Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download ""

Transkript

1 Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby ètenáø vidìl, jakým zpùsobem je titul zpracován a mohl se také podle tohoto, jako jednoho z parametrù, rozhodnout, zda titul koupí èi ne). Z toho vyplývá, že není dovoleno tuto ukázku jakýmkoliv zpùsobem dále šíøit, veøejnì èi neveøejnì napø. umis ováním na datová média, na jiné internetové stránky (ani prostøednictvím odkazù) apod. redakce nakladatelství BEN technická literatura

2 4 CHOVÁNÍ VÝKONOVÝCH TRANZISTORÙ MOSFET PØI SPÍNÁNÍ V kapitole 2 byly podrobnì rozvedeny výhody øízení napìtím Tuto kapitolu zaèínáme s pøiznáním: ve skuteènosti je bezproudové øízení možné jen tehdy, probíhá-li zapínání a vypínání pomalu Podle obr 4 1 obsahuje výkonový MOSFET nìkolik kapacit, jejichž náboj se pøi každém spínacím cyklu mìní a k tomu je nezbytný proud Tyto kapacity, zpìtnovazební C gd, kapacita kolektor-emitor C ds a kapacita hradlo-emitor C gs urèují spoleènì s výstupním odporem budicího generátoru spínací doby výkonových tranzistorù MOSFET kolektor Obr 4 1 Kapacity výkonového tranzistoru MOSFET hradlo emitor Katalogové parametry Pøiøazení tìchto prvkù náhradního schématu struktuøe tranzistoru MOSFET ukazuje obr 4 2 Vstupní elektroda je zapojena na hradlovou møížku z polykrystalického køemíku, jejíž odpor není zanedbatelný U dostupných typù mùže tento odpor dosahovat, v závislosti na struktuøe èipu a jeho uspoøádání, hodnot od nìkolika ohmù do 20 W Kapacita hradlo-emitor vzniká z pøesahu mezi polykrystalickým hradlem a kovem emitoru a kanálové èásti tvoøené oblastí P kanálu a hradlem Pøíèinou kapacity kolektor-emitor C ds je oblast prostorového náboje mezi vrstvou P bunìk a epitaxní vrstvou Šíøka oblasti prostorového náboje se mìní - jak bylo ukázáno v kapitole 1 - s pøiloženým napìtím Tím se mìní i její celkový náboj Tato zmìna náboje mùže být popsána kapacitou prostorového náboje C RL podle (4 1) G4 = G (4 1) Pro pøechod P + -N lze tuto kapacitu velmi jednoduše vypoèítat podle vzorce (4 ± 1 G (4 2) e o e si e = 1, [A 2 s 2 V 1 cm 1 ] Výkonové tranzistory MOSFET 59

3 C RL je kapacita prostorového náboje [F/cm 2 ], N d dotování epitaxní vrstvy [cm 3 ] a U RL je pøiložené napìtí ve [V] Pro získání kapacity kolektor-emitor C ds je tøeba hodnotu C RL násobit celkovou plochou emitorových bunìk obsažených ve výkonovém tranzistoru MOSFET Z obr 4 2 je vidìt, že hodnota C RL pro dané napìtí a plochu bunìk je pøi nižší dotaci, tedy u tranzistorù pro vysoké napìtí kolektor-emitor menší, než pøi vyšší dotaci epitaxní vrstvy, která je typická pro tranzistory na nízká napìtí N + P Obr 4 2 Umístìní kapacit náhradního schématu ve struktuøe tranzistoru MOSFET Kapacita C gd (Millerova nebo zpìtnovazební kapacita) sestává, jak je vidìt na obr 4 2 ze sériovì zapojené oxidové kapacity hradla a kapacity kolektorové oblasti prostorového náboje mezi buòkami tranzistorù Je-li tranzistor vypnut (obr 4 3) je oblast prostorového náboje pod hradlem témìø stejnì široká jako v oblasti pod buòkami I mezi hradlem a oxidovou vrstvou existuje malý úbytek napìtí; dosahuje však i pøi nejvyšších napìtích jen nìkolik voltù, protože C ox >> C RL Zvláštì u tranzistorù MOSFET pro vysoká napìtí je zanedbatelný Kapacitu C rss pro U GS < U GS(th) lze vypoèítat podle (4 3) N + UVV R[ = $ 0L R[ + (4 3) A Mi je celková plocha oblasti mezi buòkami Tato kapacita je v praxi stejného øádu jako C ds, protože plochy bunìk a mezi buòkami jsou témìø stejnì velké Katalogy výkonových tranzistorù MOSFET vìtšinou obsahují graficky vyjádøené závislosti kapacit vypnutých tranzistorù na napìtí kolektor-emitor Jde o tyto kapacity: 60 Výkonové tranzistory MOSFET

4 Obr 4 3 Katalogy obsahují hodnoty kapacit tranzistoru v rozepnutém stavu C OPN OPN C oss = C ds + C gd C rss = C gd C iss = C gd + C gs kolektor Typický pøíklad ukazuje obr 4 4 na nìmž jsou nakresleny závislosti C(U) výkonového tranzistoru MOSFET typu BUZ 71 od firmy Siemens Index ss ukazuje na zpùsob mìøení kapacity - pøi malém signálu ( small signal ) Køivky se sice zdají být informaènì obsažné, nicménì výpoèet chování tranzistoru bìhem spínání s jejich použitím poskytuje jen pøibližné informace Je-li tranzistor zcela sepnut, tedy prochází-li jím pøi nízkém kolektorovém napìtí vysoký proud, bude zpìtnovazební kapacita C rss ještì vìtší než pøi 0 V, Právì tato vlastnost není z obr 4 4 zøejmá K jejímu vysvìtlení použijeme obr 4 5 Ten ukazuje stav U DS < U GS(th), který odpovídá sepnutému tranzistoru Oblast prostorového náboje zmizela; existuje vodivá obohacená vrstva, sestávající z elektronù, které byly pøitaženy k povrchu kladným napìtím hradla Vodivou epitaxní vrstvou protéká proud Kapacita mezi hradlem a kolektorem je, protože C RL» C rss = A Mi C ox (4 4) To je ve srovnání s kapacitou prostorového náboje pøi vyšším kolektorovém napìtí velmi vysoká hodnota Pro získání pojmu o øádové velikosti odhadneme hodnotu C rss tranzistoru SIPMOS-FET BUZ 71 v sepnutém a rozepnutém stavu Celkový povrch èipu je 0,06 cm 2, z toho asi 40 % patøí oblasti bunìk, 33 % oblasti mezi buòkami Dotace kolektorové oblasti je cm 3 a tlouš ka oxidu 10 6 cm (0 nm) Kapacita prostorového náboje pøi kolektorovém napìtí 40 V je podle (4 2) C RL = 3, F/cm 3,6 nf/cm 2 Oxidová kapacita, vypoèítaná podle (1 7) èiní C ox = 4,37 10 F/cm 44 nf/cm 2 Výkonové tranzistory MOSFET 61

5 Obr 4 4 Hodnoty kapacit tranzistoru BUZ 71 (Siemens) podle katalogového listu emitor hradlo P obohacení N + kolektor Obr 4 5 Zvýšení zpìtnovazební kapacity v sepnutém stavu 62 Výkonové tranzistory MOSFET

6 Hodnota C rss tranzistoru BUZ 71 v rozepnutém stavu je podle (4 3) C 4, F, tedy pøibližnì 50 pf což lze také najít v katalogovém listu Pro sepnutý stav vychází podle (4 4) zpìtnovazební kapacita C rss = 0,65 nf To je hodnota více jak o øád vyšší než hodnota v rozepnutém stavu Vstupní kapacita v sepnutém stavu je C iss = 0,65 nf + 0,5 nf = 1,15 nf, pro C gs rovnou pøibližnì 0,5 nf Obšírnìjší informaci o kapacitách tranzistoru MOSFET než obr 4 4 poskytne uživateli obr 4 6 Tam je zvýšení vstupní a zpìtnovazební kapacity tranzistoru v sepnutém stavu zøetelné Tento jev je výraznìjší u tranzistorù pro vysoká napìtí, než u 50V tranzistorù V katalozích to však bohužel zatím nebývá vyjádøeno C iss C rss Obr 4 6 Zvýšené kapacity tranzistoru MOSFET pøi sepnutí Všechny tøi kapacity výkonového tranzistoru MOSFET jsou v podstatì teplotnì nezávislé To je velká výhoda vzhledem k bipolárním tranzistorùm, která bude následnì detailnì diskutována na konkrétních pøíkladech Spínací vlastnosti výkonových tranzistorù MOSFET ovlivòuje samozøejmì napì ová závislost tìchto kapacit Pro pøiblížení dìjù odehrávajících se bìhem spínání budeme podrobnì sledovat spínací cyklus invertoru s odporovou zátìží Kvùli zjednodušení je k øízení použit impulzní generátor s velkým výstupním odporem (viz obr 4 7) Na obr 4 vidíme soustavu výstupních charakteristik tranzistoru BUZ 71 s pracovní pøímkou Prùbìhy napì ových impulzù na hradle a kolektoru pøi spínání, prodloužených následkem vnitøního odporu 10 kw (vnucený proud), vidíme na obr 4 9 Spínací cyklus zaèíná s malým zpoždìním po pøivedení vstupního proudu Jedná se o dobu, kterou potøebuje vstupní kapacita C iss, aby se nabila na prahové napìtí, asi na 3 V Výkonové tranzistory MOSFET 63

7 Impulzní generátor s R i = 50 W Obr 4 7 Zkušební zapojení pro demonstrování spínacího procesu U GS = 0 5 V (krok 0,5 V) Obr 4 Zmìøené charakteristiky tranzistoru BUZ 71 s pracovní pøímkou (R L = 10 W, U B = 25 V) 64 Výkonové tranzistory MOSFET

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů

9. Harmonické proudy pulzních usměrňovačů Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

3/ %,1'(& 83'1 &( &3 )XQNFH. + ; ; ; ; / ; ; + ; EH]H]PuQ\

3/ %,1'(& 83'1 &( &3 )XQNFH. + ; ; ; ; / ; ; + ; EH]H]PuQ\ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

:5$ =islv GDW V DOWHUQDFt QHMY\ããtKRELWX

:5$ =islv GDW V DOWHUQDFt QHMY\ããtKRELWX Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

PODROBNÝ OBSAH 1 PØENOSOVÉ VLASTNOSTI PASIVNÍCH LINEÁRNÍCH KOMPLEXNÍCH JEDNOBRANÙ A DVOJBRANÙ... 9 1.1 Úvod... 10 1.2 Èasové charakteristiky obvodu pøechodné dìje... 10 1.3 Pøechodné charakteristiky obvodù

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ

8. ZÁKLADNÍ ZAPOJENÍ SPÍNANÝCH ZDROJŮ Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vytváøení sí ového diagramu z databáze: pøíklad

Vytváøení sí ového diagramu z databáze: pøíklad Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Alexandr Krejèiøík DC/DC MÌNIÈE Praha 2001 Alexandr Krejèiøík DC/DC MÌNIÈE Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo rozmnožována jakoukoli formou (tisk,

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Oldøich Kováø ELEKTRONIKA sbírka pøíkladù Oldøich Kováø ELEKTRONIKA - sbírka pøíkladù Recenzent èeského vydání: Ing Jiøí Hozman Recenzenti pùvodního slovenského vydání: Prof Ing Milan Kejzlar, CSc Doc

Více

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření,

Cvičení 12. Příklad výkonové aplikace. Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Cvičení 12 Příklad výkonové aplikace Výkonový MOSFET spínání induktivní zátěže: Měření, Simulace uacev PSpice Elektronické prvky A2B34ELP Prosté zapínání a vypínání Příklad výkonové aplikace M +PWR I zapnuto

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

( &. t S D Q 1 % 32/( þdv. 6 $ ý 3528' f V. f U L P. 8 d7 7 8 W , P W W

( &. t S D Q 1 % 32/( þdv. 6 $ ý 3528' f V. f U L P. 8 d7 7 8 W , P W W Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Hájek 2 ÈASOVAÈ 555 PRAKTICKÁ ZAPOJENÍ SE DVÌMA ÈASOVAÈI Praha 1998, AA Praha a BEN - technická literatura Jan Hájek 2 ÈASOVAÈ 555 Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Hájek ZVUKY S ÈASOVAÈEM 555 Praha 2000, AA Praha a BEN technická literatura Jan Hájek ZVUKY S ÈASOVAÈEM 555 Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

David Matoušek UDÌLEJTE SI Z PC generátor, èítaè, pøevodník, programátor Praha 2001 PODÌKOVÁNÍ Chtìl bych podìkovat panu Liboru Kubicovi z nakladatelství BEN technická literatura za cenné pøipomínky pøi

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ INSPIRACE KONSTRUKTÉRÙM Zapojení s diodami LED, zapojení s optoèleny, rùzná zapojení, rejstøík 4. díl Praha 2005 Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ 4. díl Bez pøedchozího písemného

Více

Alexandr Krejèiøík LINEÁRNÍ NAPÁJECÍ ZDROJE Praha 2001 Alexandr Krejèiøík LINEÁRNÍ NAPÁJECÍ ZDROJE Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována nebo rozmnožována

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

0RW\O3LFWXUH%R[ 7LPHU7LPHU

0RW\O3LFWXUH%R[ 7LPHU7LPHU Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

červená LED 1 10k LED 2

červená LED 1 10k LED 2 Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V, 0..200R, -150..+260 0 C)

4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V, 0..200R, -150..+260 0 C) EN 4x kombinovaný analogový vstup s vysokou pøesností (0..10V 0..200R -150..+260 0 C) Mìøení napìtí 0..10 V s pøesností ±0.2% a rozlišením až 0.001 V Mìøení odporu 0..200 ohm s pøesností ±0.2% a rozlišením

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů

Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jaroslav Doleèek MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY 2. díl Polovodièové prvky a elektronky dioda bipolární tranzistor unipolární tranzistor tyristor triak diak trioda vícemøížkové elektronky obrazovka Hallova

Více

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Zapojení horního spína e pro dlouhé doby sepnutí

Zapojení horního spína e pro dlouhé doby sepnutí - 1 - Zapojení horního spína e pro dlouhé doby sepnutí (c) Ing. Ladislav Kopecký, ervenec 2015 Pro krátké doby sepnutí horního spína e se asto používá zapojení s nábojovou pumpou. P íklad takového zapojení

Více

Výkonové tranzistory MOSFET Stengl, Jens-Peer: Leistungs-MOS-FET-Praxis / Jens Peer Stegl ; Jenö Tihanyi 2, neu bearb Aufl - München : Pflaum, 1992 ISBN 3-7905-0619-2 NE: Tihanyi, Jenö 1992 by Richard

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

]PHQãLWIRQW ]Y WãLWIRQW QDVWDYLWIRQW XORåLWVRXERU Y\WLVNQRXWVRXERU Y\WYR LWQRYêVRXERU

]PHQãLWIRQW ]Y WãLWIRQW QDVWDYLWIRQW XORåLWVRXERU Y\WLVNQRXWVRXERU Y\WYR LWQRYêVRXERU Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Úsporný napájecí zdroj 12 V Ing. Vladimír Andìl Úèinnost malých napájeèù s transformátorem je vìtšinou menší než 50 % a pøíkon naprázdno dosahuje až 5 W. Úèinnost spínaných napájeèù bývá vìtší, ale jejich

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

SOLID STATE RELÉ Alexandr Krejèiøík Praha 2002 Na konci knihy je jako pøíloha doplnìn katalogový pøehled nejpoužívanìjších a nejdostupnìjších optotriakù a Solid State relé, které jsou v Èeské republice

Více

8,1 [9] 8 287 [9] ± ± ± ± ± ± ± ± ±

8,1 [9] 8 287 [9] ± ± ± ± ± ± ± ± ± Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ INSPIRACE KONSTRUKTÉRÙM Generátory, pøístrojové zesilovaèe, mìøicí pøípravky a testery 2. díl Praha 2005 Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ 2. díl Bez pøedchozího písemného svolení

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ INSPIRACE KONSTRUKTÉRÙM Zdroje a mìnièe, nabíjení a baterie 1. díl Praha 2005 Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ 1. díl Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Manfred Frohn Wolfgang Oberthür Hans-Jobst Siedler Manfred Wiemer Peter Zastrow ELEKTRONIK souèástky a základní zapojení Praha 2006 Rozsáhlá uèebnice elektroniky, pokrývající zamìøená na základní polovodièové

Více

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení

Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:

Více

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

NOtþRYiQt. YêE U ign

NOtþRYiQt. YêE U ign Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Jan Hájek BLIKAÈE S ÈASOVAÈEM 555 Praha 2006, AA Praha a BEN technická literatura Jan Hájek BLIKAÈE S ÈASOVAÈEM 555 Bez pøedchozího písemného svolení nakladatelství nesmí být kterákoli èást kopírována

Více

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

M R 8 P % 8 P5 8 P& & %

M R 8 P % 8 P5 8 P& & % ážení zákazníci dovolujeme si ás upozornit že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva tzv. copyright. To znamená že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby ètenáø

Více

0.1. Titul. Grafický manuál firmy Y E L L O W P I G

0.1. Titul. Grafický manuál firmy Y E L L O W P I G 0.1. Titul 1 Grafický manuál firmy Y E L L O W P I G 0.2. Tiráž a obsah 2 Grafický manuál firmy Yellowpig Autor manuálu: Martin Brauner Autor názvu: Kamil Hájek Martin Brauner 2005 Obsah 0.1. Titul 0.2.

Více

Jaroslav Doleèek MODERNÍ UÈEBNICE ELEKTRONIKY Operaèní zesilovaèe a komparátory 5. díl Praha 2007 Jaroslav Doleèek Moderní uèebnice elektroniky 5. díl Operaèní zesilovaèe a komparátory Bez pøedchozího

Více

Saunový regulátor S 2000 NÁVOD NA OBSLUHU www.mctsro.com 2 1. Popis Saunový regulátor S 2000 je urèen k ovládání a øízení provozu sauny. Je urèen k øízení provozu všech typù saun od suché až po parní.

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. o znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby

Více

Zvyšující DC-DC měnič

Zvyšující DC-DC měnič - 1 - Zvyšující DC-DC měnič (c) Ing. Ladislav Kopecký, 2007 Na obr. 1 je nakresleno principielní schéma zapojení zvyšujícího měniče, kterému se také říká boost nebo step-up converter. Princip je založen,

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

/2*,.$ 5(6(7 Ë=(1Ë +$/7 *(1(5È725. +2',129é & 6./ $/8. ' /,ý. ýë7$ý 5(*,675 5(*,675. 326891é. 6e5,29é 5(*,675 * $.808/È725 5:0. %8',ý(/ 45(*,675 5(*

/2*,.$ 5(6(7 Ë=(1Ë +$/7 *(1(5È725. +2',129é & 6./ $/8. ' /,ý. ýë7$ý 5(*,675 5(*,675. 326891é. 6e5,29é 5(*,675 * $.808/È725 5:0. %8',ý(/ 45(*,675 5(* Vážení zákazníci dovolujeme si Vás upozornit že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva tzv. copyright. To znamená že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího (aby

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET

Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET NFET4X0AB Modul výkonových spínačů s tranzistory N-FET Milan Horkel Ve starých mainboardech počítačů PC bývají pěkné veliké tranzistory N-FET, které je možné využít. Tranzistory bývají tak asi na proud

Více

Saunový regulátor S 500 NÁVOD NA OBSLUHU www.mctsro.com 1. Popis Saunový regulátor S 500 je urèen k ovládání a øízení provozu sauny. Umožòuje okamžité zapnutí sauny nebo zapnutí se zpoždìním až do 24 hodin.

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

Nabíjeèka olovìných akumulátorù ze zdroje PC Václav Doležal (dolezv1@seznam.cz) Pøi návrhu nabíjeèky jsem se chtìl vyhnout lineárnímu zdroji s tìžkým a drahým sí ovým transformátorem a malou celkovou úèinností.

Více

NÁVOD K OBSLUZE A ÚDRŽBÌ

NÁVOD K OBSLUZE A ÚDRŽBÌ NÁVOD K OBSLUZE A ÚDRŽBÌ ZÁLOHOVANÝ NAPÁJECÍ ZDROJ NZZ-12 DYNASIG Zálohovaný zdroj NZZ-12 urèen pro napájení zaøízení dopravní signalizace (zejména návìstidly zvýraznìných dopravníchn znaèek ),tam kde

Více

Pøevodník úrovnì hladiny LT 2010 Pøedpis instalace a údržby

Pøevodník úrovnì hladiny LT 2010 Pøedpis instalace a údržby 4025351/3 IM-P402-62 AB vydání3 Pøevodník úrovnì hladiny LT 20 Pøedpis instalace a údržby 1. Bezpeènost provozu 2.Použití 3. Instalace 4. Nastavení 5. Uvedení do chodu 6. Údržba 7. Vyhledávání závad IM-P402-62

Více

Jan Humlhans ZAJÍMAVÁ ZAPOJENÍ INSPIRACE KONSTRUKTÉRÙM Senzory a mìøení neelektrických velièin, usmìròovaèe a filtry, elektronické potenciometry, aktivní filtry, komparátory 3. díl Praha 2005 Jan Humlhans

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30

Senzor teploty. Katalogový list SMT 160-30 Senzor teploty Katalogový list SMT 160-30 Obsah 1. Úvod strana 2 2. Inteligentní senzor teploty strana 2 3. Vývody a pouzdro strana 4 4. Popis výrobku strana 4 5. Charakteristické údaje strana 5 6. Definice

Více

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.

Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC. ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod

Více

Vážení zákazníci, dovolujeme si Vás upozornit, že na tuto ukázku knihy se vztahují autorská práva, tzv. copyright. To znamená, že ukázka má sloužit výhradnì pro osobní potøebu potenciálního kupujícího

Více

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec

ISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,

Více