4.3.2 Vlastní a příměsové polovodiče



Podobné dokumenty
Elektřina a magnetizmus polovodiče

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/

Elektrický proud v polovodičích

Fyzikální podstata fotovoltaické přeměny solární energie

Polovodiče, dioda. Richard Růžička

7. Elektrický proud v polovodičích

r W. Shockley, J. Bardeen a W. Brattain, zahájil epochu polovodičové elektroniky, která se rozvíjí dodnes.

Nezkreslená věda Vodí, nevodí polovodič? Kontrolní otázky. Doplňovačka

Výukový materiál zpracován v rámci projektu EU peníze školám

Sada 1 - Elektrotechnika

VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH

2.3 Elektrický proud v polovodičích

Polovodiče ELEKTROTECHNIKA TO M Á Š T R E J BAL

7. Elektrický proud v polovodičích

Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně

Opakování: shrnutí základních poznatků o struktuře atomu

Název projektu: EU peníze školám. Základní škola, Hradec Králové, M. Horákové 258

FYZIKA 3. ROČNÍK. Nestacionární magnetické pole. Magnetický indukční tok. Elektromagnetická indukce. π Φ = 0. - magnetické pole, které se s časem mění

VY_32_INOVACE_ELT-1.EI-18-VODIVOST POLOVODICU. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno

Zjednodušený výpočet tranzistorového zesilovače

ELEKTŘINA A MAGNETIZMUS

Sada 1 - Elektrotechnika

4. PRŮBĚH FUNKCE. = f(x) načrtnout.

GRAFEN. Zázračný. materiál. Žádný materiál na světě není tak lehký, pevný a propustný,

základní pojmy základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie základní pojmy teorie

17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek

Zvyšování kvality výuky technických oborů

5. Vedení elektrického proudu v polovodičích

Polovodiče. Co je polovodič? Polovodiče jsou látky, jejichž rezistivita leží při obvyklých teplotách v intervalu 10 Ω m až 8

Úvod do fyziky plazmatu

5. kapitola: Vysokofrekvenční zesilovače (rozšířená osnova)

Obrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru

Jihočeská univerzita v Českých Budějovicích. Katedra fyziky. Modely atomu. Vypracovala: Berounová Zuzana M-F/SŠ

Laboratorní práce č. 2: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Projekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie

1. Okrajové podmínky pro tepeln technické výpo ty

VY_32_INOVACE_6/15_ČLOVĚK A PŘÍRODA. Předmět: Fyzika Ročník: 6. Poznámka: Vodiče a izolanty Vypracoval: Pták

Trivium z optiky Fotometrie

Elektřina a magnetizmus závěrečný test

Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.

8. Úvod do fyziky pevných látek

Elektronika pro informační technologie (IEL)

Jméno autora: Mgr. Zdeněk Chalupský Datum vytvoření: Číslo DUM: VY_32_INOVACE_16_ZT_E

Laboratorní práce č. 3: Určení voltampérové charakteristiky polovodičové diody

Úloha č. 11. H0 e. (4) tzv. Stefanův - Bo1tzmannův zákon a 2. H λ dλ (5)

V nejnižším energetickém stavu valenční elektrony úplně obsazují všechny hladiny ve valenčním pásu, nemohou zprostředkovat vedení proudu.

VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů

Polovodičové diody Definice

III. Stacionární elektrické pole, vedení el. proudu v látkách

Úvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Opakování

STEJNOSMĚRNÝ PROUD Polovodiče TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY.

ÚLOHY Z ELEKTŘINY A MAGNETIZMU SADA 4

Měření charakteristik fotocitlivých prvků

b) nevodiče izolanty nevedou el. proud plasty, umělé hmoty, sklo, keramika, kámen, suché dřevo,papír, textil

Demonstrace skládání barev

2 e W/(m2 K) (2 e) = (1 0.85)(1 0.2) = Pro jednu emisivitu 0.85 a druhou 0.1 je koeficient daný emisivitami

Otázka č.3 Veličiny používané pro kvantifikaci elektromagnetického pole

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Téma: Číslo: Anotace: Prosinec Střední průmyslová škola a Vyšší odborná škola technická Brno, Sokolská 1

Výkonová elektronika Výkonové polovodičové spínací součástky BVEL

I. MECHANIKA 8. Pružnost

Přirozená exponenciální funkce, přirozený logaritmus

U BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.

Závislost odporu kovového vodiče na teplotě

Vliv prostupů tepla mezi byty na spravedlivost rozúčtování nákladů na vytápění

způsobují ji volné elektrony, tzv. vodivostní valenční elektrony jsou vázány, nemohou být nosiči proudu

1 Polovodiče základní pojmy, vlastnosti. Přechody, diody, jejich struktura, vlastnosti a aplikace.

41 Absorpce světla ÚKOL TEORIE

PŘÍKLAD 2 1. STANOVENÍ ÚSPOR TEPLA A ROČNÍ MĚRNÉ POTŘEBY TEPLA 1.1. GEOMETRICKÉ VLASTNOSTI BUDOVY 1.2. CHARAKTERISTIKA STAVEBNÍCH KONSTRUKCÍ

28. Základy kvantové fyziky

pravou absorpcí - pohlcené záření zvýší vnitřní energii molekul systému a přemění se v teplo Lambertův-Beerův zákon: I = I

6 Elektronový spin. 6.1 Pojem spinu

Druhy materiálů, princip vedení, vakuovaná technika. Ing. Viera Nouzová

KIRSTEN BIEDERMANNOVÁ ANDERS FLORÉN PHILIPPE JEANJACQUOT DIONYSIS KONSTANTINOU CORINA TOMAOVÁ TLAKEM POD

FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4

SPOLUPRÁCE SBĚRAČE S TRAKČNÍM VEDENÍM

Základní škola národního umělce Petra Bezruče, Frýdek-Místek, tř. T. G. Masaryka 454

I dt. Elektrický proud je definován jako celkový náboj Q, který projde vodičem za čas t.

2. Frekvenční a přechodové charakteristiky

Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna

Měrná vnitřní práce tepelné turbíny při adiabatické expanzi v T-s diagramu

Metodický návod: 5. Zvyšování vnějšího napětí na 3 V. Dochází k dalšímu zakřivování hladin a rozšiřování hradlové vrstvy.

FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů

Fyzikální vzdělávání. 1. ročník. Učební obor: Kuchař číšník Kadeřník. Implementace ICT do výuky č. CZ.1.07/1.1.02/ GG OP VK

POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE II

PENOS ENERGIE ELEKTROMAGNETICKÝM VLNNÍM

Ověření Stefanova-Boltzmannova zákona. Ověřte platnost Stefanova-Boltzmannova zákona a určete pohltivost α zářícího tělesa.

VY_32_INOVACE_246. Základní škola Luhačovice, příspěvková organizace Ing. Dagmar Zapletalová. Člověk a příroda Fyzika Opakování učiva fyziky

Zavádění inovativních metod a výukových materiálů do přírodovědných předmětů na Gymnáziu v Krnově. 07_3_Elektrický proud v polovodičích

2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:

6. STUDIUM SOLÁRNÍHO ČLÁNKU

Zvyšování kvality výuky technických oborů

Charakteristiky optoelektronických součástek

3.10. Magnetické vlastnosti látek

Osnova: 1. Polovodiče materiály, dotace 2. Polovodičové diody 3. Dynamické parametry. 5. Aplikace diod

Neřízené polovodičové prvky

3.5. Vedení proudu v polovodičích

Transkript:

4.3.2 Vlastní a příměsové polovodič Přdpoklady: 4204, 4207, 4301 Pdagogická poznámka: Pokud budt postupovat normální rychlostí, skončít u ngativní vodivosti. Nní to žádný problém, pozitivní vodivost si žáci doplní sami. Na dvě hodiny j látky málo. Tři divné součástky: Dioda (jjí voltampérová charaktristika), propouští proud pouz v jdnom směru, navíc: v propustném směru s dlouho nic nděj, při určitém napětí (různém pro různé diody) začn téct čím dál větší proud (závislost nní linární, al proud rost rychlji), v závěrném směru s napětím rost proud (al jho vlikost j o několik řádů mnší nž v propustném směru). Trmistor Součástka, ktrá funguj obrácně nž žárovka, s rostoucí tplotou s jjí odpor zmnšuj. Fotorzistor Součástka, jjíž odpor zálží na tom, jak moc na ní svítím (na světl - malý odpor, v tmě - vlký odpor). Funkci těchto součástk nvysvětlím pomocí vdní proudu v vodičích musí xistovat další skupina látk, ktrá s k proudu chová jinak nž vodič nbo nvodič. Polovodič (njznámější příklad j křmík ) Měrná vodivost látk : vodič 10 8 m 1, nvodič 10 10 m 1, polovodič 10 8 10 4 m 1 vodivostí jsou něco mzi vodiči a nvodiči, al tnto údaj nvysvětluj chování zmiňovaných součástk. Poznámka: Vysvětlní podávaná v této kapitol njsou z hldiska vysokoškolské fyziky (lép řčno opravdové fyziky) správná. Správný fyzikální popis vyžaduj použití kvantové mchaniky a pásové struktury lktronových slupk u krystalů pvných látk. Místo správného vysvětlní s v střdoškolských učbnicích používá zjdnodušná přdstava lktronů, jako kuličk vytvářjících vazbné dvojic. Většina jvů jd kupodivu vysvětlit i tímto způsobm, něktré (například Znrův průraz) n. Autor tohoto txtu s přiklání k použití klasického střdoškolského vysvětlní nž nvysvětlovat vůbc, protož správnější vysokoškolský přístup j na střdní škol asi ndosažitlným snm. Jistou oporou tohoto názoru j kapitola o tranzistoru v Fynmanových přdnáškách. Křmíkový krystal při absolutní nul (nbo o hodně nízké tplotě)

Každý atom křmíku má čtyři valnční lktrony (vnější lktrony v vrstvě njvíc vzdálné a tudíž njméně přitahované). Elktrony jsou vázány do sdílných lktronových párů (každý atom poskytuj do čtyř párů po jdnom lktronu, tdy všchny své valnční lktrony), ktré drží krystal pohromadě v krystalu njsou volné lktrony, ktré by mohly vést lktrický proud s chová jako izolant. Každý lktron má jdnotkový záporný náboj, zbytk atomu křmíku má 4 kladné náboj (s svými čtyřmi lktrony j nutrální). Začnm krystal zahřívat. Elktronové páry njsou silně vázané k jádru. Krystal s zahřj atomy začnou víc kmitat a něktrý z lktronů s můž utrhnout objví s lktron pohybující s po krystalu a prázdné místo u atomu, od ktrého s lktron odtrhl. Atom bz uniklého lktronu s snaží získat jdn lktron z sousdního lktronového páru, pokud uspěj, bud spokojný, al vznikn další díra u atomu, ktrému lktron ukradl takto díry cstují po krystalu. Atom s dírou j navnk kladně nabitý díra s chová jako pohyblivá částic s kladným nábojm. Děj popsaný v přdchozích bodch s nazývá gnrac páru lktron díra (vznikla dvojic nabitých části, ktré s mohou pohybovat po krystalu a tak přnášt proud). Pokud lktron potká díru a spadn do ní, pár lktron-díra zanikn (dojd k rkombinaci). Uvdný mchanismus popisuj vdní proudu v polovodičích a nazývá s vlastní vodivost. Látky, ktré vdou tímto způsobm, s nazývají vlastní polovodič.

Př. 1: Nakrsli do spolčného grafu závislost měrného lktrického odporu polovodič a kovu na tplotě. ρ polovodič kov Měrný lktrický odpor vodičů s tplotou rost (žárovka, víc srážk lktronů s mřížkou), měrný lktrický odpor polovodičů s tplotou klsá (větší tplný pohyb v mřížc a tím víc gnrovaných párů lktron-díra). t Př. 2: Vysvětli vlastnosti trmistoru, fotorzistoru a diody za přdpokladu, ž jd o součástky vyrobné z polovodičů. Trmistor S vyšší tplotou atomy víc kmitají víc lktronů s můž uvolnit z sdílných párů vytváří s víc párů lktron-díra víc vodivých částic při stjném napětí tč větší proud, odpor látky s zmnšuj funkc trmistoru. Fotorzistor Pár lktron-díra nmusí vytvářt pouz kmitání atomů, al i nrgi dopadajícího světla dopadm světla vznikn pár lktron-díra (vnitřní fotolktrický jv) víc světla vytvoří víc párů lktron-díra víc vodivých částic potč větší proud, odpor látky s zmnšuj funkc fotorzistoru. Dioda Nic z toho, co jsm si o polovodičích zatím říkali, funkci diody nvysvětluj zatím zřjmě nvím o polovodičích dost. Dalko častěji nž polovodič vlastní s používají polovodič příměsové. Opět začnm s krystalm polovodič.

Příměsové polovodič vyrobím, když v krystalu nahradím část atomů křmíku chmickou látku, ktrá má 3 nbo 5 valnčních lktronů. Př. 3: Nakrsli, jak s změní situac části křmíkového polovodičového krystalu, pokud bud prostřdní atom křmíku nahrazn atomm prvku s pěti valnčními lktrony (As, P, Sb ) As Jdn z pěti valnčních lktronů nmá u okolních atomů křmíku partnra do páru zůstan sám, nní vázán do vazb můž s volně pohybovat po krystalu. Každý z atomů příměsi takto poskytn jdn lktron po krystalu s pohybuj vlké množství volných lktronů krystal získal příměsovou ngativní (lktronovou) vodivost polovodič typu N. Atomy příměsi darují lktrony, říká s jim donory. Takový krystal budm krslit násldovně. N Polovodič typu N obsahuj vlké množství volných lktronů (majoritní nosič). I v něm s tvoří páry lktron-díra, al takto vzniklých děr (minoritní nosič) j v porovnání s lktrony vzniklými díky příměsi vlmi málo a vlmi rychl rkombinují s přvahou lktronů. Krystal nní záporně nabitý, na obrázku j nakrslna přvaha lktronů, al njsou tam

nakrslny atomy příměsi, ktré jsou nabité kladně (jdn lktron uvolnily), protož s nmohou pohybovat a přnášt proud. Pdagogická poznámka: Studnti opravdu často při krslní obrázků N-polovodič zapomínají, ž njd o záporně nabitou látku. V takovém případě samozřjmě nmohou mnohá vysvětlní pochopit. Př. 4: Nakrsli, jak s změní situac části křmíkového polovodičového krystalu, pokud bud prostřdní atom křmíku nahrazn atomm prvku s třmi valnčními lktrony ( Al, Ga, In ). Ga Atom má pouz tři valnční lktrony, nmůž jdnomu z okolních atomů křmíku poskytnout partnra do páru vznikn díra (jako při uvolnění lktronu z páru) díra s můž volně pohybovat po krystalu. Každý z atomů příměsi takto vytvoří jdnu díru po krystalu s pohybuj vlké množství volných děr krystal získal příměsovou pozitivní (děrovou) vodivost polovodič typu P. Atomy příměsi odbírají okolním atomům lktrony, říká s jim akcptory. Takový krystal budm krslit násldovně. P Polovodič typu P obsahuj vlké množství volných děr (majoritní nosič). I v něm s tvoří páry lktron-díra, al takto vzniklých volných lktronů (minoritní nosič) j v porovnání s děrami vzniklými díky příměsi vlmi málo a vlmi rychl rkombinují s přvahou děr. Krystal nní kladně nabitý, na obrázku j nakrslna přvaha děr, al njsou tam nakrslny atomy křmíku, ktré uvolnily jdn z svých lktronů a jsou nabité kladně, protož s nmohou pohybovat a přnášt proud. Př. 5: Porovnj vodivost příměsových a vlastních polovodičů. Jak závisí tnto rozdíl na množství příměsi? Mění s rozdíl mzi jjich vodivostmi s tplotou? Příměsové polovodič mají větší vodivost nž vlastní (mají víc pohyblivých nosičů náboj, protož každý atom příměsi znamná jdn pohyblivý náboj).

Čím větší j množství příměsi, tím větší j vodivost matriálu. Rozdíl v vodivosti mzi příměsovými a vlastními polovodiči s zmnšuj s rostoucí tplotou. S tplotou s zvyšuj množství tplotně gnrovaných párů lktron-díra, ktré vznikají v obou druzích polovodičů stjně. Shrnutí: Pohyblivé nabité částic přnášjící náboj vznikají v polovodičích uvolňováním lktronů z vazb s tplotou odpor polovodičů klsá. Pomocí příměsi můžm dosáhnout toho, ž v polovodiči povdou proud přvážně lktrony (nbo díry).