SOI technologie. Studijní materiál k předmětu A4M34SIS ČVUT FEL katedra mikroelektroniky
|
|
- Luděk Pokorný
- před 5 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 SOI technologie Studijní materiál k předmětu A4M34SIS ČVUT FEL katedra mikroelektroniky Technologie SOI je v zásadě pokračovaní technologie CMOS. Přechod od CMOS k SOI není ani zdaleka takovým skokem jako přechod od bipolárních tranzistorů k CMOS. Následující obrázek ukazuje srovnání tranzistoru CMOS a SOI. Z obrázku je patrné že hlavní rozdíl spočívá v existenci tzv. utopené vrstvy (BOX = Burried OXid). Tato vrstva izoluje tranzistor od ostatních tranzistorů na čipu, a výrazně zlepšuje jeho parametry. Hlavní výhody technologie jsou následující: 1 přibližně o čtvrtinu rychlejší zařízení (menší parazitní kapacity S a D) 2 o polovinu nižší spotřeba 3 větší využití plochy čipu 4 žádný efekt zpětného hradla 5 imunita vůči latch-upu 6 menší vliv konečné délky kanálu 7 větší odolnost vůči radiaci a chybám jí způsobenými (soft-errors) 8 možnost provozu při teplotách až do 250 C
2 Technologie SOI má samozřejmě i své nevýhody. Mezi hlavní patří: 1 Parazitní bipolární tranzistory 2 Nižší tepelná vodivost 3 Hystereze prahového napětí 4 Potřeba vyvazujícího (decoupling) kapacitoru Základní druhy SOI Existují dva základní druhy technologie SOI: částečně ochuzená (Partially-Depleted) a plně ochuzená (Fully-Depleted). PD technologie využívá částečně ochuzeného hradla tranzistoru. Mezi její hlavní přednosti patří návaznost na technologické postupy používané v CMOS. Ty jsou, až na použití jiného substrátu, velmi podobné nebo stejné. FD technologie naproti tomu využívá vyprázdněnou oblast tranzistoru a mnohem užší izolace hradla. Výrobní proces je proto náročnější. Oproti PD tranzistoru je FD tranzistor invertovaný a velikost prahového napětí je funkcí náboje tranzistoru. SOI: Tsi < 0.5µm SOI: Tsi < 50nm Částečně ochuzený tranzistor (PD) Plně ochuzený tranzistor (FD) Použití SOI Technologie SOI nachází svoje uplatnění v různých odvětvích elektrotechnického průmyslu. Za všechny lze jmenovat Astronautiku (pamětí, navigační komponenty), výkonové polovodiče (IGFETy), automobilový průmysl (akcelerometry) či mikroprocesory. Pro větší přiblížení jsem zařadil i stručný přehled konkrétních aplikací Mikroprocesory s vyššími taktovacími frekvencemi IBM a Motorola : Power PC AMD : Athlon 64 Grafické procesory Sony/IBM/Toshiba : PlayStation3 Obvody pro vysokorychlostní sériovou komunikaci Mitsubishi Electric : 10Gbps SERDES Ultra-low power systémy na čipu OKI : hodinky na solární energii Technologie SOI je velmi vhodná pro konstrukci obvodů s nízkou a velmi nízkou spotřebou. Dále se předpokládá využití této technologie pro konstrukci RF systémů na čipu a to díky kombinaci nízké spotřeby digitální části s izolací substrátu a možností využití substrátu s vyšší rezistivitou. Struktura součástek v SOI technologii Výroba substrátu Základem SOI je utopená vrstva izolující tranzistor od okolí. Tato vrstva je obsažena již v substrátu.
3 Existují tři základní způsoby přípravy substrátu: a) SIMOX (Separation by the implantation of oxygen). - Ionty kyslíku s vysokou energií jsou nastřelovány pod povrch klasického substrátu a poté je působením vysoké teploty vytvořena utopená vrstva. V průběhu nastřelování je ale povrch pronikajícími ionty silně poškozen a tak je třeba ho před použitím nechat nekrystalizovat. Při tvorbě SiO2 vzniká mechanické pnutí které může zapříčinit vznik dislokací ( roury cca 0.2μm až 1.0 μm dlouhé) či residuí kyslíku na dně utopené vrstvy. b) Svařování destiček (Bonded wafers) Místo implantace se používá dvou destiček pokrytých vrstvou oxidu které se přiloží k sobě a zahřátím spojí. Poté se horní destička ubrousí a povrch zaleští. Nevýhodou je že k výrobě jedné desky s utopenou vrstvou jsou třeba dvě desky s normálním substrátem. c) Smart Cut je v podstatě vylepšením předchozí techniky. Aby se druhá destička zachovala a nebyla zničena broušením, je pod vrstvu oxidu implantována vrstva vodíkových iontů. Při svařování způsobí teplota vytvoří napětí kolem této vrstvy a dojde k vzniku zlomu. Odlomená destička se dá poté znovu využít.
4 Tloušťka utopené vrstvy je typicky 5-400nm, pro procesory se používá tlušťka typicky nm. Volba tloušťky závisí mj. i na tom zda používáme PD či FD tranzistory při použití FD tranzistoru je požadovaná tloušťka utopené vrstvy nižší. Struktura tranzistoru Tranzistory vyrobené technologií SOI mají mnoho společných vlastností s tranzistory CMOS. Schéma SOI tranzistoru je na následujícím obrázku (PD SOI FET). Křemík je odizolován utopenou vrstvou a oxidem křemíku na obou stranách (Silicon Trench Isolation stejná technologie používaná v CMOS technologii). Tloušťka hradlového oxidu Tox je taktéž stejná jako u CMOS. Ochuzená oblast se rozprostírá v substrátu mezi hradlem a přechody S-B a S-D. V tomto schématu je naznačen zbylý náboj v oblasti tento tranzistor je tedy typu PD (Partially-Depleted). V částečně ochuzené struktuře je (podél délky) rozložena vysoká rezistance, nicméně náboj je mobilní. Tuto rezistanci lze kontrolovat šířkou ochuzené oblasti která je úměrná přiloženému napětí. Se zvětšující se ochuzenou oblastí se snižuje přítomný náboj a rezistance se zvětšuje. Mobilita náboje je důvod specifických vlastností této struktury. Nevýhodou této struktury je přítomnost paralelního parazitního bipolárního tranzistoru. Pro NFET je tento tranzistor typu NPN. Vzhledem k tomu že potenciál substrátu je plovoucí, je také plovoucí báze tohoto parazitního tranzistoru. Vlivu tohoto parazitního tranzistoru se kompenzuje vyšší dotací nebo nižší hloubkou implantace, která způsobuje větší rozlití náboje u přechodů SB, SD. Parazitní bipolární tranzistor je nutné uvažovat při návrhu a modelování obvodů. Struktura FD FET je velmi podobná struktuře PD FET. Je zde stejná izolace (STI) i utopená vrstva. Velký rozdíl je v tloušťce křemíku u FD FET je vrstva mnohem tenčí než u PD FET. Dále: dotace substrátu u FD FET v N-jámě je nižší než u PD FET. Tím je dosaženo plného vyklizení aktivní vrstvy. Právě tloušťka křemíku je FD FET
5 kritickým parametrem ovlivňuje velikost prahového napětí. Kontakty na substrát V technologii CMOS je možné kontrolovat potenciál substrátu zvlášť pro každou strukturu/součástku. Je nutné ale použít trojitou jámu a celá struktura potom zabírá mnoho místa. Tradiční CMOS technologie používají dvou jam na substrátu typu p. Řízení potenciálu P-MOSů je možné jen dohromady pro celou N-jámu. V technologii PD SOI je možné ke kontrole potenciálu substrátu využít vodivé cesty pod tranzistorem. Pro PFET je nutné vytvořit kanál vodivosti n, pro NFET tranzistor kanál vodivosti p. Struktura takových kontaktů vypadá zhruba následovně: Tyto kontakty se pro běžné obvody nepoužívají, protože zvyšují kapacitu hradla, zvyšuje náboj v substrátu a zabírá místo na čipu. Tyto kontakty se využívají spíše pro speciální (na parametry kritické) návrhy. Diody Dioda v SOI vypadá velmi podobně jako FET. Oblast přináležející s je anoda a oblast d katoda. Anoda má dotaci p, katoda n. Proud teče na rozdíl od diody v CMOS (objemově) pouze hranou. Ve srovnání s diodou CMOS ale dioda SOI zabírá více místa a má vyšší parazitní odpor. Gate struktury se připojuje obvykle na katodu. Rezistory Rezistor se v SOI vytváří podobně jako v CMOS technologii. Rezistor je MOS struktura (ochuzená) s uzemněným hradlem. Rezistory z polykrystalického křemíku je obdobný jako v CMOS. Jámový rezistor (NWELL) v technologii SOI nefunguje. Oddělovací kondenzátory (Decoupling Capacitors) Kondenzátory se v SOI realizují také podobně jako v CMOS. SOI kapacitor má ale díky vyšší rezistanci substrátu vyšší parazitní odpor, který degraduje frekvenční vlastnosti kapacitoru. SOI také nevyužívá kapacity PN přechodů SB a DB.
6 Jedním z důležitých problémů v obou technologiích je prevence zkratů způsobených defekty v tenké vrstvě oxidu. V praxi se používá zapojení paralelně s tranzistorem FET. Pokud se defekt vyskytne, FET lze zavřít a předejít tak zkratu. Vlastnosti tranzistorů SOI Tranzistor SOI je na první pohled svou strukturou velmi podobný klasickému MOS tranzistoru používanému v CMOS technologii. Při bližším zkoumání ale narazíme na zcela odlišné vlastnosti které jsou způsobeny hlavně izolovaným nábojem v substrátu. PN přechody v SOI FET Základem PD FET v technologii SOI jsou dvě diody na rozhraních S-B a D-B. Dioda na přechodu S-B je obvykle slabě závěrně polarizovaná a dioda D-B je polarizována propustně. Klasické charakteristiky těchto diod jsou na následujícím obrázku Kapacita mezi S a D je silně závislá na rozdílu potenciálů těchto elektrod. Při vyšším rozdílu potenciálu je kapacita díky rozšiřování vyprázdněných oblastí nízká. Při nižším rozdílu potenciálu je díky nižší šířce vyprázdněných oblastí kapacita vysoká. Kapacita přechodů má velký vliv na chování SOI MOSFE tranzistoru. Diodami protéká velmi malý proud protože jsou silně závěrně polarizovány. Při tomto transportu nosičů se uplatňují tři hlavní mechanizmy: 1 Rekombinace elektron-díra v oblasti prostorového náboje 2 Vliv defektů v OPN díky které narušují gradient dotačního profilu. 3 Transport nosičů s vysokou energií které překonají bariéru Proud diodou může být popsán klasickou rovnicí I =I 0 e qv /kt 1
7 Nárazová ionizace Majoritní nosiče náboje (elektrony u NFEtů, díry u PFETů) mají schopnost poškodit strukturu FET, pokud jsou excitovány na vyšší energii silným polem. Poškození se v průběhu života součástky sčítá a může způsobuje zvýšení prahového napětí a snížení ID NFETu (u PFETu snížení prahového napětí a zvýšení ID). Degradace struktury ovlivňuje výkon a může vést až k výpadku části zařízení. Na násedujícím obrázku je naznačena změna voltampérové charakteristiky tranzistoru v důsledku působení nárazové ionizace Existují tři typy horkých nosičů přičemž v SOI se zabýváme pouze dvěma prvními. 1 Vodivé horké nosiče (conducting hot-carriers) 2 Nevodivé horké nosiče (nonconducting hot-carriers) 3 Substrátové horké nosiče (substrate hot-carriers) Vodivé horké nosiče se objevují pokud je tranzistor zapnutý. Pokud napětí na řídící elektrodě klesne pod určitou úroveň, dojde k zaškrceni inverzní vrstvy (pinch-off). Elektrické pole na krátkém úseku, který tvoří bariéru, je dost vysoké nato aby předalo nosičům náboje dost energie na to, aby přešly do oxidu hradla. Nevodivé horké nosiče vznikají podobným způsobem jako vodivé horké nosiče. Situace je ale trochu jiná: drain je na úrovni VDD, source na GND a gate má napětí nižší než VT. V tomto uspořádání má část nosičů dost energie na poškození hradlového oxidu. Tento jev se objevuje nejvíce u tranzistorů s krát
8 History efekt Jednou z vlastností PD SOI tranzistoru je tzv. history efekt. Spočívá v tom že voltampérová charakteristika tranzistoru není statická ale závislá na množství náboje v tranzistoru a jeho distribuci, tedy na předchozím stavu tranzistoru. Náboj může do tranzistoru vstupovat. To je obvykle pomalý proces a v závislosti na amplitudě trvá řádově milisekundy. Cesty vedoucí náboj ven z tranzistorů jsou podstatně rychlejší. V podstatě může tento proces probíhat stejně rychle jako inverze. Mechanizmy vstupu náboje: 1 Nárazová ionizace vytváří páry elektron-díra. Některé z nich nerekombinují. Elektron je poté vázán polem řídící elektrody zatímco díra se uvolní a přidá k náboji v aktivní oblasti. (1) 2 Proud přechody SB a DB představují další zdroj náboje v aktivní oblasti (2, 3) Mechanizmy výstupu náboje Vlivem hromadění náboje se diody na přechodech SB, DB stávají propustně polarizovanými a proud akumulovaný v aktivní těle tranzistoru může odtékat. Změna potenciálu na gate či drainu způsobí propustnou polarizaci diod SB, DB a proud skrz ně může odtékat. Typicky se vyskytuje na přechodu SB. Na následujících obrázcích jsou závislosti množství náboje na přiloženém napětí na elektrodách (VDRAIN = GND vlevo, = VDD vpravo)
9 Množství náboje dále ovlivněno těmito faktory: předchozí stav tranzistoru, funkce tranzistoru (změny napětí na source, drain), rychlost přeběhu a kapacita vstupu, délka kanálu, napájecí napětí, teplota přechodu a pracovní frekvence. Operační módy PD SOI MOSFET Vyvážený stav (equilibrium state) je charakterizován neměnnými potenciály na všech elektrodách po dostatečně dlouho dobu. Stabilní stav (steady state) pokud tranzistor pracuje s neměnnými potenciály na elektrodách source a drain a neměnnou pracovní frekvencí. Dynamický stav (dynamic state) pokud je potenciál substrátu se dynamicky mění VA charakteristika Pakliže se mění operační mód transistoru z akumulace k inverzi a saturaci, tranzistor přechází oblastí napětí UG kde se objevují maxima nárazové ionizace. Injekce náboje do prostoru aktivní oblasti má nezanedbatelný vliv na dynamické chování tranzistoru. Vlivem změny prahového napětí v závislosti na nahromaděném náboji dostává voltampérová charakteristika tvar znázornění na obrázku Vliv na nelinearitu mají následující veličiny 1 Proud drainem měřený stejnosměrně. 2 UG 3 díky závislosti na ionizaci majoritních nosičů se nelinearita objevuje u VDS ~ VDD/2 Snižování bariéry (Drain-Induced Barrier Lowering) Tento je obdobný jako u tranzistoru MOSFE. U tranzistoru s relativně krátkým kanálem je změna podprahového proudu úměrná napětí VDS. U SOI tranzistoru je tato závislost uměle vysoká. Při změně napětí
10 zůstává délka kanálu dostatečná, nicméně vliv potenciálu substrátu na prahové napětí je velký a díky jemu se vytváří dojem vysokého DIBL efektu. Obrázek znázorňuje protichůdné vlivy ochuzení kanálu a závislost prahového napětí na náboji substrátu. Délka kanálu L se snižuje s vyšším napětím na kanálu a snižuje tím prahové napětí. Zvětšování délky LX zvětšuje náboj v substrátu. Body efekt a vliv krátkého kanálu Tranzistory PD SOI jsou díky izolaci aktivní oblasti necitlivé na tento jev. Designeři si ale musí dát při návrhu pozor na návyky získané při navrhováni CMOS obvodů. U klasické CMOS technologie se vyskytuje závislost prahového napětí na délce kanálu. Tato charakteristika je pro SOI tranzistory závislá na prahovém napětí ale celkově plošší než u CMOS viz obrázek Vliv parazitního bipolárního tranzistoru Ve skutečnosti lze parazitní bipolární tranzistor nalézt i u klasických CMOS tranzistorů tato parazitní součástka je například příčinou latch-upu. V technologii SOI je ale vliv těchto struktur podstatně větší než u CMOS a to díky plovoucímu potenciálu substrátu. Aktivní oblast představuje bázi, drain kolektor a source emitor parazitního tranzistoru.
11 Elektrony v bipolárním tranzistoru na obrázku se pohybují difuzí mezi emitorem a kolektorem za přítomnosti potenciálového rozdílu mezi kolektorem a bází. PD-SOI NFE tranzistor obsahuje parazitní bipolární tranzistor typu NPN. Plovoucí potenciál aktivní oblasti se může dostat dostatečně vysoko na to aby parazitní tranzistor začal fungovat. Při dostatečném náboji v substrátu bude PN oblast v přechodu BS polarizována závěrně a bu jí protékat malý proud doku nebude náboj plně kompenzován. Současně začne parazitní tranzistor zesilovat tento proud. Při konstrukci tranzistoru se snažíme udržet koeficient zesílení parazitního tranzistoru β dostatečně nízký, v závislosti na napájecím napětí VDD může být tento koeficient i větší než 1. Pokud je náboj náboj v kanálu držen na nízké hodnotě jako například u rychlé logiky, pak je vliv parazitního tranzistoru zanedbatelný. Dva důležité vlivy které ovlivňují efekt parazitního tranzistoru jsou délka kanálu a frekvence přepínání. S nižší frekvencí přepínání proud tranzistorem stoupá, s klesající délkou kanálu klesá. Souvisí to s úměrou množství náboje a délky kanálu. Dalším parametrem který ovlivněnu chování této parazitní struktury je teplota a velikost napájecího npětí. S volbou napájecího napětí souvisí velikost průkazového napětí parazitního tranzistoru která se pohybuje kolem 2,5V. Velikost tohoto napětí ovlivňuje samozřejmě také délka kanálu tranzistoru. V praxi se pro obvody SOI používá napájecí napětí 1,5V a méně. Tato oblast je dostatečně vzdálená průrazu bipolárního tranzistoru. Parazitní tranzistor na dně aktivní oblasti (backchannel device) Silná vrstva oxidu na dně aktivní oblasti může za určitých okolností působit jako hradlový oxid a potenciál substrátu pod touto vrstvou je potom ekvivalentní. Na dně aktivní oblasti potom vzniká parazitní kanál, který může nepříjemně ovlivnit vlastnosti tranzistoru. Jako protiopatření se používá vhodná dotace substrátu pod hradlovou vrstvou, která může až 4x zvednou prahové napětí parazitní struktury, a zemnění substrátu. Modely tranzistorů DC model
12 Základními prvky stejnosměrného modelu tranzistoru jsou proudové zdroje IDS a III reprezentující průchozí proud D-S a proud lavinové ionizace. Dále pak model obsahuje dvě diody reprezentující oblasti prostorového náboje kolem oblastí S a D. Každá z těchto diod může být polarizována propustně či závěrně. Potenciál v substrátu se ustálí na rovnoměrné hodnotě mezi VDD a GND. AC model Střídavý model je složen z tranzistorů reprezentujících parazitní kapacity v tranzistoru. V tomto modelu není zahrnut vliv parazitní bipolárního tranzistoru. Základní metody transportu nosičů náboje v SOI tranzistoru Funkce SOI tranzistoru je založena na existenci pěti základních možností transportu náboje: 1 konvenční průchozí proud (conventional punch-through current) požívání LDD zůstává aktuálním i u SOI technologie 2 konvenční podprahový proud u napětí nižších než prahové. 3 Proud parazitní bipolární strukturou 4 Průrazný proud bipolární struktury 5 parazitní struktura na dně aktivní oblasti
13 Závěr Technologie SOI představuje důstojného nástupce technologii CMOS. Technologie je vhodná pro výkoné systémy u nichž je snaha o co nejvyšší pracovní kmitočet. Přechod na tuto technologii je snažší právé díky jisté návaznosti na CMOS. Je třeba ale postupovat uvážlivě protože chování tranzistorů vyrobených touto technologií vykazuje oproti klasické technologii CMOS jisté odlišnosti, se kterými se musí návrhář vyrovnat. Některé parazitní jevy jsou potlačeny, ale je více těch které nemají v CMOS protějšek. Je třeba také kvalitativně zcela jiný přístup k tranzistoru, protože konkrétní chování není ovlivněno jen potenciálem řídích elektrod a technologickými parametry ale i předchozím stavem tranzistoru a nábojem obsaženým v těle tranzistoru. Snažil jsem se ve své práci přiblížit trochu tuto technologii a poukázat na její vlastnost. Rozhodně si nekladu za cíl zabývat se detaily a proto bych si dovolil případné zájemce o hlubší vhled do této problematiky odkázat na příslušnou odbornou literaturu. Litertura [1] Web: [2] R. Puri, C.T. Chuang, SOI digital circuits: design issues, 13th International Conference on VLSI design, [3] [4] [5]
Polovodičové prvky. V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky.
Polovodičové prvky V současných počítačových systémech jsou logické obvody realizovány polovodičovými prvky. Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 3 FEKT VUT v Brně ESO / P5 / J.Boušek 4
Využití vlastností polovodičových přechodů Oblast prostorového náboje elektrické pole na přechodu Propustný směr difůze majoritních nosičů Závěrný směr extrakce minoritních nosičů Rekombinace na přechodu
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_16_Unipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tranzistory 1 BIPOLÁRNÍ TRANZISTOR - třívrstvá struktura NPN se třemi vývody (elektrodami): e - emitor k - kolektor b - báze Struktura, náhradní schéma a schematická značka
VícePolovodičov. ové prvky. 4.přednáška
Polovodičov ové prvky 4.přednáška Polovodiče Základem polovodičových prvků je obvykle čtyřmocný (obsahuje 4 valenční elektrony) krystal křemíku (Si). Čisté krystaly křemíku mají za pokojové teploty jen
VíceISŠT Mělník. Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566, 276 01 Mělník Ing.František Moravec
ISŠT Mělník Číslo projektu Označení materiálu Název školy Autor Tematická oblast Ročník Anotace CZ.1.07/1.5.00/34.0061 VY_32_ INOVACE_C.3.05 Integrovaná střední škola technická Mělník, K učilišti 2566,
VíceMěření na unipolárním tranzistoru
Měření na unipolárním tranzistoru Teoretický rozbor: Unipolární tranzistor je polovodičová součástka skládající se z polovodičů tpu N a P. Oproti bipolárnímu tranzistoru má jednu základní výhodu. Bipolární
VíceUrčení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů
Určení čtyřpólových parametrů tranzistorů z charakteristik a ze změn napětí a proudů Tranzistor je elektronická aktivní součástka se třemi elektrodami.podstatou jeho funkce je transformace odporu mezi
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Unipolárn rní tranzistory Přednáška č. 5 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Unipolárn rní tranzistory 1 Princip činnosti
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing. Miroslav Krýdl
Číslo projektu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 Číslo materiálu VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_15_Bipolární tranzistor Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav Krýdl Tematická
VíceSpínače s tranzistory řízenými elektrickým polem. Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT
Spínače s tranzistory řízenými elektrickým polem Používají součástky typu FET, IGBT resp. IGCT Základní vlastnosti spínačů s tranzistory FET, IGBT resp. IGCT plně řízený spínač nízkovýkonové řízení malý
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky tranzistory, tyristory, traiky Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Bipolární tranzistor Bipolární
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Třetí laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole inecasova@fit.vutbr.cz
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 1 1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. 2. Co jsou polovodiče vlastní. 3. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Jakým způsobem
VíceFEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 1 FEKT VUT v Brně ESO / P9 / J.Boušek 2. Uzemněné hradlo - závislost na změně parametrů
Unipolární tranzistory Řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem: FET [Field - Effect Transistor] Proud přenášen jedním typem nosičů náboje (unipolární): - majoritní nosiče v inverzním kanálu - neuplatňuje
VíceProjekt Pospolu. Polovodičové součástky diody. Pro obor M/01 Informační technologie
Projekt Pospolu Polovodičové součástky diody Pro obor 18-22-M/01 Informační technologie Autorem materiálu a všech jeho částí je Ing. Petr Voborník, Ph.D. Polovodičová součástka je elektronická součástka
VíceSAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY
Střední odborné učiliště technické Frýdek-Místek SAMOSTATNÁ PRÁCE Z ELEKTRONIKY UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY Jméno: Luděk Bordovský Třída: NE1 Datum: Hodnocení: 1.1. Vlastnosti unipolární tranzistorů Jsou založeny
Více1.1 Pokyny pro měření
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Bipolární tranzistor jako zesilovač Úkol: Proměřte amplitudové kmitočtové charakteristiky bipolárního tranzistoru 1. v zapojení se společným emitorem (SE)
Více1 VA-charakteristiky tranzistorů JFET a MOSFET. Úloha č. 7
1 A-charakteristik tranzistorů JFET a MOSFET Úloha č. 7 Úkol: 1. Změřte A charakteristik unipolárního tranzistoru (JFET - BF245) v zapojení se společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou
VícePolovodičové diody Elektronické součástky pro FAV (KET/ESCA)
Polovodičové diody varikap, usměrňovací dioda, Zenerova dioda, lavinová dioda, tunelová dioda, průrazy diod Polovodičové diody (diode) součástky s 1 PN přechodem varikap usměrňovací dioda Zenerova dioda
VíceTRANZISTORY TRANZISTORY. Bipolární tranzistory. Ing. M. Bešta
TRANZISTORY Tranzistor je aktivní, nelineární polovodičová součástka schopná zesilovat napětí, nebo proud. Tranzistor je asi nejdůležitější polovodičová součástka její schopnost zesilovat znamená, že malé
VíceObrázek 1: Schematická značka polovodičové diody. Obrázek 2: Vlevo dioda zapojená v propustném směru, vpravo dioda zapojená v závěrném směru
Škola: Autor: DUM: Vzdělávací obor: Tematický okruh: Téma: Masarykovo gymnázium Vsetín Mgr. Jitka Novosadová MGV_F_SS_2S2_D16_Z_ELMAG_Polovodicove_soucastky_PL Člověk a příroda Fyzika Elektřina a magnetismus
VíceSoučástky s více PN přechody
Součástky s více PN přechody spínací polovodičové součástky tyristor, diak, triak Součástky s více PN přechody první realizace - 1952 třívrstvé tranzistor diak čtyřvrstvé tyristor pětivrstvé triak diak
VíceSubmikronové technologie součastné trendy SOI technologie. Vývoj CMOS technologií. Proč chceme stále menší tranzistory?
Sbohem mikroelektroniko Vítej nanoelektroniko Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie SiGe Tranzistor pro 50nm proces Virus Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm!!! Dnes již přecházíme na
VíceElektřina a magnetizmus polovodiče
DUM Základy přírodních věd DUM III/2-T3-11 Téma: polovodiče Střední škola Rok: 2012 2013 Varianta: A Zpracoval: Mgr. Pavel Hrubý a Mgr. Josef Kormaník VÝKLAD Elektřina a magnetizmus polovodiče Obsah POLOVODIČ...
VíceZvyšování kvality výuky technických oborů
Zvyšování kvality výuky technických oborů Klíčová aktivita V. 2 Inovace a zkvalitnění výuky směřující k rozvoji odborných kompetencí žáků středních škol Téma V. 2.3 Polovodiče a jejich využití Kapitola
VícePolovodiče, dioda. Richard Růžička
Polovodiče, dioda Richard Růžička Motivace... Chceme součástku, která propouští proud jen jedním směrem. I + - - + Takovou součástkou může být polovodičová dioda. Schematická značka polovodičové diody
VíceUNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR
UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR Unipolární tranzistor neboli polem řízený tranzistor, FET (Field Effect Transistor), se stejně jako tranzistor bipolární používá pro zesilování, spínání signálů a realizaci logických
Více2.3 Elektrický proud v polovodičích
2.3 Elektrický proud v polovodičích ( 6 10 8 10 ) Ωm látky rozdělujeme na vodiče polovodiče izolanty ρ ρ ( 10 4 10 8 ) Ωm odpor s rostoucí teplotou roste odpor nezávisí na osvětlení nebo ozáření odpor
Více17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek
17. Elektrický proud v polovodičích, užití polovodičových součástek Polovodiče se od kovů liší především tím, že mají větší rezistivitu (10-2 Ω m až 10 9 Ω m), (kovy 10-8 Ω m až 10-6 Ω m). Tato rezistivita
VícePřednáška 3 - Obsah. 2 Parazitní body effect u NMOS tranzistoru (CMOS proces) 2
PŘEDNÁŠKA 3 - OBSAH Přednáška 3 - Obsah i 1 Parazitní substrátový PNP tranzistor (PSPNP) 1 1.1 U NPN tranzistoru... 1 1.2 U laterálního PNP tranzistoru... 1 1.3 Příklad: proudové zrcadlo... 2 2 Parazitní
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
VíceTranzistory. tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor. Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET
Tranzistory tranzistor z agnl. slova transistor, tj. transfer resisitor Bipolární NPN PNP Unipolární (řízené polem) JFET MOS FET Shockey, Brattain a Bardeen 16.12. 1947 Shockey 1952 Bipolární tranzistor
VíceELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
TEMATICKÉ OKRUHY ELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY 1. Základní pojmy fyziky polovodičů. Pásová struktura její souvislost s elektronovým obalem atomu, vliv na elektrickou vodivost materiálů. Polovodiče vlastní a nevlastní.
VíceUnipolární tranzistory
Unipolární tranzistory MOSFET, JFET, MeSFET, NMOS, PMOS, CMOS Unipolární tranzistory aktivní součástka řízení pohybu nosičů náboje elektrickým polem většinové nosiče menšinové nosiče parazitní charakter
VíceElektronické součástky - laboratorní cvičení 1
Elektronické součástky - laboratorní cvičení 1 Charakteristiky tyristoru Úkol: 1. Změřte vstupní charakteristiku tyristoru I G = f (U GK ) 2. Změřte spínací charakteristiku U B0 = f (I G ) 1.1 Pokyny pro
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: T3.2.1 MĚŘENÍ NA UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORECH A IO Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod,
VíceSubmikronové technologie součastné trendy SOI technologie. Vývoj CMOS technologií. Vývoj CMOS technologií. Proč chceme stále menší tranzistory?
Sbohem mikroelektroniko Vítej nanoelektroniko Submikronové technologie součastné trendy SOI technologie SiGe Tranzistor pro 50nm proces Virus Tloušťka hradlového oxidu = 1.2 nm!!! Dnes již přecházíme na
VíceOtázka č.4. Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace.
Otázka č.4 Silnoproudé spínací polovodičové součástky tyristor, IGBT, GTO, triak struktury, vlastnosti, aplikace. 1) Tyristor Schematická značka Struktura Tyristor má 3 PN přechody a 4 vrstvy. Jde o spínací
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřený předmětem jsou v tomto případě polovodičové diody, jejich údaje jsou uvedeny v tabulce:
REDL 3.EB 8 1/14 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku polovodičových diod pomocí voltmetru a ampérmetru v propustném i závěrném směru. b) Sestrojte grafy =f(). c) Graficko početní metodou určete
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Čtvrté laboratorní cvičení Brno University of Technology, Faculty of Information Technology Božetěchova 1/2, 612 66 Brno - Královo Pole Petr Veigend,iveigend@fit.vutbr.cz
VíceÚvod do moderní fyziky. lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách)
Úvod do moderní fyziky lekce 9 fyzika pevných látek (vedení elektřiny v pevných látkách) krystalické pevné látky pevné látky, jejichž atomy jsou uspořádány do pravidelné 3D struktury zvané mřížka, každý
VíceTechnologie CMOS. Je to velmi malý svět. Technologie CMOS Lokální oxidace. Vytváření izolačních příkopů. Vytváření izolačních příkopů
Je to velmi malý svět Technologie CMOS Více než 2 000 000 tranzistorů v 45nm technologii může být integrováno na plochu tečky za větou. From The Oregonian, April 07, 2008 Jiří Jakovenko Struktury integrovaných
VíceŘídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT. Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek
Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Rozdíly v buzení bipolárních a unipolárních součástek Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Řídicí obvody (budiče) MOSFET a IGBT Hlavní požadavky na ideální budič Galvanické
VíceTel-30 Nabíjení kapacitoru konstantním proudem [V(C1), I(C1)] Start: Transient Tranzientní analýza ukazuje, jaké napětí vytvoří proud 5mA za 4ms na ka
Tel-10 Suma proudů v uzlu (1. Kirchhofův zákon) Posuvným ovladačem ohmické hodnoty rezistoru se mění proud v uzlu, suma platí pro každou hodnotu rezistoru. Tel-20 Suma napětí podél smyčky (2. Kirchhofův
VíceProjekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 1. Čím se vyznačuje polovodičový materiál Polovodič je látka, jejíž elektrická vodivost lze měnit. Závisí na
VíceZákladní elektronické prvky a jejich modely
Kapitola 1 Základní elektronické prvky a jejich modely Tento dokument slouží POUZE pro studijní účely studentům ČVUT FEL. Uživatel (student) může dokument použít pouze pro svoje studijní potřeby. Distribuce
VíceI N V E S T I C E D O R O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í. výstup
ELEKTONIKA I N V E S T I C E D O O Z V O J E V Z D Ě L Á V Á N Í 1. Usměrňování a vyhlazování střídavého a. jednocestné usměrnění Do obvodu střídavého proudu sériově připojíme diodu. Prochází jí proud
VíceElektronika pro informační technologie (IEL)
Elektronika pro informační technologie (IEL) Druhé laboratorní cvičení Vysoké učení technické v Brně, Fakulta informačních technologií v Brně Božetěchova 2, 612 66 Brno Cvičící: Petr Veigend (iveigend@fit.vutbr.cz)
VíceVY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů
VY_32_INOVACE_06_III./2._Vodivost polovodičů Vodivost polovodičů pojem polovodiče čistý polovodič, vlastní vodivost příměsová vodivost polovodičová dioda tranzistor Polovodiče Polovodiče jsou látky, jejichž
VíceFakulta biomedic ınsk eho inˇzen yrstv ı Teoretick a elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhl ıˇr, CSc. L eto 2017
Fakulta biomedicínského inženýrství Teoretická elektrotechnika Prof. Ing. Jan Uhlíř, CSc. Léto 2017 8. Nelineární obvody nesetrvačné dvojpóly 1 Obvodové veličiny nelineárního dvojpólu 3. 0 i 1 i 1 1.5
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceNavrhované a skutečné rozměry. Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu. Základní parametry návrhových pravidel
Navrhované a skutečné rozměry Změna skutečných rozměrů oproti navrhovaným Al spoje Kontaktní otvor v SiO Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Jiří Jakovenko Difuzní oblast N+ Vzájemné sesazení
VíceNávrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly
Navrhované a skutečné rozměry Návrhová pravidla pro návrh topologie (layoutu) čipu Vzájemné sesazení masek kontaktu, poly Minimální šířka motivu Minimální vzdálenost motivů Minimální a maximální rozměr
VíceZákladní druhy tranzistorů řízených elektrickým polem: Technologie výroby: A) 1. : A) 2. : B) 1. :
ZADÁNÍ: Změřte výstupní a převodní charakteristiky unipolárního tranzistoru KF 520. Z naměřených charakteristik určete v pracovním bodě strmost S, vnitřní odpor R i a zesilovací činitel µ. Určete katalogové
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě nízkofrekvenční nevýkonový tranzistor KC 639. Mezní hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
RIEDL 3.EB 10 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte statické hybridní charakteristiky tranzistoru KC 639 v zapojení se společným emitorem (při měření nesmí dojít k překročení mezních hodnot). 1) Výstupní charakteristiky
VíceMOSFET. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Julius Edgar Lilienfeld, U.S. Patent 1,745,175 (1930)
MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor Julius Edgar Lilienfeld, U.. Patent 1,745,175 (193) MOFET Metal Oxide emiconductor Field Effect Transistor 196 ovládnutí povrchových stavů:. Kahng,
Víceteorie elektronických obvodů Jiří Petržela analýza šumu v elektronických obvodech
Jiří Petržela co je to šum? je to náhodný signál narušující zpracování a přenos užitečného signálu je to signál náhodné okamžité amplitudy s časově neměnnými statistickými vlastnostmi kde se vyskytuje?
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
Více2.POPIS MĚŘENÉHO PŘEDMĚTU Měřeným předmětem je v tomto případě zenerova dioda její hodnoty jsou uvedeny v tabulce:
REDL 3.EB 9 1/11 1.ZADÁNÍ a) Změřte voltampérovou charakteristiku zenerovy diody v propustném i závěrném směru. Charakteristiky znázorněte graficky. b) Vypočtěte a graficky znázorněte statický odpor diody
Více7. Elektrický proud v polovodičích
7. Elektrický proud v polovodičích 7.1 Elektrické vlastnosti polovodičů Kromě vodičů a izolantů existují polovodiče. Definice polovodiče: Je to řada minerálů, rud, krystalů i amorfních látek, řada oxidů
VíceMetodický návod: 5. Zvyšování vnějšího napětí na 3 V. Dochází k dalšímu zakřivování hladin a rozšiřování hradlové vrstvy.
Metodický návod: 1. Spuštění souborem a.4.3_p-n.exe. Zobrazeny jsou oddělené polovodiče P a N, majoritní nositelé náboje (elektrony červené, díry modré), ionty příměsí (čtverečky) a Fermiho energetické
VíceODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH
Projekt: ODBORNÝ VÝCVIK VE 3. TISÍCILETÍ Téma: MEII - 3.2.2 MĚŘENÍ NA AKTIVNÍCH SOUČÁSTKÁCH Obor: Mechanik elektronik Ročník: 2. Zpracoval(a): Bc. Josef Mahdal Střední průmyslová škola Uherský Brod, 2010
VícePolovodičové diody Definice
Polovodičové diody Definice Toto slovo nemám rád. Navádí k puntičkářskému recitování, které často doprovází totální nepochopení podstaty. Jemnější je obrat vymezení pojmu. Ještě lepší je obyčejné: Co to
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceStudium tranzistorového zesilovače
Studium tranzistorového zesilovače Úkol : 1. Sestavte tranzistorový zesilovač. 2. Sestavte frekvenční amplitudovou charakteristiku. 3. Porovnejte naměřená zesílení s hodnotou vypočtenou. Pomůcky : - Generátor
VíceBipolární tranzistory. Produkt: Zavádění cizojazyčné terminologie do výuky odborných předmětů a do laboratorních cvičení
Název projektu: Automatizace výrobních procesů ve strojírenství a řemeslech Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.30/01.0038 Příjemce: SPŠ strojnická a SOŠ profesora Švejcara Plzeň, Klatovská 109 Tento projekt
VíceU BR < 4E G /q -saturační proud ovlivňuje nárazovou ionizaci. Šířka přechodu: w Ge 0,7 w Si (pro N D,A,Ge N D,A,Si ); vliv U D.
Napěťový průraz polovodičových přechodů Zvyšování napětí na přechodu -přechod se rozšiřuje, ale pouze s U (!!) - intenzita elektrického pole roste -překročení kritické hodnoty U (BR) -vzrůstu závěrného
VíceBipolární tranzistor. Bipolární tranzistor - struktura. Princip práce tranzistoru. Princip práce tranzistoru. Zapojení SC.
ipolární tranzistor Tranzistor (angl. transistor) transfer resistor bipolární na přenosu proudu se podílejí jak elektrony, tak díry je tvořen dvěma přechody na jednom základním monoktystalu Emitorový přechod
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
VíceVY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek. Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Ing.
Číslo projektu Číslo materiálu CZ.1.07/1.5.00/34.0581 VY_32_INOVACE_ENI_3.ME_18_Technologie polovodičových součástek Název školy Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Dubno Autor Ing. Miroslav
VíceNázev: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení
Název: Tranzistorový zesilovač praktické zapojení, měření zesílení Autor: Mgr. Petr Majer Název školy: Gymnázium Jana Nerudy, škola hl. města Prahy Předmět (mezipředmětové vztahy) : Fyzika Tematický celek:
VíceUrčeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče
Určeno studentům středního vzdělávání s maturitní zkouškou, druhý ročník, polovodiče Pracovní list - test vytvořil: Ing. Lubomír Kořínek Období vytvoření VM: listopad 2013 Klíčová slova: dioda, tranzistor,
VíceZesilovače. Ing. M. Bešta
ZESILOVAČ Zesilovač je elektrický čtyřpól, na jehož vstupní svorky přivádíme signál, který chceme zesílit. Je to tedy elektronické zařízení, které zesiluje elektrický signál. Zesilovač mění amplitudu zesilovaného
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory Historie V prosinci 1947 výzkumní pracovníci z Bellových laboratořích v New Jersey zjistili, že polovodičová destička z germania se zlatými hroty zesiluje slabý signál. Vědci byli
VíceII. Nakreslete zapojení a popište funkci a význam součástí následujícího obvodu: Integrátor s OZ
Datum: 1 v jakém zapojení pracuje tranzistor proč jsou v obvodu a jak se projeví v jeho činnosti kondenzátory zakreslené v obrázku jakou hodnotu má odhadem parametr g m v uvedeném pracovním bodu jakou
VíceMěření charakteristik fotocitlivých prvků
Měření charakteristik fotocitlivých prvků Úkol : 1. Určete voltampérovou charakteristiku fotoodporu při denním osvětlení a při osvětlení E = 1000 lx. 2. Určete voltampérovou charakteristiku fotodiody při
VíceMějme obvod podle obrázku. Jaké napětí bude v bodech 1, 2, 3 (proti zemní svorce)? Jaké mezi uzly 1 a 2? Jaké mezi uzly 2 a 3?
TÉMA 1 a 2 V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje napětí uveďte název a značku jednotky V jakých jednotkách se vyjadřuje odpor uveďte název
VíceSada 1 - Elektrotechnika
S třední škola stavební Jihlava Sada 1 - Elektrotechnika 8. Polovodiče - nevlastní vodivost, PN přechod Digitální učební materiál projektu: SŠS Jihlava šablony registrační číslo projektu:cz.1.09/1.5.00/34.0284
VícePRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus
Oddělení fyzikálních praktik při Kabinetu výuky obecné fyziky MFF UK PRAKTIKUM II Elektřina a magnetismus Úloha č.: XI Název: Charakteristiky diody Pracoval: Pavel Brožek stud. skup. 12 dne 9.1.2009 Odevzdal
VícePolovodičové diody. Dělení polovodičových diod podle základního materiálu: Germaniové Křemíkové Galium-arsenid+Au
Polovodičové diody Dioda definice: Elektronická dvojpólová součástka, která při své činnosti využívá přechod, který vykazuje usměrňující vlastnosti (jednosměrnou vodivost). Vlastnosti se liší způsobem
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY 7 Výkonové a spínací aplikace tranzistorů 7.1 Ztrátový výkon a chlazení součástky... 7-1 7.2 První a druhý průraz bipolárního
Bohumil BRTNÍK, David MATOUŠEK ELEKTRONICKÉ PRVKY Praha 2011 Tato monografie byla vypracována a publikována s podporou Rozvojového projektu VŠPJ na rok 2011. Bohumil Brtník, David Matoušek Elektronické
VíceInterakce ve výuce základů elektrotechniky
Střední odborné učiliště, Domažlice, Prokopa Velikého 640, Místo poskytovaného vzdělávaní Stod, Plzeňská 245 CZ.1.07/1.5.00/34.0639 Interakce ve výuce základů elektrotechniky TRANZISTORY Číslo projektu
Více3. Diody, tranzistory, tyristory, triaky, diaky. Použitá literatura: Jan Kesl: Elektronika I. a II. Internet
3. Diody, tranzistory, tyristory, triaky, diaky Použitá literatura: Jan Kesl: Elektronika I. a II. Internet Diody - polovodiče s 1 přechodem PN Princip: zapojíme-li monokrystal PN dle obr. elektrony(-)
VíceObrázek a/struktura atomů čistého polovodičeb/polovodič typu N
POLOVODIČE Vlastnosti polovodičů Polovodiče jsou materiály ze 4. skupiny Mendělejevovy tabulky. Nejznámější jsou germanium (Ge) a křemík (Si). Každý atom má 4 vazby, pomocí kterých se váže na sousední
Více[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] Na rezistoru je napětí 25 V a teče jím proud 50 ma. Rezistor má hodnotu.
[Otázky Autoelektrikář + Mechanik elektronických zařízení 1.část] 04.01.01 Na rezistoru je napětí 5 V a teče jím proud 25 ma. Rezistor má hodnotu. A) 100 ohmů B) 150 ohmů C) 200 ohmů 04.01.02 Na rezistoru
VícePŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH. Přednáška 1 - Obsah
PŘEDNÁŠKA 1 - OBSAH Přednáška 1 - Obsah i 1 Analogová integrovaná technika (AIT) 1 1.1 Základní tranzistorová rovnice... 1 1.1.1 Transkonduktance... 2 1.1.2 Výstupní dynamická impedance tranzistoru...
VíceELEKTRICKÝ PROUD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA
ELEKTRICKÝ PROD ELEKTRICKÝ ODPOR (REZISTANCE) REZISTIVITA 1 ELEKTRICKÝ PROD Jevem Elektrický proud nazveme usměrněný pohyb elektrických nábojů. Např.:- proud vodivostních elektronů v kovech - pohyb nabitých
VíceSTEJNOSMĚRNÝ PROUD Nesamostatný výboj TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY.
STEJNOSMĚRNÝ PROUD Nesamostatný výboj TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY. Plyny jsou tvořeny elektricky neutrálními molekulami. Proto jsou za
VíceVOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD
Universita Pardubice Ústav elektrotechniky a informatiky Elektronické součástky Laboratorní cvičení č.1 VOLTAMPÉROVÉ CHARAKTERISTIKY DIOD Jméno: Pavel Čapek, Aleš Doležal, Lukáš Kadlec, Luboš Rejfek Studijní
VíceElektrický proud v polovodičích
Elektrický proud v polovodičích Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický odpor je při obvyklých teplotách mnohem menší než u izolantů, ale zase mnohem větší než u kovů. Polovodič Látka, jejíž měrný elektrický
Více1 U Zapište hodnotu časové konstanty derivačního obvodu. Vyznačte měřítko na časové ose v uvedeném grafu.
v v 1. V jakých jednotkách se vyjadřuje proud uveďte název a značku jednotky. 2. V jakých jednotkách se vyjadřuje indukčnost uveďte název a značku jednotky. 3. V jakých jednotkách se vyjadřuje kmitočet
Více2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty jeho prvků. U 1 =10 V, R 1 =1 kω, R 2 =2,2 kω.
A5M34ELE - testy 1. Vypočtěte velikost odporu rezistoru R 1 z obrázku. U 1 =15 V, U 2 =8 V, U 3 =10 V, R 2 =200Ω a R 3 =1kΩ. 2. Pomocí Theveninova teorému zjednodušte zapojení na obrázku, vypočtěte hodnoty
VíceA8B32IES Úvod do elektronických systémů
A8B32IES Úvod do elektronických systémů 29.10.2014 Polovodičová dioda charakteristiky, parametry, aplikace Elektronické prvky a jejich reprezentace Ideální dioda Reálná dioda a její charakteristiky Porovnání
Více