Tenké vrstvy (TV ) Hybridní Integrované Obvody (HIO)
|
|
- Ilona Šmídová
- před 8 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Tenké vrstvy (TV ) (Thin Films) + Hybridní Integrované Obvody (HIO) (Hybrid Integrated Circuits) (3) Doc. Ing. Ivan Szendiuch, CSc., Fellow IMAPS Vysoké Učení Technické v Brně, FEKT, ÚMEL szend@feec.vutbr.cz
2 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
3 Úvod Miniaturizace hardware Mikroelektronika Konstrukční (assembly) substráty (DPS, keram.) Obvodová Funkční Diskrétní prvky Optoelektronika Konstrukční prvky Polovodičové IO Vrstvové IO Mikrovlnná Moduly MCM Monolitické TV (Tenké vrstvy) Akustoelektronika Pouzdra Na izolačních podložkách CMOS, BiCMOS, CCD, BiCMOS. TLV... HIO LTCC HTCC polymerní Bioelektronika Senzorika Kvantová elektronika atd. Montážní technologie (Assembly Technologies) COIC, BGA, CSP MEMS, atd.
4 Moderní mikroelektronické technologie Polovodičové struktury čipy.. SoC vak... Tlusté vrstvy - sítotisk, dispenze nevak. LTCC - sítotisk, dispenze, lis, punch nevak. Polymerní vrstvy sítotisk, (E)C(V)D nevak./ vak. Tenké vrstvy - naprašování, napařování vak... HIO, SiP, SoP MCM, SOP, SiP pouzdřící technologie P O U Z D R O P A C K A G E. THT, SMT HDI
5 Co je to tenká vrstva? Tenké vrstvy jsou vytvořeny na nosném tělesu (substrátu) a mají tloušťky v rozmezí od několika desítek nanometrů až po několik mikrometrů Tenké vrstvy se používají k povrchovým úpravám materiálů (tvrdost, lom světla ) např.: - diamantové vrstvy na řezných nástrojích - antireflexní vrstvy na skla, čočky, filtry atd. ale také v elektrotechnickém/elektronickém průmyslu - pasivní struktury (vodivé, R, C) - kontakty na polovodičových čipech - funkční vrstvy (senzory, displeje, piezoelektrické vrstvy, magnetické vrstvy, polymerní elektronika )
6 Tenké vrstvy - struktura Tenké vrstvy tvoří struktury vznikající řízeným nanášením materiálů v uzavřeném vakuovém prostoru, v elektronice nejčastěji fyzikálními metodami napařováním nebo naprašováním. Mohou být obecně: - amorfní, - polykrystalické, - monokrystalické Tloušťka tenkých vrstev se pohybuje v rozmezí desítek/stovek nm až po jednotky m, v důsledku čehož neplatí tytéž fyzikální konstanty a vlastnosti jako u běžných objemů materiálů. To předurčuje jejich mimořádné elektrické vlastnosti (vrstvový odpor, teplotní součinitel odporu a pod.), což je právě v elektronice při realizaci struktur využíváno.
7 Co je to tenká vrstva? ~ 1 µm ~ 50 µm
8 Příklady využití tenkých vrstev - obecně Nanášení povlaku na displej vyrobený z plastu - 4 vrstvy - a to v jediném pracovním procesu: vrstva zajišťující přilnavost vrstva proti oděru vrstva antireflexní vrstva»očistná«, tzv.»easy-to clean«, která má i funkci estetickou. Povlakování sklíček u brýlí (3 vrstvy), kde první vrstva má funkci ochrany před poškrábáním, druhá je antireflexní Třetí opět easy-to clean. Vysoce tvrdé povlaky např. pro obráběcí nástroje ale tenké vrstvy mají široké využití i v elektronice, včetně výroby polovodičových čipů
9 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
10 Substráty pro TV Základním materiálem je Alumina (Al 2 O 3 ) s vysokou čistotou (> 99 %) U tohoto materiálu lze dosáhnout: - malou drsnost povrchu - definované elektrické vlastnosti - vysokou pevnost v ohybu
11 Substráty pro TV - rozměry Velikost (25,4mm x 25,4 mm 114,3 x 114,3 mm) Tloušťka (0,127 mm 1,524 mm) Průhyb ( < 0,1 mm)
12 Substráty pro TV - drsnost povrchu Substrát pro TV musí splňovat požadavky na drsnost povrchu CLA (Ra) ~ nm 5μ
13 Velikost zrn ~ 6 µm Drsnost substrátu Drsnost < 0,3 µm (pro TLV 1-3 µm)
14 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
15 Tenké vrstvy se nanáší na základní podložku substrát, jejíž drsnost musí být menší než vlastní tloušťka vrstvy Galvanické zesílení Funkční Nanesená tenká vrstva vrstva Difúzní bariéra Drsnost
16 Systém tenká vrstva - substrát Vrstva - Odolnost proti opotřebení, elektrické vlastnosti - Redukce tření - Korozní odolnost - Difúzní bariéra - Tepelná bariéra Rozhraní - Adheze - Bariéra rozvoje trhlin - Kompenzace dilatace a pnutí - Modifikace struktury a morfologie Substrát - Pevnost - Tuhost - Geometrie
17 Růst tenkých vrstev Čtyři hlavní stadia růstu tenké vrstvy: a. nanášení b. tvoření zárodků (difúze) c. narůstání ostrůvků d. nukleace do více vrstev e. vzájemná difúze v ose y f. spojování center g. vzájemná difúze v ose x h. vyplňování mezer (spojování ostrůvků) i. difúze Na keramických substrátech jsou tenké vrstvy využívány pro realizaci především pasivních sítí (vodivé, odporové a dielektrické vrstvy), i když u některých materiálů lze pozorovat i polovodičové vlastnosti (byl realizován i tenkovrstvý tranzistor TFT). Typickými materiály pro nanášení tenkých vrstev napařováním jsou Au, Al, CrNi, Ta a další vodivé i nevodivé materiály pro naprašování.
18 Jakost adhezního spojení - chemické a fyzikální vlastnosti vrstvy a substrátu určují schopnost vytvořit dostatečnou vazbu mezi oběma články - Dobrou adhezi lze dosáhnout: - správně zvolenou a nastavenou použitou technologií -předdepoziční přípravou + čistota procesu
19 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
20 Nanášení tenkých vrstev PVD (napařování a naprašování - není doprovázen žádnou chemickou reakcí) principem je kondenzace par na pevném povrchu CVD (grafitová, diamantová nebo polymerní struktura) principem je odpařování na základě rozkladných chemických reakcí nízkomolekulárních uhlovodíků (1500 o C) PECVD (plasma enhanced CVD) principem jsou rozkladné reakce inicializované plazmou (800 o C) MOVPE (metalorganic vapour phase epitaxy) principem je depozice z par spojená s chemickou reakcí MBE (molecular beam epitaxy - růst vysoce čistých monokrystalických vrstev) principem je ohřev ultračistých prvků v oddělených Knudsenových celách a jejich pomalá sublimace (Iontová implantace) Nevakuové (coating) technologie (spin-, spray-, dip-)
21 Tenké vrstvy způsoby nanášení V elektronice je důležité: Fyzikální vakuové nanášení - Physical vapor deposition (PVD) - postupná depozice atomů, molekul nebo iontů na substrát. Existuje několik různých způsobů depozice tenkých vrstev na principu kondenzace materiálu na substrát. Odpařování materiálu ve vakuu může probíhat teplotně, elektronovým paprskem, laserem, bombardováním ionty apod., nebo rozprašování materiálu ve výboji při nízkém tlaku. Tak lze nanášet kovy, slitiny i izolanty a to i ve více vrstvách. PVD techniky: - Teplotní napařování - Naprašování elektrickým polem (výbojem) - Laserové (pulzní) depozice
22 Tenké vrstvy vakuové napařování Vakuové napařování je nejjednodušší technologií výroby tenkých vrstev. Částice nanášeného materiálu jsou uvolňovány z materiálu jeho zahřívání v uzavřeném systému. V něm se ustaví rovnovážný tlak nazývaný tenze nasycených par. Je-li v tomto systému porušena rovnováha a v určitém místě je teplota nižší, dochází v tomto místě ke kondenzaci par. Tím jsou vytvořeny podmínky pro přenos materiálu z místa o vyšší teplotě /z výparníku/ do místa o teplotě nižší /na podložku, na níž roste tenká vrstva/. Ohřívání materiálu pro vypařování může být zajištěno odporovým ohřevem, iontovým svazkem, vysokofrekvenčním ohřevem atd. Celý proces napařování probíhá ve vakuu Pa z důvodu zvětšení střední volné dráhy molekul nanášeného materiálu. Vakuové napařování je používáno často k nanášení vrstev NiCr a SiO /zde se používá také označení chromniklová technologie), kdy je na podložku nanesena vrstva NiCr. Po jejím nanesení je vytvořena vrstva Ni tvořící difúzní barieru a adhezní podklad pro vodivou vrstvu Au.
23 Tenké vrstvy vakuové napařování Po nanesení vrstev obsahují tyto vrstvy značné množství strukturních nehomogenit a defektů. Ve vrstvě proto mohou probíhat děje projevující se dlouhodobými změnami elektrických parametrů a směřující k dosažení termodynamické rovnováhy systému. Proto probíhá následně stárnutím vrstvy za zvýšené teploty. Např. vrstvy NiCr se stabilizují při teplotě 300ºC po dobu 1 hodiny, pro docílení vysoké stability dále při teplotě 200ºC po dobu 24 hodin. Vrstvy TaN se stabilizují při teplotě 300ºC po dobu 16 hodin. Stabilizované vrstvy vykazují velmi dobré elektrické vlastnosti.
24 Vakuové napařování Počet částic Nv odpařených za jednotku času z jednotkové plochy je: Nv = 3, p/ (M.T) -1/2 kde p je rovnovážný tlak nasycených par M je molekulární hmotnost T je teplota Tlak Pa cm 0, , , p d 1 exp Tlak nasycené páry, rovnovážný tlak páry nad příslušnou kapalinou (viz též nasycené páry). Roste s teplotou až na hodnotu tlaku okolí (var kapaliny). Čím má kapalina při dané teplotě vyšší tlak nasycené páry, tím je těkavější
25 Zařízení pro vakuové napařování - Tepelné odpařování - Odporové odpařování - Elektronovým paprskem - Pulsní (Flash)
26 Princip (reaktivního) naprašování
27 Katodové naprašování Množství materiálu naprášené za jednotku času lze vyjádřit vztahem: Q = k. Ui / (p. d) kde k je konstanta úměrnosti Ui je pracovní napětí p je tlak d je vzdálenost mezi katodou a anodou
28 Princip katodového naprašování Katodové naprašování probíhá v pracovní komoře za sníženého tlaku 10-1 Pa. Pracovní komora obsahuje inertní plyn /např. dusík/. Nanášený materiál tvoří katodu elektrodového systému a substráty, na nichž má být vrstva vytvořena, jsou umístěny na anodě. V pracovním prostoru je vytvořen doutnavý výboj, jehož důsledkem je nerovnoměrné rozložení potenciálu v prostoru a tzv. katodový spád v oblasti katody. Kladné ionty vznikající ve výboji jsou unášeny směrem ke katodě a v oblasti katodového spádu urychleny tak, že po dopadu na katodu z ní vyrážejí částice naprašovaného materiálu. Částice se šíří prostorem a usazuje se na okolních tělesech, tedy i na anodě shodně umístěnými substráty na nichž vzniká tenká vrstva.
29 Katodové naprašování Různé targety pro katodu: slitiny kovů keramické a krystalové vzácné kovy keramické a safírové podložky
30 Magnetronové naprašování Magnetronové naprašování je založeno na rozprašování pevného terče katody, ionty pracovního plynu vznikajícími v plazmatu doutnavého výboje, který je umístěn s pomocí magnetického pole v těsné blízkosti katody. Elektrony plazmatu se zachycují v tunelu siločar magnetického pole a rotují tak, že se prodlouží jejich dráha, zvýší počet srážek a vytvoří se hustá plazma. Kladné ionty dopadají z plazmatu na terč (záporné napětí) a rozprašují ho tak, že částice terče procházejí směrem k substrátu (anodě).
31 Magnetronové naprašovací zařízení + pulzní laserové depoziční zařízení
32 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
33 Materiály pro TV Anorganické: - Čisté kovy (Al, Au, Pt, Cu ) - oxidy kovů a polovodiče (SnO 2, TiO 2, ZnO 2 ) Organické: -většina organických materiálů zavisející na způsobu nanášení od nejjednodušší odstřeďováním (rezisty) až po nanášení z plynné fáze a plazmatu
34 Materiály pro TV HIO Vodiče: NiCr + Au (tl. Do 1µm, galv.) Ta + Au tl. do 5 µm napař.) Dielektrika: SiO 2 Odpory NiCr, Ta 2 O 5
35 Tenké vrstvy - parametry Srovnání parametrů tenkých a tlustých vrstev Parametr Tenké vrstvy Tlusté vrstvy Rozlišení čára/mezera m 10 (5) 100 (50) Vrstvový odpor vodičů m 1 30, (5) Předhodnota pro rezistory , 100, 1000, 10 4, 10 5, 10 6 TCR ppm. K (30) Stabilita, 70 C, 1000 h % 0,1 0,5 P ztrátový W cm 2 0,2 1,5 Proudový šum V/V 0,05 0,3 (100 ) 3 (100 k )
36 Aktuální oblasti výzkumu TV materiálů Hot topics : - Thin film deposition aiming at high deposition rates and low temperature techniques - Thin film semiconductors and characterization techniques - Transparent conducting oxides - Poly and microcrystalline silicon materials and devices - Functional thin films - Thin film and hybrid solar cells - Flexible electronics and stretchable electronics, sensors - New processing techniques: micro and nano imprint, moulding - Organic materials and devices for large area electronics Zdroj: inemi, IMAPS
37
38 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
39 Vytváření struktury obvodu Vytváření tenkých vrstev může probíhat dvěma způsoby: aditivním s následným odleptáváním selektivním s pomocí masek Glazování substrátu Depozice odporové vrstvy Depozice vodivé (dielektrické) vrstvy Teplotní stabilizace vrstev Selektivní leptání Trimování rezistorů
40 Fotolitografie tenkých vrstev Fotolitografické zpracování je technologický postup, který umožňuje tvarovat vrstvy na substrátu do příslušných obrazců. Je složen ze dvou procesů - maskování pomocí fotorezistů a chemického leptání tenkých vrstev. Při vytváření přímé masky se fotorezist nanáší na celý povrch podložky. Fotorezist se exponuje přes fotomatrici pomocí ultrafialového záření. Účinkem UV záření dochází u fotorezistu ke změnám jeho rozpustnosti v určitých vývojkách. Následuje vyvolání fotorezistu, při němž je odstraněna část fotorezistu s velkou rozpustností ve vývojce. Nerozpuštěná část fotorezistu slouží jako ochranná vrstva při selektivním leptání, při němž je odstraněna část tenké vrstvy. Po leptání se fotorezistová maska odstraní. Fotolitografie se opakuje podle požadovaného motivu několikrát. Vodiče a pájecí plošky mohou být zesíleny zlatem pro zajištění dobré vodivosti.
41 Sendvičová TV struktura a postup vytváření pasivní sítě
42 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
43 Aplikace tenkých vrstev v elektronice Tenké vrstvy se používají k realizaci elektronických komponent a obvodů. Přitom se využívá jejich změn elektrických vlastností v tenké nanesené vrstvě (např. kovové vrstvy se v tenké vrstvě chovají jako odpory). Realizace pasivních sítí na keramických a skleněných substrátech (vodiče, odpory, dielektrika) Tenké vodivé a přitom průhledné vrstvy (In 2 O 3, SnO 2, ZnO..) k povrchové úpravě skla a fólií, odporové vrstvy pro vyhřívání Jouleovým teplem, pro svod elektrostatického náboje z nevodivých povrchů, transparentní elektrody k plochým zobrazovacím prvkům a k solárním článkům, přední elektrody v plochých displejích založených na kapalných krystalech (LCD), plazmatu (PD) nebo elektroluminescence (ELD) pro monitory, kalkulačky, digitální hodinky atd.. Dále také pro záznamová média.
44 Aplikace na keramice i křemíku
45 Aplikace TV v montážních technologiích Propojení s vysokou hustotou na organickém substrátu (MCM-SL/D) Zdroj: IMEC (Eric Beyne)
46 TV solární článek Výkonný solární článek realizovaný na flexibilním substrátu (Kapton) Tepelná oddolnost do 400 o C Efektivita až 20% Zdroj: NASA Glenn Research Center
47 TV obvody pro mikrovlny Mikrovlnné TV obvody Mikrovlnný modul GHz
48 Polymerní elektronika-heterosystémy na fóliovém substrátu široké možnosti využití (displeje, senzory ) vysoká flexibilita provedení (možnost kombinace s ostatními technologiemi) cenově výhodná Zdroj: Fraunhofer IZM
49 Polymerní (organická) elektronika Aktivní elektronické materiály Vodivé polymery PANI N H N H n PEDOT O S O n Polovodivé polymery Pentacene Poly-3 Hexyl-Thiophene P3HT C 6 H 13 C 6 H 13 S S S S C 6 H 13 C 6 H 13 n Semi-izolační polymery (electroluminescentní) Poly-Phenylene-Vinylene PPV n PP P n Poly-Vinyl-Phenol O O Izolující polymery PVP PI O N O O N n Zdroj: Fraunhofer IZM
50 PEDOT Označení PEDOT znamená složení (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Paměťový čip složený z tenké Si vrstvy a polymeru má přinést nové možnosti v ukládání informací. Plastová paměť s objemem 1cm 3 pojme kolem 1 GB informací V jednom kubickém centimetru dokáže uchovat data o kapacitě kolem jednoho GB. Systém je poměrně levný, především v poměru k flash pamětem, které by mohl nahradit.
51 Organické solární články Zdroj: Fraunhofer IZM
52 Organický, světlo emitující transistor, OLET DH-4T Alq 3 :DCM DFH-4T Capelli, R. et al.,: Organic light-emitting transistors with an efficiency that outperforms the equivalent light-emitting diodes, Nature Materials, published online, 2 May, 2010, doi: /nmat2751
53 Tenkovrstvový transistor Základní architektura matrice TV tranzistorů pro displej z kapalných krystalů. S každým obrazovým prvkem resp. pixlem displeje je spojen jeden TV tranzistor. TV tranzistory generují různá napětí jež způsobují různou orientaci molekul v kapalné suspenzi. To ovládá také rozdílné množství světla procházejícího TV matricí a barevným filtrem, a zajiš tuje tak tvorbu obrazu na displeji.
54 Srovnání TLV a TV
55 Obsah Úvod Substráty pro TV Růst tenkých vrstev Nanášení tenkých vrstev Materiály pro tenké vrstvy Realizace pasivních sítí Aplikace tenkých vrstev v elektronice Hybridní integrované obvody
56 Hybridní integrované obvody (HIO) Hybridní integrované obvody (HIO) spojují : dobré elektrické a mechanické vlastnosti vrstvových technologií při realizaci pasivních sítí (propojovací vodivá síť, rezistory, kondenzátory, induktory atd.) vysoký stupeň integrace na polovodičových čipech. Všechny pasivní i aktivní součástky včetně propojení jsou integrovány na společném substrátu, nejčastěji keramickém, a zapouzdřeny do jediného nedělitelného celku. Hybridní integrované obvody rozlišujeme z hlediska provedení: podle použité technologie na: - tenkovrstvové - tlustovrstvové podle způsobu montáže na obvody: - s holými čipy -se součástkami SMD
57 HIO První vodivá vrstva (tisk a výpal) První dielektrická vrstva (tisk a zasušení) Druhá dielektrická vrstva (tisk a zasušení) Druhá vodivá vrstva (tisk a výpal) Postupné nanášení rezistorů (tisk a výpal) Trimování rezistorů (laserem nebo pískováním) Pasivní síť HIO může být vytvořena tlustovrstvovou nebo tenkovrstvovou technologií a podle toho se jedná o HIO tenkovrstvový nebo tlustovrstvový. Návrhová pravidla se pro jednotlivé vrstvové technologie příliš neliší, neboť jejich společným znakem je planární uspořádání struktury realizované převážně aditivním postupem.
58 HIO Postup výroby HIO: realizace pasivní sítě vrstvovou technologií nanášení pájecí pasty nebo vodivého lepidla vsazování pasivních součástek (kondenzátory, induktory, trimry apod.) osazování polovodičů pro povrchovou montáž nebo holých polovodičových čipů pájení vývodů pouzdření
59 HIO
60 Topologie TLV HIO
61 Topologie TV HIO
62 HIO
63 Převod dat Návrh motivu síta lze provést např. v programu AutoCAD. Data ve formátu.dxf nelze přímým způsobem použít při práci s fotoplotrem, a proto je třeba je převést do jiného vhodného formátu (PostScript, Gerber Data) a to pomocí jiného programu (např. LinkCAD). Gerber data je formát dat určený pro přenos dat z navrhovacího systému na fotoplotr. Výhody Gerber formátu je především jeho jednoduchost. Databáze Gerber dat je složená ze čtyř základních příkazů a zápisu v souřadnicových osách. Pro jeho jednoduchost je Gerber formát v mnoha směrech kompatibilní a proto se často používá. PostScript byl uveden na trh společností Adobe v roce 1985, patří mezi tzv. jazyky pro popis stránky, které dokáží popsat vzhled a umístění nejrůznějších typů grafických objektů (text, čáry, křivky, bitmapy, apod.) v rámci dvourozměrného zobrazení. Tento popis se pak využívá k vykreslení stránek na různých typech výstupních zařízení, zejména tiskárnách a osvitových jednotkách. PostScript je specifický programovací jazyk (pracující na bázi tzv. postfixového zápisu s využitím tzv. zásobníků a slovníků). PostScriptový dokument je tedy vlastně programem, zajišťujícím vykreslení specifikovaných objektů na stránce. Hlavními vlastnostmi PostScriptu jsou především výborné vyjadřovací schopnosti (vlastní písmové technologie Type 1 a 3, podpora vektorových i rastrových grafických objektů, separací, atd.) a dále jeho nezávislost na zařízení (tentýž postscriptový soubor lze bez úprav zpracovat na různých zařízeních).
64 Polovodičové čipy
65 Kontaktování čipů a) UZ b) TK
66 HIO Pouzdření HIO povrchově montované s holými čipy pájení vývodů kovová plastová keramická pájení vývodů pouzdření fluidizací pouzdření máčením pouzdření zaléváním
67 Pouzdření fluidizací
68 HIO možné provedení
69 TLV HIO (Thick Film)
70 TV HIO (Thin Film )
71 LTCC (opakování)
72 Mikrovlnné obvody pro satelitní komunikaci - LTCC syntetizér (20 GHz)
73 HTCC
74 HTCC materiály pro pouzdra a čipy
75 HTCC Multilayer Process
76 Kontrolní otázky 1) Znázorněte a popište strukturu mikroelektronických technologií 2) Vysvětlete co je tenká vrstva a jaké jsou její aplikace v elektronice 3) Popište způsoby vytváření a materiály nanášené v mikroelektronice a objasněte jejich důležité vlastnosti 4) Vysvětlete princip vakuového napařování 5) Vysvětlete princip naprašování 6) Definujte postupy vytváření tenkovrstvových pasivních sítí 7) Definujte pojem HIO a navrhněte topologii jednoduchého obvodu 8) Vyjmenujte způsoby pouzdření HIO a vysvětlete jejich výhody a nevýhody 9) Popište realizaci polovodičů v HIO včetně jejich kontaktování 10) Uveďte zásady návrhu HIO 11) Vysvětlete co je to LTCC, materiály a parametry 12) Popište princip polymerní elektroniky a uveďte její aplikace
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
VíceVyužití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
Více6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití
6 Hybridní integrované obvody, tenkovrstvé a tlustovrstvé technologie a jejich využití 6.1 Úvod Monolitické integrované obvody není výhodné pro některé aplikace, zejména pro přístroje s některými náročnějšími
VíceVakuová technika. Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ Vakuová technika Výroba tenkých vrstev vakuové naprašování Tomáš Kahánek ID: 106518 Datum: 17.11.2010 Výroba tenkých vrstev
VícePřehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
VíceStudijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby
Studijní opora pro předmět Technologie elektrotechnické výroby Doc. Ing. Václav Kolář Ph.D. Předmět určen pro: Fakulta metalurgie a materiálového inženýrství, VŠB-TU Ostrava. Navazující magisterský studijní
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VícePlazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VíceTenká vrstva - aplikace
Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; s platností do r. 2016 v návaznosti na platnost norem. Zákaz šíření a modifikace těchto materiálů. Děkuji Ing. D.
VíceLasery v mikroelektrotechnice. Soviš Jan Aplikovaná fyzika
Lasery v mikroelektrotechnice Soviš Jan Aplikovaná fyzika Obsah Úvod Laserové: žíhání rýhování (orýsování) dolaďování depozice tenkých vrstev dopování příměsí Úvod Vysoká hustota výkonu laseru změna struktury
VíceTechnologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze Technologie a vlastnosti tenkých vrstev, tenkovrstvé senzory Technologie CVD, PVD, PECVD, MOVPE, MBE, coating technologie (spin-, spray-, dip-) Ondřej Ekrt Vymezení
VíceIradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
VíceZákladní typy článků:
Základní typy článků: Články z krystalického Si c on ta c t a ntire fle c tio n c o a tin g Tenkovrstvé články N -ty p e P -ty p e Materiály a technologie pro fotovoltaické články Nové materiály Gratzel,
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
Vícegalvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
VíceCo je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur)
Co je litografie? - technologický proces sloužící pro vytváření jemných struktur (obzvláště mikrostruktur a nanostruktur) -přenesení dané struktury na povrch strukturovaného substrátu Princip - interakce
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ I. APLIKACE LITOGRAFIE Úvod Litografické technologie jsou požívány při výrobě integrovaných obvodů (IO). Výroba IO začíná definováním jeho funkce a
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
VíceZáklady mikroelektronických technologií
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Základy mikroelektronických technologií Technologie tlustých vrstev Technologie tenkých vrstev Základy polovodičových technologií Mikroelektronické technologie
VíceMikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS
Tribologie Mikro a nanotribologie materiály, výroba a pohon MEMS vypracoval: Tomáš Píza Obsah - Co je to MEMS - Materiály pro MEMS - Výroba MEMS - Pohon MEMS Co to je MEMS - zkratka z anglických slov Micro-Electro-Mechanical-Systems
VíceTechnologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
VíceREAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s
VícePřednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
VíceFYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA
FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody
Vícezařízení 2. přednáška Fakulta elektrotechniky a informatiky prof.ing. Petr Chlebiš, CSc.
Konstrukce elektronických zařízení 2. přednáška prof.ing. Petr Chlebiš, CSc. Pasivní a konstrukční prvky - Rezistory - Kondenzátory - Vinuté díly, cívky, transformátory - Konektory - Kontaktní prvky, spínače,
VícePRINCIP MĚŘENÍ TEPLOTY spočívá v porovnání teploty daného tělesa s definovanou stupnicí.
1 SENZORY TEPLOTY TEPLOTA je jednou z nejdůležitějších veličin ovlivňujících téměř všechny stavy a procesy v přírodě Ke stanovení teploty se využívá závislosti určitých fyzikálních veličin na teplotě (A
VíceFyzikální metody depozice KFY / P223
Fyzikální metody depozice KFY / P223 Obsah Vymezení pojmu tenkých vrstev, význam TV ve vědě a technice, přehled metod vytváření TV Růst tenkých vrstev: módy a fáze růstu TV, vliv parametrů procesu. Napařování
VíceVAKUOVÁ TECHNIKA VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ. Semestrální projekt FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ VAKUOVÁ TECHNIKA Semestrální projekt Téma: Aplikace vakuového napařovaní v optice Vypracoval:
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
Více5 Monolitické integrované obvody
Technologie 5 Monolitické integrované obvody Jak je všeobecně známo, jsou využívány dvě hlavní technologie integrovaných obvodů. Jednou z nich jsou monolitické integrované obvody, druhou hybridní. Zde
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ II. 1. OXIDACE KŘEMÍKU Oxid křemíku SiO2 se během technologického procesu užívá k vytváření: a) Maskovacích vrstev b) Izolačních vrstev (izolují prvky
VíceChemické metody přípravy tenkých vrstev
Chemické metody přípravy tenkých vrstev verze 2013 Povrchové filmy monomolekulární Langmuirovy filmy PAL (povrchově aktivní látky) na polární kapalině (vodě), 0,205 nm 2 na 1 molekulu, tloušťka dána délkou
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
Více1. Kondenzátory s pevnou hodnotou kapacity Pevné kondenzátory se vyrábí jak pro vývodovou montáž, tak i miniatrurizované pro povrchovou montáž SMD.
Kondenzátory Kondenzátory jsou pasivní elektronické součástky vyrobené s hodnotou kapacity udané výrobcem. Na součástce se udává kapacita [F] a jmenovité napětí [V], které udává maximální napětí, které
VíceVY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
Číslo projektu Číslo materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-20-VYROBA INTEGROVANEHO OBVODU Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno
VíceMikrosenzory a mikroelektromechanické systémy. Odporové senzory
Mikrosenzory a mikroelektromechanické systémy Odporové senzory Obecné vlastnosti odporových senzorů Odporové senzory kontaktové Měřící potenciometry Odporové tenzometry Odporové senzory teploty Odporové
VíceFyzikální metody nanášení tenkých vrstev
Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování
DOUTNAVÝ VÝBOJ Magnetronové naprašování Efektivním způsobem jak získat částice vhodné k růstu povlaku je nahrazení teploty používané u odpařování ekvivalentem energie dodané dopadem těžkéčástice přenosem
VíceGlass temperature history
Glass Glass temperature history Crystallization and nucleation Nucleation on temperature Crystallization on temperature New Applications of Glass Anorganické nanomateriály se skelnou matricí Martin Míka
VíceNanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody
Nanokrystalické tenké filmy oxidu železitého pro solární štěpení vody J. Frydrych, L. Machala, M. Mašláň, J. Pechoušek, M. Heřmánek, I. Medřík, R. Procházka, D. Jančík, R. Zbořil, J. Tuček, J. Filip a
VíceTVORBA MOTIVŮ TENKOVRSTVÝMI METODAMI
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV ELEKTROTECHNOLOGIE FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
Vícedodavatel vybavení provozoven firem Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: Popis Ing.
dodavatel vybavení provozoven firem www.abetec.cz Plošné spoje se SMD. návrh a konstrukce Obj. číslo: 105000446 Popis Ing. Martin Abel Publikace je určena pro konstruktéry desek plošných spojů s povrchově
VíceChemické metody plynná fáze
Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké
VícePlazma v technologiích
Plazma v technologiích Mezi moderními strojírenskými technologiemi se stále častěji prosazují metody využívající různé formy plazmatu. Plazma je plynné prostředí skládající se z poměrně volných částic,
VíceNávod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě
Návod pro laboratorní úlohu: Závislost citlivosti plynových vodivostních senzorů na teplotě Náplní laboratorní úlohy je proměření základních parametrů plynových vodivostních senzorů: i) el. odpor a ii)
VíceSPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ
Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: STROJÍRENSKÁ TECHNOLOGIE TŘETÍ JANA ŠPUNDOVÁ 06.04.2014 Název zpracovaného celku: SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ SPECIÁLNÍ METODY OBRÁBĚNÍ Používají se pro obrábění těžkoobrobitelných
VíceUhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů
Uhlíkové struktury vázající ionty těžkých kovů 7. června/june 2013 9:30 h 17:30 h Laboratoř metalomiky a nanotechnologií, Mendelova univerzita v Brně a Středoevropský technologický institut Budova D, Zemědělská
VíceMaturitní témata fyzika
Maturitní témata fyzika 1. Kinematika pohybů hmotného bodu - mechanický pohyb a jeho sledování, trajektorie, dráha - rychlost hmotného bodu - rovnoměrný pohyb - zrychlení hmotného bodu - rovnoměrně zrychlený
VíceTenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, )
Tenké vrstvy pro lékařství 1. Laserové vrstvy ( metody přípravy vrstev, laser, princip metody pulzní laserové depozice PLD, růst vrstev, ) 2. Vybrané vrstvy a aplikace - gradientní vrstvy, nanokrystalické
Více9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY
Úvod do metrologie - 49-9. ČIDLA A PŘEVODNÍKY (V.LYSENKO) Čidlo (senzor, detektor, receptor) je em jedné fyzikální veličiny na jinou fyzikální veličinu. Snímač (senzor + obvod pro zpracování ) je to člen
VícePlazmové svařování a dělení materiálu. Jaromír Moravec
Plazmové svařování a dělení materiálu Jaromír Moravec 1 Definice plazmatu Definice plazmatu je následující: Plazma je kvazineutrální soubor částic s volnými nosiči nábojů, který vykazuje kolektivní chování.
VíceKatedra chemie FP TUL Chemické metody přípravy vrstev
Chemické metody přípravy vrstev Metoda sol-gel Historie nejstarší příprava silikagelu 1939 patent na výrobu antireflexních vrstev na fotografické čočky 60. léta studium vrstev SiO 2 a TiO 2 70. léta výroba
VíceOchrana obalem před změnami teploty a úloha obalu při tepelných procesech v technologii potravin. Sdílení tepla sáláním. Balení pro mikrovlnný ohřev
Převod tepla obalem z potraviny do vnějšího prostředí a naopak Ochrana obalem před změnami teploty a úloha obalu při tepelných procesech v technologii potravin 1 Obecně tepelné procesy snaha o co nejmenší
Více1 Moderní nástrojové materiály
1 Řezné materiály jsou podle ISO 513 členěné do šesti základních skupin, podle typu namáhání břitu. - Skupina P zahrnuje nástrojové materiály určené k obrábění většiny ocelí, které dávají dlouhou třísku
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace
DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké
VíceANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ
Středoškolská technika 2019 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT ANALÝZA POVLAKOVANÝCH POVRCHŮ ŘEZNÝCH NÁSTROJŮ Jakub Chlaň, Matouš Hyk, Lukáš Procházka Střední škola elektrotechniky
VíceFyzika, maturitní okruhy (profilová část), školní rok 2014/2015 Gymnázium INTEGRA BRNO
1. Jednotky a veličiny soustava SI odvozené jednotky násobky a díly jednotek skalární a vektorové fyzikální veličiny rozměrová analýza 2. Kinematika hmotného bodu základní pojmy kinematiky hmotného bodu
VíceSpeciální metody obrábění
Předmět: Ročník: Vytvořil: Datum: Základy výroby druhý M. Geistová 6. září 2012 Název zpracovaného celku: Speciální metody obrábění Speciální metody obrábění Použití: je to většinou výkonné beztřískové
VíceZobrazovací jednotky. 1 z :53. LED technologie.
1 z 11 14. 11. 2016 23:53 Zobrazovací jednotky slouží k zobrazení informací většinou malého rozsahu. Základní dělení dle technologie. Základní dělení dle možností zobrazování. Základní dělení dle technologie:
VíceOtázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření
Otázky pro samotestování Téma1 Sluneční záření 1) Jaká je vzdálenost Země od Slunce? a. 1 AU b. 6378 km c. 1,496 x 10 11 m (±1,7%) 2) Jaké množství záření dopadá přibližně na povrch atmosféry? a. 1,60210-19
VíceTechnické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií
Technické podmínky výroby potištěných keramických substrátů tlustovrstvou technologií Tento dokument obsahuje popis technologických možností při výrobě potištěných keramických substrátů PS (Printed Substrates)
VíceTOPNÁ MEMBRÁNA TYPU MEMS S NÍZKÝM PŘÍKONEM
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ ÚSTAV MIKROELEKTRONIKY FACULTY OF ELECTRICAL ENGINEERING AND COMMUNICATION DEPARTMENT OF
Více1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě
FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ Ústv mikroelektroniky 1 Vytváření tlustovrstvé pasivní sítě Cíle kapitoly: Tlustovrstvá pasivní síť hybridních integrovaných
Víceruvzdorné povlaky endoprotéz Otěruvzdorn Obsah TRIBOLOGIE Otěruvzdorné povlaky endoprotéz Fakulta strojního inženýrství
Otěruvzdorn ruvzdorné povlaky endoprotéz Obsah Základní části endoprotéz Požadavky na materiály Materiály endoprotéz Keramické povlaky DLC povlaky MPC povlaky Metody vytváření povlaků Testy povlaků Závěr
VíceLidský vlas na povrchu čipu Více než tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou.
Studijní materiály Technologie výroby integrovaných systémů www.micro.feld.cvut.cz/home/a2m34sis/prednasky Jak integrovat 1 000 000 000 Součástek na 1 cm 2 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných systémů
VícePovrchová úprava bez chromu Cr VI
Povrchová úprava bez chromu Cr VI Základem této povrchové úpravy jsou materiály Delta Tone 9000 a Delta Protect KL 100, takzvané basecoaty, což jsou anorganické povlaky plněné ZN a Al mikrolamelami rozptýlenými
Více5. Zobrazovací jednotky
5. Zobrazovací jednotky CRT, LCD, Plazma, OLED E-papír, diaprojektory Zobrazovací jednotky Pro připojení zobrazovacích jednotek se používá grafická karta nebo také video adaptér. Úkolem grafické karty
VíceMol. fyz. a termodynamika
Molekulová fyzika pracuje na základě kinetické teorie látek a statistiky Termodynamika zkoumání tepelných jevů a strojů nezajímají nás jednotlivé částice Molekulová fyzika základem jsou: Látka kteréhokoli
VícePlazmatické metody pro úpravu povrchů
Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů
VíceSenzorika a senzorické soustavy
Senzorika a senzorické soustavy Snímače teploty Tato publikace vznikla jako součást projektu CZ.04.1.03/3.2.15.2/0285 Inovace VŠ oborů strojního zaměření, který je spolufinancován evropským sociálním fondem
VíceElektřina: Elektrostatika: Elektrostatika: Elektrostatika: Analogie elektřiny s mechanikou: Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou.
Elektřina pro bakalářské obory Elektron ( v antice ) =?? Petr Heřman Ústav biofyziky, K.LF Elektron ( v antice ) = jantar Jak souvisí jantar s elektřinou?? Jak souvisí jantar s elektřinou: Mechanické působení
VícePrincipy chemických snímačů
Principy chemických snímačů Název školy: SPŠ Ústí nad Labem, středisko Resslova Autor: Ing. Pavel Votrubec Název: VY_32_INOVACE_05_AUT_99_principy_chemickych_snimacu.pptx Téma: Principy chemických snímačů
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Optoelektronika Přednáška č. 8 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Optoelektronika 1 Optoelektronika zabývá se přeměnou elektrické
VíceSkupenské stavy látek. Mezimolekulární síly
Skupenské stavy látek Mezimolekulární síly 1 Interakce iont-dipól Např. hydratační (solvatační) interakce mezi Na + (iont) a molekulou vody (dipól). Jde o nejsilnější mezimolekulární (nevazebnou) interakci.
VíceOtázky pro samotestování. Téma1 Sluneční záření
Otázky pro samotestování Téma1 Sluneční záření 1) Jaká je vzdálenost Země od Slunce? a. 1 AU b. 6378 km c. 1,496 x 10 11 m (±1,7%) 2) Jaké množství záření dopadá přibližně na povrch atmosféry? a. 1,60210-19
VíceElektřina. Elektrostatika: Elektrostatika: Elektrostatika: Analogie elektřiny s mechanikou: Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou.
Elektrostatika: Elektřina pro bakalářské obory Souvislost a analogie s mechanikou. Elektron ( v antice ) =?? Petr Heřman Ústav biofyziky, UK.LF Elektrostatika: Souvislost a analogie s mechanikou. Elektron
VíceIntegrovaná střední škola, Hlaváčkovo nám. 673, Slaný
Označení materiálu: VY_32_INOVACE_STEIV_FYZIKA2_12 Název materiálu: Elektrický proud v plynech. Tematická oblast: Fyzika 2.ročník Anotace: Prezentace slouží k výkladu elektrického proudu v plynech. Očekávaný
VíceZákladní pojmy. p= [Pa, N, m S. Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy. diference. tlaková. Přetlak. atmosférický tlak. Podtlak.
Základní pojmy Definice tlaku: Síla působící kolmo na jednotku plochy F p= [Pa, N, m S 2 ] p Přetlak tlaková diference atmosférický tlak absolutní tlak Podtlak absolutní nula t 2 ozdělení tlakoměrů Podle
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav
VíceNavrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel
Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení
VíceVlastnosti systému TCA tepelně vodivé lepidlo ICA izotropní lepidla ACA anizotropní lepidla Nehořlavé produkty Jedno- a dvousložkové epoxidy
Elecolit Elektricky a tepelně vodivá lepidla Vlastnosti systému TCA tepelně vodivé lepidlo ICA izotropní lepidla ACA anizotropní lepidla Nehořlavé produkty Jedno- a dvousložkové y Výhody Vhodné do malé
VíceMichal Bílek Karel Johanovský. Zobrazovací jednotky
Michal Bílek Karel Johanovský SPŠ - JIA Zobrazovací jednotky CRT, LCD, Plazma, OLED E-papír papír, dataprojektory 1 OBSAH Úvodem Aditivní model Gamut Pozorovací úhel CRT LCD Plazma OLED E-Paper Dataprojektory
VíceTENKÉ VRSTVY. 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením)
TENKÉ VRSTVY Lze připravit : 1. Modifikací povrchu materiálu (teplem, okysličením, laserem,.. 2. Depozicí (nanášením) Metody fyzikální (Physical Vapor Deposition PVD) Metody chemické (Chemical Vapor Deposition-
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
VíceVariátor. Doutnavka. Zářivka. Digitron. Sensistor. Kompaktní Zářivka. Ing. Ladislav Fišer, Ph.D.: Druha prednaska. VA charakteristika
VA charakteristika Variátor R S a R D. = f(u) VA charakteristika Doutnavka Sériové řazení 0-A náběhová oblast A-B pracovní oblast B-C oblast přetížení U R = I 27.2.2008 12:46 Základy elektroniky - 2. přednáška
VíceModerní trendy v pouzdření elektronických obvodů a systémů Modern Trends in Electronic Circuits and Systems Packaging
Moderní trendy v pouzdření elektronických obvodů a systémů Modern Trends in Electronic Circuits and Systems Packaging Ivan Szendiuch, VUT v Brně, FEKT, ÚMEL, Údolní 53, 602 00 Brno, szend@feec.vutbr.cz
VíceKRYSTALY PRO VĚDU, VÝZKUM A ŠPIČKOVÉ TECHNOLOGIE
KRYSTALY PRO VĚDU, VÝZKUM A ŠPIČKOVÉ TECHNOLOGIE MONOKRYSTALICKÉ LUMINOFORY Řešení vyvinuté za podpory TAČR Projekt: TA04010135 LED SVĚTELNÉ ZDROJE Světlo v barvě přirozené pro lidské oko Luminofor Modré
Vícevodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie
Chování polymerů v elektrickém a magnetickém poli vodič u něho dochází k transportu el. nabitých částic, který je nevratný, dochází ke vzniku proudu a disipaci energie dielektrikum, izolant, nevodič v
VícePasivní obvodové součástky R,L, C. Ing. Viera Nouzová
Pasivní obvodové součástky R,L, C Ing. Viera Nouzová Základní pojmy Elektrický obvod vzniká spojením jedné nebo více součástek na zdroj elektrické energie. Obvodové součástky - součástky zapojeny do elektrického
VíceJ = S A.T 2. exp(-eφ / kt)
Vakuové součástky typy a využití Obrazovky: - osciloskopické - televizní + monitory Elektronky: - vysokofrekvenční (do 1 GHz, 1MW) - mikrovlnné elektronky ( až do 20 GHz, 10 MW) - akustické zesilovače
Více7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru
7. Kondenzátory Kondenzátor (někdy nazývaný kapacitor) je součástka se zvýrazněnou funkční elektrickou kapacitou. Je vytvořen dvěma vodivými plochami - elektrodami, vzájemně oddělenými nevodivým dielektrikem.
VíceAPLIKAČNÍ TECHNOLOGIE
APLIKAČNÍ TECHNOLOGIE nanášení pájecích past, lepidel, tavidel aj. sítotisk šablonový tisk dispenze pin transfer. Zařízení ruční poloautomatická automatická in line nebo off line PLATÍ ZÁSADA: dobře natisknuto
VíceTEMATICKÝ PLÁN 6. ročník
TEMATICKÝ PLÁN 6. ročník Týdenní dotace: 1,5h/týden Vyučující: Mgr. Tomáš Mlejnek Ročník: 6. (6. A, 6. B) Školní rok 2018/2019 FYZIKA pro 6. ročník ZŠ PROMETHEUS, doc. RNDr. Růžena Kolářová, CSc., PaeDr.
VíceÚ V O D 1 CHARAKTERISTIKA POUZDŘENÍ A JEHO HISTORIE 19 2 FUNKCE POUZDRA, SYSTÉMOVÝ PŘÍSTUP К POUZDŘENÍ 35
OBSAH Ú V O D POSLÁNÍ KNIHY 18 1 CHARAKTERISTIKA POUZDŘENÍ A JEHO HISTORIE 19 1.1 Definice základních pojmů, hierarchie pouzder 19 1.2 Vývoj pouzdření v elektronice a mikroelektronice 22 1.3 Ekologická
VíceHybridní integrované obvody a jejich nekonvenční aplikace
Hybridní integrované obvody a jejich nekonvenční aplikace (tlustovrstvové senzory, elektroluminescenční prvky, výkonové a topné elementy) (8) Obsah 1 Tlustovrstvové senzory 2 Elektroluminescenční prvky
VíceSTEJNOSMĚRNÝ PROUD Samostatný výboj TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY.
STEJNOSMĚRNÝ PROUD Samostatný výboj TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY. Plyny jsou tvořeny elektricky neutrálními molekulami. Proto jsou za
VíceFyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/02.0012 GG OP VK
Fyzikální vzdělávání 1. ročník Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník 1 Elektřina a magnetismus - elektrický náboj tělesa, elektrická síla, elektrické pole, kapacita vodiče - elektrický proud v látkách, zákony
Víceelektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech
Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se
Více