivita idu t tloušťka idu dq dt dq dt d(x (x dq dt v ( [ ( x ] x ( x d μ ( x μ

dq ( [ ( x ] v ( x μ μ μ dq dt dq dt [ ( x ] [ ( x ] dt ( x d d x ( [ ( x ] d( x μ μ d ( x Odporový (triodový reži - >> ource kaál rai μ μ μ [ ( x ] ( d ( proud podél kaálu usí být kostatí μ μ ( ( trazistor se chová jako apětí řízeý odpor - Zaškrceí kaálu - ( MOF vliv podélého elektrického pole ource kaál rai N N N N N N dq μ ( [ ( x ] - μ ( ( trazistor se chová jako zdroj proudu řízeý apětí dq kaál se zaškrtí a proud trazistore se saturuje veškerý úbtek apětí ad sat - je a a epřispívá k árůstu 3 4 V,,V V, V V, 3,V odporová oblast 3 4 odulace kaálu apětí 3 4 zaškrceí kaálu saturace proudu

MOF výstupí voltapérová charakteristika (dlouhý kaál - - - odporový reži saturace (lieárí, triodový 3..... MOF statický odel pice evel (chicha-hodges Odporový reži μ μ aturace ( ( - odporový reži ARAMRY MO μ pohblivost elektroů délka kaálu šířka kaálu kapacita idu a jedotku ploch - saturace -!!! euvažuje se zkráceí délk kaálu s ε ε r /t ε peritivita vakua ε r relativí peritivita idu t tloušťka idu MOF výstupí voltapérová charakteristika (krátký kaál Vliv odulace délk kaálu - odporový reži (lieárí, triodový - - saturace. ource kaál sat - -Δ Δ rai - sat.... μ μ Δ ( μ ( Δ ( ( ( λ μ Δ / Δ λ λ A A Δ << arlho apětí ro kost. r o λ μ ( λ A

MOF statický odel pice evel (uvážeí zkráceí r o MOF ožosti průrazu Výstupí ro λ μ ( A sěrice /r průraz dielektrika dík alé vstupí kapacitě stačí k průrazu elektrostatický áboj μ ( A arlho apětí - A -/λ ro oblast saturace platí μ ( ( λ r λ koeficiet odulace délk kaálu [A] Vstupí laviový průraz kolektorového ( přechodu ůže být zvýrazě parazití NN strukturou uch-hrough záik kaálu ef se dotke eitoru (source - MOF idukovaý kaál w (A 3 NKOVANÝ KANÁ N V 4V 3V V 4 V 6 MOF zabudovaý kaál (při výrobě w (A 3 ZAOVANÝ KANÁ N 4 6 V V V -V -V -3V > Norall ON < w (A (A 3 6 4 3 NKOVANÝ KANÁ N V V 4 6 V -4-4 6 MOF - kaál N V 4V 3V (A 3 w -V -3V 4 6 ZAOVANÝ KANÁ N V V V -V řevodí charakteristika f ( kost. ( μ -R

MOF - kaál -V -V -3V -4V a -V -3-6 -4-3V V V V -V -V -3-6 -4 - b - - - - (A (A w N R R (A -6-4 - 4 - - -3-4 - -6-6 -4 - -V 4 w N c 37 MOF V-A charakteristika vliv teplot μ pohblivost klesá s teplotou - doiatí μ (c V - s - (K ( ( λ 4 3 prahové apětí vlive poklesu φ se sižuje s teplotou řevodí charakteristika f(.6.8...4.6.8 3. 3. o -4 o o μ MOF ezí paraetr Výstupí MOF katalogový list ax tot Maxiálí apětí rai-ource Maxiálí hodota trvale Maxiálí hodota pulzě Maxiálí apětí ate-ource [A] Vstupí ax ax ax rai-ource Voltage Maxiu otiuous rai urret M ulsed rai urret ax ate-ource Voltage Maxiu tot ower issipiatio rai-ource reakdow Voltage Maxiálí ztrátový výko růrazé apětí rai-ource rahové apětí tatický odpor - v seputé stavu trost Vstupí kapacita píací/vpíací zpožděí

Volba poloh klidového pracovího bodu Oezeí: Výstupí Volba poloh klidového pracovího bodu Oezeí: Výstupí. ezíi paraetr ax tot. ezíi paraetr. eliearitai charakteristik ax tot [A] [A] Vstupí ax ax ax rai-ource Voltage Maxiu otiuous rai urret M ulsed rai urret ax ate-ource Voltage Maxiu tot ower issipiatio rai-ource reakdow Voltage Vstupí ax ax ax rai-ource Voltage Maxiu otiuous rai urret M ulsed rai urret ax ate-ource Voltage Maxiu tot ower issipiatio rai-ource reakdow Voltage Volba poloh klidového pracovího bodu pozor a průraz <ax R Většiou dáo použitý zdroje > fixí, dle volí trazistor s odpovídající ax R oezuje polohu ve výstupí charakteristice, ovlivňuje zisk a oezuje ax Miiiálí hodota R je dáa axiálí ztrátový výkoe trazistoru. Zdroj dodává ax. výko do zátěže (Fu je-li / ax > * / * /(*R R i > 4 ax ax R < R < R 3 R 3 R R 3 / tot ax řevodí charakteristika ivertoru MOF seputo ( ON spíače R /R závislost f( v zapojeí společý ource ( < A F A oblast volb pro zesilovač rozeputo ( OFF spíače - - strost lieárí části je úěrá apěťovéu zisku A u ~ - g R F

Volba poloh ax Způsob astaveí poloh tot R R R /Δ R s ( - /R ( ax rozptl paraetrů rozptl paraetrů Optiálí poloha pro třídu A b ěla garatovat axiálí rozkit pracovího bodu v lieárí části převodí charakteristik / /R ( o volit uprostřed její lieárí části volba / eusí být ideálí! /3 /3 kost říklad: Nalezěte hodotu apětí trazistoru NMO, jehož paraetr jsou defiová přiložeou výstupí VA charakteristikou. Řešeí: V. opsat obvod ve shodě s charakteristikou R 8k R k V R 68? 3.6 R 8k R k R 68 3.6 3.4 3.4 3. 3..8 4 6 8 4 6 3. 3..8 4 6 8 4 6

Řešeí: V. opsat obvod ve shodě s charakteristikou. estavit obvodové rovice R 8k R 68 R ( R R ( R k Úpravou ( - /R ( zatěžovací charakteristika zdroje R (R /(R R ((3 ezatížeý apěťový dělič R R V (/(8 3.7V R (3.8 4 6 8 4 6 MOF jako zesilovač alého sigálu převodí charakteristika f( pro okolí lze považovat za lieárí u MOFu platí pokud <<( - Δi 3.6 3.4 3. 3. Řešeí: R 8k R k V R 68 ( - /R ( vést graf ( racoví bod trazistoru je dá průsečíke grafu rovice ( s vrstevicí výstupí charakteristik pro 3.V. [,, ] [3.V, 9.7V,7.A]. opsat obvod ve shodě s charakteristikou. estavit obvodové rovice 3. rafické řešeí 3.7V 7.A /R MOF jako odporový dvojbra vbrat ejbližší vrstevici charakteristik pro v charakteristice 3..8 4 6 8 4 6 9.7V (, (, popsá dvojicí elieárích časově eproěých rovic h h 3.6 3.4 3. t [s] t [s] - R d Δi F > řídící veliči jsou apětí (, (,

iearizace charakteristik pro okolí (, (, Δi Δi Δi Δi iearizace charakteristik pro okolí Δi Δi NO pro zě veliči Δi Δi g r o Δi, Δi MOF Δi g Δi /r ifereciálí strost g g g Δi 3.7A - 3.A g 3.4V - 3.V g. rozěr [A/V] resp. [] tpické hodot A/V A/V taovit lze z poěru diferecí Δi ku Δi Δi g u u Δi.8 4 6 8 4 6 r o 3.6 3.4 u -u 3. 3. ifereciálí výstupí odpor r r / Δi 4V - V r 8A - 7A r r / 4 kω rozěr [Ω] tpické hodot kω kω taovit lze z poěru diferecí ku Δi Δi Δi g Δi.8 4 6 8 4 6 r o 3.6 3.4 3. 3.

MOF jako odporový dvojbra popsá dvojicí elieárích časově eproěých rovic h h (, (, dvojbra blok s dvojicí vstupích a výstupích svorek charakterizovaý vztah ezi obvodovýi veličiai,,, F > řídící veliči jsou apětí (, (, iearizace charakteristik pro okolí (, (, Δi Δi Δi Δi iearizace charakteristik pro okolí Δi Δi NO pro zě veliči Δi Δi g r o Δi, Δi MOF Δi g Δi /r ifereciálí strost g g g Δi 3.7A - 3.A g 3.4V - 3.V g. rozěr [A/V] resp. [] tpické hodot A/V A/V taovit lze z poěru diferecí Δi ku Δi Δi g u u Δi.8 4 6 8 4 6 r o 3.6 3.4 u -u 3. 3.

ifereciálí strost g (traskoduktace g g μ g μ g ( / všší hodot - oezují rozkit výstupího sigálu (rozšířeí odporové oblasti ožost ovládáí g při ávrhu trazistoru vztah platí pro oblast saturace!!! pro daý MOF strost roste s odociou kolektorového proudu pro daý proud je strost úěrá / MOF úplý vsokofrekvečí odel uvažuje řadu parazitích kapacit a vliv odulace kaálu zpětý hradle (od ffect, backgatig ifereciálí výstupí odpor r r / Δi 4V - V r 8A - 7A r r / 4 kω rozěr [Ω] tpické hodot kω kω taovit lze z poěru diferecí ku Δi Δi odporová (triodová oblast saturace evodivý stav gs gd 3 Δi Kapacit trazistoru MOF g Δi.8 4 6 8 4 6 gs gd gb gs gd r o 3.6 3.4 3. 3. dále je uté uvážit parazití kapacit způsobeé přesahe oblastí eitoru a kolektoru pod hradlo tpick ov.. ov ov takto vpočteé hodot je třeba přičíst k gs ad gd

MOF zjedodušeý vf odel pro substrát ( spojeý s eitore ( pro substrát ( spojeý s eitore ( zaedbaá kapacita db MOF ezí kitočet Mezí kitočet f je defiová jako frekvece při íž je proudový zisk i out /i i rove jedé. f i i jω i g out g π gs gs u gs u gs ři ff tak platí i i out i gs zaedbá vliv gd gu π f gs gs u gs i out f μ ( π i i