Princip naprašování. Rozdíly proti napařování: 1. metoda získávání par 2. nutnost použití pracovního plynu 3. ionizace par a prac. plynu.
|
|
- Kristina Jandová
- před 7 lety
- Počet zobrazení:
Transkript
1 Přednáška 6 Naprašování: princip metody, magnetrony, ss naprašování, pulzní naprašování, rf naprašování naprašovací rychlost, naprašování kovů, slitin a sloučenin.
2 Princip naprašování Převedení pevné látky ze zdroje terče na páry - pomocí rozprašování dopady iontů Transport k substrátu + případné reakce Růst vrstvy na substrátu + případné reakce ad depoziční rychlost Rozdíly proti napařování: 1. metoda získávání par 2. nutnost použití pracovního plynu 3. ionizace par a prac. plynu Substrát p0 mezní tlak určuje čistotu vrstvy typicky pod 1x10-3 Pa Zdroj rozprášených částic
3 Idea naprašování povlaků potřebujeme zdroj částic s kinetickou energií vhodné jsou např. ionty Ar+
4 Co se děje na terči viz minule při vhodné energii rozprášíme povrch terče a získáme stavební prvky pro vrstvu
5 Jak to také může vypadat povrch Pt(111) po dopadu iontů Ar s energií 5000 ev při teplotě povrchu 390 oc
6 Spočítáme Kolik se rozpráší atomů Pt jeden dopadlý iont Ar+? Jak to provést?
7 Počítačové experimenty simulace Monte Carlo volně šiřitelný balík SRIM
8 SRIM Uděláme simulace několik případů Ar 50 ev na Pt a Cu rozprašování Změny energie Ar na výtěžek při rozprašování Cu
9 Jak získat lepší zdroj iontů Zapálíme před rozprašovanou katodou (terčem) plazmový výboj Viz minule ionty z plazmatu budou rozprašovat terč Stačí splnit Paschenovo kritérium pro vznik výboje Pak lze množství rozprášeného materiálu řídit pomocí regulace proudu výbojem
10 Schéma naprašování s plazmatem
11 Typické parametry diodového rozprašování 200 např.: 180 p = 10Pa, 0,8 Relative deposition rate 140 jd = 1 ma cm-2, ad = 36 nm/min 120 0, , , Pressure [mtorr] ,0 200 Sputtering yield [1] d = 50 mm, 160 Plasma current I[mA] U = 3000 V, 1,0
12 Problémy pamatujete na homogenitu tloušťky vrstev při napařování?
13 Problémy počet iontů je omezený. Jak zvýšit ionizaci? nemůžeme zvyšovat napětí k V Xray Co třeba prodloužit dráhu letu elektronů? Více srážek, větší ionizace. Jak? To už víme, magnetické pole.
14 Magnetron - planární
15 Magnetron - cylindrický
16 Depoziční systém s planárním magnetronem
17 Plazmový výboj - magnetron
18 Plazmový výboj - magnetron
19 Jak bude velké předpětí na terči Vypočtěme očekávané napětí na katodě magnetronu. Víme, že většina napětí je soustředěna v oblasti katodového spádu (katodového temného prostoru) a koeficient sekundární emise elektronů z povrchu terče i=0,1 pro energie iontů obvyklého pracovního plynu Ar 200 až 1000 ev. Pak tedy, koncentraci párů iont-elektron v oblasti katodového spádu vytvořený jedním sekundárním elektronem absorbovaným v plazmatu vypočteme jako Vdc N c Ec je energie ztracená na jednu ionizační srážku cca 30eV (odhad).
20 Katodový spád u magnetronu Sekundární elektron urychlený v oblasti katodového temného prostoru se díky působení tečné složky magnetického pole vrací zpět na katodu. Záchyt elektronů v magnetické poly se uskuteční díky oscilacím plazmatu, pak pišme = ½ * eff i Pokud má být výboj stabilní a ionizace probíhá převážně v oblasti katodového spádu, pak musí být splněna podmínka, že N* eff = 1 ustálený stav, počet nezachycených elektronů je roven počtu generovaných elektronů. A dosazením máme, Vdc 1 eff c 2 2 c * V i 0,1 což odpovídá očekávané obvyklé hodnotě pro zadané parametry.
21 Jak bude velká oblast aktivního plazmatu Z popisu víme, že intenzivní plazmový výboj probíhá v oblasti mezikruží nad terčem katodou. Vypočtěme velikost oblasti s ionizačním výbojem. Výška kruhu je dána Larmorovo poloměrem cyklotronové rotace elektronů ve rce cl, kde ve je rychlost elektronu a wcl je cyklotronová frekvence elektronů.
22 Velikost oblast plazmatu 2eVdc 1 2 mve evdc vyjádříme ve, v magnetickém m 2 mve2 eb eb poli platí eve B0 a tedy ve 0 R c R a odtud pak máme, že c 0. R m m 2eVdc 1 2mVdc m Dosaďme do úvodní rovnice pro Larmorův poloměr rce, pro Vdc eb0 B0 e m spočítané výše a B0=200G je rce 0,5cm a rci 1,3m pro ionty Ar+. Teď můžeme vypočítat i šířku oblasti plazmatu. Předpokládejme, že sekundární elektrony jsou zachycené magnetickým polem a mohou oscilovat v oblast mezi poloměry r1 a r2 a hlavní síla, která je odráží zpět do oblasti plazmatu je elektrické pole. Zrcadlení dané nehomogenním 1 2 mv B z magnetickým polem je realizováno silou, kterou můžeme popsat takto Fz 2. B z z Siločára mají známé zakřivení Re a výšku r ce. Z pohybové rovnice v elektrickém poli
23 Velikost oblasti plazmatu Pak dle obrázku w sin 2 Rc w2 upravíme na sin 4 Rc2 2 a Rc rce Rc cos a Rc rce 2 R 2 c cos 2 a použijeme vztah sin cos 1 a máme rovnici ve tvaru 2 2 R r w a konečně vyjádříme šířku kruhu jako w 2 2 Rc rrc rce2, pokud c 2 ce Rc Rc dosadíme typické hodnoty rce=0,5cm a Rc=4cm, pak šířka oblasti plazmatu bude w=4cm což odpovídá experimentu. 2 2
24 Vliv parametrů na erozní oblast Vliv tlaku Ar na rozprašování terče Al 50 mtorr A. R. Nyaiesh, Vacuum 36(6) mtorr 10 mtorr
25 Homogenita povlaků
26 Typické parametry magnetronového rozprašování např.: diodové magnetronové p = 10Pa 0.13 Pa U = 3000 V 800 V, B = 150 G d = 50 mm podle velikosti jd = 1 ma cm-2 20 ma cm-2 ad = 36 nm/min 200 nm/min
27 Rozprašovací výtěžek
28 Rozprašovací výtěžek Co se stane pokud bude pro dopad M+ na terč z M vetší než 1? Pak lze uzavřít přívod pracovního plynu, není pro udržení výboje potřeba. Výboj bude hořet pouze v parách rozprašovaného kovu. Lze např pro Cu. Self-sputtering, nutná vysoká výkonová hustota -2 na terč kolem 200 W cm.
29 DC rozprašování Pokud rozprašujeme elektricky vodivé terče, pak vystačíme s stejnosměrným předpětím na terči. Co se ale stane pokud terč bude dielektrikum? To si lze představit jako vložení kondenzátoru do obvodu stejnosměrného proudu, vázaný elektrický náboj nestačí k odvodu nábojů z výboje a výboj uhasne viz minulá přednáška.
30 RF je opět řešením Řešením je rozprašování pomocí vysokofrekvenčního výkonu (povolená průmyslová frekvence 13.56MHz a několik dalších). Rozdílná mobilita elektronů a iontů v plazmatu způsobí samovolný vznik předpětí na dielektrickém terči v řádu stovek voltů za obvyklých podmínek dynamická rovnováha toků nábojů.
31 Opravdu je RF řešením? Jelikož z teorie elektrických obvodů plyne nutnost impedanční schody spojovaných částí obvodu, je mezi zdroj RF výkonu (do 50 W) a plazma vložen vždy přizpůsobovací člen. Přizpůsobovací členy jsou obvykle PI konstrukce s laditelným kondenzátorem a laditelnou indukčností.
32 RF přizpůsobovací člen Představme si spojené bazény, je zřejmé že propojením projde jen část vln (přivedeného výkonu).
33 RF výkon do plazmatu RF generátor posílá do výstupu Pi = 2 kw a jaku u bazénu 50 % se odrazí zpět, tedy do plazmatu se předá jen 1 kw. Odražený výkon Pr musí zdroj převést na teplo.
34 Jak pracuje přizpůsobovací člen jako periskop abychom viděli skrz, tak musí mít tvar jako na obrázku pokud ho ohneme, tak neuvidíme nic Huttinger Application note
35 Jednodušší L-člen zrcátka nahradíme C1 a C2 a nastavíme správné hodnoty jako u zrcátek jsme nastavili polohu. Huttinger Application note
36 V praxi pozor na kabely i ty mají R,C,L co nejkratší R,C,L výboje se mění podle vnějších parametrů (výkon, tlak, tok plynů,...) R,C,L výboje se mění s kontaminací stěn Tedy minimalizace odraženého výkonu může vyžadovat úpravy C během procesu Bude C a L pro 1000V a 5kW malé a levné? Ne naopak, drahé a velké. Depoziční rychlost oproti DC při stejném výkonů je nízká cca 50 %.
37 Vliv energie iontů na rostoucí vrstvu Katodu můžeme udělat i z držáku vzorků.
38 Thortonův model
39 Hlavní parametry depozice Terče Materiál, výkon Chem. složení vrstvy Struktura, fyz. vlastnosti Tlak Inert. plynu Rychlost depozice Tlak reakt. plynu Teplota substrátu Iontový bombard Hustota, energie
40 Reaktivní naprašování stejně jako při napařování připustíme reaktivní plyn rozprašujeme (kovový) terč za přítomnosti chemicky aktivního plynu, který reaguje jak s rozprášeným materiálem, tak i s terčem samotným. lze vytvářet oxidy, nitridy, karbidy, fluoridy a arsenidy,... Pokud dále budeme hovořit o oxidech, tak tím rozumíme všechny tyto skupiny produktů.
41 Proč je reaktivní n. populární Možnosti vytváření povlaků s řízenou stechiometrií a složením s vysokou rychlostí růstu a to vše v průmyslovém měřítku. Terče ze základních prvků jsou obvykle čistější a levnější a tedy výsledné povlaky mohou být také vysoce čisté. Terče ze základních prvků se obvykle snadněji opracovávají a připevňují k nosné desce (je-li to vůbec potřeba) na rozdíl od keramických terčů. Základní prvky (často v praxi kovy) jsou často mnohem lepšími vodiči tepla, tedy chlazení terče je jednodušší a můžeme používat vysokou hustotu rozprašovacího výkonu. Vyhneme se složitějším RF zdrojů a nákladným RF přizpůsobením protože většina základních terčů používaných k rozprašování jsou elektricky vodivé. Kompozitní vrstvy můžeme deponovat i pod teplotou substrátů 300oC.
42 Hlavní problém DC rozprašování kovového (obecně elektricky vodivého) terče inertním plynem např. Si a Ar. V okamžiku kdy vznikne plazmový výboj jsou ionty inertního plynu urychlovány katodovým spádem na elektrodu. Na katodě jsou těmito dopady rozprašovány další atomy terče nebo adsorbované atomy výbojového plynu. Tedy ve výboji máme pouze dva prvky a to z rozprášeného terče a výbojového plynu v různých stavu (ionty, neutrály, rychlé neutrály, exitované částice) a elektrony.
43 Hlavní problém Nyní se rozhodneme, že požadujeme ne vrstvu Si, ale vrstvu z oxidů, zvolme jako modelový příklad opět SiO2. Použijeme shodné zařízení i materiály jako při depozici Si výše, jen navíc budeme do výboje připouštět kyslík. Začneme opatrně připouštět od nulového průtoku a budeme parciální tlak reaktivní složky prg v systému sledovat. Celkový tlak zůstane při pomalém zvyšování průtoku kyslíku konstantní viz úsek 0-B na obrázku. Kam nám kyslík mizí? Kyslík je pohlcován rostoucí vrstvou, kde dochází k oxidaci, v podstatě rostoucí vrstva čerpá připouštěný kyslík tím, že ho zabudovává do své struktury.
44 Hlavní problém Tedy v bodu A je zachycovací (čerpací) rychlost rozprášených atomů kovu právě rovna rychlosti napouštění reaktivního plynu. Rozprašování probíhá v kovovém režimu. Pokud budeme ve zvyšování přítoku reaktivního plynu pokračovat (stačí i jen minimální nárůst) viz B-C, dojde k okamžitému nárůstu tlaku v komoře a také poklesne depoziční rychlost ad. Pokles depoziční rychlosti je v závislosti na materiálu terče při depozici oxidů v rozsahu 10 až 20, tedy o jeden řád!!
45 Co se stalo? Začal se výrazně projevovat vliv pokrývání rozprašovaného terče produktem reakce mezi terčem a reaktivním plynem v konkurenci s rozprašováním dopadajícími ionty, tedy v našem příkladu na terči roste povlak SiO2, který má podstatně nižší rozprašovací rychlost než Si. Tento režim rozprašování nazýváme přechodovým (transition) rozprašujeme oblasti částečně pokryté oxidem. Pokud začneme přítok reaktivního plynu opět snižovat viz C-D, pak nám nepoklesne parciální tlak prg k nule ihned, ale až se zpožděním daným nutností odprášit z terče všechny produkty reakce (chemisorpce), tak by celý terč byl opět pouze kovovým. Pak bude opět veškerý reaktivní plyn zachycován pouze rozprášenými atomy terče v rostoucí vrstvě. Tím vznikla hysterezí smyčka = Hysterezní jev
46 Jak stabilizovat reaktivní rozprašování Pro úspěšné vytváření povlaků žádaných vlastností je nutné, aby proces jejich vytváření byl stabilní v čase. Pokud požadujeme takovou vrstvu, kdy je nutný vysoký parciální tlak reaktivního plynu prg, tak není snadné zajistit stability výbojových podmínek. Snadno může při regulaci (zejména ruční) toku reaktivního plynu dojít k rychlé změně parciálního tlaku reaktivního plynu a tím k chování podle hysterezní křivky (i díky nějaké nestabilitě).
47 Jak stabilizovat reaktivní rozprašování Omezení toku reaktivního plynu na terč Baffle je potřeba čistit a dep. rychlost a ovlivňuje plazmový výboj hlavně pokud je baffle uzemněný. Lze samozřejmě přivést potenciál a i předpětím na substrátu, ale předpětí na nevodivých substrátech musí být RF a to opět vyžaduje nákladný zdroj a přizpůsobovací člen.
48 Jak stabilizovat reaktivní rozprašování Pulzní napouštění reakt. plynu Pokud reaktivní plyn přitéká, tak se formuje i oxidická vrstva na terči až může dojít k otrávení terče. Pokud je přítok reaktivního plynu zastaven, tak převládne rozprašování terče a oxidická vrstva je odstraněna. Terč osciluje mezi kovovým a přechodovým režimem rozprašování. Pro zajištění homogenity rostoucích vrstev musí být zapínání a vypínání přítoku reaktivního plynu poměrně rychlé. Reportované parametry jsou od 3s do 0,2s trvání jednotlivých pulzů, kde bylo dosaženo depoziční rychlosti TiN obdobné jako pro kovové Ti.
49 Jak stabilizovat reaktivní rozprašování Řízení čerpací rychlosti potlačení hystereze nadkritickou rychlostí čerpání nemá vliv na depoziční rychlost, ta zůstává nízká oproti depozici v kovovém režimu rozprašování. Praktická realizace vysokých čerpacích rychlostí v průmyslové praxi, kde jsou velkoobjemové depoziční aparatury může být složitá u stávajících zařízení z důvodu volného prostoru a je nákladná u nových systémů.
50 Depozice v přechodové oblasti je nutné pracovat právě za depozičních podmínek těsně před vznikem hysterezní křivky v přechodové oblasti, tj. tok reaktivního plynu fr1, což je obtížné z hlediska udržení stability. Je nutné zavést řízení procesu pomocí rychlé zpětné vazby vázané na sledování některého z parametrů reprezentujícího stav terče (resp. stupeň jeho otrávení). Takový parametrů je několik, evidentně je to parciální tlak reaktivního plynu a celkový tlak v systému, také ale katodové napětí, výbojový proud a depoziční rychlost nebo optická emise.
51 Vznik jisker - makročástic Pokud je dielektrická izolační vrstva naprašována pomocí reaktivního DC magnetronového výboje z kovového terče, tak jak bylo řečeno dříve existují současně na terči oba stavy kovový i oxidační. Odprašovány jsou oba materiály současně Ionty, které bombardují oblasti pokryté dielektrickou izolační vrstvou nemohou být neutralizovány volnými elektrony v kovovém terče. Jedná se o kondenzátor, který je nabíjen dopadajícími ionty z plazmatu. Jak se zvyšuje napětí na kondenzátoru (izolační vrstvě), tak je místně redukováno napětí na katodě dané zdrojem napětí, až napětí na dielektrické vrstvě dosáhne hodnoty plazmového potenciálu a katodový spád zcela zmizí. A tím tedy zmizí i napětí, které urychlovalo rozprašovací ionty na terč. Rostoucí dielektrická vrstva, ale není dostatečně elektricky pevná a dojde k jejímu průrazu ještě před zánikem katodového spádu.
52 Vznik jisker - makročástic V okamžiku elektrického průrazu vrstvy dojde k masívnímu zvýšení výbojového proudu díky uvolněnému kumulovanému náboji (lavina elektronů). Vznikne tak elektrický oblouk (jiskra), zvýší se lokální teplota a může dojít až k lokálnímu odpaření terče. Jinak řečeno, každý stav, kdy dojde k poklesu napětí na katodě a okamžitému masivnímu nárůstu proudu (snížení impedance plazmatu) můžeme nazývat obloukem. Proč nám vlastně oblouky tolik vadí. Co způsobují?
53 Co jiskry (oblouky) způsobují? 1. Mohou způsobit nestabilitu procesu naprašování, protože v okamžiku oblouku je DC zdroj z důvodu své ochrany odpojen a to může inicializovat hysterezní chování a zamezit tak návratu procesu do původního stavu po obnovení výboje. V případě velkého terče pro depozici TiO2 je požadovaná reakční doba zdroje zpět do plného výkonu cca 1ms, to již hraje roli i kapacita a indukčnost přívodních kabelů k terči. 2. Snižují životnost terče jeho povrch je bodově narušen (dimenze od 1mm do 50mm) díky lokálnímu natavení. 3. Způsobují vady v rostoucích vrstvách díky kapičkám odpařeného materiálu vyraženým z terče během trvání elektrického oblouku (jiskry).
54 Odhad chování dielektrické vrstvy Pokud si popíšeme chování dielektrické vrstvy jako kondenzátoru, pak pro dobu jeho nabíjení lze psát rovnici t E B B r 0 Ji, kde r charakterizuje vlastnosti dielektrické vrstvy a tb je čas potřebný k nabití kondenzátoru dopadem iontů s proudovou hustotou Ji. Aby k oblouku nedošlo, musí být náboj odváděn z dielektrické vrstvy nejpozději za čas tb nebo-li s frekvencí 1/tb Hz. Ačkoliv tb není funkcí tloušťky dielektrické vrstvy, tak hustota iontového proudu je závislá na pozici na terči. K oblouku dojde tam, kde je Ji největší a to je právě v erozní oblasti magnetronu, kde je i tloušťka dielektrické vrstvy nejmenší, nejpravděpodobněji na okraji erozní oblasti v přechodovém režimu rozprašování. Odhadněme dobu tb pro reálná data získaná během reaktivního DC magnetronového naprašování SiO2 z Si terče ve směsi Ar/O2.
55 Odhad chování dielektrické vrstvy Experimentální data: E0=8,854 x Fm-1, r = 7,6 sklo, Eb = 3 x 107 Vm-1, Ji = 10A/m2 na okraji erozní oblasti pak tb = 200 s. Takže lze říct, že nejnižší frekvence vybíjení vrstvy je cca 5kHz.
56 Předcházení a omezení vzniku jisker provedeme tak, že neumožníme nabití dielektrické vrstvy na potenciál potřebný k průrazu dielektrické vrstvy. To lze provést opakovaným vybíjením náboje z dielektrické vrstvy při pulzním napájení katody magnetronu. Frekvence DC 60 khz 80 khz 500 khz 13,56 MHz Dep. rychlost 100% 100% 85% 70% 55%
57 Pulzy unipolární Jednoduché uspořádání umožňuje udržet napětí vznikající na dielektrické vrstvě (kondenzátoru) trvale pod průrazným napětím. Během trvání pulzu probíhá rozprašování terče jako v případě DC včetně růstu dielektrické vrstvy která akumuluje elektrický náboj. Než napětí na dielektrické vrstvě dosáhne velikosti blízké průraznému napětí dojde k vypnutí pulzu. Během trvání krátké periody bez napětí je dielektrická vrstva vybíjena přes plazmový výboj. Frekvence používaných pulzů bývají řádově desítky khz s delším trváním rozprašovacího cyklu (ON) a s kratší dobou pulzu OFF. Pulzy tedy nejsou časově symetrické ani to není díky mobilitě elektronů potřeba. Naopak by to snižovalo depoziční rychlost. Pokud deponujeme vysoce izolační vrstvy, pak frekvence bývají vyšší až do 100kHz. Tak lze dosáhnou dobré stability procesu a vysoké jakosti deponovaných vrstev.
58 Pulzy bipolarní Místo prostého čekání na vybití dielektrické vrstvy přes plazma, lze vybíjení aktivně podpořit. Během vybíjecí doby je na terč přivedeno napětí vyšší než plazmový potenciál a dielektrické vrstva se vybije přitahovanými elektrony. Vybíjení vrstvy je efektivnější a vybíjecí pulz je kratší, tím lze přiblížit depoziční rychlost DC naprašování. Bipolární pulzní magnetronové naprašování můžeme realizovat buď s jedním nebo se dvěma magnetrony.
59 Pulzy duální magnetron Když je jeden terč na záporném potenciálu vůči plazmatu (rozprašování) je druhý na kladném (vybíjení) a takto se střídají. Takže vždy na začátku a na konci cyklu máme jeden čistý terč. Tak jsou často řešeny depoziční systémy pro průmyslové aplikace k povlakování skla a fólií. Výhodou pulzního rozprašování je existence vysoce výkonných pulzních zdrojů až do 200 kw v pulzu, což stačí k napájení i velké katody.
60 Pulzy duální magnetron Výhody bipolárního magnetronového reaktivního rozprašování jsou zřejmé (i) pravidelné a efektivní čištění erozních oblastí, (ii) dobře definovaná anoda v procesu, (iii) vysoká depoziční srovnatelná s DC a rychlost prakticky (iv) možnost velkých rozměrů terče na rozdíl od RF. Nevýhodou je nutnost použití větší komory, dvou magnetronů a synchronizovaných pulzních zdrojů, tedy cena.
61 Duální magnetron
62 Kompletní depoziční systém pro průmyslové aplikace
63 HIPIMS magnetronové rozprašování s vysokým proudem až 6Acm-2 při napětích do 1000 V vysoká ionizace rozprášeného materiálu se vznikem více násobných iontů typicky DC pulzní výboj z důvodu chlazení terče s d.c. pod 10% (High Power Impulse (nebo Pulsed) Magnetron Sputtering) depozice tvrdých a rezistivních materiálů jako jsou nitridy a oxidy a některé karbidy kovů např.: CrN/NbN, CrAlYN/CrN, TiO2, TiN, TiSiC
Fyzikální metody přípravy tenkých vrstev. Martin Kormunda
Fyzikální metody přípravy tenkých vrstev Co je to za techniky? Procesy vyváření tenkých vrstev fyzikálními metodami využívají procesy probíhající za nízkého tlaku k dosažení efektivního transportu částic
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Magnetronové naprašování
DOUTNAVÝ VÝBOJ Magnetronové naprašování Efektivním způsobem jak získat částice vhodné k růstu povlaku je nahrazení teploty používané u odpařování ekvivalentem energie dodané dopadem těžkéčástice přenosem
VíceREAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV. Jan VALTER HVM Plasma s.r.o. www.hvm.cz
REAKTIVNÍ MAGNETRONOVÉ NAPRAŠOV OVÁNÍ Jan VALTER SCHEMA REAKTIVNÍHO NAPRAŠOV OVÁNÍ zdroj výboje katoda odprašovaný terč plasma inertní napouštění plynů reaktivní zdroj předpětí p o v l a k o v a n é s
VíceVyužití plazmových metod ve strojírenství. Metody depozice povlaků a tenkých vrstev
Využití plazmových metod ve strojírenství Metody depozice povlaků a tenkých vrstev Metody depozice povlaků Využití plazmatu pro depozice (nanášení) povlaků a tenkých vrstev je moderní a stále častěji aplikovaná
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. Další technologie využívající doutnavý výboj
DOUTNAVÝ VÝBOJ Další technologie využívající doutnavý výboj Plazma doutnavého výboje je využíváno v technologiích depozice povlaků nebo modifikace povrchů. Jedná se zejména o : - depozici povlaků magnetronovým
VíceDOUTNAVÝ VÝBOJ. 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace
DOUTNAVÝ VÝBOJ 1. Vlastnosti doutnavého výboje 2. Aplikace v oboru plazmové nitridace Doutnavý výboj Připomeneme si voltampérovou charakteristiku výboje v plynech : Doutnavý výboj Připomeneme si, jaké
VíceVakuové metody přípravy tenkých vrstev
Vakuové metody přípravy tenkých vrstev Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical Vapour Deposition (PE CVD Plasma Enhanced CVD nebo PA CVD Plasma Assisted CVD) PVD
VícePlazmové metody Materiály a technologie přípravy M. Čada
Plazmové metody Existuje mnoho druhů výbojů v plynech. Ionizovaný plyn = elektrony + ionty + neutrály Depozice tenkých vrstev za pomocí plazmatu je jednou z nejpoužívanějších metod. Pomocí plazmatu lze
VícePlazma. magnetosféra komety. zbytky po výbuchu supernovy. formování hvězdy. slunce
magnetosféra komety zbytky po výbuchu supernovy formování hvězdy slunce blesk polární záře sluneční vítr - plazma je označována jako čtvrté skupenství hmoty - plazma je plyn s významným množstvím iontů
VícePlazma v technologiích
Plazma v technologiích Mezi moderními strojírenskými technologiemi se stále častěji prosazují metody využívající různé formy plazmatu. Plazma je plynné prostředí skládající se z poměrně volných částic,
VíceFYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA
FYZIKA VE FIRMĚ HVM PLASMA Jiří Vyskočil HVM Plasma spol.s r.o. Na Hutmance 2, 158 00 Praha 5 OBSAH HVM PLASMA spol. s r.o. zaměření a historie firmy hlavní činnost a produkty POVRCHOVÉ TECHNOLOGIE metody
VíceVybrané technologie povrchových úprav. Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008
Vybrané technologie povrchových úprav Metody vytváření tenkých vrstev Doc. Ing. Karel Daďourek 2008 Metody vytváření tenkých vrstev Vakuové metody dnes nejužívanější CVD Chemical vapour deposition PE CVD
VícePřednáška 4. Úvod do fyziky plazmatu : základní charakteristiky plazmatu, plazma v elektrickém vf plazma. Doutnavý výboj : oblasti výboje
Přednáška 4 Úvod do fyziky plazmatu : základní charakteristiky plazmatu, plazma v elektrickém vf plazma. Doutnavý výboj : oblasti výboje Jak nahradit ohřev při vypařování Co třeba bombardovat ve vakuu
VícePočítačový model plazmatu. Vojtěch Hrubý listopad 2007
Počítačový model plazmatu Vojtěch Hrubý listopad 2007 Situace Zajímá nás, co se děje v okolí kovové sondy ponořené do plazmatu. Na válcovou sondu přivedeme napětí U Očekáváme, že se okolo sondy vytvoří
VíceMetody depozice povlaků - CVD
Procesy CVD, PA CVD, PE CVD Chemická metoda depozice vrstev CVD využívá pro depozici směs chemicky reaktivních plynů (např. CH 4, C 2 H 2, apod.) zahřátou na poměrně vysokou teplotu 900 1100 C. Reakční
VícePlazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého
Plazmová depozice tenkých vrstev oxidu zinečnatého Bariérový pochodňový výboj za atmosférického tlaku Štěpán Kment Doc. Dr. Ing. Petr Klusoň Mgr. Zdeněk Hubička Ph.D. Obsah prezentace Úvod do problematiky
VíceVliv energie částic na vlastnosti vrstev Me-B-C-(N) připravených reaktivní magnetronovou depozicí
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI FAKULTA APLIKOVANÝCH VĚD KATEDRA FYZIKY Vliv energie částic na vlastnosti vrstev Me-B-C-(N) připravených reaktivní magnetronovou depozicí Plzeň 2014 Veronika Šímová Prohlášení
Vícegalvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu MBE Vakuová fyzika 2 1 / 39
Vytváření vrstev galvanicky chemicky plazmatem ve vakuu Vrstvy ve vakuu povlakování MBE měření tloušt ky vrstvy během depozice Vakuová fyzika 2 1 / 39 Velmi stručná historie (více na www.svc.org) 1857
VícePOPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ. (40) Zveřejněno 31 07 79 N
ČESKOSLOVENSKÁ SOCIALISTICKÁ R E P U B L I K A (19) POPIS VYNÁLEZU K AUTORSKÉMU OSVĚDČENÍ 196670 (11) (Bl) (51) Int. Cl. 3 H 01 J 43/06 (22) Přihlášeno 30 12 76 (21) (PV 8826-76) (40) Zveřejněno 31 07
VícePlazmové svařování a dělení materiálu. Jaromír Moravec
Plazmové svařování a dělení materiálu Jaromír Moravec 1 Definice plazmatu Definice plazmatu je následující: Plazma je kvazineutrální soubor částic s volnými nosiči nábojů, který vykazuje kolektivní chování.
VícePřednáška 3. Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování.
Přednáška 3 Napařování : princip, rovnovážný tlak par, rychlost vypařování. Realizace vypařovadel, směrovost vypařování, vypařování sloučenin a slitin, Vypařování elektronovým svazkem a MBE Napařování
VícePlazmové metody. Elektrické výboje v plynech
Plazmové metody Elektrické výboje v plynech Plazmové metody aplikované v technice velkou většinou používají jako zdroje plazmatu elektrické výboje v plynech. Výboje rozdělujeme podle doby trvání na - ustálené
VíceIONTOVÉ ZDROJE. Účel. Požadavky. Elektronové zdroje. Iontové zdroje. Princip:
Účel IONTOVÉ ZDROJE vyrobit svazek částic vytvarovat ho a dopravit do urychlovací komory předurychlit ho (10 kev) Požadavky intenzita svazku malá emitance svazku trvanlivost zdroje stabilita zdroje minimální
VíceHmotnostní spektrometrie
Hmotnostní spektrometrie Princip: 1. Ze vzorku jsou tvořeny ionty na úrovni molekul, nebo jejich zlomků (fragmentů), nebo až volných atomů dodáváním energie, např. uvolnění atomů ze vzorku nebo přímo rozštěpení
VíceVÝKONOVÉ TRANZISTORY MOS
VÝKONOVÉ TANZSTOY MOS Pro výkonové aplikace mají tranzistory MOS přednosti: - vysoká vstupní impedance, - vysoké výkonové zesílení, - napěťové řízení, - teplotní stabilita PNP FNKE TANZSTO MOS Prahové
VíceMěření charakteristik fotocitlivých prvků
Měření charakteristik fotocitlivých prvků Úkol : 1. Určete voltampérovou charakteristiku fotoodporu při denním osvětlení a při osvětlení E = 1000 lx. 2. Určete voltampérovou charakteristiku fotodiody při
VíceDepozice tenkých vrstev I.
Depozice tenkých vrstev I. Naprašování Mgr. Tereza Schmidtová 15. dubna 2010 Aplikace Klasifikace Obecný přehled aplikací použití pro optické vlastnosti - laserová optika, zrcadla, reflexní a anti-reflexní
VícePŘECHODOVÝ JEV V RC OBVODU
PŘEHODOVÝ JEV V OBVOD Pracovní úkoly:. Odvoďte vztah popisující časovou závislost elektrického napětí na kondenzátoru při vybíjení. 2. Měřením určete nabíjecí a vybíjecí křivku kondenzátoru. 3. rčete nabíjecí
VícePřednáška 8. Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD
Přednáška 8 Chemické metody a fyzikálně-chemické metody : princip CVD, metody dekompozice, PE CVD CVD Chemical Vapor Deposition Je chemický proces používaný k vytváření tenkých vrstev. Substrát je vystaven
VícePlazmové metody. Základní vlastnosti a parametry plazmatu
Plazmové metody Základní vlastnosti a parametry plazmatu Atom je základní částice běžné hmoty. Částice, kterou již chemickými prostředky dále nelze dělit a která definuje vlastnosti daného chemického prvku.
VíceNaprašování nanokompozitních vrstev Ti-Si-O-N a jejich vlastnosti
Západočeská univerzita v Plzni Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky Naprašování nanokompozitních vrstev Ti-Si-O-N a jejich vlastnosti Bakalářská práce Plzeň 2012 Michal Zítek Prohlášení Prohlašuji,
VíceAnomální doutnavý výboj
Anomální doutnavý výboj Výboje v plynech ve vakuu Základní procesy ve výboji Odprašování dopadající kladné ionty vyrážejí z katody částice, tím dochází k úbytku hmoty katody a zmenšování rozměrů. Odprašování
VíceElektrostatické pole. Vznik a zobrazení elektrostatického pole
Elektrostatické pole Vznik a zobrazení elektrostatického pole Elektrostatické pole vzniká kolem nepohyblivých těles, které mají elektrický náboj. Tento náboj mohl vzniknout například přivedením elektrického
VíceNahlédnutí pod pokličku vývoje SHM: Magnetronové naprašování. Počítačová simulace procesu
Nahlédnutí pod pokličku vývoje SHM: Magnetronové naprašování Počítačová simulace procesu Magnetronové naprašování princip metody vývoj technologie Magnetronové naprašování princip metody Zdroj: Jan Valter,
VíceSekundární elektrochemické články
Sekundární elektrochemické články méně odborně se jim říká také akumulátory všechny elektrochemické reakce jsou vratné (ideálně na 100%) řeší problém ekonomický (vícenásobné použití snižuje náklady) řeší
VíceIradiace tenké vrstvy ionty
Iradiace tenké vrstvy ionty Ve většině technologických aplikací dochází k depozici tenké vrstvy za nízké teploty > jsme v zóně I nebo T > vrstvá má sloupcovou strukturu, je porézní a hrubá. Ukazuje se,
VíceTenká vrstva - aplikace
Poznámka: tyto materiály slouží pouze pro opakování STT žáků SPŠ Na Třebešíně, Praha 10; s platností do r. 2016 v návaznosti na platnost norem. Zákaz šíření a modifikace těchto materiálů. Děkuji Ing. D.
VíceFyzikální metody nanášení tenkých vrstev
Fyzikální metody nanášení tenkých vrstev Vakuové napařování Příprava tenkých vrstev kovů některých dielektrik polovodičů je možné vytvořit i epitaxní vrstvy (orientované vrstvy na krystalické podložce)
VíceHMOTNOSTNÍ SPEKTROMETRIE - kvalitativní i kvantitativní detekce v GC a LC - pyrolýzní hmotnostní spektrometrie - analýza polutantů v životním
HMOTNOSTNÍ SPEKTROMETRIE - kvalitativní i kvantitativní detekce v GC a LC - pyrolýzní hmotnostní spektrometrie - analýza polutantů v životním prostředí - farmakokinetické studie - kvantifikace proteinů
VíceUniverzita Tomáše Bati ve Zlíně
Univerzita Tomáše Bati ve Zlíně Ústav elektrotechniky a měření Diody a usměrňova ovače Přednáška č. 2 Milan Adámek adamek@ft.utb.cz U5 A711 +420576035251 Diody a usměrňova ovače 1 Voltampérová charakteristika
VíceRovinná harmonická elektromagnetická vlna
Rovinná harmonická elektromagnetická vlna ---- 1. příklad -------------------------------- 2 GHz prochází prostředím s parametry: r 5, r 1, 0.005 S / m. Amplituda intenzity magnetického pole je H m 0.25
VíceU = E a - E k + IR Znamená to, že vložené napětí je vyrovnáváno
Voltametrie a polarografie Princip. Do roztoku vzorku (elektrolytu) jsou ponořeny dvě elektrody (na rozdíl od potenciometrie prochází obvodem el. proud) - je vytvořen elektrochemický článek. Na elektrody
VíceGas Discharges. Overview of Different Types. 14. listopadu 2011
Gas Discharges Overview of Different Types Jan Voráč ÚFE 14. listopadu 2011 Obrázky použité v této prezentaci jsou nestoudně ukradeny z internetu, z archivů pracovníků ÚFE MU, ze skript Základy fyziky
VíceLaboratorní návod pro práci s naprašovačkou Denton DESK V HP TSC
Laboratorní návod pro práci s naprašovačkou Denton DESK V HP TSC 2011 Ústav fyziky a měřicí techniky VŠCHT Praha 1 Technologie naprašování kovů K depozicím kovů bude v rámci této práce využito naprašování,
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta aplikovaných věd. Katedra fyziky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Plzeň 2014 Michal Tichý Západočeská univerzita v Plzni Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky Bakalářská práce Vliv
VíceTECHNIKA VYSOKÝCH NAPĚŤÍ. #4 Elektrické výboje v elektroenergetice
TECHNIKA VYSOKÝCH NAPĚŤÍ #4 Elektrické výboje v elektroenergetice Korónový výboj V homogenním elektrickém poli dochází k celkovému přeskoku mezi elektrodami najednou U nehomogenních uspořádání dochází
VíceMonika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ
Monika Fialová VAKUOVÁ FYZIKA II. ZÍSKÁVÁNÍ NÍZKÝCH TLAKŮ CHARAKTERISTIKY VÝVĚV vývěva = zařízení snižující tlak plynu v uzavřeném objemu parametry: mezní tlak čerpací rychlost pracovní tlak výstupní tlak
VíceSTEJNOSMĚRNÝ PROUD Samostatný výboj TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY.
STEJNOSMĚRNÝ PROUD Samostatný výboj TENTO PROJEKT JE SPOLUFINANCOVÁN EVROPSKÝM SOCIÁLNÍM FONDEM A STÁTNÍM ROZPOČTEM ČESKÉ REPUBLIKY. Plyny jsou tvořeny elektricky neutrálními molekulami. Proto jsou za
VíceVytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev)
Naprašování: Vytržení jednotlivých atomů, molekul či jejich shluků bombardováním terče (targetu) ionty s vysokou energií (~kev) Po nárazu iont předává hybnost částicím terče, dojde k vytržení Depozice
VícePočet atomů a molekul v monomolekulární vrstvě
Počet atomů a molekul v monomolekulární vrstvě ϑ je stupeň pokrytí ϑ = N 1 N 1p N 1 = ϑn 1p ν 1 = 1 4 nv a ν 1ef = γν 1 = γ 1 4 nv a γ je koeficient ulpění () F6450 1 / 23 8kT v a = πm = 8kNa T π M 0 ν
Více7. Kondenzátory. dielektrikum +Q + + + + + + + + U - - - - - - - - elektroda. Obr.2-11 Princip deskového kondenzátoru
7. Kondenzátory Kondenzátor (někdy nazývaný kapacitor) je součástka se zvýrazněnou funkční elektrickou kapacitou. Je vytvořen dvěma vodivými plochami - elektrodami, vzájemně oddělenými nevodivým dielektrikem.
VíceFYZIKA II. Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud
FYZIKA II Petr Praus 6. Přednáška elektrický proud Osnova přednášky Elektrický proud proudová hustota Elektrický odpor a Ohmův zákon měrná vodivost driftová rychlost Pohyblivost nosičů náboje teplotní
VíceStřední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace
Střední odborná škola a Střední odborné učiliště, Hradec Králové, Vocelova 1338, příspěvková organizace Registrační číslo projektu: Číslo DUM: Tematická oblast: Téma: Autor: CZ.1.07/1.5.00/34.0245 VY_32_INOVACE_08_A_05
VíceTechnika vysokých napětí. Elektrické výboje v elektroenergetice
Elektrické výboje v elektroenergetice Korónový výboj V homogenním elektrickém poli dochází k celkovému přeskoku mezi elektrodami najednou U nehomogenních uspořádání dochází k optickým a akustickým projevům
VíceRelativní chybu veličiny τ lze určit pomocí relativní chyby τ 1. Zanedbáme-li chybu jmenovatele ve vzorci (2), platí *1+:
Pracovní úkol 1. Změřte charakteristiku Geigerova-Müllerova detektoru pro záření gamma a u jednotlivých měření stanovte chybu a vyznačte ji do grafu. Určete délku a sklon plata v charakteristice detektoru
Více15. Elektrický proud v kovech, obvody stejnosměrného elektrického proudu
15. Elektrický proud v kovech, obvody stejnosměrného elektrického proudu 1. Definice elektrického proudu 2. Jednoduchý elektrický obvod a) Ohmův zákon pro část elektrického obvodu b) Elektrický spotřebič
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky BAKALÁŘSKÁ PRÁCE Vliv průměrné výkonové hustoty na terči během depozice vrstev HfO 2 pomocí reaktivního vysoko-výkonového pulzního
Více1. Paschenův zákon. p = A exp Bp )
Odvození Paschenova zákona 1. Paschenův zákon Při působení elektrického pole na zředěný plyn dochází k urychlování náhodných elektronů v plynu do takových energií, že při srážkách urychlených elektronů
VíceTématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 Modul 3 Základy elektrotechniky
Tématické okruhy teoretických zkoušek Part 66 1 3.1 Teorie elektronu 1 1 1 Struktura a rozložení elektrických nábojů uvnitř: atomů, molekul, iontů, sloučenin; Molekulární struktura vodičů, polovodičů a
VíceZáklady elektrotechniky
Základy elektrotechniky Přednáška Tyristory 1 Tyristor polovodičová součástka - čtyřvrstvá struktura PNPN - tři přechody při polarizaci na A, - na K je uzavřen přechod 2, při polarizaci - na A, na K jsou
VíceNeřízené polovodičové prvky
Neřízené polovodičové prvky Výkonová elektronika - přednášky Projekt ESF CZ.1.07/2.2.00/28.0050 Modernizace didaktických metod a inovace výuky technických předmětů. Neřízené polovodičové spínače neobsahují
VíceVEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH
VEDENÍ ELEKTRICKÉHO PROUDU V LÁTKÁCH Jan Hruška TV-FYZ Ahoj, tak jsme tady znovu a pokusíme se Vám vysvětlit problematiku vedení elektrického proudu v látkách. Co je to vlastně elektrický proud? Na to
VíceGALAVANICKÝ ČLÁNEK. V běžné životě používáme název baterie. Odborné pojmenování pro baterii je galvanický článek.
GALAVANICKÝ ČLÁNEK V běžné životě používáme název baterie. Odborné pojmenování pro baterii je galvanický článek. Galvanický článek je zařízení, které využívá redoxní reakce jako zdroj energie. Je zdrojem
VíceVysoké frekvence a mikrovlny
Vysoké frekvence a mikrovlny Osnova Úvod Maxwellovy rovnice Typy mikrovlnného vedení Použití ve fyzice plazmatu Úvod Mikrovlny jsou elektromagnetické vlny o vlnové délce větší než 1mm a menší než 1m, což
Vícec) vysvětlení jednotlivých veličin ve vztahu pro okamžitou výchylku, jejich jednotky
Harmonický kmitavý pohyb a) vysvětlení harmonického kmitavého pohybu b) zápis vztahu pro okamžitou výchylku c) vysvětlení jednotlivých veličin ve vztahu pro okamžitou výchylku, jejich jednotky d) perioda
VíceFlyback converter (Blokující měnič)
Flyback converter (Blokující měnič) 1 Blokující měnič patří do rodiny měničů se spínaným primárním vinutím, což znamená, že výstup je od vstupu galvanicky oddělen. Blokující měniče se používají pro napájení
VíceBipolární tranzistory
Bipolární tranzistory h-parametry, základní zapojení, vysokofrekvenční vlastnosti, šumy, tranzistorový zesilovač, tranzistorový spínač Bipolární tranzistory (bipolar transistor) tranzistor trojpól, zapojení
VícePOKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE III
POKUSY VEDOUCÍ KE KVANTOVÉ MECHANICE III FOTOELEKTRICKÝ JEV OBJEV ATOMOVÉHO JÁDRA 1911 Rutherford některé radioaktivní prvky vyzařují částice α, jde o kladné částice s nábojem 2e a hmotností 4 vodíkových
VíceZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI. Fakulta aplikovaných věd. Katedra fyziky DIPLOMOVÁ PRÁCE
ZÁPADOČESKÁ UNIVERZITA V PLZNI Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky DIPLOMOVÁ PRÁCE Plzeň 2016 Michal Tichý Západočeská univerzita v Plzni Fakulta aplikovaných věd Katedra fyziky Diplomová práce Vysokovýkonová
VíceZáklady elektrotechniky - úvod
Elektrotechnika se zabývá výrobou, rozvodem a spotřebou elektrické energie včetně zařízení k těmto účelům používaným, dále sdělovacími a informačními technologiemi. Elektrotechnika je úzce spjata s matematikou
VíceZáklady vakuové techniky
Základy vakuové techniky Střední rychlost plynů Rychlost molekuly v p = (2 k N A ) * (T/M 0 ), N A = 6. 10 23 molekul na mol (Avogadrova konstanta), k = 1,38. 10-23 J/K.. Boltzmannova konstanta, T.. absolutní
VíceStudium kladného sloupce doutnavého výboje pomocí elektrostatických sond: jednoduchá sonda
1 Úvod Studium kladného sloupce doutnavého výboje pomocí elektrostatických sond: jednoduchá sonda V této úloze se zaměříme na měření parametrů kladného sloupce doutnavého výboje, proto je vhodné se na
VíceTenké vrstvy. historie předdepoziční přípravy stripping
Tenké vrstvy historie předdepoziční přípravy stripping 1 HISTORIE TENKÝCH VRSTEV Historie depozice vrstev obloukovým odpařováním z katody sahá až do devatenáctého století. Pozorování pulzního a později
VíceFET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů
FET Field Effect Transistor unipolární tranzistory - aktivní součástky unipolární využívají k činnosti vždy jen jeden druh majoritních nosičů (elektrony nebo díry) pracují s kanálem jednoho typu vodivosti
VícePřehled metod depozice a povrchových
Kapitola 5 Přehled metod depozice a povrchových úprav Tabulka 5.1: První část přehledu technologií pro depozici tenkých vrstev. Klasifikované podle použitého procesu (napařování, MBE, máčení, CVD (chemical
VícePlazmatické metody pro úpravu povrchů
Plazmatické metody pro úpravu povrchů Aleš Kolouch Technická Univerzita v Liberci Studentská 2 461 17 Liberec 1 Obsah 1. Plazma 2. Plazmové stříkání 3. Plazmové leptání 4. PVD 5. PECVD 6. Druhy reaktorů
VíceÚvod do koroze. (kapitola, která bude společná všem korozním laboratorním pracím a kterou studenti musí znát bez ohledu na to, jakou práci dělají)
Úvod do koroze (kapitola, která bude společná všem korozním laboratorním pracím a kterou studenti musí znát bez ohledu na to, jakou práci dělají) Koroze je proces degradace kovu nebo slitiny kovů působením
VícePlazmové depozice povlaků. Plazmový nástřik Plasma Spraying
Plazmové depozice povlaků Plazmový nástřik Plasma Spraying Plazmový nástřik patří do kategorie žárových nástřiků. Žárový nástřik je částicový proces vytváření povlaků o tloušťce obvykle větší než 50 µm,
VíceUrychlovače částic principy standardních urychlovačů částic
Urychlovače částic principy standardních urychlovačů částic Základní info technické zařízení, které dodává kinetickou energii částicím, které je potřeba urychlit nabité částice jsou v urychlovači urychleny
VíceDioda - ideální. Polovodičové diody. nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem)
Polovodičové diody: deální dioda Polovodičové diody: struktury a typy Dioda - ideální anoda [m] nelineární dvojpól funguje jako jednocestný ventil (propouští proud pouze jedním směrem) deální vs. reálná
VíceStruktura elektronového obalu
Projekt: Inovace oboru Mechatronik pro Zlínský kraj Registrační číslo: CZ.1.07/1.1.08/03.0009 Struktura elektronového obalu Představy o modelu atomu se vyvíjely tak, jak se zdokonalovaly možnosti vědy
VíceNÍZKOTEPLOTNÍ PLAZMOVÁ DEPOZICE TENKÝCH VRSTEV
NÍZKOTEPLOTNÍ PLAZMOVÁ DEPOZICE TENKÝCH VRSTEV Zdeněk Hubička Fyzikální ústav AV ČR v.v.i. Praha 1 Úvod Dosud bylo vynaloženo mnoho úsilí na vývoj nízkoteplotních plazmových systémů vhodných pro nanášení
VíceVýstupní práce Materiály a technologie přípravy M. Čada
Výstupní práce Makroskopická veličina charakterizující povrch z pohledu elektronických vlastností. Je to míra vazby elektronu k pevné látce a hraje důležitou roli při procesech transportu nabitých částic
VíceIonizační manometry. Při ionizaci plynu o koncentraci n nejsou ionizovány všechny molekuly, ale jenom část z nich n i = γn ; γ < 1.
Ionizační manometry Princip: ionizace molekul a měření počtu nabitých částic Rozdělení podle způsobu ionizace: Manometry se žhavenou katodou Manometry se studenou katodou Manometry s radioaktivním zářičem
VíceELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ
ELEKTRONICKÉ PRVKY TECHNOLOGIE VÝROBY POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ Polovodič - prvek IV. skupiny, v elektronice nejčastěji křemík Si, vykazuje vysokou čistotu (10-10 ) a bezchybnou strukturu atomové mřížky v monokrystalu.
VíceObloukové svařování wolframovou elektrodou v inertním plynu WIG (TIG) - 141
Obloukové svařování wolframovou elektrodou v inertním plynu WIG (TIG) - 141 Při svařování metodou 141 hoří oblouk mezi netavící se elektrodou a základním matriálem. Ochranu elektrody i tavné lázně před
VíceTECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III.
TECHNOLOGICKÉ PROCESY PŘI VÝROBĚ POLOVODIČOVÝCH PRVKŮ III. NANÁŠENÍ VRSTEV V mikroelektronice se nanáší tzv. tlusté a tenké vrstvy. a) Tlusté vrstvy: Používají se v hybridních integrovaných obvodech. Nanáší
VíceCharakteristika a mrtvá doba Geiger-Müllerova počítače
Charakteristika a mrtvá doba Geiger-Müllerova počítače Úkol : 1. Proměřte charakteristiku Geiger-Müllerova počítače. K jednotlivým naměřeným hodnotám určete střední kvadratickou chybu a vyznačte ji do
VíceZákladní experiment fyziky plazmatu
Základní experiment fyziky plazmatu D. Vašíček 1, R. Skoupý 2, J. Šupík 3, M. Kubič 4 1 Gymnázium Velké Meziříčí, david.vasicek@centrum.cz 2 Gymnázium Ostrava-Hrabůvka příspěvková organizace, jansupik@gmail.com
VíceKRITÉRIA VOLBY METODY A TRENDY TEPELNÉHO DĚLENÍ MATERIÁLŮ Ing. Martin Roubíček, Ph.D. - Air Liquide
KRITÉRIA VOLBY METODY A TRENDY TEPELNÉHO DĚLENÍ MATERIÁLŮ Ing. Martin Roubíček, Ph.D. - Air Liquide Metody tepelného dělení, problematika základních materiálů Tepelné dělení materiálů je lze v rámci strojírenské
VíceCzech Technical University in Prague Faculty of Electrical Engineering. Fakulta elektrotechnická. České vysoké učení technické v Praze
Z předchozích přednášek víme, že kapacitor a induktor jsou setrvačné obvodové prvky, které ukládají energii Dosud jsme se zabývali ustáleným stavem předpokládali jsme, že v minulosti byly všechny kapacitory
VíceOtázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna
Otázka č. 3 - BEST Aktivní polovodičové součástky BJT, JFET, MOSFET, MESFET struktury, vlastnosti, aplikace Vypracovala Kristýna Tato otázka přepokládá znalost otázky č. - polovodiče. Doporučuji ujasnit
VíceChemické metody plynná fáze
Chemické metody plynná fáze Chemické reakce prekurzorů lze aktivovat i UV zářením PHCVD. Foton aktivuje molekuly nebo atomy, které pak vytvářejí volné radikály nesoucí hodně energie > ty pak rozbijí velké
VíceFyzikální praktikum 3 Operační zesilovač
Ústav fyzikální elekotroniky Přírodovědecká fakulta, Masarykova univerzita, Brno Fyzikální praktikum 3 Úloha 7. Operační zesilovač Úvod Operační zesilovač je elektronický obvod hojně využívaný téměř ve
VíceOxidace a redukce. Hoření = slučování s kyslíkem = oxidace. 2 Mg + O 2 2 MgO S + O 2 SO 2. Redukce = odebrání kyslíku
Oxidace a redukce Hoření = slučování s kyslíkem = oxidace 2 Mg + O 2 2 MgO S + O 2 SO 2 Redukce = odebrání kyslíku Fe 2 O 3 + 3 C 2 Fe + 3 CO CuO + H 2 Cu + H 2 O 1 Oxidace a redukce Širší pojem oxidace
VíceVojtěch Hrubý: Esej pro předmět Seminář EVF
Vojtěch Hrubý: Esej pro předmět Seminář EVF Plazma Pod pojmem plazma většinou myslíme plynné prostředí, které se skládá z neutrálních částic, iontů a elektronů. Poměr množství neutrálních a nabitých částic
VíceVzdělávání výzkumných pracovníků v Regionálním centru pokročilých technologií a materiálů reg. č.: CZ.1.07/2.3.00/09.0042
Vzdělávání výzkumných pracovníků v Regionálním centru pokročilých technologií a materiálů reg. č.: CZ.1.07/2.3.00/09.0042 Tento projekt je spolufinancován Evropským sociálním fondem a státním rozpočtem
VíceTYRISTORY. Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor
TYRSTORY Spínací součástky pro oblast největších napětí a nejvyšších proudů Nejčastěji triodový tyristor Závěrný směr (- na A) stav s vysokou impedancí, U R, R parametr U RRM Přímý směr (+ na A) dva stavy
Více