Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Podobné dokumenty
KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Měření na unipolárním tranzistoru

Velmi zjednodušený úvod

Základy elektrotechniky

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

OBVODY TTL a CMOS. Úvod

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Základní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :

Digitální obvody. Doc. Ing. Lukáš Fujcik, Ph.D.

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie

MĚŘENÍ HRADLA 1. ZADÁNÍ: 2. POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU: 3. TEORETICKÝ ROZBOR. Poslední změna

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

LOGICKÉ OBVODY. Dle vnitřní struktury logické obvody rozdělujeme na:

Struktura a architektura počítačů (BI-SAP) 4

Sylabus kurzu Elektronika

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Y36SAP 2007 Y36SAP-4. Logické obvody kombinační a sekvenční používané v číslicovém počítači Sčítačka, půlsčítačka, registr, čítač

Inovace bakalářského studijního oboru Aplikovaná chemie. Reg. č.: CZ.1.07/2.2.00/

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

Zvyšování kvality výuky technických oborů

MĚŘENÍ Laboratorní cvičení z měření Měření parametrů logického obvodu část Teoretický rozbor

DUM 02 téma: Elementární prvky logiky výklad

Měření základních vlastností logických IO TTL

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

Multimetr: METEX M386OD (použití jako voltmetr V) METEX M389OD (použití jako voltmetr V nebo ampérmetr A)

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

4. Elektronické logické členy. Elektronické obvody pro logické členy

Učební osnova vyučovacího předmětu elektronika Volitelný vyučovací předmět. Pojetí vyučovacího předmětu M/01 Strojírenství

Bipolární tranzistory

4.SCHÉMA ZAPOJENÍ +U CC 330Ω A Y

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

3. REALIZACE KOMBINAČNÍCH LOGICKÝCH FUNKCÍ

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Zkouškové otázky z A7B31ELI

Technologie číslicových obvodů

Logické funkce a obvody, zobrazení výstupů

Číselné vyjádření hodnoty. Kolik váží hrouda zlata?

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Rezonanční řízení s regulací proudu

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Spínací a vzorkovací obvody, referenční zdroje

I N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup

Číslicové obvody základní pojmy

Maturitní témata. 1. Elektronické obvody napájecích zdrojů. konstrukce transformátoru. konstrukce usměrňovačů. konstrukce filtrů v napájecích zdrojích

LOGICKÉ OBVODY. souèástka se doplòuje na sklad # souèástka na skladì, výprodej Dodací podmínky neoznaèených souèástek sdìlíme na poptávku

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

VÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS

Unipolární tranzistor aplikace

PROGRAMOVATELNÉ LOGICKÉ OBVODY

Historie počítačů. 0.generace. (prototypy)

Technická kybernetika. Obsah. Klopné obvody: Použití klopných obvodů. Sekvenční funkční diagramy. Programovatelné logické automaty.

Úplný systém m logických spojek. 3.přednáška

Oscilátory Oscilátory

GFK-2005-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Provozní teplota -25 C až +55 C. Skladovací teplota -25 C až +85 C

ELN 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY 1/14 2. ANALOGOVÉ SPÍNAČE S TRANZISTORY

2 Bipolární technologie

1.3 Bipolární tranzistor

Témata profilové maturitní zkoušky

Projekt Pospolu. Poruchy elektronických zařízení. Autorem materiálu a všech jeho částí, není-li uvedeno jinak, je Ing. Jiří Ulrych.

OVLÁDACÍ OBVODY ELEKTRICKÝCH ZAŘÍZENÍ

Na trh byl uveden v roce 1971 firmou Signetics. Uvádí se, že označení 555 je odvozeno od tří rezistorů s hodnotou 5 kω.

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

Technologie výroby číslicových obvodů

Sekvenční logické obvody

Seznam témat z předmětu ELEKTRONIKA. povinná zkouška pro obor: L/01 Mechanik elektrotechnik. školní rok 2018/2019

2. LOGICKÉ OBVODY. Kombinační logické obvody

MATURITNÍ ZKOUŠKA Z ELEKTROTECHNICKÝCH MĚŘENÍ

Systém řízení sběrnice

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Obsah DÍL 1. Předmluva 11

Struktura a architektura počítačů (BI-SAP) 10

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

elektrické filtry Jiří Petržela aktivní prvky v elektrických filtrech


MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)

Dělení pamětí Volatilní paměti Nevolatilní paměti. Miroslav Flídr Počítačové systémy LS /11- Západočeská univerzita v Plzni

Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

GFK-1913-CZ Prosinec Rozměry pouzdra (šířka x výška x hloubka) Připojení. Skladovací teplota -25 C až +85 C.

Otázky z ELI 1/ Jaký je vztah mezi napětím a proudem na induktoru (obecně a v případě po určitou dobu konstantního napětí)

SČÍTAČKA, LOGICKÉ OBVODY ÚVOD TEORIE

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, Mělník Ing.František Moravec

Bipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení

Zesilovač. Elektronický obvod zvyšující hodnotu napětí nebo proudu při zachování tvaru jeho průběhu. Princip zesilovače. Realizace zesilovačů

Téma 32. Petr Kotál

Interakce ve výuce základů elektrotechniky

3. Aplikace logických obvodů

Přednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

Transkript:

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Struktura logických obvodů Přednáška č. 10 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Struktura logických obvodů 1

Struktura logických obvodů DL Diodová logika výhoda jednoduchost nevýhoda nerealizovatelnost logické negace Struktura logických obvodů 2

Struktura logických obvodů RTL Logika odporově - tranzistorová Pozitivní logika Negativní logika Struktura logických obvodů 3

Struktura logických obvodů DTL Logika diodo - tranzistorová Hradlo NAND v DTL verzi Struktura logických obvodů 4

Struktura logických obvodů TTL Logika tranzistor - tranzistorová Princip zapojení tranzistorové logiky Hradlo NAND s aktivním zdvihem Struktura logických obvodů 5

Bipolární logické obvody TTL Hradlo NAND s aktivním zdvihem (7400) Hradlo NOR (7402) Struktura logických obvodů 6

Bipolární logické obvody TTL Statické parametry napájení provozní teplota Převodní charakteristika Struktura logických obvodů 7

Bipolární logické obvody TTL Statické parametry Proudové a napěťové poměry na hradle vstupní charakteristika Struktura logických obvodů 8

Bipolární logické obvody TTL Statické parametry Vstupní charakteristika Struktura logických obvodů 9

Bipolární logické obvody TTL Statické parametry Výstupní charakteristika Struktura logických obvodů 10

Bipolární logické obvody TTL Varianty vstupních obvodů hradel TTL 1. Obvody se zvýšeným logickým ziskem (buffer) logický zisk N uvádí počet hradel, které můžu zapojit na výstup předchozího hradla aniž by došlo poklesem napětí k porušení logiky základní logické obvody mají N = 10 obvody se zvýšeným ziskem mají N = 30 Schéma obvodu 7440 s N = 30 Struktura logických obvodů 11

Bipolární logické obvody TTL Varianty vstupních obvodů hradel TTL 2. Obvody otevřeným kolektorem OC na výstupním tranzistoru chybí propoj mezi kolektorem a napájením jeho základními výstupy jsou stavy L, Z (stav vysoké impedance) ze stavů L, Z na stavy L, H lze přejít připojením odporu mezi R mezi výstup a napájení Možné stavy na výstupu: L, Z nebo L, H Schéma obvodu 7403 s OC Struktura logických obvodů 12

Bipolární logické obvody TTL Varianty vstupních obvodů hradel TTL 3. Obvody s třístavovým výstupem na výstupním hradlo jsou tři možné stavy: L, H, Z (odpojeno) jsou vybaveny dalším vstupem E (řídicím), kterým lze přepínat mezi H a Z nejčastěji jako budič sběrnice obvod 74125 Struktura logických obvodů 13

Bipolární logické obvody TTL Modifikace obvodů technologie TTL Struktura logických obvodů 14

Bipolární logické obvody TTL Modifikace obvodů technologie TTL Struktura logických obvodů 15

Unipolární logické obvody Konstrukce hradel pomocí spínačů 1. Paralelnířazení spínačů N. P. spínač MOS FET s indukovaným kanálem typu N spínač MOS FET s indukovaným kanálem typu P Struktura logických obvodů 16

Unipolární logické obvody Konstrukce hradel pomocí spínačů 2. Sériovéřazení spínačů N. P. spínač MOS FET s indukovaným kanálem typu N spínač MOS FET s indukovaným kanálem typu P Struktura logických obvodů 17

Unipolární logické obvody Princip invertoru v CMOS technologii Přednosti CMOS technologií: malá statická spotřeba větší hustota obvodů jednodušší výroba Struktura logických obvodů 18

Unipolární logické obvody Princip NAND v CMOS technologii Struktura logických obvodů 19

Unipolární logické obvody Převodní charakteristika Struktura logických obvodů 20

Unipolární logické obvody Vstupní charakteristika Struktura logických obvodů 21

Unipolární logické obvody Výstupní charakteristika Logický zisk N = 50 Struktura logických obvodů 22

Unipolární logické obvody Modifikace obvodů technologie CMOS Struktura logických obvodů 23

Unipolární logické obvody Modifikace obvodů technologie CMOS Struktura logických obvodů 24

Srovnání typů logických obvodů Struktura logických obvodů 25