Příprava a výroba polovodičových součástek testovací struktury litografickou cestou ve spolupráci s VUT Brno

Navrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel

Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ

Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,

Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly

Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý

Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita

Ústav fyziky kondenzovaných látek, Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita PREDMET TECHNOLOGIE POLOVOD SOUCASTEK CI JAK SE JMENUJE Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT Praktikum

Technologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů

Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných

Princip magnetického záznamuznamu

Princip magnetického záznamuznamu Obrázky: IBM, Hitachi 1 Magnetické materiály (1) n I H = l B = μ H B l μ μ = μ μ 0 0 μ = 4π 10 r 7 2 [ N A ] n I Diamagnetické materiály: µ r < 1 (Au, Cu) Paramagnetické

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Praktika v Laboratoři polovodičů

Praktika v Laboratoři polovodičů V Laboratoři probíhá standardně výuka studentů Přírodovědecké fakulty Masarykovy univerzity. Mimo to jsou prostory nabízeny i jiným školám s nabídkou několika druhů praktik.

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY POUZDŘENÍ ČIP POUZDRO ZÁKLADNA umožňuje připojení OCHRANNÝ KRYT ne vždy POUZDRO ZÁKLADNÍ FUNKCE rozvod napájení rozvod signálu odvod tepla zajištění mechanické pevnosti zajištění

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti

Unipolární Tranzistory

Počítačové aplikace 000 Unipolární Tranzistor aktivní součástka polovodičový zesilující prvek znám od r. 960 proud vedou majoritní nositelé náboje náznak teorie čtřpólů JFET MOS u i i Y Čtřpól - admitanční

Polovodičov. ové prvky. 4.přednáška

Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen

Regulátor krokových motorů

http://www.coptkm.cz/ Regulátor krokových motorů Roztočit stejnosměrný motor je velmi jednoduché, ale s krokovým motorem již je to složitější. V minulosti bylo publikováno mnoho nejrůznějších zapojení,

Povrchová montáž 1. SMT 2. SMD

Povrchová montáž Při klasické montáži jsou součástky s drátovými přívody po předchozím natvarování aostřižení zasouvány do pokovených nebo neprokovených děr desky s plošnými spoji a následně zapájeny ze

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Unipolární tranzistory

Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

MOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)

MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor Julius Edgar Lilienfeld, U.. Patent 1,745,175 (193) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor 196 ovládnutí povrchových stavů:. Kahng,

š Ě ř š ř Ě š Ť ř š Ě ň š ň Ý š Ť Š š ň š Ťť š Ě ú ú Ě š ř š š Ť š š Ó Ť Ě š ň ř ú š ú ú Ť š š š š š š ť Ý ú š ť š ť šť Ž Ť š š ú š ň š Ý ť š ň Ť ň š ň Ě Ť ý ň š š š Ť š š Ť ú ň ť š ť Ě ň Ť ň š ú ú ť š

ú Ý ú Č ž Č Č Ř Ě ž š ú ú ú ú š ú ú ú ú ň š š Ú ň š Ť ú Š š š Ž ú ž ď š š ž š ň Ť š ž Ý Ž Ž ž ú Ž Ž Ž š š Ť Ú Ž Ž Ž š ž ď š š š Č Ý ž ú š ž ž š Ť ň š ň š Ť Ú Ž Žň ú ž š ú ú ž ď Ž ž Č ú Č š Č š Ó Ť Ť Ť

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál

Inteligentní Polovodičový Analyzér Provozní manuál Před uvedením přístroje do provozu si velmi pečlivě přečtěte tento provozní manuál. Obsahuje důležité bezpečnostní informace. 3 Obsah.. Strana Úvod...

Ů Á Ť ť ť Á š ř ř Š ů ř š ř ů ú š Š ř ř ř ř Ý ů Č ř ů ř ř ř úř ď š Ť ř ř úř š ř Č ť š Ž š ř ú ú Ž š ř ř ř š š ř Á ř É ť Á ú š ř ř ř š š ř ú ř š Á ř ř ř ó š Ž š ř ú ú Ž Ž ú ř ř ř ř Žš š Č š Á ř Č Č Č Á

š ž Ú ú š ž š ó ó š ď ž š š š ž ď Ž Í ž š Ž š Í ž š Ž ž ž ó ž š š š ó ž š š ž ó š ó ú š š š ž š ď š ž ó ú š Ž š ž É š š š š ž š š š š ž š š š Ž ž ž š š ž ž ň š Ž ú ž š š ň ž š ž ž š š Ř É š Ř Á É Ů Ž Í

Sálavé infra topné panely

Sálavé infra topné panely design-topení Elegance, která hřeje... www.design-topeni.cz / obsah Obsah Úvod... 02 Topné sálavé infra panely a infratopení Teorie infratopeni Výhody... 04 Topné sálávé infrapanely...

IMAGECURE. XV501T-4 pro sítotisk

TECHNICKÉ PARAMETRY A VLASTNOSTI IMAGECURE XV501T-4 pro sítotisk PŘEHLED VÝROBKŮ : Imagecure R XV501T-4 Gloss Clear Screen Resist lesklý čirý sítotiskový základ Imagecure R XV501T-4 Semi Matt Clear Screen

výhra chvilka výhra chvilka 20.6.2016

20.6.2016 Cyklo láhev 22.06.2016 15:25:09:999 Cyklo láhev 20.06.2016 08:02:28:616 Cyklo láhev 22.06.2016 16:02:58:074 Cyklo láhev 20.06.2016 08:41:29:115 Poukaz 500 Kč na cyklo vybavení 22.06.2016 16:36:56:002

Í Í ó š ú ú Ž Ž Ž Ž š ů Ž Ž Ž Ž š Ž š ú š ú Í ť Ž Í Í Ž Ž ú ů š ň ů ů ň Ž Ú Ž ú ů š ů Ž ú Ž š Ž ď Š ů š ú ň š š Ž Ž Žš Ž ú Í Ž ú š ú š ů Ó ůž Ž ú š Ž ů Í ň Ó Ž Ž Ž ů ů š š š Ž Ž Í š ů Ž ů ů ú ú š ž š ů

ý ý ů ý ů ů Ú š ů ů Š ý ý ů ý ů ý ú ů ý Č ý ů ú ý ý ý ú š ý ú š ý ů ý š ž ý ý ý ý ý ů ž ý Č ý ý ž ý ů š ó ú ž ý ž š ý ý ů ů ů Č š ž ň ů ů ž ý š ý ž ž š ý ž ý ž ý Ú š š š ý ý ů ú ý š ý ž š ýš ý š ž ý š

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE

TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií

Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Tento dokument obsahuje popis technologických možností při výrobě potištěných keramických substrátů PS (Printed Substrates)

Zobrazovací technologie

Zobrazovací technologie Podle: http://extrahardware.cnews.cz/jak-funguji-monitory-crt-lcd-plazma CRT Cathode Ray Tube Všechny tyto monitory i jejich nástupci s úhlopříčkou až 24 a rozlišením 2048 1536

Programovatelná logika

Programovatelná logika Přehled historie vývoje technologie programovatelných obvodů. Obvody PLD, GAL,CPLD, FPGA Příklady systémů a vývojových prostředí. Moderní elektrotechnický průmysl neustále stupňuje

Superkapacitory. Prof. Ing. Jaroslav Boušek, CSc. Fakulta elektrotechniky a komunikačních techologií VUT v Brně

Superkapacitory Prof. Ing. Jaroslav Boušek, CSc. Fakulta elektrotechniky a komunikačních techologií VUT v Brně Kapacitor s pevným dielektrikem Dielektrikum mezi elektrodami Polarizace dielektrika C S 0.

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž

technologie (z řeckého základu techné dovednost, logus - nauka) Speciální technologie Příklad: kolo Příklad: dioda obrábění břit, řezný klín

Speciální technologie Ing. Oskar Zemčík, Ph.D. obrábění a technologie obrábění výrobní proces technologické dokumenty speciální technologie obrábění VUT Brno technologie (z řeckého základu techné dovednost,

Senzory teploty. Evropský sociální fond. Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti.

Senzory teploty Evropský sociální fond. Praha & EU: Investujeme do vaší budoucnosti. P. Ripka, 00 -teplota termodynamická stavová veličina -teplotní stupnice: Kelvinova (trojný bod vody 73,6 K), Celsiova,...

Lidský vlas na povrchu čipu Více než tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou.

Studijní materiály Technologie výroby integrovaných systémů www.micro.feld.cvut.cz/home/a2m34sis/prednasky Jak integrovat 1 000 000 000 Součástek na 1 cm 2 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Ideální struktura MIS Metal-Insulator-Semiconductor M I S P. Ideální struktura MIS. Ideální struktura MIS. Ochuzení. Akumulace U = 0 U > 0 U < 0 U = 0

truktura M Akuulace, ochuzeí, slabá a silá iverze rahové apětí, způsob vziku iverzí vrstv Kapacitor M, proud dielektrickou vrstvou razistor MOF truktura, pricip čiosti deálí VA charakteristika odporová

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR

UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických

POZEMNÍ STAVITELSTVÍ III

POZEMNÍ STAVITELSTVÍ III Obvodové pláště s větranou mezerou část 1 Doc.ing.Vladimír Daňkovský, CSc Prof.ing.Miloslav Pavlík, CSc Doc.ing. Vladimír Daňkovský, CSc zs 2014/2015 Str. 1 ZÁKLADNÍ TYPY OBVODOVÝCH

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V.2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V.2.5 Karosářské Know how (Vědět jak) Kapitola

Průběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur

Průběh řešení a dosažené výsledky v oblasti návrhu a měření spolehlivosti mikroelektronických 3D struktur Úkol je možno rozdělit na teoretickou a praktickou část. V rámci praktické části bylo řešeno, 1)

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace

Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace Registrační číslo projektu: Číslo DUM: Tematická oblast: Téma: Autor: CZ.1.07/1.5.00/34.0245 VY_32_INOVACE_08_A_07

Grenadeck reklamace systému

Grenadeck reklamace systému Nedostatky v montáži a jiné závady 1. Příprava podloží 2. Montáž podkladního roštu Grenacon 3. Přesah profilů Grenadeck 4. Vyrovnávací podložky hranolů Grenacon 5. Dilatační

8. Operaèní zesilovaèe

zl_e_new.qxd.4.005 0:34 StrÆnka 80 80 Elektronika souèástky a obvody, principy a pøíklady 8. Operaèní zesilovaèe Operaèní zesilovaèe jsou dnes nejvíce rozšíøenou skupinou analogových obvodù. Jedná se o

MASARYKOVA UNIVERZITA

MASARYKOVA UNIVERZITA Přírodovědecká fakulta Ústav fyziky kondenzovaných látek DIPLOMOVÁ PRÁCE Příprava polovodičových součástek křemíkovou technologií Bc. Michal Truhlář Vedoucí diplomové práce: doc.

VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE

1 VÝROBKY PRÁŠKOVÉ METALURGIE Použití práškové metalurgie Prášková metalurgie umožňuje výrobu součástí z práškových směsí kovů navzájem neslévatelných (W-Cu, W-Ag), tj. v tekutém stavu nemísitelných nebo

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

5 Monolitické integrované obvody

Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde

Ne vždy je sběrnice obousměrná

PAMĚTI Ne vždy je sběrnice obousměrná Paměti ROM (Read Only Memory) určeny pouze pro čtení informací. Informace jsou do těchto pamětí pevně zapsány při jejich výrobě a potom již není možné žádným způsobem

Paměťové prvky. ITP Technika personálních počítačů. Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš

Paměťové prvky ITP Technika personálních počítačů Zdeněk Kotásek Marcela Šimková Pavel Bartoš Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Osnova Typy

Školní deska s FPGA XILINX Spartan 3AN. Milan Horkel

Školní deska s FPGA XILINX Spartan 3AN Milan Horkel Školní deska vznikla protože jsem se nechal přesvědčit kluky na radiotechnickém kroužku, že by je zajímalo jak fungují obvody FPGA a že by si rádi zkusili

JEDNOPOTRUBNÍ DÁVKOVAČ CM, CL

JEDNOPOTRUBNÍ DÁVKOVAČ POUŽITÍ Jednopotrubní dávkovače řady CM a CL jsou mazacím prvkem jednopotrubních centrálních mazacích systémů, které slouží k dávkování zvolených dávek maziva - oleje, tekutého tuku

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ

ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.

Problémy spojené s použitím pozinkované výztuže v betonu

Obsah Problémy spojené s použitím pozinkované výztuže v betonu Rovnaníková P. Stavební fakulta VUT v Brně Použití pozinkované výztuže do betonu je doporučováno normou ČSN 731214, jako jedna z možností

11-1. PN přechod. v přechodu MIS (Metal - Insolator - Semiconductor),

11-1. PN přechod Tzv. kontaktní jevy vznikají na přechodu látek s rozdílnou elektrickou vodivostí a jsou základem prakticky všech polovodičových součástek. v přechodu PN (který vzniká na rozhraní polovodiče

Způsoby realizace paměťových prvků

Způsoby realizace paměťových prvků Interní paměti jsou zapojeny jako matice paměťových buněk. Každá buňka má kapacitu jeden bit. Takováto buňka tedy může uchovávat pouze hodnotu logická jedna nebo logická

É č É Í Ř Á Ě ž š č č š š šť Ť Ý č č Ť Ť Ť č Ť č šť Í č č č š š ď ž Ť Á č Í Ó š Ž š Č Ť č Ť č Ť ď č š Č Ď ž ž š č č č Ú Š š Ť Č š ž š š č Ú š č š É Š š šš š Ť č č č č š č š Ť č č ž š č Ť č š Ť š č š č

DESIGNOVÁ OTOPNÁ TÌLESA

DESIGNOVÁ OOPNÁ ÌLESA echnický katalog a ceník Katalog 2008/ Designové otopné tìleso AQUALINE echnické údaje 400, 600, 800 mm 575, 675, 775 mm mm 8-35 kg spodní na širší lamelové stranì mm 2 x G/2 vnitøní

Třívrstvé dřevěné podlahy Parador

; Třívrstvá dřevěná podlaha TRENDTIME 1 TRENDTIME 1 13 x 130 x 2010 9 / 2,352 42 / 98,77 15,2 / 730 Povrhová úprava Trendtime 1 Třídění Bambus bělený 1257351 matný lak natur 1856,00 1721,00 2227,00 2065,00

Pracovní stáž Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Střední průmyslová škola polytechnická COP Zlín Praktická cvičení Pracovní stáž Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Lukáš Svoboda Březen 2014/ 4.A Obsah 1.0 ÚVOD...3 2.0 VSTŘIKOVÁNÍ...3 2.1 ÚVOD DO VSTŘIKOVÁNÍ...3

Lineární odměřování Microplulse. Obsah Kompaktní tyčové provedení BTL BTL. K.H.2 Obecná data, Montážní pokyny. provedení K. K.H.

Microplulse Obsah ompaktní tyčové provedení..2 Montážní provedení..4 provedení..6 Analogové výstupy..8 Digitální impulsní..10 provedení provedení Analogové výstupy Digitální impulsní..1 ompaktní tyčové

MODULARIZACE VÝUKY EVOLUČNÍ A EKOLOGICKÉ BIOLOGIE CZ.1.07/2.2.00/15.0204. Ekologie lesa. Lesní půdy

MODULARIZACE VÝUKY EVOLUČNÍ A EKOLOGICKÉ BIOLOGIE CZ.1.07/2.2.00/15.0204 Ekologie lesa Lesní půdy Vztah lesní vegetace a lesních půd Vztah vegetace a půd je výrazně obousměrný, s řadou zpětných vazeb.

Report termografické prohlídky

Report termografické prohlídky Spolecnost GESTO Products s.r.o. Zpracoval dr. Bílek Datum 22nd January 200 Hlavní poznámka Protokol z termovizního měření rodinný dům objekt A Název firmy : Adresa : Ústrašice

Elektronický analogový otáčkoměr V2.0 STAVEBNICE

Elektronický analogový otáčkoměr V2.0 STAVEBNICE Dostala se Vám do rukou elektronická stavebnice skládající se z desky plošného spoje a elektronických součástek. Při sestavování stavebnice je třeba dbát

Silikonová lepidla a těsnicí hmoty

Silikonová lepidla a těsnicí hmoty Lepidla se dodávají v široké škále chemických složeních, z nichž každé má své specifické vlastnosti a použití. V této souvislosti jsou silikony často označovány spíše

Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS

Optoelektronické snímače fotodiodová pole, obrazové senzory CMOS Podkladový materiál k přednáškám A0M38OSE Obrazové senzory ČVUT- FEL, katedra měření, Jan Fischer, 2014 Materiál je pouze grafickým podkladem

ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEI - 2.3 NAVÍJENÍ CÍVEK

Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEI - 2.3 NAVÍJENÍ CÍVEK Obor: Mechanik elektronik Ročník: 1. Zpracoval(a): Jiří Kolář Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010 Obsah Cívky...3 Výroba

NÁVOD K OBSLUZE. Invertorová svářečka pro obloukové sváření Model: DESi155BT. Platný od: se Záručním listem 1. ledna 2014

Invertorová svářečka pro obloukové sváření Model: DESi155BT NÁVOD K OBSLUZE Platný od: se Záručním listem 1. ledna 2014 Volič nastavení proudu svařování Zásuvka kabelu (+) Zásuvka kabelu (-) Během práce

Obsah. Seznámení s programem Adobe Photoshop CS5. Práce se soubory. Úvod 13. 1.1 Spuštění a ukončení programu 17. 1.2 Popis okna programu 19

Obsah Úvod 13 1. 2. Seznámení s programem Adobe Photoshop CS5 1.1 Spuštění a ukončení programu 17 1.1.1 Spuštění programu 17 1.1.2 Ukončení programu 18 1.2 Popis okna programu 19 1.2.1 Okno programu 19

Manuální, technická a elektrozručnost

Manuální, technická a elektrozručnost Realizace praktických úloh zaměřených na dovednosti v oblastech: Vybavení elektrolaboratoře Schématické značky, základy pájení Fyzikální principy činnosti základních

Á Ž Ú ž ň š ž Ž š Ť Ť Ž Ď Ť Ž ž Ť š ř Ť Ť Ť Ť Ť ž š ž š Ť š Ť Ť š ř Ť Ť Ť Ť Š Ť Ť Ý Á ť ř Ť ž š ň Ť Ť Ž Ť Ť Ť Ž Ž ř ž ž Ť Ž Ě Ť ž Ť Ť Ť Ť š Ť Ž š Ť Ů Ť ť ť Ť ť Ž Č Ž š Ť ř Ť Ž š Ů Ť Ť š Ť Ť ž š ť Ť Ž Ž

3WK 680 0x. RozmÏry (mm) Dimensions Obr zek Drawing

VYSOKOOHMOV REZISTORY 3WK 680 0x HIGH-OHMIC RESISTORS Typ ñ Type 3WK 680 06 3WK 680 08 3WK 680 09 max 18,5 29,5 31,5 PROVEDENÕ : TYPE : B max 27,0 52,0 96,0 C max 9,0 15,0 17,5 2,8 4,2 4,5 E 0,5 2,0 3,5

Vnější vyjímatelné panty - použití

Vnější vyjímatelné panty - použití ze série 96 Nábytek: Skrytá montáž a možnost volby mezi montáží v jednom směru a nebo protisměrnou zajistí, že pant se bude hodit ke každému designu. Při protisměrné

Elcometer 510 Automatický odtrhoměr

Elcometer 510 Automatický odtrhoměr zapsán v OR u KOS v Ostravě, oddíl C/11228 Verze: V1_02_04_14 1 / 9 nový Měřící, laboratorní, lakovací a tryskací technika, metalizace Automatický odtrhoměr Automatický

Č š Ú ÚŘ š ž ď Ž ž š š ď Í Č š ž Í ž š ť Í ď š š ž š ž Ž Í š šť š ť ž ž ž ž Ú Í ž š š š ž ž ď ž Ž š š Ú ď š Ž ž Ž Ž ť ž ž š ž ď ž ž ž ž š ž š ď Ť ž š ž š Ž Č ť š ž ž ž ž Í Í š Í Í ž š š Í š ž ž ž š š š

Ukázky aplikací. Power line XP-G 9 3 P, spol. s r.o. DX-3 4 Česká energie a.s. Typ LED: Strana: Realizace: Typ LED: Strana: Realizace:

Ukázky aplikací Strana: Realizace: Power line XP-G 9 3 P, spol. s r.o. Strana: Realizace: DX-3 4 Česká energie a.s. Strana: Realizace: Basic line 10 Pavel Nejtek Elektro NEON Strana: Realizace: Hobby line

Paměti EEPROM (1) Paměti EEPROM (2) Paměti Flash (1) Paměti EEPROM (3) Paměti Flash (2) Paměti Flash (3)

Paměti EEPROM (1) EEPROM Electrically EPROM Mají podobné chování jako paměti EPROM, tj. jedná se o statické, energeticky nezávislé paměti, které je možné naprogramovat a později z nich informace vymazat

Ú ůž Ž Ž ů Ž ú Š ů š ú š š š š ú ú š š ú ů š š š ů š š š š ů š ů Ž ů š š Ž ň ú š š š š š Ž ú Š š ú š š ů š š Ž š š š š š Ž ň Ž ů š ů š ů ů ů Ž ú Á š š É Á Ř Ž Č É š Ť š š Ž ÚČ Ú ů Ě Ů ů ú ů Ž ú š Ž š š

Topná válcová, plošná a rámová tělesa se slídovou a keramickou izolací

Topná válcová, plošná a rámová tělesa se slídovou a keramickou izolací Prostor pro použití válcových, plošných a rámových topných těles je velmi široký. Pokud je to technicky možné, lze vyrobit topné těleso

Slévárny neželezných kovů

Slévárny neželezných kovů Průmyslové pece a sušárny Žárobetonové tvarovky OBSAH Udržovací pece PTU...3 LAC NANO kelímy pro neželezné kovy s využitím nanotechnologií...5 Podložky pod kelímky...7 Stoupací

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod

Dlouhá životnost Vysoká spolehlivost Vynikající výkon. Gumové pásy Bridgestone

Dlouhá životnost Vysoká spolehlivost Vynikající výkon Gumové pásy Bridgestone SVĚTOVÁ JEDNIČKA V GUMÁRENSKÉM PRŮMYSLU Společnost Bridgestone byla založena v roce 1931 a v průběhu dalších let se stala se

Pájení. Ke spojení dojde vlivem difuze a rozpustnosti pájky v základním materiálu.

Název a adresa školy: Střední škola průmyslová a umělecká, Opava, příspěvková organizace, Praskova 399/8, Opava, 746 01 IČO: 47813121 Projekt: OP VK 1.5 Název operačního programu: Typ šablony klíčové aktivity:

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY

KOMBINAČNÍ LOGICKÉ OBVODY Použité zdroje: http://cs.wikipedia.org/wiki/logická_funkce http://www.ibiblio.org http://martin.feld.cvut.cz/~kuenzel/x13ups/log.jpg http://www.mikroelektro.utb.cz http://www.elearn.vsb.cz/archivcd/fs/zaut/skripta_text.pdf

Gravitaèní pískové filtry Interfilt SK Filtrace pitné vody, odpadních vod, prùmyslových vod

Gravitaèní pískové filtry Interfilt SK Filtrace pitné vody, odpadních vod, prùmyslových vod Printed by PROPERUS PT IF 001 04/10 CS Kvalita vody se dotýká všeho, všech Filtrace vody je dùležitým stupnìm

Variátor. Doutnavka. Zářivka. Digitron. Sensistor. Kompaktní Zářivka. Ing. Ladislav Fišer, Ph.D.: Druha prednaska. VA charakteristika

VA charakteristika Variátor R S a R D. = f(u) VA charakteristika Doutnavka Sériové řazení 0-A náběhová oblast A-B pracovní oblast B-C oblast přetížení U R = I 27.2.2008 12:46 Základy elektroniky - 2. přednáška

Popis zateplovacího systému

Popis zateplovacího systému Současné novodobé trendy ve stavebnictví stále častěji vynášejí do popředí kombinaci starších architektonických stylů s moderními prvky novodobých technologií. Jedním z nich