5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače (rozšířená osnova)

Rozměr: px
Začít zobrazení ze stránky:

Download "5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače (rozšířená osnova)"

Transkript

1 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 1 5. kapitola: Vysokofrkvnční zsilovač (rozšířná osnova) Čas k studiu: 6 hodin íl: Po prostudování této kapitoly budt umět dfinovat pracovní bod BJT a FET určit funkci VF zsilovač v přnosovém řtězci popsat základní obvodové principy VF zsilovačů zdůvodnit použití AV posoudit stabilitu VF zasilovač Výklad 1. Nastavní pracovního bodu BJT NASTAVENÍ PAOVNÍHO BODU BIPOLÁNÍHO TANZISTOU U N I 1 I K 1 K U V2 i V1 I B U KE E E 0,6 V u i 2 E I E Z = E // E (a) U 2 U E (b) Obr.6.3 Základní zapojní SE (vyznačny stjnosměrné poměry; pro střídavý signál lz poměry upravit podl varianty b) Tranzistor musí mít nastavn vhodný pracovní bod. Vždy platí (2. Kirchhoffův zákon), ž napájcí napětí U N j dáno součtm napětí U K na odporu K, U KE mzi odpovídajícími vývody tranzistoru a U E na mitorovém odporu E U N = U K + U KE + U E Má-li tranzistor proudový zsilovací činitl β >> 1, platí pro proudy kolktoru I K a mitoru I E, ž I E I K a tdy i U E / E U K / K.

2 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 2 Aby byla limitac signálu symtrická, volí s obvykl U K U KE = (U N -U E )/2. Potom I K I E = (U N - U E )/(2 K ) ; U E = E I E = (U N - U E ) E /(2 K ). Elmntární úpravou dostanm, ž U E = U N E /(2 K + E ) Zřjmě platí, ž stjnosměrné napětí na odporu 2 musí být U 2 = U E + U BE U E + 0,6 V U BE 0,6 V j typická hodnota napětí báz-mitor. Volím-li proud odpory 1 a 2 mnohonásobně větší nž proud báz tranzistoru I B (prakticky I 1 > 5I B ), lz považovat dělič 1, 2 za nzatížný ( tvrdý ) a platí U N 2 /( ) U E + 0,6 V Musím proto volit příčný odpor dělič tak, aby U N /( ) > 5.I B = 5.I K /β β j proudový zsilovací činitl tranzistoru (h 21E ). Potom 2 = (U E + 0,6).( )/U N a 1 = ( ) Příklad: Nchť j Z = 60 kω. Volím K < Z /5 = 12 kω, volím K = 10 kω. Požadujm zsílní A UKSE = -10. Potom určím E = K /10 = 1 kω. Pro U N = 12 V j U E = U N E /(2 K + E ) = 12.1/( ) 0,6 V; I K I E = U E / E = 0,6 ma; I B = I K /β = β = 100 = 6 µa; U N /( ) = 12/( ) > 5. 6 µa = 30 µa ( ) < 12V/30µA = 400 kω. Zvolím = 300 kω a dopočítám nyní 2 = (U E + 0,6).300/12 = 30 kω a určím 1 = ( ) - 2 = = 270 kω. V praxi zvolím 1 = 270 kω a místo 2 zapojím proměnný odpor složný z pvné části 22 kω a trimru 15 kω. Pracovní bod tak můžm nastavit podl potřby NASTAVENÍ PAOVNÍHO BODU UNIPOLÁNÍHO TANZISTOU (S VODIVÝM KANÁLEM JFET, MOSFET) U DD = 10 V G I D D G U GS S d 5,1kΩ U DS S 1kΩ Obr Obrázk k příkladu

3 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 3 U DSP =U GS - U P PAABOLA I D ODPOOVÁ OBLAST SATUAČNÍ OBLAST (oblast vlkého odporu) U GS = 0 U GS1 < 0 U GS2 < U GS1 U P U GS1 + U P = U GS1 - U P U DS Obr.6.8. Výstupní charaktristiky tranzistoru NJFET Pro FE tranzistory s zabudovaným kanálm platí v tzv. saturační oblasti U DS > U DSP = U GS - U P = U GS přibližný vztah (nzaměňovat za saturační oblast bipolárních tranzistorů) I D = I DSS.(1 - U GS /U P ) 2, kd I D j proud vývodm D I S = I D j proud vývodm S I DSS = I D při napětí U GS = 0 U P j prahové napětí Příklad 1 J dán NMOSFET (dpltion) s vlastnostmi: I DSS = 5 ma, U P = - 2 V, U A = = 120 V. Určt pracovní bod (obr.6.14). Přdpokládám-li, ž pracovní bod bud v saturační oblasti U DS > U DSP = U GS - U P = U GS -(-2) = U GS +2V, můžm proto použít uvdný vztah: I D = I DSS.(1 - U GS /U P ) 2 Ovšm proud do G j prakticky nulový, proto zřjmě platí U GS = - S I D, proto dál platí I D = I DSS.(1 + I D.1000/U P ) 2 = (1+I D 1000/(-2)) 2 = = (1-500I D ) 2 = (1-1000I D + 2, I D 2 ) Elmntární úpravou obdržím kvadratickou rovnici 2, I D I D + 1 = 0 jjímž fyzikálně správným řšním j proud I D = 1,07 ma. Potom U GS = -I D.1000 = = -1,07 V ( a to j správně v intrvalu 0 až U P ), U DS = , = 3,47 V. Zkontrolujm U DSP = -1,07 -(-2) = 0,93 V. Platí tdy U DS = 3,47 V > U DSP = 0,93 V; NMOSFET j skutčně v saturační oblasti, vztah byl použit oprávněně. Příklad 2 Přdpokládjm, ž na obr.6.14 mám NJFET (NMOSFET) s paramtry U P = -3,5 V, I DSS = 10 ma. Požadujm pracovní bod I D = 5 ma ; U DS = 5 V, nyní při napájcím napětí U DD = 15 V. Stanovit nyní musím i S a d (nplatí údaj na obr.).

4 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 4 Njdřív uvažujm, ž tranzistor bud v saturační oblasti. Potom z rovnic I D = I DSS.(1 - U GS /U P ) 2 platí = (1- U GS /(-3,5)) 2 a proto 1+U GS /3,5 = ±1/ 2. Odsud U GS = -1,025 V nbo -5,975 V. Fyzikální význam má pouz hodnota v intrvalu 0V až U P = -3,5 V, pro mnší U GS j již proud I D prakticky nulový. Protož platí U GS = - S I D, dostanm pro dané podmínky, ž S = -(-1,025)/ = 205 Ω. Dál musí platit (opět aplikac 2. Kirchhoffova zákona) U DD = d I D + U DS + S I D, z toho plyn d = (U DD -U DS )/I D - S = (15-5)/ Ω = 1, Ω = 1,795 kω G s volí typicky asi 1 MΩ. Příklad 3 Nyní přdpokládjm, ž do určné struktury z příkladu 2 (U DD = 15 V, d = 1,795 kω, S = 205 Ω) osadím tranzistor s jinými paramtry: I DSS = 12 ma, U P = - 4 V. Jaký pracovní bod s nastaví nyní? Musí opět platit, ž U GS = I D a současně vztah I D = I DSS.(1 - U GS /U P ) 2. Dosadím-li za U GS, dostanm po úpravách rovnici 2 ( 205 I ) D ID ID + 1= 0 2 UP UP IDSS Řšním získám dva kořny I D1 = 5,869 ma a I D2 = 64,89 ma. Smysl má pouz proud, ktrý vytvoří na odporu S úbytk napětí v intrvalu 0 až U P = - 4 V, tdy proud 5,869 ma. To přdstavuj odchylku + 17% pracovního proudu I D proti výchozí hodnotě 5 ma. Osadím-li do stjné struktury tranzistor s paramtry I DSS = 8 ma a U P = - 3 V, obdržím stjným postupm pracovní proud I D = 4,125 ma. NASTAVENÍ PAOVNÍHO BODU UNIPOLÁNÍHO TANZISTOU (S INDUKOVANÝM KANÁLEM MOSFET) Používané symbolické značky jsou uvdny na obr Jdná s o tranzistory řízné polm, v ktrých s vytváří vodivý kanál až při napětích U GS > U T > 0 (pro NMOSFET). Pro U GS < U T j kanál zcla nvodivý. Obdobně jako na obr.6.8 i zd platí, ž SATUAČNÍ OBLAST j určna parabolou ( pinch-off-parabola) U DSP = U GS - U T (U T - thrshold voltag), přičmž v zsilovacím ržimu musí platit U DS > U DSP. V této oblasti j V-A charaktristika popsána vztahm I D = K (U GS - U T ) 2 U GS j napětí mzi vývody G-S (obr.6.19) K j konstanta pro daný tranzistor [A/V 2 ] U T j thrshold voltag - opět charaktristické pro daný tranzistor I D 0 pro U GS < U T TENTO VZTAH PLATÍ I PO FE TANZISTOY SE ZABUDOVANÝM KANÁLEM, POUZE UČÍME KONSTANTU K POMOÍ I DSS : při U GS = 0 platí I DSS = K (0 - U T ) 2, tdy K = I DSS /(U T ) 2, NYNÍ JIŽ LZE PSÁT, ŽE I D = K (U GS - U T ) 2 = I DSS /(U T ) 2. (U GS - U T ) 2 = I DSS.( U GS / U T -1) 2 = I DSS.( 1- U GS / U T ) 2, význam U T a U P j stjný

5 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 5 G D D I D U DSP = U GS - U T G S (a) S 5 ma 1,25 ma Obr a) Možné symboly NMOSFET (indukovaný kanál); b) jho výstupní charaktristiky U GS2 - U T = 2V (b) U GS1 (3V)> U T U GS U T (2V) >0 U DS Na obr.6.23 j zapojní SS zsilovač s tranzistorm NMOSFET (indukovaný kanál; K = 2,96 ma/v 2, U T = 2 V, U A = 156 V). Určt pracovní bod. U DD = 10 V G1 240kΩ D 1kΩ G2 150kΩ U G G G U GSQ D D S 100Ω S S I D U S Z 1kΩ I D Obr Zapojní zsilovač SS Njdřív s musím přsvědčit, zda j tranzistor v saturační oblasti. Pro stjnosměrné napětí na vývodu G tranzistoru platí: U G = U DD G2 /( G1 + G2 ) = =10.150/( ) = 3,846 V. Současně musí platit, ž stjnosměrné napětí na odporu S j U S = S I D a stjnosměrné napětí mzi G a S j U GS = U G - S I D. Po dosazní do vztahu I D = K (U GS - U T ) 2 získávám I = K U I ) U 2 = K ( U U ) I.Po dosazní za uvdné podmínky D [ ] [ ] 2 ( G S D T G T S D 2 4 dostanm rovnici ID10 ID , = 0, kd fyzikální smysl má řšní I D = 5,2 ma. Nyní můžm určit napětí U DS = U DD - I D ( D + S ) = 10-5,2.1,1 = 10-5,72 = 4,28 V. V saturační oblasti musí platit U DS > U GS - U T = U G - S I D -U T = 3,85-0,52-2 = 1,33 V, tato podmínka j splněna, použití vztahu j proto oprávněné.

6 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 6 Na obr.6.20 platí: K = 0,25 ma/v 2, U T = 2,5 V. Jaké jsou pracovní poměry (pracovní bod)? Proud do G lz prakticky vždy zandbávat, platí proto U DS = U GS a I D = K(U GS - U T ) 2 = K(U DS - U T ) 2 = U DS = U DD - D I D = K [(U DD - D I D ) - U T ] 2 G (510kΩ) G D D U DD = 15 V (1,5 kω) U DS I D U GS S Obr Nastavní pracovního bodu (NMOSFET s induk. kanálm) Po umocnění a základních úpravách dostanm vztah I D 2 D 2 - [2 D (U DD - U T ) + 1/K]I D + (U DD - U T ) 2 = 0 Po dosazní poměrů z obr.6.20 dostanm kvadratickou rovnici 2, I D I D + 156,25 = 0 ktrá má dva kořny: 5,27 ma a 13,17 ma. Fyzikálně správný smysl má proud I D = = 5,27 ma, protož na odporu 1,5 kω vyvolá úbytk 5,27.1,5 = 7,905 V a na tranzistoru j tak vhodné napětí U DS = U DD - D I D = 15-7,905 = 7,095 V = U GS. 2. VF zsilovač

7 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 7 Přijímací anténu j výhodné si přdstavit jako gnrátor napětí UA a v sérii zapojnou impdancí Z A. Napětí UA má vlikost UA = h A E, kd h A j tzv. fktivní výška antény a E j intnzita lktromagntického pol v místě antény. ozlišujm antény laděné a nladěné. ozměry laděných antén jsou při tom volny tak, aby na pracovním kmitočtu přijímač pracovaly v rzonanci, tdy vykazovaly pouz rálnou složku impdanc Z A. Anténa chová jako zdroj napětí s vnitřním odporm A. Takové antény jsou určny pro činnost na pvném kmitočtu nbo pro činnost v vlmi úzkém kmitočtovém pásmu. Pro přijímač určné pro práci na DV, SV a KV s používají antény nladěné. Většinou jd o drátové antény nbo o antény magntické (rámové nbo fritové). Koncpc přímozsilujícího přijímač - blokové schéma j na Obr vznikla na počátku rozvoj přijímačové tchniky a pro něktré použití přtrvává do dnšních dnů. Vývojově njstarším typm rádiového přijímač byl dtktorový přijímač ( krystalka ). Tn obsahoval anténu, za níž násldoval slktivní vstupní obvod s vhodně zapojným rzonančním obvodm L, provádějícím výběr zvolné stanic. Na něj byl vázán dtktor (lktrolytický, později krystalový ap.), ktrý byl při silných vstupních signálch již schopn vybudit sluchátka s vlkou impdancí. Protož krystalka měla vlmi malou citlivost a slktivitu, byla postupně doplňována o NF zsilovač a přdvším o VF zsilovač. Tn umožnil navázání dtktoru přs další laděný rzonanční obvod čímž s zlpšila clková slktivita přijímač.

8 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 8 Suprhtrodyn j složn z pvně naladěného přijímač s přímým zsílním, ktrý s v tomto případě nazývá mzifrkvnční zsilovač, a z přdřazného měnič kmitočtu. Měnič kmitočtu uskutčňuj kmitočtovou transpozici signálů žádaných kmitočtů do pásma propustnosti mzifrkvnčního zsilovač. Touto skladbou j možné využít dobrých vlastností přijímač s přímým zsílním a při tom dosáhnout toho, ž jak šířka propustného pásma, tak i zsílní s při přlaďování přijímač prakticky nmění. Vlastní měnič kmitočtu j tvořn směšovačm a místním oscilátorm zvaným htrodyn. V něktrých případch j přd měnič kmitočtu zařazn vysokofrkvnční zsilovač, zvaný prslktor. Blokové schéma jdnoduchého suprhtrodynu s přdzsilovačm ukazuj Obr Při idalizaci procsu směšování můžm na výstupu směšovač získat čtyři kmitočtově odlišné signály (viz Obr. 3.3) a to signály o kmitočtu fs a fh (pro ktré s směšovač chová jako zsilovač), signál o kmitočtu fs+ fh a signál o kmitočtu fs - fh. Absolutní hodnotu musím uvažovat proto, ž kmitočt fh můž být větší al také mnší nž kmitočt fs.

9 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 9 Vstupní obvody přijímačů pro nízké a střdní kmitočty Přijímač pro tyto kmitočtové rozsahy pracují obvykl s nladěnými anténami. Používá s téměř výhradně vazba induktivní nbo kombinovaná vazba induktivní s kapacitní vazbou napěťovou (viz Obr. 4.4c,, f). Ostatní typy vazb při přlaďování přijímač v vlkém rozmzí kmitočtu způsobují značnou nrovnoměrnost přnosu napětí (Obr. 4.4a, b, d). Při použití induktivní vazby vstupního obvodu s anténou můžm vazbní cívku volit s vlkou indukčností (pak vazbní cívka s kapacitou antény rzonuj pod dolním kmitočtm rozsahu přijímač), nbo s malou indukčností (pak vazbní cívka spolu s kapacitou antény rzonuj nad horním okrajm rozsahu přijímač). Výhodnější j provdní s vlkou indukčností, protož při ladění přijímač směrm k vyšším kmitočtům klsá přnos napětí z antény, současně al stoupá přnos vysokofrkvnčního zsilovač a tím s obě změny částčně kompnzují. Také samotné změny přnosu vazbního obvodu jsou pro tnto případ podstatně mnší, nž pro vazbní obvod s malou indukčností. Vstupní obvody přijímačů pro vysoké a vlmi vysoké kmitočty Přijímač pracující na těchto kmitočtch obvykl pracují s laděnými anténami. Výjimkou jsou širokopásmové přhldové přijímač, ktré vzhldm k své funkci musí mít anténu širokopásmovou. Laděné antény mají jdnoznačně dfinovanou impdanci. Obvykl jsou na pracovním kmitočtu vyladěné do rzonanc a jjich výstupní impdanc má ryz odporový charaktr. Vstupní obvody přijímačů pro vysoké kmitočty jsou obvykl konstruovány s dvojitou transformátorovou nbo dvojitou autotransformátorovou vazbou. Zálží na tom, zda j anténní svod symtrický nbo nsymtrický (koaxiální kabl). Několik typických zapojní vstupních obvodů pro oblast VKV j na Obr Vdl těchto zapojní s např. u tlvizních přijímačů používají vstupní obvody v tvaru laděných článků Π nbo T, ktré mohou současně plnit funkci transformátorů impdanc.

10 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 10 Laděné zsilovač s tranzistory a intgrovanými obvody Napětí přiváděné na vstup přijímač má obvykl vlmi malou úrovň. Obvykl j ho třba přd dalším zpracováním zsílit a zbavit rušivých kmitočtově odlišných složk. Pro tyto účly slouží vysokofrkvnční přdzsilovač nazývaný prslktor. Vlastní návrh j značně komplikovaný vzhldm k silné vnitřní zpětné vazbě tranzistorů, způsobované nnulovou vlikostí admitanc y12. Tato zpětná vazba způsobuj, ž s tranzistor chová takřka v clém kmitočtovém pásmu jako potnciálně nstabilní prvk. Nstabilitu prslktoru j třba potlačit. K tomu slouží unilatralizac" (nbo alspoň nutralizac) [ 4 ] zsilovač nbo častěji mtoda vycházjící z skutčnosti, ž zatížím-li vstupní i výstupní svorky zsilovač mnší hodnotou odporů, nž odpovídá výkonovému přizpůsobní, stupň stability s zvýší. Jiný způsob spočívá v vhodném zapojní zsilovacího stupně. Vhodné vlastnosti má kaskoda SE-SB tvořná tranzistory T1 a T3 na Obr. 4.12a, dodávaná často jako monolitický IO, ktrá má zpětnovazbní admitanci rdukovanou vlmi výrazně (asi o 2-3 řády). To konstrukci prslktoru usnadňuj. Uvažujm njprv kaskodu SE-SB. Z stjnosměrného hldiska mohou být oba tranzistory kaskody zapojny sériově nbo parallně. ozhodující j při tom vlikost stjnosměrného napětí, ktré j k dispozici. Admitanční paramtry "synttického" tranzistoru lz určit z admitančních paramtrů dílčích tranzistorů pro zvolnou hodnotu nastavného pracovního bodu (Ik, Uk), daný kmitočt a danou tplotu přchodu.

11 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 11 Typická zapojní prslktorů s diskrétními tranzistory jsou na Obr Zapojní na Obr. 4.11b j výhodné v tom, ž dvouhradlový tranzistor MOS j vlivm stínícího účinku hradla G2 prakticky absolutně stabilní v clém pracovním kmitočtovém rozsahu. Šumové vlastnosti obou zapojní jsou srovnatlné a asi do 300 MHz nmusí šumové číslo přkročit hodnotu 1,5 db. Zsilovač pro AM signály musí v clém rozsahu vstupního signálu pracovat jako linární. Proto musí být zapojní opatřna účinnou rgulací zsílní (ruční nbo automatickou). Na Obr j tato rgulac umožněna řídicím napětím AV (pro zapojní Obr. 4.12a jsou to řádově stovky milivoltů, pro Obr. 4.12b jdnotky voltů). Bz rgulac zisku by zjména druhé zapojní (difrnční zsilovač) už při poměrně malých úrovních vstupního signálu způsobovalo okrajování amplitud zsilovaného signálu (což s často využívá u zsilovačů pro zsilování signálů s FM). Unilatralizac j vykompnzování zpětného přnosu nrgi z výstupu tranzistoru na jho vstup. Provádí s liminací zpětnovazbní admitanc přídavným pasivním obvodm. Používá s zjména u zsilovačů s tranzistorm v zapojní SE, j-li admitanc rlativně vliká. Kaskoda j kaskádní zapojní dvou tranzistorů, z nichž první j zapojn s spolčným mitorm (SE), druhý s spolčnou bází (SB), obr Přdností tohoto zapojní j téměř nulová zpětnovazbní admitanc výsldného obvodu kaskody. Každý tranzistor můž mít obcně nastavn jiný klidový pracovní bod, avšak většinou mají oba tranzistory nastavny pracovní body stjné.

12 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 12 Zadání Kaskodové řazní tranzistorů 1) Určt pracovní bod tranzistoru T 1 2) Určt hodnotu K tak, aby stjnosměrné napětí na K (U K ) bylo rovno napětí mzi kolktorm a mitorm tranzistoru T 2 (U KET2 ), tdy U K = U KET2. 3) Nakrslt signálové schéma obvodu. Přdpokládjt, ž difrnční odpory všch diod jsou zandbatlné a všchny kapacity jsou vhodně volny tak, ž jjich impdanc lz považovat za nulové (v oblasti uvažovaných kmitočtů). 4) Určt přnos z vstupu do kolktoru T 1 (napěťový). 5) Určt přnos z vstupu na výstup (zsílní). 6) Určt vstupní odpor struktury 7) Odhadnět vstupní kvivalntní kapacitu Millrův jv z znalosti přnosu získaného v bodě 4 pro KE = 5 pf

13 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 13 Schéma U N D ZD K V2 Výstup Zadané hodnoty: Vstup V1 B U B 4V 0,6V 0,6V T 2 T 1 E D = 10 KΩ DZ = 4,7 kω B =? kω E1 =? Ω E2 =? Ω U N =? V β volt v rozmzí 100 až 300 shodně pro oba tranzistory 3x0,6V U E E1 E2 Pásmové zsilovač Jdná s o zsilovač naladěné na pvný mzifrkvnční kmitočt. Zsílní pásmového zsilovač a jho slktivita tvoří asi 90% zsílní a slktivity clého přijímač. Vlastní zsílní musí být takové, aby i njslabší přijímaný signál dosáhl na vstupu dmodulátoru úrovň potřbnou pro bzchybnou dmodulaci. Mtodika jjich návrhu j totožná s mtodikou návrhu slktivních vysokofrkvnčních zsilovačů až na skutčnost, ž jd o zsilovač pvně naladěné. Většina komrčních i profsionálních přijímačů s v současné době konstruuj s slktivními obvody typu filtrů s soustřděnou slktivitou. lý požadovaný tvar požadované křivky slktivity j vytvářn v jdiném filtru soustřděné slktivity, ktrý j umístěný na vstupu pásmového zsilovač. Samotný zsilovač s pak konstruuj jako odporově vázaná širokopásmová kaskáda zsilovacích stupňů. Tato koncpc vyhovuj konstrukci monolitických IO. Pokud jd o zpracování FM nbo impulsních signálů j tato koncpc bzproblémová. Pro zpracování signálů s AM j třba lmntární zsilovač vybavit účinnou automatickou rgulací zsílní, aby ani njsilnější signály nbyly amplitudově omzovány. Základními paramtry pásmového zsilovač jsou pracovní kmitočt f0 (podl použití přijímač j f0 rovno stovkám khz až stovkám MHz), šířka propouštěného pásma B, tvar křivky slktivity, napěťové a výkonové zsílní, stupň potlační signálů vně propustného pásma a průběh fázové charaktristiky nbo skupinového zpoždění. Při tom musí být zaručna stabilita zsilovač v clém rozmzí běžných pracovních podmínk. Monolitické pásmové zsilovač s njčastěji vyskytují v dvou základních variantách a sic jako kaskády kaskod SE-SB nbo kaskády difrnčních zsilovačů. Jdnotlivé typy IO s pak

14 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 14 liší např. způsobm vazby mzi zsilovacími stupni, počtm stupňů, zavdním obvodů pro automatickou rgulaci zsílní a pod. Základní zapojní difrnčního zsilovač (xistuj clá řada variant zapojní) a jho přvodní charaktristiky jsou na Obr

15 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 15

16 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 16 V řadě případů s u monolitických pásmových zsilovačů stkávám s mitorově vázanou dvojicí S-SB, znázorněnou na Obr. 4.54a. Zapojní má nsymtrický vstup i výstup, což pro řadu praktických aplikací přdstavuj výhodu. Výhodou j opět silná rdukc zpětnovazbní admitanc a tdy zvýšní stability a to i v srovnání s klasickým difrnčním zsilovačm. Uvdné zapojní navíc vykazuj symtrické okrajování amplitud zsilovaného signálu, aniž s tranzistory dostanou do saturac, a proto s využívá přdvším u zsilovačů pro FM. Zjména pro vstupní obvody monolitických pásmových zsilovačů s používá symtrický kaskodový zsilovač z Obr. 4.54b. Jho stabilita j vyšší nž u jdnoduché kaskody. Má vlmi malou vstupní kapacitu a také výhodné šumové vlastnosti. J rovněž vhodný zjména pro FM přijímač.

17 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 17 Stabilita zsilovač

18 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 18 a) Shrnutí základních vlastností: r = U T I E Odpor vstupní lktrody ib Zapojní SE Zapojní S Zapojní SB ( β + ) ( r ) = ( + 1) ( r + ) = 1 + ib β i = r Vstupní odpor: i n = in V ib V = 1 2 = in V ib V = 1 2 in = r + r Výstupní odpor: out ( ) r V S out = 1+ 8) + r β + 1 r out = out r out Napěťové zsílní: A U Proudové zsílní: A I Výkonové zsílní: A P A I A U = 8) + r A = A U V A β + I V r 9) ( β + 1) r β A I = A V U + = A U + r 1 V ( β + 1) ( β + 1)( + r ) A I β A U A U = A I + r in P = AU 2 in AP = A 2 U AP = AU 2 1 r 9) ω 3 db 1 ω 3 = B ω 3 = 1 B Vstupní arazitní kapacita MK = B 1+ + r B Využití Zapojní pro nf a vf obvody Měnič impdanc nf vstupní obvod vf zsilovač na f > 100 MHz 8) Při výpočtu zsílní j potřba i zahrnout vliv zátěž 9) Při 0

19 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 19 b) Shrnutí základních zapojní Schéma zapojní : Signálové schéma: Zapojní SE U B u E E1 2 E2 u2 B Û1 V 0 V r E E i r E Û 2 Zapojní S U B u1 1 1 Û 1 V 0 V E i r 2 E 2 u2 E E Û 2 Zapojní SB U E r E i B 1 u2 Û 1 E 0 V B Û 2 E 2 E

20 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 20 Shrnutí základních vlastností zapojní s unipolárním tranzistorm Při pohldu na signálové modly na obr. 6.1 kd jsm zahrnuli i vliv kapacity GD vidím, ž situac j stjná, jako když jsm řšili zapojní s tranzistory BJT. Stačí pouz udělat substituc: ˆ B Uˆ, G r m U r, D E S B G D Vstupní odpor unipolárních tranzistorů j vlmi vlký, takž nmá vůbc smysl β nboť β. uvažovat o proudovém zsílní ( ) GD a) D c) GD D G 0 V S i D Û 2 G 0 V S i Û 1 r m r m Û 1 S S1 Û 2 S2 b) S S i r 0 V Û 1 S G GD D Û 2 Obr. 6.1: Signálové modly unipolárních tranzistorů s zahrnutím vlivu kapacity a) Zapojní s spolčným mitorm SS b) Zapojní s spolčnou bází SG c) Zapojní s spolčným kolktorm SD GD

21 Punčochář, J: AEO; 5. kapitola 21 Txt k prostudování [1] Žalud, V.: Modrní radiolktronika, BEN - tchnická litratura Praha 2000, ISBN [3] Prokš, A.: ádiové přijímač a vysílač. VUT v Brně, 2005, ISBN Další studijní txty [2] Mohylová, J. Punčochář, J.: ELEKTIKÉ OBVODY II (ZÁKLADY ELEKTONIKY) Ostrava 2010 Nobilis, J.: TEOIE ELEKTONIKÝH OBVODŮ VI (VF zsilovač, směšovač), Střdní průmyslová škola lktrotchnická a Vyšší odborná škola Pardubic, Pardubic 2001 Otázky Pro ověřní, ž jst dobř a úplně látku kapitoly zvládli, mát k dispozici několik tortických otázk. 1. Princip bipolárního tranzistoru, nastavní pracovního bodu. 2. Princip tranzistorů FE, nastavní pracovního bodu. 3. Vlastnosti základních zapojní s jdním tranzistorm. 4. Vlastnosti kaskodového zapojní. 5. Základní zapojní VF zsilovačů. 6. Unilatralizac a nutralizac. 7. Princip AV, změna zsílní. 8. Stabilita VF zsilovačů. 9. Základní modl antény z hldiska přijímač. 10. Základní funkční bloky suprhtrodynu. 11. Princip ladění prslktoru. Odpovědi nalznt v části "Výklad" a v uvdné litratuř Úlohy k řšní Klíč k řšní AUTOKONTOLA

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače Přsný výpočt tranzistorového zsilovač vychází z urční dvojbranových paramtrů tranzistoru a pokračuj sstavním matic obvodu a řšním této matic. Při použití vybraných rovnic z matmatických modlů pro programy

Více

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče 4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si

Více

2. Frekvenční a přechodové charakteristiky

2. Frekvenční a přechodové charakteristiky rkvnční a přchodové charaktristiky. rkvnční a přchodové charaktristiky.. Obcný matmatický popis Přchodové a frkvnční charaktristiky jsou důlžitým prostřdkm pro analýzu a syntézu rgulačních obvodů a tdy

Více

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout.

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout. Etrém funkc 4. PRŮBĚH FUNKCE Průvodc studim V matmatic, al i v fzic a tchnických oborch s často vsktn požadavk na sstrojní grafu funkc K nakrslní grafu funkc lz dns většinou použít vhodný matmatický softwar.

Více

základní pojmy základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie

základní pojmy základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie Tori v strojírnské tchnologii Ing. Oskar Zmčík, Ph.D. základní pojmy používaná rozdělní vztahy, dfinic výpočty základní pojmy žádnou součást ndokážm vyrobit s absolutní přsností při výrobě součásti dochází

Více

Úloha č. 11. H0 e. (4) tzv. Stefanův - Bo1tzmannův zákon a 2. H λ dλ (5)

Úloha č. 11. H0 e. (4) tzv. Stefanův - Bo1tzmannův zákon a 2. H λ dλ (5) pyromtrm - vrz 01 Úloha č. 11 Měřní tplotní vyzařovací charaktristiky wolframového vlákna žárovky optickým pyromtrm 1) Pomůcky: Měřicí zařízní obsahující zdroj lktrické nrgi, optický pyromtr a žárovku

Více

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Univrzita omáš Bati v Zlíně LABORAORNÍ CVIČENÍ Z FYZIKY II Názv úlohy: Voltampérová charaktristika polovodičové diody a žárovky Jméno: Ptr Luzar Skupina: I II/1 Datum měřní: 14.listopadu 7 Obor: Informační

Více

FYZIKA 3. ROČNÍK. Nestacionární magnetické pole. Magnetický indukční tok. Elektromagnetická indukce. π Φ = 0. - magnetické pole, které se s časem mění

FYZIKA 3. ROČNÍK. Nestacionární magnetické pole. Magnetický indukční tok. Elektromagnetická indukce. π Φ = 0. - magnetické pole, které se s časem mění FYZKA 3. OČNÍK - magntické pol, ktré s s časm mění Vznik nstacionárního magntického pol: a) npohybující s vodič s časově proměnným proudm b) pohybující s vodič s proudm c) pohybující s prmanntní magnt

Více

Fyzikální podstata fotovoltaické přeměny solární energie

Fyzikální podstata fotovoltaické přeměny solární energie účinky a užití optického zářní yzikální podstata fotovoltaické přměny solární nri doc. In. Martin Libra, CSc., Čská změdělská univrzita v Praz a Jihočská univrzita v Čských Budějovicích, In. Vladislav

Více

Trivium z optiky 37. 6. Fotometrie

Trivium z optiky 37. 6. Fotometrie Trivium z optiky 37 6. Fotomtri V přdcházjící kapitol jsm uvdli, ž lktromagntické zářní (a tdy i světlo) přnáší nrgii. V této kapitol si ukážm, jakými vličinami j možno tnto přnos popsat a jak zohldnit

Více

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ

II. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou

Více

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1

Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Punčochář, J.: OPERAČNÍ ZESILOVAČE V ANALOGOVÝCH SYSTÉMECH 1 Heater Voltage 6.3-12 V Heater Current 300-150 ma Plate Voltage 250 V Plate Current 1.2 ma g m 1.6 ma/v m u 100 Plate Dissipation (max) 1.1

Více

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr

Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr Kompenzovaný vstupní dělič Analogový nízkofrekvenční milivoltmetr. Zadání: A. Na předloženém kompenzovaném vstupní děliči k nf milivoltmetru se vstupní impedancí Z vst = MΩ 25 pf, pro dělící poměry :2,

Více

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS VI. Odpor a lktrický proud Obsah 6 ODPOR A ELEKTRICKÝ PROUD 6.1 ELEKTRICKÝ PROUD 6.1.1 HUSTOTA PROUDU 3 6. OHMŮV ZÁKON 4 6.3 ELEKTRICKÁ ENERGIE A VÝKON 6 6.4 SHRNUTÍ 7 6.5 ŘEŠENÉ

Více

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.

2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω. A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty

Více

VARIFLEX. 0,25 až 4 kw. www.enika.cz

VARIFLEX. 0,25 až 4 kw. www.enika.cz www.nika.cz ENIK, spol. s r.o., Nádražní 609, 509 01 Nová Paka, zch Rpublic, Tl.: +420 493 773 311, Fax: +420 493 773 322, E-mail: nika@nika.cz, www.nika.cz VRIFLEX FREKVENČNÍ MĚNIČE 0,25 až 4 kw Frkvnční

Více

(1) Známe-li u vyšetřovaného zdroje závislost spektrální emisivity M λ

(1) Známe-li u vyšetřovaného zdroje závislost spektrální emisivity M λ Učbní txt k přdnáš UFY Tplné zářní. Zářní absolutně črného tělsa Tplotní zářní a Plankův vyzařovaí zákon Intnzita vyzařování (misivita) v daném místě na povrhu zdroj j dfinována jako podíl zářivého toku

Více

Experiment s FM přijímačem TDA7000

Experiment s FM přijímačem TDA7000 Experiment s FM přijímačem TDA7 (návod ke cvičení) ílem tohoto experimentu je zkonstruovat FM přijímač s integrovaným obvodem TDA7 a ověřit jeho základní vlastnosti. Nejprve se vypočtou prvky mezifrekvenčního

Více

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2.

Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R = 100 kω, φ = 5mW/cm 2. Nalezněte pracovní bod fotodiody pracující ve fotovoltaickem režimu. Zadáno R 00 kω, φ 5mW/cm 2. Fotovoltaický režim: fotodioda pracuje jako zdroj (s paralelně zapojeným odporem-zátěží). Obvod je popsán

Více

Demonstrace skládání barev

Demonstrace skládání barev Vltrh nápadů učitlů fyziky I Dmonstrac skládání barv DENĚK NAVRÁTIL Přírodovědcká fakulta MU Brno Úvod Studnti střdních škol si často stěžují na nzáživnost nzajímavost a matmatickou obtížnost výuky fyziky.

Více

Seznámíte se s pojmem primitivní funkce a neurčitý integrál funkce jedné proměnné.

Seznámíte se s pojmem primitivní funkce a neurčitý integrál funkce jedné proměnné. INTEGRÁLNÍ POČET FUNKCÍ JEDNÉ PROMĚNNÉ NEURČITÝ INTEGRÁL NEURČITÝ INTEGRÁL Průvodc studim V kapitol Difrnciální počt funkcí jdné proměnné jst s sznámili s drivováním funkcí Jstliž znát drivac lmntárních

Více

I. MECHANIKA 8. Pružnost

I. MECHANIKA 8. Pružnost . MECHANKA 8. Pružnost Obsah Zobcněný Hookův zákon. ntrprtac invariantů. Rozklad tnzorů na izotropní část a dviátor. Křivka dformac. Základní úloha tori pružnosti. Elmntární Hookův zákon pro jdnoosý tah.

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů

FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje

Více

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti

Více

L HOSPITALOVO PRAVIDLO

L HOSPITALOVO PRAVIDLO Difrnciální počt funkcí jdné rálné proměnné - 7 - L HOSPITALOVO PRAVIDLO LIMITY TYPU 0/0 PŘÍKLAD Pomocí L Hospitalova pravidla určt sin 0 Ověřní přdpokladů L Hospitalovy věty Přímočarým použitím věty o

Více

Otázka č.3 Veličiny používané pro kvantifikaci elektromagnetického pole

Otázka č.3 Veličiny používané pro kvantifikaci elektromagnetického pole Otázka č.4 Vličiny používané pro kvantifikaci lktromagntického pol Otázka č.3 Vličiny používané pro kvantifikaci lktromagntického pol odrobnější výklad základu lktromagntismu j možno nalézt v učbním txtu:

Více

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka

Tel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův

Více

M ě ř e n í o d p o r u r e z i s t o r ů

M ě ř e n í o d p o r u r e z i s t o r ů M ě ř n í o d p o r u r z s t o r ů Ú k o l : Proměřt sadu rzstorů s nznámým odporm různým mtodam a porovnat přsnost jdnotlvých měřní P o t ř b y : Vz sznam v dskách u úlohy na pracovním stol Obcná část:

Více

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole

Měřená veličina. Rušení vyzařováním: magnetická složka (9kHz 150kHz), magnetická a elektrická složka (150kHz 30MHz) Rušivé elektromagnetické pole 13. VYSOKOFREKVENČNÍ RUŠENÍ 13.1. Klasifikace vysokofrekvenčního rušení Definice vysokofrekvenčního rušení: od 10 khz do 400 GHz Zdroje: prakticky všechny zdroje rušení Rozdělení: rušení šířené vedením

Více

Studium tranzistorového zesilovače

Studium tranzistorového zesilovače Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor

Více

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.

1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu. v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet

Více

Zvyšující DC-DC měnič

Zvyšující DC-DC měnič - 1 - Zvyšující DC-DC měnič (c) Ing. Ladislav Kopecký, 2007 Na obr. 1 je nakresleno principielní schéma zapojení zvyšujícího měniče, kterému se také říká boost nebo step-up converter. Princip je založen,

Více

2 e W/(m2 K) (2 e) = 0.74 0.85 0.2 1 (1 0.85)(1 0.2) = 0.193. Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami

2 e W/(m2 K) (2 e) = 0.74 0.85 0.2 1 (1 0.85)(1 0.2) = 0.193. Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami Tplo skrz okna pracovní poznámky Jana Hollana Přnos okny s skládá z přnosu zářním, vdním a prouděním. Zářivý přnos Zářivý výkon E plochy S j dl Stfanova-Boltzmannova vyzařovacího zákona kd j misivita plochy

Více

Zesilovače. Ing. M. Bešta

Zesilovače. Ing. M. Bešta ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného

Více

hledané funkce y jedné proměnné.

hledané funkce y jedné proměnné. DIFERCIÁLNÍ ROVNICE Úvod Df : Občjnou difrniální rovnií dál jn DR rozumím rovnii, v ktré s vsktují driva hldané funk jdné proměnné n n Můž mít pliitní tvar f,,,,, n nbo impliitní tvar F,,,,, Řádm difrniální

Více

1. Okrajové podmínky pro tepeln technické výpo ty

1. Okrajové podmínky pro tepeln technické výpo ty 1. Okrajové podmínky pro tpln tchncké výpo ty Správné stanovní okrajových podmínk j jdnou z základních součástí jakéhokol tchnckého výpočtu. Výjmkou njsou an tplně tchncké analýzy. V násldující kaptol

Více

PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA 1.1. GEOMETRICKÉ VLASTNOSTI BUDOVY 1.2. CHARAKTERISTIKA STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ

PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA 1.1. GEOMETRICKÉ VLASTNOSTI BUDOVY 1.2. CHARAKTERISTIKA STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA pro clkové zatplní panlového domu Běhounkova 2457-2462, Praha 5 Objkt má dvět nadzmní podlaží a jdno podlaží podzmní, částčně pod trénm. Objkt

Více

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech

teorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?

Více

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně.

Klasifikace: bodů výborně bodů velmi dobře bodů dobře 0-49 bodů nevyhověl. Příklad testu je na následující straně. Elektronika - pravidla Zkouška: Délka trvání testu: 12 minut Doporučené pomůcky: propisovací tužka, obyčejná tužka, čistý papír, guma, pravítko, kalkulačka se zanedbatelně malou pamětí Zakázané pomůcky:

Více

Unipolární tranzistor aplikace

Unipolární tranzistor aplikace Unipolární tranzistor aplikace Návod k praktickému cvičení z předmětu A4B34EM 1 Cíl měření Účelem tohoto měření je seznámení se s funkcí a aplikacemi unipolárních tranzistorů. Během tohoto měření si prakticky

Více

INTERGRÁLNÍ POČET. PRIMITIVNÍ FUNKCE (neurčitý integrál)

INTERGRÁLNÍ POČET. PRIMITIVNÍ FUNKCE (neurčitý integrál) INTERGRÁLNÍ POČET Motivac: Užití intgrálního počtu spočívá mj. v výpočtu obsahu rovinného obrazc ohraničného různými funkcmi příp. čarami či v výpočtu objmu rotačního tělsa, vzniklého rotací daného obrazc

Více

STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA

STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA STUDIUM DEFORMAČNÍCH ODPORŮ OCELÍ VYSOKORYCHLOSTNÍM VÁLCOVÁNÍM ZA TEPLA Martin Radina a, Ivo Schindlr a, Tomáš Kubina a, Ptr Bílovský a Karl Čmil b Eugniusz Hadasik c a) VŠB Tchnická univrzita Ostrava,

Více

TDA7000. Cílem tohoto experimentu je zkonstruovat FM přijímač s integrovaným obvodem TDA7000 a

TDA7000. Cílem tohoto experimentu je zkonstruovat FM přijímač s integrovaným obvodem TDA7000 a 4. Experiment s FM přijímačem TDA7000 (návod ke cvičení z X37LBR) Cílem tohoto experimentu je zkonstruovat FM přijímač s integrovaným obvodem TDA7000 a ověřit jeho základní vlastnosti. Nejprve se určí

Více

Měrný náboj elektronu

Měrný náboj elektronu Fyzikální praktikum FJFI ČVUT v Praz Úloha č. 12 : Měřní měrného náboj lktronu Jméno: Ondřj Ticháčk Pracovní skupina: 7 Kruh: ZS 7 Datum měřní: 8.4.2013 Klasifikac: Měrný náboj lktronu 1 Zadání 1. Sstavt

Více

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu

popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu 9. Čidla napětí a proudu Čas ke studiu: 15 minut Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět popsat princip činnosti základních zapojení čidel napětí a proudu samostatně změřit zadanou úlohu Výklad

Více

Úvod do fyziky plazmatu

Úvod do fyziky plazmatu Dfinic plazmatu (typická) Úvod do fyziky plazmatu Plazma j kvazinutrální systém nabitých (a případně i nutrálních) částic, ktrý vykazuj kolktivní chování. Pozn. Kolktivní chování j tdy podstatné, nicméně

Více

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz)

Nízkofrekvenční (do 1 MHz) Vysokofrekvenční (stovky MHz až jednotky GHz) Generátory cm vln (až desítky GHz) Provazník oscilatory.docx Oscilátory Oscilátory dělíme podle několika hledisek (uvedené třídění není zcela jednotné - bylo použito vžitých názvů, které vznikaly v různém období vývoje a za zcela odlišných

Více

Výkon motoru je přímo úměrný hmotnostnímu toku paliva do motoru.

Výkon motoru je přímo úměrný hmotnostnímu toku paliva do motoru. Řízní výkonu automobilového PSM Výkon motoru lz měnit (řídit) buď změnou točivého momntu, nbo otáčkami, příp. současnou změnou točivého momntu i otáčk. P M t 2 n 60 10 3 p V Z n p 2 2 V z M t V n Automobilový

Více

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra mikroelektroniky SEMESTRÁLNÍ PROJEKT X34BPJ

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katedra mikroelektroniky SEMESTRÁLNÍ PROJEKT X34BPJ ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katdra mikrolktroniky SEESTRÁLNÍ PROJEKT X34PJ 0 Ptr Koukal X34PJ Pag ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ FAKULTA ELEKTROTECHNICKÁ Katdra mikrolktroniky Optické

Více

A8B32IES Úvod do elektronických systémů

A8B32IES Úvod do elektronických systémů A8B3IES Úvod do elektronických systémů..04 Ukázka činnosti elektronického systému DC/DC měniče a optické komunikační cesty Aplikace tranzistoru MOSFET jako spínače Princip DC/DC měniče zvyšujícího napětí

Více

ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH

ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH ZÁSADY PARALELNÍHO A SÉRIOVÉHO ŘAZENÍ SOUČÁSTEK VE VÝKONOVÝCH OBVODECH Jestliže je v dané aplikaci vyžadován větší proud než jaký je možno získat použitím jedné součástky, je třeba součástky zapojovat

Více

Funkce hustoty pravděpodobnosti této veličiny je. Pro obecný počet stupňů volnosti je náhodná veličina

Funkce hustoty pravděpodobnosti této veličiny je. Pro obecný počet stupňů volnosti je náhodná veličina Přdnáša č 6 Náhodné vličiny pro analyticou statistiu Při výpočtch v analyticé statistic s používají vhodné torticé vličiny, tré popisují vlastnosti vytvořných tstovacích charatristi Mzi njpoužívanější

Více

Hlavní parametry rádiových přijímačů

Hlavní parametry rádiových přijímačů Hlavní parametry rádiových přijímačů Zpracoval: Ing. Jiří Sehnal Pro posouzení základních vlastností rádiových přijímačů jsou zavedena normalizovaná kritéria parametry, podle kterých se rádiové přijímače

Více

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek

Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické

Více

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY

ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem

Více

IMITANČNÍ POPIS SPÍNANÝCH OBVODŮ

IMITANČNÍ POPIS SPÍNANÝCH OBVODŮ IMITANČNÍ POPIS SPÍNANÝCH OBVODŮ Doc. Ing. Dalibor Biolk, CSc. K 30 VA Brno, Kounicova 65, PS 3, 6 00 Brno tl.: 48 487, fax: 48 888, mail: biolk@ant.f.vutbr.cz Abstract: Basic idas concrning immitanc dscription

Více

1.1 Pokyny pro měření

1.1 Pokyny pro měření Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)

Více

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4 Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu

Více

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech

elektrické filtry Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech Jiří Petržela filtry založené na jiných fyzikálních principech piezoelektrický jev při mechanickém namáhání krystalu ve správném směru na něm vzniká elektrické napětí po přiložení elektrického napětí se

Více

Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích. Katedra fyziky. Modely atomu. Vypracovala: Berounová Zuzana M-F/SŠ

Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích. Katedra fyziky. Modely atomu. Vypracovala: Berounová Zuzana M-F/SŠ Jihočská univrzita v Čských Budějovicích Katdra fyziky Modly atomu Vypracovala: Brounová Zuzana M-F/SŠ Datum: 3. 5. 3 Modly atomu První kvalitativně správnou přdstavu o struktuř hmoty si vytvořili již

Více

6 Elektronový spin. 6.1 Pojem spinu

6 Elektronový spin. 6.1 Pojem spinu 6 Elktronový spin Elktronový spin j vličina poněkud záhadná, vličina, ktrá nmá obdoby v klasickém svět. Do kvantové mchaniky s spin dostal jako xprimntální fakt: z řady xprimntů totiž vyplývalo, ž kromě

Více

Rozhlasový přijímač TESLA 543A - VERDI

Rozhlasový přijímač TESLA 543A - VERDI Rozhlasový přijímač TESLA 543A - VERDI Posledním elektronkovým přijímačem, který přichází na náš trh, je stolní rozhlasový přijímač TESLA 543A Verdi. I když se polovodičové prvky, vhodné pro vf i nf obvody

Více

Přenosová technika 1

Přenosová technika 1 Přenosová technika 1 Přenosová technika Základní pojmy a jednotky Přenosová technika je oblast sdělovací techniky, která se zabývá konstrukčním provedením, stavbou i provozem zařízení sloužících k přenášení,

Více

GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný,

GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný, VLASTNOSTI GRAFENU TLOUŠŤKA: Při tloušťc 0,34 nanomtru j grafn milionkrát tnčí nž list papíru. HMOTNOST: Grafn j xtrémně lhký. Kilomtr čtvrčný tohoto matriálu váží jn 757 gramů. PEVNOST: V směru vrstvy

Více

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění Vlv prostupů tpla mz byty na spravdlvost rozúčtování nákladů na vytápění Anotac Fnanční částky úhrady za vytápění mz srovnatlným byty rozpočítané frmam používajícím poměrové ndkátory crtfkované podl norm

Více

Rádiové funkční bloky X37RFB Krystalové filtry

Rádiové funkční bloky X37RFB Krystalové filtry Rádiové funkční bloky X37RFB Dr. Ing. Pavel Kovář Obsah Úvod Krystalový rezonátor Diskrétní krystalové filtry Monolitické krystalové filtry Aplikace 2 Typické použití filtrů Rádiový přijímač preselektor

Více

Měření na unipolárním tranzistoru

Měření na unipolárním tranzistoru Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární

Více

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE DIPLOMOVÁ PRÁCE. 2008 Bc. Pavel Hájek

ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE DIPLOMOVÁ PRÁCE. 2008 Bc. Pavel Hájek ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE DIPLOMOVÁ PRÁCE 8 Bc. Pavl Hájk ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE Fakulta stavbní, Katdra spciální godézi Názv diplomové prác: Vbudování, zaměřní a výpočt bodového

Více

Hodnocení tepelné bilance a evapotranspirace travního porostu metodou Bowenova poměru návod do praktika z produkční ekologie PřF JU

Hodnocení tepelné bilance a evapotranspirace travního porostu metodou Bowenova poměru návod do praktika z produkční ekologie PřF JU Hodnocní tlné bilanc a vaotransirac travního orostu mtodou Bownova oměru návod do raktika z rodukční kologi PřF JU Na základě starších i novějších matriálů uravil a řiravil Jakub Brom V Čských Budějovicích,

Více

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?

Mějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3? TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název

Více

ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4

ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4 ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4 Ptr Dourmashkin MIT 6, přklad: Vítězslav Kříha (7) Obsah SADA 4 ÚLOHA 1: LIDSKÝ KONDENZÁTO ÚLOHA : UDĚLEJTE SI KONDENZÁTO ÚLOHA 3: KONDENZÁTOY ÚLOHA 4: PĚT KÁTKÝCH

Více

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání

Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody. Jednodušší zadání Zadání semestrálních prácí z předmětu Elektronické obvody Jiří Hospodka katedra Teorie obvodů, ČVUT FEL 26. května 2008 Jednodušší zadání Zadání 1: Jednostupňový sledovač napětí maximální počet bodů 10

Více

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač

Fyzikální praktikum 3 Operační zesilovač Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve

Více

Základy elektrotechniky

Základy elektrotechniky Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka

Více

I. Současná analogová technika

I. Současná analogová technika IAS 2010/11 1 I. Současná analogová technika Analogové obvody v moderních komunikačních systémech. Vývoj informatických technologií v poslední dekádě minulého století digitalizace, zvýšení objemu přenášených

Více

1. Určíme definiční obor funkce, její nulové body a intervaly, v nichž je funkce kladná nebo záporná.

1. Určíme definiční obor funkce, její nulové body a intervaly, v nichž je funkce kladná nebo záporná. Matmatika I část II Graf funkc.. Graf funkc Výklad Chcm-li určit graf funkc můžm vužít přdchozích znalostí a určit vlastnosti funkc ktré shrnm do níž uvdných bodů. Můž s stát ž funkc něktrou z vlastností

Více

SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM

SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM Josf KONVIČNÝ Ing. Josf KONVIČNÝ, Čské dráhy, a. s., Tchnická ústřdna dopravní csty, skc lktrotchniky a nrgtiky, oddělní diagnostiky a provozních měřní, nám. Mickiwicz

Více

ZJIŠŤOVÁNÍ FREKVENČNÍCH VLASTNOSTÍ OTEVŘENÉHO OBVODU V UZAVŘENÉ REGULAČNÍ SMYČCE

ZJIŠŤOVÁNÍ FREKVENČNÍCH VLASTNOSTÍ OTEVŘENÉHO OBVODU V UZAVŘENÉ REGULAČNÍ SMYČCE Nové mtod a postp v olasti přístrojové tchnik, atomatického řízní a informatik Ústav přístrojové a řídicí tchnik ČVUT v Praz odorný sminář Jindřichův Hradc, 28. až 29. května 2009 ZJIŠŤOVÁNÍ FREKVENČNÍCH

Více

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT

Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý

Více

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2

+ U CC R C R B I C U BC I B U CE U BE I E R E I B + R B1 U C I - I B I U RB2 R B2 Pro zadané hodnoty napájecího napětí, odporů a zesilovacího činitele β vypočtěte proudy,, a napětí,, (předpokládejte, že tranzistor je křemíkový a jeho pracovní bod je nastaven do aktivního normálního

Více

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % )

Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta elektrotechnická Impulsní regulátor ze změnou střídy ( 100 W, 0,6 99,2 % ) Školní rok: 2007/2008 Ročník: 2. Datum: 12.12. 2007 Vypracoval: Bc. Tomáš Kavalír Zapojení

Více

, je vhodná veličina jak pro studium vyzařování energie z libovolného zdroje, tak i pro popis dopadu energie na hmotné objekty:

, je vhodná veličina jak pro studium vyzařování energie z libovolného zdroje, tak i pro popis dopadu energie na hmotné objekty: Radiomtri a fotomtri Vyzařování, přnos a účinky nrgi lktromagntického zářní všch vlnových délk zkoumá obor radiomtri, lktromagntickým zářním v optické oblasti s pak zabývá fotomtri. V odstavci Přnos nrgi

Více

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny

1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny 1 Jednoduchý reflexní přijímač pro střední vlny Popsaný přijímač slouží k poslechu rozhlasových stanic v pásmu středních vln. Přijímač je napájen z USB portu počítače přijímaný signál je pak připojen na

Více

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.

[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu. [Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru

Více

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016

Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 Střední průmyslová škola, Přerov, Havlíčkova 2 751 52 Přerov Profilová část maturitní zkoušky 2015/2016 TEMATICKÉ OKRUHY A HODNOTÍCÍ KRITÉRIA Studijní obor: 26-41-M/01 Elektrotechnika Zaměření: počítačové

Více

Základy elektrického měření Milan Kulhánek

Základy elektrického měření Milan Kulhánek Základy elektrického měření Milan Kulhánek Obsah 1. Základní elektrotechnické veličiny...3 2. Metody elektrického měření...4 3. Chyby při měření...5 4. Citlivost měřících přístrojů...6 5. Měřící přístroje...7

Více

2. GENERÁTORY MĚŘICÍCH SIGNÁLŮ II

2. GENERÁTORY MĚŘICÍCH SIGNÁLŮ II . GENERÁTORY MĚŘICÍCH SIGNÁLŮ II Generátory s nízkým zkreslením VF generátory harmonického signálu Pulsní generátory X38SMP P 1 Generátory s nízkým zkreslením Parametry, které se udávají zkreslení: a)

Více

Oscilátory. Oscilátory s pevným kmitočtem Oscilátory s proměnným kmitočtem (laditelné)

Oscilátory. Oscilátory s pevným kmitočtem Oscilátory s proměnným kmitočtem (laditelné) Oscilátory Oscilátory Oscilátory s pevným kmitočtem Oscilátory s proměnným kmitočtem (laditelné) mechanicky laditelní elektricky laditelné VCO (Voltage Control Oscillator) Typy oscilátorů RC většinou neharmonické

Více

e C Ocenění za design Produktová řada PowerCube získala několik ocenění. Mezi nejvýznamnější

e C Ocenění za design Produktová řada PowerCube získala několik ocenění. Mezi nejvýznamnější porc b Po r r u b bu ur r Po Ocnění za dsign Produktová řada r získala několik ocnění. Mzi njvýznamnější řadím Rd Dot Dsign Aard. Uchytit kdkoliv Na stůl, pod stůl, na zď,... Jdnoduš kdkoliv mějt zásuvku

Více

Děliče napětí a zapojení tranzistoru

Děliče napětí a zapojení tranzistoru Středoškolská technika 010 Setkání a prezentace prací středoškolských studentů na ČVUT Děliče napětí a zapojení tranzistoru David Klobáska Vyšší odborná škola a Střední škola slaboproudé elektrotechniky

Více

Zadání témat. Řešení témat. Zadání úloh. Úloha 3.3 Baterie na β-radioaktivitu (5b) Téma5 Fontány. Téma 1 Pravidelné mnohostěny

Zadání témat. Řešení témat. Zadání úloh. Úloha 3.3 Baterie na β-radioaktivitu (5b) Téma5 Fontány. Téma 1 Pravidelné mnohostěny 2 Studntský matmaticko-fyzikální časopis ročník VIII číslo 3 Trmín odslání: 14. 1. 2002 Zadání témat Téma5 Fontány Podívjt s na obrázk, na ktrém j namalovaná fontána a vysvětlt, jak funguj. Odhadnět, do

Více

SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaiser, Emil Košťál xkaiserj@feld.cvut.cz

SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaiser, Emil Košťál xkaiserj@feld.cvut.cz SROVNÁNÍ KOLORIMETRICKÝCH ZKRESLENÍ SNÍMACÍCH SOUSTAV XYZ A RGB Jan Kaisr, Emil Košťál xkaisrj@fld.cvut.cz ČVUT, Fakulta lktrotchnická, katdra Radiolktroniky Tchnická 2, 166 27 Praha 6 1. Úvod Článk s

Více

PENOS ENERGIE ELEKTROMAGNETICKÝM VLNNÍM

PENOS ENERGIE ELEKTROMAGNETICKÝM VLNNÍM PNO NRG LKTROMAGNTCKÝM VLNNÍM lktromagntické vlnní, stjn jako mchanické vlnní, j schopno pnášt nrgii Tuto nrgii popisujm pomocí tzv radiomtrických, rsp fotomtrických vliin Rozdlní vyplývá z jdnoduché úvahy:

Více

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET

Tranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor

Více

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu - 1 - Tato Příloha 307 j součástí článku: ŠKORPÍK, Jří. Enrgtcké blanc lopatkových strojů, Transformační tchnolog, 2009-10. Brno: Jří Škorpík, [onln] pokračující zdroj, ISSN 1804-8293. Dostupné z http://www.transformacn-tchnolog.cz/nrgtckblanc-lopatkovych-stroju.html.

Více

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_01_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.

VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_01_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Číslo projektu..07/.5.00/34.058 Číslo materiálu VY_3_INOVAE_ENI_3.ME_0_Děliče napětí frekvenčně nezávislé Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická

Více

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I)

2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) 2-LC: Měření elektrických vlastností výkonových spínačů (I) Cíl měření: Ověření a porovnání vlastností výkonových spínačů: BJT, MOSFET a tyristoru. Zkratování řídících vstupů Obr. 1 Přípravek pro měření

Více

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY

ELEKTRONIKA. Maturitní témata 2018/ L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY ELEKTRONIKA Maturitní témata 2018/2019 26-41-L/01 POČÍTAČOVÉ A ZABEZPEČOVACÍ SYSTÉMY Řešení lineárních obvodů - vysvětlete postup řešení el.obvodu ohmovou metodou (postupným zjednodušováním) a vyřešte

Více

Bipolární tranzistory

Bipolární tranzistory Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení

Více

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Zvyšování kvality výuky technických oborů Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.4 Prvky elektronických obvodů Kapitola

Více